TWI706059B - 高平整度銅電鍍方法及銅電鍍品 - Google Patents

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TWI706059B
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李玟炯
李云永
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韓國生產技術研究院
南韓商Ｐｄｔ股份有限公司
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    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors

Abstract

本發明提供一種高平整度銅電鍍方法及銅電鍍品。所述銅電鍍方法可包括：前處理步驟，將基板浸漬於前處理溶液中，所述前處理溶液含第一整平劑但不含銅前驅體；浸漬步驟，將前處理後的所述基板浸漬於鍍液中，所述鍍液包含所述第一整平劑、第二整平劑、抑制劑、加速劑及銅前驅體；以及電沉積步驟，對浸漬於所述鍍液的基板施加電流，來電沉積銅膜。根據本發明一實施例，在實施銅電鍍時，電鍍之前先浸漬於前處理溶液中，吸附第一整平劑，從而能夠得到高平整度銅鍍膜。

Description

高平整度銅電鍍方法及銅電鍍品
本發明關於一種鍍銅方法及銅電鍍品，更詳細而言，關於一種高平整度銅電鍍方法及銅電鍍品。
電鍍是利用從外部供給的電子來電沉積金屬或金屬氧化物的方法。與通常的電化學系統相同地，電鍍系統包括電極、電解質及用於供給電子的電源。為實施銅電鍍，將形成有圖案的基板用作陰極(cathode)，將含磷的銅或不溶性物質用作陽極(anode)。電解質基本上包含銅離子，為了降低電解質自身的電阻，而包含硫酸，並且為了改善銅離子和添加劑的吸附性，而包含氯離子等。
近年來，為了半導體晶片的高性能化及製造費用的節省，對利用面板級封裝(Panel level package；PLP)製程來開發產品的需求增加，從而對實現微間距布線圖案的高平整度鍍膜的技術的要求也增加了。
[先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：韓國授權專利第10-1705734號。
[發明所欲解決之課題]
本發明所要解決的技術課題在於提供一種高平整度鍍銅方法及銅電鍍品。
本發明所要解決的技術課題不限於如上所提及的技術課題，本案所屬技術領域中具有通常知識者可藉由以下的記載明確地理解未提及的其他技術課題。
[用以解決課題之手段]
為了實現所述技術課題，本發明一實施例提供一種高平整度銅電鍍方法。
所述銅電鍍方法可包括：前處理步驟，將基板浸漬於前處理溶液中，所述前處理溶液含第一整平劑(leveling agent)但不含銅前驅體；浸漬步驟，將前處理後的所述基板浸漬於鍍液中，所述鍍液包含所述第一整平劑、第二整平劑、抑制劑、加速劑及銅前驅體；以及電沉積步驟，對浸漬於所述鍍液的基板施加電流，來電沉積銅膜。
此時，特徵在於，所述基板具有20μm以下的布線間距。
此時，特徵在於，在所述前處理步驟中，所述第一整平劑以100mg/l至5000mg/l的濃度添加在所述前處理溶液中。
此時，特徵在於，所述第一整平劑用於製造凸出的所述銅膜。
此時，特徵在於，所述第二整平劑用於製造凹陷的所述銅膜。
此時，特徵在於，在將前處理後的所述基板浸漬於所述鍍液的步驟中，所述第一整平劑以0.1mg/l至1000mg/l的濃度添加在所述鍍液中。
此時，特徵在於，在將前處理後的所述基板浸漬於所述鍍液的步驟中，所述第二整平劑以0.1mg/l至1000mg/l的濃度添加在所述鍍液中。
此時，所述抑制劑包含聚亞氧烷基二醇、羧甲基纖維素、N-壬基酚聚乙二醇醚、辛二醇二乙二醇醚、油酸聚乙二醇酯、聚乙二醇、聚乙二醇二甲醚、聚乙二醇-嵌段-聚丙二醇-嵌段-聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇、硬脂醇聚乙二醇醚、硬脂酸聚乙二醇酯、3-甲基-1-丁炔-3-醇、3-甲基-戊烯-3-醇、L-乙炔基環己醇、苯丙炔醇、3-苯基-1-丁炔-3-醇、炔丙醇、甲基丁醇-環氧乙烷、2-甲基-4-氯-3-丁炔-2-醇、二甲基己二醇、二甲基己二醇-環氧乙烷、二甲基辛二醇、苯基丁炔醇或1,4-丁二醇二縮水甘油醚。
此時，所述加速劑包含(O-(二硫代碳酸乙酯)-S-(3-磺丙基)-酯、3-[(氨基-亞氨基甲基)-硫醇]-1-丙磺酸、3-(苯并噻唑-2-巰基)-丙基磺酸、雙-(磺丙基)-二硫化鈉、N,N-二甲基二硫代氨基甲醯基丙磺酸、3,3-硫代雙(1-丙烷磺酸)、2-羥基-3-[三(羥甲基)甲氨基]-1-丙磺酸、2,3-二巰基丙烷丙磺酸鈉、3-巰基-1-丙磺酸、N,N-雙(4-磺丁基)-3,5-二甲基苯胺、2-巰基-5-苯并咪唑磺酸鈉、5,5'-二硫代雙(2-硝基苯甲酸)、DL-半胱氨酸、4-巰基-苯磺酸或5-巰基-1H-四唑-1-甲磺酸。
此時，所述加速劑及所述抑制劑分別獨立地具有100g/mol至100,000g/mol範圍的分子量。
此時，其特徵在於，所述加速劑及所述抑制劑分別獨立地以0.1mg/l至1,000mg/l範圍的濃度添加在所述鍍液中。
此時，特徵在於，在所述電沉積銅膜的步驟中，以1ASD至15ASD(Ampere per square Decimeter)的電流密度範圍施加電流。
為了實現所述技術課題，本發明一實施例提供一種銅電鍍品，特徵在於，該銅電鍍品藉由所述銅電鍍方法來製造。
[發明功效]
根據本發明的實施例，將基板浸漬於含第一整平劑但不含銅前驅體的前處理溶液中，使所述第一整平劑吸附在基板上，從而能夠形成高平整度銅鍍膜。
應理解為本發明的效果不限於所述的效果，而是包括可藉由本發明的詳細說明或申請專利範圍中記載的本發明的構成推論出的所有的效果。
以下，參照圖式對本發明進行說明。但是，本發明可藉由多種不同的方式實現，因此並不限定於在此說明的實施例。並且，為了明確地說明本發明，省略與說明無關的部分，在整個說明書中對類似的部分標注類似的元件符號。
在整個說明書中，記載有某一部分與另一部分“連接(相連、接觸或結合)”時，這不僅包括“直接連接”的情況，還包括中間隔著其他構件“間接連接”的情況。另外，記載有某一部分“包括”某一構件時，除非特別矛盾的記載，則表示還可包括另一構件也就是不排除具有另一構件。
本說明書中所使用的術語只是為說明特定的實施例而使用，並非限定本發明。關於單數的表述，除在上下文中明確表示不同含義，則均包括複數的表述。應理解的是，本說明書中“包括”或“具有”等術語用於指定說明書中記載的特徵、數位、步驟、動作、構件、配件或它們的組合的存在，而非提前排除一個或以上的其他特徵或數位、步驟、動作、構件、部件或它們的組合的存在或其他可能性。
以下，參照圖式，對本發明的實施例進行詳細說明。
本發明一實施例對高平整度銅電鍍方法進行說明。
圖1是表示本發明一實施例的銅電鍍方法的流程圖。
參照圖1，所述銅電鍍方法可包括：前處理步驟S100，將基板浸漬於前處理溶液中進行前處理，所述前處理溶液含第一整平劑但不含銅前驅體；浸漬步驟S200，將前處理後的所述基板浸漬於鍍液中，所述鍍液包含所述第一整平劑、第二整平劑、抑制劑、加速劑及銅前驅體；以及電沉積步驟S300，對浸漬於所述鍍液的基板施加電流，來電沉積銅膜。
此時，特徵在於，所述基板具有20μm以下的布線間距，以實現移動半導體晶片的高性能化及製造費用的節省。
此時，在所述前處理步驟S100中，所述第一整平劑發揮介面活性化及引導鍍液浸透至布線內的作用，將鍍液中的電解質均勻供給至基板的表面，從而能夠得到高平整度效果。
此時，在所述前處理步驟S100中，藉由將基板浸漬於含第一整平劑但不含銅前驅體的前處理溶液中，使所述第一整平劑吸附在基板上，從而能夠形成高平整度銅鍍膜。
此時，特徵在於，在所述前處理步驟S100中，所述第一整平劑以100mg/l至5000mg/l的濃度添加在所述前處理溶液中。
此時，在所述第一整平劑的濃度小於100mg/l的情況下，第一整平劑不能充分滲透至布線內部，因此無法期待第一整平劑對電鍍結果產生影響。
此時，在所述第一整平劑的濃度超過5000mg/l的情況下，因吸附第一整平劑過度，可能導致鍍膜不均勻。
此時，特徵在於，在將前處理後的所述基板浸漬於所述鍍液的步驟S200中，所述第一整平劑以0.1mg/l至1000mg/l的濃度添加在所述鍍液中。
此時，特徵在於，所述第一整平劑用於製造凸出的所述銅膜。
此時，在基板上形成銅膜的銅電鍍製程中，所述第一整平劑吸附於形成高電流密度的鍍膜的部位，來抑制銅離子的還原，從而改善銅鍍膜的均勻度及平整度，其結果，電鍍後能夠改善圖案的均勻度及平整度。
此時，特徵在於，在將前處理後的所述基板浸漬於所述鍍液的步驟S200中，所述第二整平劑以0.1mg/l至1000mg/l的濃度添加至所述鍍液中。
此時，特徵在於，所述第二整平劑用於製造凹陷的所述銅膜。
此時，在基板上形成銅膜的銅電鍍製程中，所述第二整平劑吸附於形成高電流密度的鍍膜的部位，來抑制銅離子的還原，從而改善銅鍍膜的均勻度及平整度，其結果，電鍍後能夠改善圖案的均勻度及平整度。
例如，所述第一整平劑可具有以下化學式1的結構。
[化學式1]
Figure 02_image001
此時，R1 作為包含氮、氧、硫、磷中一個或兩個原子的飽和雜環化合物，可包含氮丙啶、環氧乙烷、環硫乙烷、二氮雜環丙烷(diaziridine)、氧雜吖丙啶、雙環氧乙烷、氮雜環丁烷、氧雜環丁烷、硫化環丙烷、二氮雜環丁烷、二氧環丁烷(dioxetane)、二硫雜環丁烷、吡咯烷、硫雜環戊烷、磷醯胺、咪唑烷、吡唑烷、噁唑烷、異噁唑烷、噻唑烷、異噻唑烷、二氧戊環、二硫戊環、呱啶、環氧乙烷、硫代環己烷、磷醯環己烷、呱嗪、嗎啉、硫代嗎啉、二噁烷、二噻烷、氮雜環庚烷、氧雜環庚烷、硫雜環庚烷、高呱嗪、氮雜環辛烷、氧雜環辛烷、硫雜環辛烷、氮雜環壬烷、氧雜環壬烷或硫雜環壬烷。
此時，特徵在於，所述R2 及所述R3 分別為單獨包含氫、醚官能團的碳數1至10個的線型烷基，或者為包含醚官能團的碳數5至20個的分支型烷基。
此時，特徵在於，所述m為300至4500的整數。
此時，所述X可包含氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、硝酸根(NO3 )、硫酸根(SO4 )、碳酸根(CO3 )或羥基(OH)。
例如，所述第二整平劑可具有以下化學式2的結構。
化學式2
Figure 02_image004
此時，特徵在於，所述R4 為包含氫、醚官能團的碳數1至10個的線型烷基，或者為包含醚官能團的碳數5至20個的分支型烷基。
此時，特徵在於，所述R5 包含芳香族烴。
此時，所述R6 為包含氫、碳數1至5個的線型烷基，或者為碳數1至2個的含氮的官能團如腈、亞胺、脲、異氰酸酯、醯胺、胺或肼。
此時，特徵在於，所述R7 為包含氫、醚官能團的碳數1至10個的線型烷基，或者為包含醚官能團的碳數5至20個的分支型烷基。
此時，特徵在於，所述n為50至300的整數。
此時，所述抑制劑可包含聚亞氧烷基二醇、羧甲基纖維素、N-壬基酚聚乙二醇醚、辛二醇二乙二醇醚、油酸聚乙二醇酯、聚乙二醇、聚乙二醇二甲醚、聚乙二醇-嵌段-聚丙二醇-嵌段-聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇、硬脂醇聚乙二醇醚、硬脂酸聚乙二醇酯、3-甲基-1-丁炔-3-醇、3-甲基-戊烯-3-醇、L-乙炔基環己醇、苯丙炔醇、3-苯基-1-丁炔-3-醇、炔丙醇、甲基丁醇-環氧乙烷、2-甲基-4-氯-3-丁炔-2-醇、二甲基己二醇、二甲基己二醇-環氧乙烷、二甲基辛二醇、苯基丁炔醇或1,4-丁二醇二縮水甘油醚。
此時，特徵在於，所述抑制劑在銅電鍍製程中抑制銅的還原，且提高鍍液的潤濕性，從而在具有圖案的基板上容易形成銅膜。
此時，所述加速劑可包含(O-(二硫代碳酸乙酯)-S-(3-磺丙基)-酯、3-[(氨基-亞氨基甲基)-硫醇]-1-丙磺酸、3-(苯并噻唑-2-巰基)-丙基磺酸、雙-(磺丙基)-二硫化鈉、N,N-二甲基二硫代氨基甲醯基丙磺酸、3,3-硫代雙(1-丙烷磺酸)、2-羥基-3-[三(羥甲基)甲氨基]-1-丙磺酸、2,3-二巰基丙烷丙磺酸鈉、3-巰基-1-丙磺酸、N,N-雙(4-磺丁基)-3,5-二甲基苯胺、2-巰基-5-苯并咪唑磺酸鈉、5,5'-二硫代雙(2-硝基苯甲酸)、DL-半胱氨酸、4-巰基-苯磺酸或5-巰基-1H-四唑-1-甲磺酸。
此時，特徵在於，所述加速劑作為在銅電鍍製程中降低鍍液的過電壓來生成高密度的核的物質，加速銅還原反應速度，來促進核的生成和成長。
此時，在將前處理後的所述基板浸漬於所述鍍液中的步驟S200的鍍液中，所述抑制劑及所述加速劑分別具有100g/mol至100,000g/mol範圍的分子量，可以分別以每升所述鍍液中含0.1mg至1000mg的範圍的濃度來添加。
此時，特徵在於，在電沉積所述銅膜的步驟S300中，以1ASD至15ASD(Ampere per square Decimeter，安培每平方分米)的電流密度範圍來施加電流。
[實施例]
根據本發明的一實施例進行銅電鍍。
首先，準備基板。
接著，將準備好的基板浸漬於前處理溶液中。
接著，將浸漬於前處理溶液中的基板，浸漬於銅鍍液來進行電鍍。
根據所述一實施例，藉由第一階段至第四階段的多階段的電流施加來實施銅電鍍，以1ASD至15ASD的電流密度範圍來施加電流。
根據所述一實施例，在銅鍍液中，作為抑制劑添加了包含芳香族烴的聚環氧乙烷(poly ethylene oxide)衍生物，作為加速劑添加了包含巰基組的有機化合物。
根據所述一實施例，在銅鍍液中，第一整平劑的R1 作為包含氮的飽和雜環化合物，是吡咯烷、吡唑烷、噁唑烷、噻唑烷中的一種。第一整平劑的R2 和R3 單獨包含氫。第一整平劑的m為500至1000的整數，第一整平劑的X是鹵族元素中的一種。
根據所述一實施例，銅鍍液中的第二整平劑的R4 和R6 單獨包含氫。第二整平劑的R5 是苯基或苯甲基中的一種。R7 包含含一個氮的氨基。整平劑的n為80至180的整數。
使用光學顯微鏡及雷射掃描共聚焦顯微鏡，對所述一實施例製造的鍍品進行分析。
圖2是本發明一實施例的銅電鍍之後使用光學顯微鏡觀測到的圖。
圖3是本發明一實施例的銅電鍍之後使用雷射掃描共聚焦顯微鏡測定的三維掃描圖。
圖4是本發明一實施例的銅電鍍之後使用雷射掃描共聚焦顯微鏡測定的輪廓結果。
參照圖2至圖4，根據本發明一實施例先浸漬於前處理溶液後再進行電鍍時，測得布線內厚度的不均勻度為2.5%。
比較例
為了與本發明一實施例進行比較，不浸漬於含第一整平劑的前處理溶液而直接進行電鍍。
首先，準備基板。
接著，將酸洗後的基板浸漬於銅鍍液中來進行電鍍。
根據所述一實施例，藉由第一階段至第四階段的多階段的電流施加來實施銅電鍍，以1ASD至15ASD的電流密度範圍施加電流。
根據所述一實施例，在銅鍍液中，作為抑制劑添加了包含芳香族烴的聚環氧乙烷(poly ethylene oxide)衍生物，作為加速劑添加了包含巰基組的有機化合物。
根據所述一實施例，在銅鍍液中，第一整平劑的R1 作為包含氮的飽和雜環化合物，是吡咯烷、吡唑烷、噁唑烷、噻唑烷中的一種。第一整平劑的R2 和R3 單獨包含氫。第一整平劑的m為500至1000的整數，第一整平劑的X是鹵族元素中的一種。
根據所述一實施例，銅鍍液中的第二整平劑的R4 和R6 單獨包含氫。第二整平劑的R5 是苯基或苯甲基中的一種。R7 包含含一個氮的氨基。整平劑的n為80至180的整數。
與所述一實施例相同地，使用光學顯微鏡及雷射掃描共聚焦顯微鏡，對作為比較例製得的鍍品進行分析。
圖5是本發明的一比較例的銅電鍍之後使用光學顯微鏡觀測到的圖。
圖6是本發明的一比較例的銅電鍍之後使用雷射掃描共聚焦顯微鏡測定的三維掃描圖。
圖7是本發明的一比較例的銅電鍍之後使用雷射掃描共聚焦顯微鏡測定的輪廓結果。
參照圖5至圖7，在不浸漬於前處理溶液而直接進行電鍍時，測得布線內厚度的不均勻度為14.1%。
確認到根據本發明一實施例實驗時布線內厚度的不均勻度為2.5%，這與比較例的實驗結果即14.1%相比改善了11.6%。
這是因為在電鍍之前，藉由前處理溶液的浸漬，預先吸附了第一整平劑。在根據本發明一實施例實施前處理的情況下，由於在電鍍之前第一整平劑已吸附於基板，發揮介面活性化及引導鍍液浸透至布線內的作用，從而在電鍍時，將鍍液內的電解液均勻供給至基板的表面，能夠產生高平整度效果。
由此可知，如果根據本發明一實施例來形成銅鍍膜，則能夠製得具有高平整度的銅鍍膜。
對銅電鍍品進行說明，特徵在於，所述銅電鍍品根據本發明一實施例的所述銅電鍍方法製得。
此時，所述銅電鍍品的特徵在於，在電鍍前，先將基板浸漬於前處理溶液中。
例如，所述銅電鍍品可包括具有銅布線的電路基板或具有銅布線的半導體。
就本發明一實施例的銅電鍍品而言，由於電鍍前先浸漬於前處理溶液中，因此預先吸附了第一整平劑，從而能夠得到具有高平整度銅鍍膜的鍍品。
如前所述的本發明的說明用於例示，本案所屬技術領域中具有通常知識者可理解不變更本發明的技術思想或必要技術特徵的前提下，可容易地變更為其他具體的方式。因此，應理解如上所述的多個實施例在所有方面進行例示，而並非限定。例如，以單一型說明的各技術特徵可以分散實施，同樣也可以將分散說明的技術特徵以結合的方式實施。
本發明的範圍由後述的申請專利範圍表示，應解釋為從申請專利範圍的意義、範圍及其等同概念匯出的所有變更或變形的方式均包含在本發明的範圍內。
S100~S300‧‧‧步驟
圖1是表示本發明一實施例的銅電鍍方法的流程圖。
圖2是本發明一實施例的銅電鍍之後使用光學顯微鏡觀測到的圖。
圖3是本發明一實施例的銅電鍍之後使用雷射掃描共聚焦顯微鏡測定的三維掃描圖。
圖4是本發明一實施例的銅電鍍之後使用雷射掃描共聚焦顯微鏡測定的輪廓(Profile)結果。
圖5是本發明一比較例的銅電鍍之後使用光學顯微鏡觀測到的圖。
圖6是本發明一比較例的銅電鍍之後使用雷射掃描共聚焦顯微鏡測定的三維掃描圖。
圖7是本發明一比較例的銅電鍍之後使用雷射掃描共聚焦顯微鏡測定的輪廓結果。
Figure 108102313-A0101-11-0002-1
S100~S300‧‧‧步驟

Claims (6)

  1. 一種銅電鍍方法，包括以下步驟：前處理步驟，將基板浸漬於前處理溶液中，所述前處理溶液含第一整平劑但不含銅前驅體；浸漬步驟，將前處理後的所述基板浸漬於鍍液中，所述鍍液包含所述第一整平劑、第二整平劑、抑制劑、加速劑及銅前驅體；以及電沉積步驟，對浸漬於所述鍍液的基板施加電流，來電沉積銅膜，在所述前處理步驟中，所述第一整平劑以100mg/l至5000mg/l的濃度添加在所述前處理溶液中，所述第一整平劑具有以下化學式1的結構：
    Figure 108102313-A0305-02-0015-1
     其中，R1作為包含氮、氧、硫、磷中一個或兩個原子的飽和雜環化合物，包含氮丙啶、環氧乙烷、環硫乙烷、二氮雜環丙烷、氧雜吖丙啶、雙環氧乙烷、氮雜環丁烷、氧雜環丁烷、硫化環丙烷、二氮雜環丁烷、二氧環丁烷、二硫雜環丁烷、吡咯烷、硫雜環戊烷、磷醯胺、咪唑烷、吡唑烷、噁唑烷、異噁唑烷、噻唑烷、異噻唑烷、二氧戊環、二硫戊環、呱啶、環氧乙烷、硫代環己烷、磷醯環己烷、呱嗪、嗎啉、硫代嗎啉、二噁烷、 二噻烷、氮雜環庚烷、氧雜環庚烷、硫雜環庚烷、高呱嗪、氮雜環辛烷、氧雜環辛烷、硫雜環辛烷、氮雜環壬烷、氧雜環壬烷或硫雜環壬烷，所述R2及所述R3分別為單獨包含氫、醚官能團的碳數1至10個的線型烷基，或者為包含醚官能團的碳數5至20個的分支型烷基，所述m為300至4500的整數，所述X包含氯、溴、碘、硝酸根、硫酸根、碳酸根或羥基，所述第二整平劑具有以下化學式2的結構：
    Figure 108102313-A0305-02-0016-2
     其中，所述R4為包含氫、醚官能團的碳數1至10個的線型烷基，或者為包含醚官能團的碳數5至20個的分支型烷基，所述R5包含芳香族烴，所述R6為包含氫、碳數1至5個的線型烷基，或者為碳數1至2個的含氮的官能團如腈、亞胺、脲、異氰酸酯、醯胺、胺或肼，所述R7為包含氫、醚官能團的碳數1至10個的線型烷基，或者為包含醚官能團的碳數5至20個的分支型烷基，所述n為50至300的整數，所述抑制劑包含聚亞氧烷基二醇、羧甲基纖維素、N-壬基 酚聚乙二醇醚、辛二醇二乙二醇醚、油酸聚乙二醇酯、聚乙二醇、聚乙二醇二甲醚、聚乙二醇-嵌段-聚丙二醇-嵌段-聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇、硬脂醇聚乙二醇醚、硬脂酸聚乙二醇酯、3-甲基-1-丁炔-3-醇、3-甲基-戊烯-3-醇、L-乙炔基環己醇、苯丙炔醇、3-苯基-1-丁炔-3-醇、炔丙醇、甲基丁醇-環氧乙烷、2-甲基-4-氯-3-丁炔-2-醇、二甲基己二醇、二甲基己二醇-環氧乙烷、二甲基辛二醇、苯基丁炔醇或1,4-丁二醇二縮水甘油醚，所述加速劑包含(O-(二硫代碳酸乙酯)-S-(3-磺丙基)-酯、3-[(氨基-亞氨基甲基)-硫醇]-1-丙磺酸、3-(苯并噻唑-2-巰基)-丙基磺酸、雙-(磺丙基)-二硫化鈉、N,N-二甲基二硫代氨基甲醯基丙磺酸、3,3-硫代雙(1-丙烷磺酸)、2-羥基-3-[三(羥甲基)甲氨基]-1-丙磺酸、2,3-二巰基丙烷丙磺酸鈉、3-巰基-1-丙磺酸、N,N-雙(4-磺丁基)-3,5-二甲基苯胺、2-巰基-5-苯并咪唑磺酸鈉、5,5'-二硫代雙(2-硝基苯甲酸)、DL-半胱氨酸、4-巰基-苯磺酸或5-巰基-1H-四唑-1-甲磺酸，在將前處理後的所述基板浸漬於所述鍍液的步驟中，所述第一整平劑以0.1mg/l至1000mg/l的濃度添加在所述鍍液中，在將前處理後的所述基板浸漬於所述鍍液的步驟中，所述第二整平劑以0.1mg/l至1000mg/l的濃度添加在所述鍍液中，所述加速劑及所述抑制劑分別獨立地以0.1mg/l至1,000mg/l範圍的濃度添加在所述鍍液中，在所述電沉積銅膜的步驟中，以1ASD至15ASD的電流密度範圍施加電流。
  2. 如請求項1所述之銅電鍍方法，其中，所述基板具有20μm以下的布線間距。
  3. 如請求項1所述之銅電鍍方法，其中，所述第一整平劑用於製造凸出的所述銅膜。
  4. 如請求項1所述之銅電鍍方法，其中，所述第二整平劑用於製造凹陷的所述銅膜。
  5. 如請求項1所述之銅電鍍方法，其中，所述加速劑及所述抑制劑分別獨立地具有100g/mol至100,000g/mol範圍的分子量。
  6. 一種銅電鍍品，所述銅電鍍品藉由請求項1所述之銅電鍍方法來製造。
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