JP2006526901A5 - - Google Patents

Claims (37)

1. 表面の周囲区域の少なくとも一部分を、精製されたパージガスと接触させる工程（前記パージガスは酸素、水またはこれらの組合わせを含み、前記精製されたパージガスは容積を基準にして約１ｐｐｂ未満のＡＭＣ濃度を有する。）、
   汚染物質の一部分を前記表面から前記精製されたパージガス中に移動させることによって、汚染されたパージガスを生成する工程、および
   前記表面の周囲区域から汚染されたパージガスを除去する工程
   を含む、表面から空中分子汚染物質（ＡＭＣ）を除去する方法。
2. パージガスを精製して精製されたパージガスを生成する工程（前記パージガスは酸素を含んでおり、前記精製されたパージガスは容積を基準にして約１ｐｐｂ未満のＡＭＣ濃度を有する。）、
   表面の少なくとも一部分を前記精製されたパージガスと接触させる工程、
   汚染物質の一部分を前記表面から前記精製されたパージガス中に移動させることによって、汚染されたパージガスを生成する工程、および
   前記表面から汚染されたパージガスを除去する工程
   を含む、表面から空中分子汚染物質（ＡＭＣ）を除去する方法。
3. 前記方法が、汚染されたパージガス中の汚染物質濃度が容積を基準にして約１ｐｐｂ以下のＡＭＣになるまで反復される、請求項２に記載の方法。
4. 前記精製されたパージガスが、容積を基準にして約１００ｐｐｔ未満のＡＭＣの濃度を有する、請求項２に記載の方法。
5. 前記精製されたパージガスが、容積を基準にして約１０ｐｐｔ未満のＡＭＣの汚染物質濃度を有する、請求項２に記載の方法。
6. 前記精製されたパージガスが、容積を基準にして約１ｐｐｔ未満のＡＭＣの汚染物質濃度を有する、請求項２に記載の方法。
7. 前記精製されたパージガスが、さらに水を含んでいる、請求項２に記載の方法。
8. 前記水が、前記パージガスの約１００ｐｐｍから約２容量％を構成する、請求項７に記載の方法。
9. 前記水が、前記パージガスの約１００ｐｐｍから約０．５容量％を構成する、請求項８に記載の方法。
10. 前記表面がデバイスの内面を含み、前記デバイスが１つの空間を取り囲んでいる、請求項２に記載の方法。
11. 前記デバイスが、少なくとも１つのシリコン基体を取り囲んでいる、請求項１０に記載の方法。
12. 前記表面が、超高純度ガスライン構成要素の内面である、請求項２に記載の方法。
13. 前記表面が、バルブの内面である、請求項２に記載の方法。
14. 前記汚染ガスを前記デバイスから除去した後、前記デバイスを不活性ガスでパージする工程をさらに含む、請求項２に記載の方法。
15. 前記不活性ガスが、窒素、アルゴン、貴ガス、メタンおよびこれらの組合わせからなる群から選択される、請求項１４に記載の方法。
16. パージガスを精製して、精製されたパージガスを生成する工程（前記パージガスは容積を基準にして約１％から２５％の濃度で酸素を含んでおり、前記精製されたパージガスは容積を基準にして約１ｐｐｂ未満のＡＭＣ濃度を有する。）、
    表面の少なくとも一部分を前記精製されたパージガスと接触させる工程、
    汚染物質の一部分を前記表面から前記精製されたパージガス中に移動させることによって、汚染されたパージガスを生成する工程、および
    前記表面から汚染されたパージガスを除去する工程
    を含む、表面から空中分子汚染物質（ＡＭＣ）を除去する方法。
17. 汚染されたパージガス中の汚染物質濃度が容積を基準にして１ｐｐｂ以下になるまで前記方法を続行する工程を含む、請求項１６に記載の方法。
18. 前記精製されたパージガスが、容積を基準にして１０ｐｐｔ未満のＡＭＣの汚染物質濃度を有する、請求項１６に記載の方法。
19. 前記精製されたパージガスが、容積を基準にして１ｐｐｔ未満のＡＭＣの汚染物質濃度を有する、請求項１６に記載の方法。
20. 前記精製されたパージガスが、さらに水を含んでいる、請求項１６に記載の方法。
21. 前記水が、前記パージガスの約１００ｐｐｍから約２容量％を構成する、請求項２０に記載の方法。
22. 前記表面が、デバイスの内面を含み、前記デバイスが１つの空間を取り囲んでいる、請求項１６に記載の方法。
23. 前記デバイスが、少なくとも１つのシリコン基体を取り囲んでいる、請求項２２に記載の方法。
24. パージガスを精製して精製されたパージガスを生成する工程（前記パージガスは水を含んでおり、前記精製されたパージガスは容積を基準にして約１ｐｐｂ未満のＡＭＣ濃度を有する。）、
    表面の少なくとも一部分を前記精製されたパージガスと接触させる工程、
    汚染物質の一部分を前記表面から前記精製されたパージガス中に移動させることによって、汚染されたパージガスを生成する工程、および
    前記表面から汚染されたパージガスを除去する工程
    を含む、表面から空中分子汚染物質（ＡＭＣ）を除去する方法。
25. 前記工程が、汚染されたパージガス中の前記汚染物質濃度が容積を基準にして約１ｐｐｂ以下になるまで反復される、請求項２４に記載の方法。
26. 前記精製されたパージガスが、容積を基準にして約１０ｐｐｔ未満のＡＭＣの汚染物質濃度を有する、請求項２４に記載の方法。
27. 前記精製されたパージガスが、容積を基準にして約１ｐｐｔ未満のＡＭＣの汚染物質濃度を有する、請求項２４に記載の方法。
28. 前記水が、前記パージガスの１００ｐｐｍから２容量％を構成する、請求項２４に記載の方法。
29. 前記水が、前記パージガスの１００ｐｐｍから０．５容量％を構成する、請求項２８に記載の方法。
30. 前記汚染ガスを前記デバイスから除去した後、前記デバイスを不活性ガスでパージする工程をさらに含む、請求項２４に記載の方法。
31. 前記不活性ガスが、窒素、アルゴン、貴ガス、メタンおよびこれらの組合わせからなる群から選択される、請求項３０に記載の方法。
32. 前記表面がデバイスの内面を含み、前記デバイスが１つの空間を取り囲んでいる、請求項２４に記載の方法。
33. 前記デバイスが、少なくとも１つのシリコン基体を取り囲んでいる、請求項３２に記載の方法。
34. 前記表面が、超高純度ガスライン構成要素の内面である、請求項２４に記載の方法。
35. 前記表面が、バルブの内面である、請求項２４に記載の方法。
36. ウエハ製造施設において、表面の少なくとも一部分を精製されたパージガスと接触させる工程（前記パージガスは酸素、水またはこれらの組合わせを含み、前記精製されたパージガスは容積を基準にして約１ｐｐｂ未満のＡＭＣ濃度を有する。）、
    ＡＭＣの一部分を前記表面から前記精製されたパージガス中に移動させることによって、汚染されたパージガスを生成する工程、および
    前記表面から汚染されたパージガスを除去する工程
    を含む、ウエハ製造施設において表面から空中分子汚染物質（ＡＭＣ）を除去する方法。
37. 前記精製されたパージガスが酸素を含むとき、前記酸素は超清浄乾燥空気（ＸＣＤＡ）の成分として提供される、請求項１、２、１６、２４または３６のいずれか１項に記載の方法。