JPH05166729A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH05166729A JPH05166729A JP32882191A JP32882191A JPH05166729A JP H05166729 A JPH05166729 A JP H05166729A JP 32882191 A JP32882191 A JP 32882191A JP 32882191 A JP32882191 A JP 32882191A JP H05166729 A JPH05166729 A JP H05166729A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 粒径の大きな薄膜形成方法を得る。
【構成】 基板１上に程結晶として島状のシリコン単結
晶２を形成し、この上に非晶質シリコン層３を形成し、
熱処理することにより、非晶質シリコン層３を結晶化し
て多結晶シリコン薄膜４を得る。 【効果】 粒径の大きな薄膜が得られ、例えばこの薄膜
が多結晶シリコン薄膜のような導電性薄膜の場合には薄
膜中の電子の易動度が増大し、導電性がよくなって、流
し得る電流量が大きくなる。
晶２を形成し、この上に非晶質シリコン層３を形成し、
熱処理することにより、非晶質シリコン層３を結晶化し
て多結晶シリコン薄膜４を得る。 【効果】 粒径の大きな薄膜が得られ、例えばこの薄膜
が多結晶シリコン薄膜のような導電性薄膜の場合には薄
膜中の電子の易動度が増大し、導電性がよくなって、流
し得る電流量が大きくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば集積回路の内
部配線に用いる導電性薄膜の形成等に用いて好適な薄膜
形成方法に関するものである。
部配線に用いる導電性薄膜の形成等に用いて好適な薄膜
形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は例えば、Ａｐｐｌ，Ｐｈｙｓ，Ｌ
ｅｔｔ．５０［２６］（′８７）１８９４〜１８９６に
示された従来の導電性薄膜例えば多結晶シリコン薄膜の
形成条件を示した図である。従来法では、まずシリコン
（１００）面上に形成された熱酸化膜を有する基板をＣ
ＶＤ炉内に配し、このときのＣＶＤ炉の形成温度を５４
０℃、ガス圧を４３０ｍＴｏｒｒとし、ガスはシラン
（ＳｉＨ4 ）で、その流量を６０ＳＣＣＭとしている。
そして、この条件で１０分間シランガスに反応させるこ
とにより約２００Åの非晶質シリコン層を基板上に形成
し、さらにこれをアニール炉において、形成温度６３０
℃で、３時間アニールすることにより、多結晶シリコン
薄膜を得ている。
ｅｔｔ．５０［２６］（′８７）１８９４〜１８９６に
示された従来の導電性薄膜例えば多結晶シリコン薄膜の
形成条件を示した図である。従来法では、まずシリコン
（１００）面上に形成された熱酸化膜を有する基板をＣ
ＶＤ炉内に配し、このときのＣＶＤ炉の形成温度を５４
０℃、ガス圧を４３０ｍＴｏｒｒとし、ガスはシラン
（ＳｉＨ4 ）で、その流量を６０ＳＣＣＭとしている。
そして、この条件で１０分間シランガスに反応させるこ
とにより約２００Åの非晶質シリコン層を基板上に形成
し、さらにこれをアニール炉において、形成温度６３０
℃で、３時間アニールすることにより、多結晶シリコン
薄膜を得ている。
【０００３】このような条件で形成された多結晶シリコ
ン薄膜は、図５に示す様な形態をなしており、その粒径
は２００〜４００ｎｍという小さな粒径である。このよ
うな小さな粒径の多結晶シリコン薄膜であっても、従来
は特に問題にはなってはいなかった。
ン薄膜は、図５に示す様な形態をなしており、その粒径
は２００〜４００ｎｍという小さな粒径である。このよ
うな小さな粒径の多結晶シリコン薄膜であっても、従来
は特に問題にはなってはいなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体装置が微
細になり、それに伴って、多結晶シリコン薄膜がより薄
く作られるようになったが、薄膜化した場合に流し得る
電流量が小さいという問題点が顕在化した。この問題点
が従来の薄膜形成方法による多結晶シリコン薄膜では、
その粒径が２００〜４００ｎｍと小さいため、易動度が
小さく、導電性が悪いために生じていることが判明した
が多結晶シリコン薄膜における結晶粒径を大きくするた
めの適切な方法がなかった。
細になり、それに伴って、多結晶シリコン薄膜がより薄
く作られるようになったが、薄膜化した場合に流し得る
電流量が小さいという問題点が顕在化した。この問題点
が従来の薄膜形成方法による多結晶シリコン薄膜では、
その粒径が２００〜４００ｎｍと小さいため、易動度が
小さく、導電性が悪いために生じていることが判明した
が多結晶シリコン薄膜における結晶粒径を大きくするた
めの適切な方法がなかった。
【０００５】この発明はこの様な問題点を解決するため
になされたもので、粒径の大きな薄膜を得ることができ
る薄膜形成方法を提供することを目的とする。
になされたもので、粒径の大きな薄膜を得ることができ
る薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る薄膜形成
方法は、基板上に種結晶を形成する工程と、該種結晶の
上に非晶質材料層を形成する工程と、熱処理により上記
種結晶を結晶核として上記非晶質材料層を結晶化させ薄
膜を形成する工程とを含むものである。
方法は、基板上に種結晶を形成する工程と、該種結晶の
上に非晶質材料層を形成する工程と、熱処理により上記
種結晶を結晶核として上記非晶質材料層を結晶化させ薄
膜を形成する工程とを含むものである。
【０００７】また、種結晶がシリコン単結晶であり、非
晶質材料層が非晶質シリコン層であるものである。
晶質材料層が非晶質シリコン層であるものである。
【０００８】また、シリコン単結晶を少なくともシラン
を含むガスを用い、５５０℃以上で形成し、非晶質シリ
コン層を少なくともシランを含むガスを用い、５４５℃
以下で形成するものである。
を含むガスを用い、５５０℃以上で形成し、非晶質シリ
コン層を少なくともシランを含むガスを用い、５４５℃
以下で形成するものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、種結晶を結晶核として非
晶質材料層を結晶化する。これにより、結晶核の密度が
低く、従って粒径の大きな薄膜が得られる。
晶質材料層を結晶化する。これにより、結晶核の密度が
低く、従って粒径の大きな薄膜が得られる。
【００１０】また、種結晶としてのシリコン単結晶を少
なくともシラン，置換シラン又は置換ジシランを含むガ
スを使用して形成し、非晶質材料層としての非晶質シリ
コン層を少なくともジシラン又はトリシランを含むガス
を使用して形成する。これにより、非晶質シリコン層は
低温で膜が形成でき、微細結晶を含まない非晶質シリコ
ン層が形成され、粒径がより拡大された導電性のよい多
結晶シリコン薄膜が得られる。
なくともシラン，置換シラン又は置換ジシランを含むガ
スを使用して形成し、非晶質材料層としての非晶質シリ
コン層を少なくともジシラン又はトリシランを含むガス
を使用して形成する。これにより、非晶質シリコン層は
低温で膜が形成でき、微細結晶を含まない非晶質シリコ
ン層が形成され、粒径がより拡大された導電性のよい多
結晶シリコン薄膜が得られる。
【００１１】また、同一ガスを用い、島状のシリコン単
結晶を高温で、非晶質シリコン層を低温で形成する。こ
れにより、簡単な装置と簡便な取扱いでかつ連続処理
で、粒径の大きな、導電性の良い多結晶シリコン薄膜が
得られる。
結晶を高温で、非晶質シリコン層を低温で形成する。こ
れにより、簡単な装置と簡便な取扱いでかつ連続処理
で、粒径の大きな、導電性の良い多結晶シリコン薄膜が
得られる。
【００１２】
実施例１．以下、この発明の一実施例を導電性薄膜例え
ば多結晶シリコン薄膜の場合を例にとり、図について説
明する。図１はこの発明の一実施例を示す工程図、図２
は多結晶シリコン薄膜の形成条件を示す図である。図１
（ａ）において、まずシリコン（１００）面上に形成さ
れた熱酸化膜（図示せず）を有する基板１をＣＶＤ炉
（図示せず）内に配し、例えばシランガスを用い、例え
ば形成温度６３０℃，ガス圧を４４０ｍＴｏｒｒ，シラ
ンガスの流量６０ＳＣＣＭで約１分間シランガスに対し
て基板１を反応させる。すると、図１（ａ）に示すよう
に、基板１の表面上のところどころに島状のシリコン単
結晶が形成される。
ば多結晶シリコン薄膜の場合を例にとり、図について説
明する。図１はこの発明の一実施例を示す工程図、図２
は多結晶シリコン薄膜の形成条件を示す図である。図１
（ａ）において、まずシリコン（１００）面上に形成さ
れた熱酸化膜（図示せず）を有する基板１をＣＶＤ炉
（図示せず）内に配し、例えばシランガスを用い、例え
ば形成温度６３０℃，ガス圧を４４０ｍＴｏｒｒ，シラ
ンガスの流量６０ＳＣＣＭで約１分間シランガスに対し
て基板１を反応させる。すると、図１（ａ）に示すよう
に、基板１の表面上のところどころに島状のシリコン単
結晶が形成される。
【００１３】次に、同じＣＶＤ炉内で、例えばシランガ
スを用い、形成温度４６０℃，ガス圧を２２０ｍＴｏｒ
ｒ，シランガスの流量２００ＳＣＣＭで約１０分間反応
させる。すると、図１（ｂ）に示すように、島状のシリ
コン単結晶２の形成されている基板１上にこれ等を覆う
ように例えば膜厚２００Åの非晶質シリコン層３が形成
される。
スを用い、形成温度４６０℃，ガス圧を２２０ｍＴｏｒ
ｒ，シランガスの流量２００ＳＣＣＭで約１０分間反応
させる。すると、図１（ｂ）に示すように、島状のシリ
コン単結晶２の形成されている基板１上にこれ等を覆う
ように例えば膜厚２００Åの非晶質シリコン層３が形成
される。
【００１４】次に、図１（ｂ）の如く形成されているウ
エハをアニール炉内に配し、例えば窒素などの不活性ガ
ス中で例えば７００℃で１時間の熱処理を行ない、先に
形成されている島状のシリコン単結晶２を種結晶とし
て、非晶質シリコン層３の結晶化を行なう。これによ
り、基板１上には、図１（ｃ）に示すように、多結晶シ
リコン薄膜４が形成される。この結晶化反応は、結晶核
となる種結晶があらかじめ存在するため、結晶生長は種
結晶を中心として進行する。従って、最初のシリコン単
結晶２の結晶数が少ない程、全体の結晶数は少なく、即
ち１つ１つの結晶の粒径は大きくなる。よって、２〜３
μｍ大粒径の多結晶シリコン薄膜４が得られる。
エハをアニール炉内に配し、例えば窒素などの不活性ガ
ス中で例えば７００℃で１時間の熱処理を行ない、先に
形成されている島状のシリコン単結晶２を種結晶とし
て、非晶質シリコン層３の結晶化を行なう。これによ
り、基板１上には、図１（ｃ）に示すように、多結晶シ
リコン薄膜４が形成される。この結晶化反応は、結晶核
となる種結晶があらかじめ存在するため、結晶生長は種
結晶を中心として進行する。従って、最初のシリコン単
結晶２の結晶数が少ない程、全体の結晶数は少なく、即
ち１つ１つの結晶の粒径は大きくなる。よって、２〜３
μｍ大粒径の多結晶シリコン薄膜４が得られる。
【００１５】このように、本実施例では、非晶質シリコ
ン層をジシランガスを用いて形成するので、低温で膜が
形成でき、微細結晶を含まない良質の非晶質シリコンが
形成され、もって粒径がより拡大された導電性の良い多
結晶シリコン薄膜が得られる。
ン層をジシランガスを用いて形成するので、低温で膜が
形成でき、微細結晶を含まない良質の非晶質シリコンが
形成され、もって粒径がより拡大された導電性の良い多
結晶シリコン薄膜が得られる。
【００１６】ここで、ジシランガスを用いて非晶質シリ
コン層を形成すると、低温（４６０〜５５０℃）で膜形
成が可能であるため、良質な非晶質シリコン層が得られ
るが、ジシランガスは、その分解温度は約５００℃で島
状のシリコン単結晶を得るための５５０℃以上の温度で
は使用できない。従って、ジシランガスを非晶質シリコ
ン層の形成に用いた場合、島状のシリコン単結晶の形成
には、別途、シランガスを用いて形成する必要があり、
材料ガス種の増加、装置の複雑化などの問題がある。そ
こで、図３に示すように、シランガスを用いて非晶質シ
リコン層も形成することが考えられる。
コン層を形成すると、低温（４６０〜５５０℃）で膜形
成が可能であるため、良質な非晶質シリコン層が得られ
るが、ジシランガスは、その分解温度は約５００℃で島
状のシリコン単結晶を得るための５５０℃以上の温度で
は使用できない。従って、ジシランガスを非晶質シリコ
ン層の形成に用いた場合、島状のシリコン単結晶の形成
には、別途、シランガスを用いて形成する必要があり、
材料ガス種の増加、装置の複雑化などの問題がある。そ
こで、図３に示すように、シランガスを用いて非晶質シ
リコン層も形成することが考えられる。
【００１７】実施例２．図３はこの発明の他の実施例に
おける多結晶シリコン薄膜の形成条件を示す図である。
島状のシリコン単結晶を形成するまでは上記実施例と同
様である。但し、この場合形成温度は、５５０℃未満で
は安定して島状のシリコン単結晶を得ることができない
ため、５５０℃以上例えば５８０℃とされる。
おける多結晶シリコン薄膜の形成条件を示す図である。
島状のシリコン単結晶を形成するまでは上記実施例と同
様である。但し、この場合形成温度は、５５０℃未満で
は安定して島状のシリコン単結晶を得ることができない
ため、５５０℃以上例えば５８０℃とされる。
【００１８】次に、シランガスを止め、形成温度を、５
４５℃を越えると安定して非晶質シリコン層を得ること
ができないため、５４５℃以下、例えば５４０℃とす
る。その後ＣＶＤ炉内をガス圧４００ｍＴｏｒｒとした
ままシランガスを６０ＳＣＣＭ、１０分間流し、例えば
厚さ２００Åの非晶質シリコン層を形成される。以後は
上記実施例と同様アニール炉で熱処理を行い、非晶質シ
リコン層を結晶化して多結晶シリコン薄膜を得る。
４５℃を越えると安定して非晶質シリコン層を得ること
ができないため、５４５℃以下、例えば５４０℃とす
る。その後ＣＶＤ炉内をガス圧４００ｍＴｏｒｒとした
ままシランガスを６０ＳＣＣＭ、１０分間流し、例えば
厚さ２００Åの非晶質シリコン層を形成される。以後は
上記実施例と同様アニール炉で熱処理を行い、非晶質シ
リコン層を結晶化して多結晶シリコン薄膜を得る。
【００１９】このように、本実施例では、同一ガスを用
い、島状のシリコン単結晶を高温で、非晶質シリコン層
を低温で形成するので、簡単な装置を簡便な取扱いで且
つ連続処理で、導電性の良い多結晶シリコン薄膜を得る
ことができる。
い、島状のシリコン単結晶を高温で、非晶質シリコン層
を低温で形成するので、簡単な装置を簡便な取扱いで且
つ連続処理で、導電性の良い多結晶シリコン薄膜を得る
ことができる。
【００２０】実施例３．なお、上記実施例１において島
状のシリコン単結晶を形成するのにシランガスを用いた
場合に付いて説明したが、これに限定されず、島状のシ
リコン単結晶を形成できるものであれば、その他のガ
ス、例えばモノクロロシラン，ジクロロシラン，トリク
ロロシラン，テトラクロロシラン，モノフルオロシラン
及びテトラフルオロシラン等の置換シラン或いはヘキサ
ジシラン等の置換ジシランのガスを用いてもよく、更に
これ等のガス又はシランガスに例えばホスフィン，ジボ
ラン等の不純物ガスを数％混入したものでもよい。
状のシリコン単結晶を形成するのにシランガスを用いた
場合に付いて説明したが、これに限定されず、島状のシ
リコン単結晶を形成できるものであれば、その他のガ
ス、例えばモノクロロシラン，ジクロロシラン，トリク
ロロシラン，テトラクロロシラン，モノフルオロシラン
及びテトラフルオロシラン等の置換シラン或いはヘキサ
ジシラン等の置換ジシランのガスを用いてもよく、更に
これ等のガス又はシランガスに例えばホスフィン，ジボ
ラン等の不純物ガスを数％混入したものでもよい。
【００２１】また、上記実施例１にやいて非晶質シリコ
ン層を形成するのにジシランを用いた場合に付いて説明
したが、これに限定されず、非晶質シリコン層を形成で
きるものであれば、その他のガス、例えばトリシランを
用いてもよく、更にこれ等のガス又はジシランガスに例
えばホスフィン，ジボラン等の不純物ガスを数％混入し
たものでもよい。
ン層を形成するのにジシランを用いた場合に付いて説明
したが、これに限定されず、非晶質シリコン層を形成で
きるものであれば、その他のガス、例えばトリシランを
用いてもよく、更にこれ等のガス又はジシランガスに例
えばホスフィン，ジボラン等の不純物ガスを数％混入し
たものでもよい。
【００２２】また、上記実施例１及び実施例２では導電
性薄膜として多結晶シリコン薄膜の場合に付いて説明し
たが、これに限定されず、その他の導電性薄膜にも同様
に適用でき、同様の効果を奏する。
性薄膜として多結晶シリコン薄膜の場合に付いて説明し
たが、これに限定されず、その他の導電性薄膜にも同様
に適用でき、同様の効果を奏する。
【００２３】また、上記実施例１及び実施例２では薄膜
として導電性薄膜の場合に付いて説明したが、例えば粒
径が大きいと誘電率が大きくなる誘電体薄膜等の絶縁性
薄膜にも同様に適用でき、同様の効果を奏する。
として導電性薄膜の場合に付いて説明したが、例えば粒
径が大きいと誘電率が大きくなる誘電体薄膜等の絶縁性
薄膜にも同様に適用でき、同様の効果を奏する。
【００２４】また、上記実施例１及び実施例２における
形成条件のうち、雰囲気，温度，時間は十分に結晶化が
行われれば他の条件でもよい。
形成条件のうち、雰囲気，温度，時間は十分に結晶化が
行われれば他の条件でもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、基板
上に島状の種結晶を形成する工程と、該種結晶の上に非
晶質材料層を形成する工程と、熱処理により上記非晶質
材料層を結晶化させ薄膜を形成する工程とを含むので、
粒径の大きな薄膜が得られるという効果を奏する。
上に島状の種結晶を形成する工程と、該種結晶の上に非
晶質材料層を形成する工程と、熱処理により上記非晶質
材料層を結晶化させ薄膜を形成する工程とを含むので、
粒径の大きな薄膜が得られるという効果を奏する。
【００２６】また、島状の種結晶としてのシリコン単結
晶を少なくともシラン，置換シラン又は置換ジシランを
含むガスを使用して形成し、非晶質材料層としての非晶
質シリコン層を少なくともジシラン又はトリシランを含
むガスを使用して形成する。これにより、非晶質シリコ
ン層は低温で膜が形成でき、微細結晶を含まないので、
良質の非晶質シリコン層が得られ、もって、粒径がより
拡大された導電性の良い多結晶シリコン薄膜が得られる
という効果を奏する。
晶を少なくともシラン，置換シラン又は置換ジシランを
含むガスを使用して形成し、非晶質材料層としての非晶
質シリコン層を少なくともジシラン又はトリシランを含
むガスを使用して形成する。これにより、非晶質シリコ
ン層は低温で膜が形成でき、微細結晶を含まないので、
良質の非晶質シリコン層が得られ、もって、粒径がより
拡大された導電性の良い多結晶シリコン薄膜が得られる
という効果を奏する。
【００２７】また、シリコン単結晶を少なくともシラン
を含むガスを用い、５５０℃以上で形成し、非晶質シリ
コン層を少なくともシランを含むガス用い、５４５℃以
下で形成するので、簡単な装置と簡便な取扱いでかつ連
続処理で、粒径の大きな、導電性の良い多結晶シリコン
薄膜が得られるという効果を奏する。
を含むガスを用い、５５０℃以上で形成し、非晶質シリ
コン層を少なくともシランを含むガス用い、５４５℃以
下で形成するので、簡単な装置と簡便な取扱いでかつ連
続処理で、粒径の大きな、導電性の良い多結晶シリコン
薄膜が得られるという効果を奏する。
【図１】この発明の一実施例を示す工程図である。
【図２】この発明の一実施例における薄膜形成条件を示
す図である。
す図である。
【図３】この発明の他の実施例における薄膜形成条件を
示す図である。
示す図である。
【図４】従来の薄膜形成条件を示す図である。
【図５】従来の多結晶シリコン薄膜の表面形態を示す図
である。
である。
１ 基板 ２ 島状のシリコン単結晶 ３ 非晶質シリコン層 ４ 多結晶シリコン薄膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年８月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】実施例３．なお、上記実施例１において島
状のシリコン単結晶を形成するのにシランガスを用いた
場合に付いて説明したが、これに限定されず、島状のシ
リコン単結晶を形成できるものであれば、その他のガ
ス、例えばモノクロロシラン，ジクロロシラン，トリク
ロロシラン，テトラクロロシラン，モノフルオロシラン
及びテトラフルオロシラン等の置換シラン或いはヘキサ
フルオロジシラン等の置換ジシランのガスを用いてもよ
く、更にこれ等のガス又はシランガスに例えばアルシ
ン，ホスフィン，ジボラン等の不純物ガスを数％混入し
たものでもよい。
状のシリコン単結晶を形成するのにシランガスを用いた
場合に付いて説明したが、これに限定されず、島状のシ
リコン単結晶を形成できるものであれば、その他のガ
ス、例えばモノクロロシラン，ジクロロシラン，トリク
ロロシラン，テトラクロロシラン，モノフルオロシラン
及びテトラフルオロシラン等の置換シラン或いはヘキサ
フルオロジシラン等の置換ジシランのガスを用いてもよ
く、更にこれ等のガス又はシランガスに例えばアルシ
ン，ホスフィン，ジボラン等の不純物ガスを数％混入し
たものでもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】また、上記実施例１において非晶質シリコ
ン層を形成するのにジシランを用いた場合に付いて説明
したが、これに限定されず、非晶質シリコン層を形成で
きるものであれば、その他のガス、例えばトリシランを
用いてもよく、更にこれ等のガス又はジシランガスに例
えばアルシン，ホスフィン，ジボラン等の不純物ガスを
数％混入したものでもよい。
ン層を形成するのにジシランを用いた場合に付いて説明
したが、これに限定されず、非晶質シリコン層を形成で
きるものであれば、その他のガス、例えばトリシランを
用いてもよく、更にこれ等のガス又はジシランガスに例
えばアルシン，ホスフィン，ジボラン等の不純物ガスを
数％混入したものでもよい。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上にの種結晶を形成する工程と、 該種結晶の上に非晶質材料層を形成する工程と、 熱処理により上記種結晶を結晶核として上記非晶質材料
層を結晶化させ薄膜を形成する工程とを含むことを特徴
とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】 種結晶がシリコン単結晶であり、非晶質
材料層が非晶質シリコン層である請求項１記載の薄膜形
成方法。 - 【請求項３】 シリコン単結晶の形成に少なくともシラ
ン，置換ジシランを含むガスを使用し、非晶質シリコン
層の形成に少なくともジシラン又はトリシランを含むガ
スを使用する請求項２記載の薄膜形成方法。 - 【請求項４】 置換シランがモノクロロシラン，ジクロ
ロシラン，トリクロロシラン，テトラクロロシラン，モ
ノフルオロシラン又はテトラフルオロシランであり、置
換ジシランがヘキサジシランである請求項３記載の薄膜
形成方法。 - 【請求項５】 シリコン単結晶を少なくともシランを含
むガスを用い、５５０℃以上で形成し、非晶質シリコン
層を少なくともシランを含むガスを用い、５４５℃以下
で形成する請求項２記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32882191A JPH05166729A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32882191A JPH05166729A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166729A true JPH05166729A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18214470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32882191A Pending JPH05166729A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166729A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006524439A (ja) * | 2003-04-24 | 2006-10-26 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 高機能粒子構造を有する多結晶膜の堆積方法 |
| US20140065804A1 (en) * | 2012-03-01 | 2014-03-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Low temperature polysilicon thin film and manufacturing method thereof |
| WO2020185370A1 (en) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuity, dram circuitry, methods used in forming integrated circuitry, and methods used in forming dram circuitry |
-
1991
- 1991-12-12 JP JP32882191A patent/JPH05166729A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006524439A (ja) * | 2003-04-24 | 2006-10-26 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 高機能粒子構造を有する多結晶膜の堆積方法 |
| US20140065804A1 (en) * | 2012-03-01 | 2014-03-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Low temperature polysilicon thin film and manufacturing method thereof |
| US8940625B2 (en) * | 2012-03-01 | 2015-01-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Low temperature polysilicon thin film and manufacturing method thereof |
| WO2020185370A1 (en) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuity, dram circuitry, methods used in forming integrated circuitry, and methods used in forming dram circuitry |
| US11411008B2 (en) | 2019-03-14 | 2022-08-09 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuity, dram circuitry, methods used in forming integrated circuitry, and methods used in forming DRAM circuitry |
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