JP2006524439A - 高機能粒子構造を有する多結晶膜の堆積方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下の表1に示す堆積条件下で、一連の膜が堆積された。SiO2基板がEpsilon(商標)E−2500反応炉中に配置され、水素流量(20slm)下で約20Torrの圧力において約750℃の温度に加熱された。水素およびトリシランを含む供給ガスを、表1に示すように、約20sccm(バブラーによって22℃でトリシランの流量が約0.03グラム/分)、または約92sccm(バブラーによって22℃でトリシランの流量が約0.14グラム/分)の第1の流量で約15秒間反応炉に導入することによって、ポリシリコンの第1の層(約100Å)が基板上に堆積された。次に、供給ガスを止め、基板が(表1に示すように)750℃から約630℃または680℃に20Torrで冷却させられたとき、第1のポリシリコン層が約60秒間アニーリングされて、第1のポリシリコン層のモフォロジーが変更された。次に、供給ガスを出して、20sccm(バブラーによって22℃で20slmの水素)、または92sccm(バブラーによって22℃で20slmの水素)の第2の流量で、630℃または680℃、および20Torrにおいて表1に示す堆積時間の間、第2のポリシリコン層がアニーリングされたポリシリコン層上に堆積された。その結果得られたポリシリコン膜(アニーリングされた第1のポリシリコン層および第2のポリシリコン層を含む)は、表1に示す値の厚さであった。次に、これらのポリシリコン膜のミクロ構造を図7に示すようにXRDによって測定した。図7に示すXRDスペクトル中の鋭いピークは、630℃または680℃で堆積されたポリシリコン膜が高度に多結晶化されたミクロ構造を有することを示している。
600℃から750℃までの範囲にわたり50℃刻みで堆積温度を膜と膜の間で変えたことを除き、実施例1〜8で使用された供給ガスと同じ供給ガスを使用して固定された堆積条件(40Torr圧力、92sccm供給ガス流量)で、一連のポリシリコン膜が堆積された。次に、その結果得られた膜のミクロ構造が、図8に示すようにXRDによって測定された。その結果は、600℃および650℃(実施例1〜4で使用された630℃の堆積温度を挟む)で堆積された膜が、実施例1〜8で得られた膜よりも極めて低く多結晶化されていることを示している。実施例1〜8の630℃および680℃で得られた高度な多結晶のミクロ構造に近いミクロ構造を有した膜は、極めて高い堆積温度(700℃および750℃)で得られただけであった。
HfO2基板をEpsilon(商標)E−2500反応炉中に配置し、窒素流量(10slm)下で約10Torrの圧力において約575℃の温度に加熱する。水素およびトリシランを含む供給ガスを、10sccm(バブラー)の流量で約30秒間反応炉に導入することによって、アモルファスシリコンの第1の層(約20Å)が基板上に堆積される。次に、供給ガスを止め、アモルファスの第1のシリコン層が、約240秒間575℃および10Torrでアニーリングされて、堆積されたままの層のモフォロジーが変更され、それによってアニーリングされたポリシリコン層が形成される。次に、供給ガスを出して、同じ供給ガスを使用するが、90sccmの流量(バブラー)で575℃および20Torrにおいて約2分間、第2のポリシリコン層がアニーリングされたポリシリコン層上に堆積される。次に、その結果得られたポリシリコン膜(アニーリングされたポリシリコン層および第2のポリシリコン層を含む)のミクロ構造がXRDによって測定され、アニーリングを実施しない連続的な方法であることを除き、同じ条件下で堆積された制御膜の多結晶度よりも大きい多結晶度を有することが判明した。
シランおよびゲルマンを前駆物質として使用して600℃の温度で(核形成層(nucleation layer)無く)、SiGe含有膜がSiO2基板上に堆積された。シラン流量は20sccmであった。ゲルマンは、水素中への1.5%の混合物として65sccmで供給された。水素キャリヤガスは20slmの流量で使用され、堆積圧力は80Torrであり、堆積は約20分間行われた。その結果得られたSiGe膜の表面粗さ(原子間力顕微鏡で測定したとき)は、10ミクロン×10ミクロンの走査領域で226Årmsであった。SiGe膜の走査型電子顕微鏡(SEM)によって、図3に示すSEM写真で実証するように、島状の堆積を表す錐状の小面のある粒子が明らかになった。
トリシランがシランの代わりに使用されたことを除き、実施例14で述べたように600℃で、SiGe含有膜が堆積された。堆積圧力は40Torrであり、水素キャリヤガスの流量は20slmであり、ゲルマンは、水素中の10%混合物として反応炉に供給された。トリシランは、約77sccmの流量(バブラーによって22℃でトリシラン流量が約0.12グラム/分)で、水素およびトリシランを含有した供給ガスの形で供給され、堆積は約2分間行われた。その結果得られたSiGe膜の表面粗さ(原子間力顕微鏡で測定したとき)は、10ミクロン×10ミクロンの走査領域で18.4Årmsであった。SiGe膜のSEMによって、図4に示すSEM写真(図3と同じ倍率)で実証するように、極めて一様な表面が明らかになった。
Si3N4基板をEpsilon(商標)E−2500反応炉中に配置し、窒素流量(20slm)下で約20Torrの圧力において約650℃の温度に加熱する。水素およびトリシランを含有する供給ガスを、10sccmの流量(バブラーによって22℃でトリシラン流量が約0.015グラム/分)で約15秒間反応炉に導入する第1の堆積条件下で、第1のポリシリコンテンプレート層(約30Å)が基板上に堆積される。次に、30秒間の過程にわたって約100sccmまで勾配を付けて供給ガス流量を増加し、次にその流量をさらに60秒間維持し、それによって約900Åの総厚さ(第1の層と第2の層の合計)を有した膜を堆積する第2の堆積条件下で、第2のポリシリコン層が第1のポリシリコン層上に堆積される。次に、その結果得られたポリシリコン膜のミクロ構造(第1のポリシリコン層および第2のポリシリコン層を含む)は、XRDによって検査される。XRDスペクトル中のピークのサイズ、数、および強さは、第1のSi含有テンプレート層がない第2の堆積条件(堆積時間を除く)を使用してSi3N4基板に堆積されたコンパラブルな膜(以下の実施例17参照)とは異なっており、したがってこの膜の多結晶モフォロジーは、比較対象膜のそれとは異なる。
約900Åの膜厚(実施例16の膜厚とほぼ等しい)を生成するために堆積時間が長いことを除き、第2のポリシリコン層を堆積するための実施例16で述べた堆積条件を使用して、比較対象膜がSi3N4基板上に堆積される。次に、この比較対象膜のミクロ構造がXRDによって検査される。XRDスペクトル中のピークのサイズ、数、および強さは、上記の実施例16で述べた膜のそれらとは異なる。
SiO2基板をEpsilon(商標)E−2500反応炉中に配置し、水素流量(10標準リットル/分)下で約20Torrの圧力において約650℃の温度に加熱する。水素およびトリシランを含む第1の供給ガスを、最初の流量が10sccm(バブラーによって22℃でトリシラン流量が約0.015グラム/分)で、それを20秒間にわたって勾配を付けて50sccmまで増加して反応炉に導入することによって、第1のポリシリコン層(約75Å)が基板上に堆積される。次に、供給ガスを止め、約20秒間650℃で20Torrにおいてポリシリコン層がアニーリングされ、ポリシリコン層のモフォロジーおよび結晶構造が変化させられる。次に、水素(20slm)およびシラン(200sccm)を含有する第2の供給ガスを約1分間反応炉に導入し、第2のポリシリコン層を第1の層上に堆積する。次に、その結果得られたポリシリコン膜(アニーリングされたポリシリコン層および第2のポリシリコン層を含む)のミクロ構造およびモフォロジーがXRDおよびAFMによって測定される。その結果得られたポリシリコン膜は、第1の層のアニーリングが省略されたことを除き、同じ条件下で堆積された制御膜の結晶度よりも大きい結晶度を有することが判明する。
SiO2基板をEpsilon(商標)E−2500反応炉中に配置し、水素流量(10標準リットル/分)下で約20Torrの圧力において約650℃の温度に加熱する。水素およびトリシランを含む第1の供給ガスを、流量が25sccm(バブラーによって22℃でトリシラン流量が約0.03グラム/分)で反応炉に導入することによって、薄いポリシリコン層(約50Å)が基板上に堆積される。次に、供給ガスを止め、約30秒間650℃で20Torrにおいてポリシリコン層がアニーリングされ、ポリシリコン層のモフォロジーおよび結晶構造を変化させる。次に、水素(20slm)およびトリシランを含有する第2の供給ガスを、流量45sccm(バブラーによって22℃でトリシラン流量が約0.06グラム/分)で約2分間反応炉に導入し、第2のポリシリコン層を第1の層上に堆積する。次に、その結果得られたポリシリコン膜(アニーリングされたポリシリコン層および第2のポリシリコン層を含む)のミクロ構造およびモフォロジーがXRDを使用して測定される。XRDスペクトル中のピークのサイズ、数、および強さは、第1の層のアニーリングが省略されたことを除き、同じ条件下で堆積された比較対象膜のそれらとは異なる。
Claims (34)
- 多結晶Si含有膜の堆積方法であって、
第1のモフォロジーを有する第1のSi含有層を基板上に堆積するステップと、
前記第1のモフォロジーを変更するのに有効な期間、前記第1のSi含有層をアニーリングするステップと、
前記第1のSi含有層上に、前記第1のモフォロジーとは異なる多結晶モフォロジーを有する第2のSi含有層を堆積するステップと
を含む方法。 - 前記第1のSi含有層が約600℃〜約700℃の範囲内の温度で堆積される請求項1に記載の方法。
- 前記第1のSi含有層をアニーリングするステップが、約600℃〜約700℃の範囲内の温度で実施される請求項2に記載の方法。
- 前記第1のSi含有層が約1Torr〜約800Torrの範囲内の圧力で堆積される請求項1に記載の方法。
- 前記第1のSi含有層は前記第2のSi含有層の厚さよりも厚さが薄い請求項1に記載の方法。
- 前記第1のSi含有層の厚さが約200Å以下である請求項5に記載の方法。
- 前記第1のSi含有層を堆積するステップが、トリシランを含む供給ガスを使用して実施される請求項1に記載の方法。
- 前記第2のSi含有層を堆積するステップが、トリシランを含む供給ガスを使用して実施される請求項7に記載の方法。
- 前記第1のSi含有層を堆積するステップが、水平流の単一ウェハ反応炉中で実施される請求項7に記載の方法。
- 前記第1のSi含有層を堆積するステップが、第1の供給ガスを使用して実施され、
前記第2のSi含有層を堆積するステップが、第2の供給ガスを使用して実施され、
前記第1の供給ガスが、前記第2の供給ガスとは異なる請求項1に記載の方法。 - 前記第1の供給ガスが第1のシリコン源を含み、
前記第2の供給ガスが第2のシリコン源を含み、
前記第1のシリコン源が前記第2のシリコン源とは異なる請求項10に記載の方法。 - 前記アニーリングするステップの期間が、約5秒間〜約1分間の範囲内である請求項1に記載の方法。
- 前記第1のモフォロジーが多結晶モフォロジーである請求項1に記載の方法。
- 前記第2のSi含有層が、ポリシリコン、SiGe、SiGeC、SiN、およびSiONからなる群の中から選択される請求項1に記載の方法。
- 前記第2のSi含有層が、電気的に活性なドーパントを含む請求項14に記載の方法。
- 前記基板が、ポリシリコン、SiO2、および単結晶シリコンからなる群の中から選択された材料を含む請求項14に記載の方法。
- 多結晶Si含有膜の堆積方法であって、
80%よりも大きい第1の結晶度を第1の多結晶Si含有テンプレート層に設けるのに有効な第1の堆積条件で、前記第1の多結晶Si含有テンプレート層を基板上に堆積するステップと、
前記第1の堆積条件とは異なる第2の堆積条件下で、第2の多結晶Si含有層を前記第1の多結晶Si含有テンプレート層上に堆積し、前記第2の多結晶Si含有層が、前記第1の結晶度と少なくとも等しい第2の結晶度を有するステップとを含み、
前記第1の多結晶Si含有テンプレート層および前記第2の多結晶Si含有層が、Si含有膜をともに形成し、
前記Si含有膜が、前記第1の多結晶Si含有テンプレート層なしで前記第2の堆積条件を使用して前記基板上に堆積された、コンパラブルな膜の多結晶モフォロジーとは異なる多結晶モフォロジーを有する方法。 - 第1の堆積速度が、約1Å/分〜約2.000Å/分の範囲内にある請求項17に記載の方法。
- 第2の堆積速度が、前記第1の堆積速度よりも少なくとも約10%速い請求項18に記載の方法。
- 前記第1の堆積条件が、約1sccm〜約1,000sccmの範囲内にある第1の供給ガス流量で第1の供給ガスを供給するステップを含む請求項17に記載の方法。
- 前記第2の堆積条件が、前記第1の供給ガス流量よりも速い第2の供給ガス流量で第2の供給ガスを供給するステップを含む請求項20に記載の方法。
- 前記第1の供給ガス流量から前記第2の供給ガス流量へ段階的に変化させるステップを含む請求項21に記載の方法。
- 前記第1の供給ガス流量から前記第2の供給ガス流量へ連続的に変化させるステップを含む請求項21に記載の方法。
- 前記第1の供給ガスおよび前記第2の供給ガスが同じである請求項21に記載の方法。
- 前記第1の供給ガスが前記第2の供給ガスとは異なる請求項21に記載の方法。
- 前記第1の供給ガスが第1のシリコン源を含み、
前記第2の供給ガスが第2のシリコン源を含み、
前記第1のシリコン源が前記第2のシリコン源とは異なる請求項25に記載の方法。 - 前記第1の供給ガスがトリシランを含み、
前記第2の供給ガスがシランを含む請求項26に記載の方法。 - 前記第1の供給ガスがトリシランを含む請求項21に記載の方法。
- 前記第2の供給ガスがトリシランを含む請求項28に記載の方法。
- 前記第1のSi含有層を堆積するステップが、水平流の単一ウェハ反応炉中で実施される請求項28に記載の方法。
- 前記第1の供給ガス流量が、約1sccm〜約500sccmの範囲内にある請求項30に記載の方法。
- 前記第2の多結晶Si含有層が、ポリシリコン、SiGe、SiGeC、SiN、およびSiONからなる群の中から選択される請求項17に記載の方法。
- 前記第2の多結晶Si含有層が、電気的に活性なドーパントを含む請求項32に記載の方法。
- 前記第1の多結晶Si含有テンプレート層をアニーリングするステップをさらに含む請求項17に記載の方法。
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