JPH059090A

JPH059090A - 結晶の成長方法

Info

Publication number: JPH059090A
Application number: JP18416391A
Authority: JP
Inventors: Kenji Yamagata; 憲二山方
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1991-06-28
Filing date: 1991-06-28
Publication date: 1993-01-19

Abstract

(57)【要約】【目的】【構成】基体の表面に堆積した非晶質絶縁物からなる
層の表面上に、非晶質半導体膜の固相成長もしくは多結
晶半導体膜の粒成長によって、単一に凝集するのに十分
に微細な半導体薄膜を設け、この薄膜に熱処理を施して
凝集現象を生起させることにより単一体の単結晶へと変
化させたのち、この単結晶を種結晶として半導体単結晶
を成長させる。【効果】結晶方位がほぼ完全に揃った単結晶部が形成
でき、これにより結晶上に作られる素子の結晶方位の違
いに起因する特性のバラツキが抑えられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体単結晶薄膜およ
びそこに形成される薄膜トランジスタ、例えば半導体集
積回路等における高性能電子素子を形成するために適用
される結晶の成長方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】絶縁基板上に複数の単結晶を成長させる
ＳＯＩ技術の分野においては、例えば表面材料間の核形
成密度の差による選択核形成にもとづいた方法が提案さ
れている（T.Yonehara et al.(1987)Extended Abstract
s of the 19th SSDM p191)。この結晶形成方法を図２を
用いて説明する。まず図２−Ａに示すように、核形成密
度の小さい表面２０３をもつ基体２０１上に、この表面
２０３よりも核形成密度の大きい表面をもつ適宜な直径
の領域２０２，２０２’を適当間隔で配設する。この基
体に所定の結晶形成処理を施すと、領域２０２の表面に
のみ堆積物の核２０４が発生し、表面２０３の上には核
発生が起こらない（図２−Ｂ）。そこで領域２０２の表
面を核形成面、表面２０３を非核形成面と呼ぶ。核形成
面２０２に発生した核２０４をさらに成長させれば結晶
粒２０５となり（図２−Ｃ）、核形成面２０２の領域を
越えて非核形成面２０３の上にまで成長し、やがて隣の
核形成面２０２’から成長してきた結晶粒２０５’と接
して粒界２０７が形成される。従来、このような結晶形
成方法においては、核形成面２０２に非晶質Ｓｉ₃Ｎ₄、
非核形成面２０３にＳｉＯ₂を用い、ＣＶＤ法によって
シリコン単結晶を複数個形成した例（上記論文参照）、
およびＳｉＯ₂を非核形成面２０３とし、収束イオンビ
ームによりＳｉイオンを非核形成面２０３に注入し、核
形成面２０２となる領域を形成し、ＣＶＤ法によりシリ
コン単結晶を複数個形成した例（１９８８年第３５回応
用物理学関係連合講演会、２８ｐ−Ｍ−９）が報告され
ている。なお、この結晶成長法を以後「選択核成長法」
と呼ぶ。

【０００３】また上記の結晶成長方法と類似したもの
で、選択核形成の代わりに凝集現象を利用して半導体結
晶の種結晶形成を行ない、これを選択的に成長させる技
術が報告されている（１９８９年第５０回応用物理学会
学術講演会、２７ａ−Ｃ−１１）。この結晶形成方法を
図３を用いて説明する。まず図３−Ａに示すように核形
成密度の小さい表面（非核形成面）３０３をもつ基体３
０１上に、適宜な直径の非単結晶性の半導体薄膜３０
２，３０２’を適当間隔で配する。この基体を水素雰囲
気中で熱処理を施すと、非単結晶性半導体膜３０２が凝
集を起こし、半球状に形状を変化させながらその結晶性
も単結晶３０４へと変化していく（図３−Ｂ）。得られ
た単結晶３０４を種結晶として結晶を選択的に成長させ
れば結晶粒３０５となり（図３−Ｃ）、非核形成面３０
３の上にまで成長し、やがて隣の種結晶３０４’から成
長してきた結晶粒３０５’と接して粒界３０７が形成さ
れる。なお、この結晶成長法を以後「凝集種結晶成長
法」と呼ぶ。

【０００４】上記２つの結晶成長方法においては、図２
または図３に示すように、平坦な結晶を得ることは現状
では困難である。従ってこの結晶上に素子を形成する場
合、結晶上部は平坦化される。このことは、素子性能の
向上および特性の均一化、歩留まりの向上といった点か
ら大変に有効である。またこれらの単結晶それぞれに１
つの素子を形成し、それらを絶縁物により互いに分離し
て形成することにより、通常必要とされる素子分離領域
が著しく縮小し高集積化を可能にする。近年絶縁性材料
上の半導体層を薄層化することでその素子性能が向上す
ることが分かってきた（Inter-national workshop onfu
ture eletron devices1988）。

【０００５】

【発明が解決しようとしている課題】しかし上記のよう
な結晶成長方法のうち最初に挙げた「選択核成長法」に
おいては、現在のところ結晶の面方位（基板面に対して
垂直方向の方位）はほぼランダムであり、特定の配向性
を持たない。一方、前述の結晶成長方法の２番目に挙げ
た「凝集種結晶成長法」においては、半導体（シリコ
ン）膜の場合、凝集する際に表面エネルギーの安定化を
駆動力として面方位を（１１１）に配向させようとする
が、実際には種結晶となる前駆体の多結晶膜の方位がラ
ンダムであったり、または（１１１）以外の特定方位を
有しているために、凝集した結晶を完全な（１１１）方
位にすることは困難である。また種結晶の前駆体を非晶
質シリコンにしたとしても、凝集温度（１０００℃前
後）に達するまでの昇温過程で多結晶化してしまい、そ
の方位が比較的ランダムに近い（若干の（１１１）配向
性を有する）ために、やはり凝集した結晶は完全な（１
１１）配向にならない。

【０００６】このように結晶方位がランダムであるとい
うことは、その結晶上にトランジスタ等の素子を形成し
た場合に、電気的特性に大きなバラツキを生じさせる原
因となる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の結晶の成長方法
は、非晶質絶縁物の表面を有する基体上に、非晶質半導
体膜の固相成長もしくは多結晶半導体膜の粒成長によっ
て、大粒径半導体多結晶膜を形成する工程と、これを単
一に凝集するのに十分に微細な島状半導体薄膜にパター
ニングする工程と、前記薄膜に熱処理を施して凝集現象
を生起させることにより単一体の単結晶へと変化させる
工程と、ついでこの単結晶を種結晶として半導体単結晶
を成長させる工程とを具備することを特徴とする。

【０００８】本発明者らは、前述した結晶成長方法のう
ち「凝集種結晶成長法」において、種結晶の前駆体であ
る半導体薄膜に（１１１）方位に配向したシリコン多結
晶膜を用いることによって、これを凝集させた際に非常
に強い（１１１）配向性を示すことを見出した。

【０００９】そこで（１１１）配向のシリコン多結晶膜
を形成するためにいくつかの方法を考えた。すなわち１
つは非晶質シリコンを固相成長させたものであるが、こ
の非晶質は多結晶膜やＣＶＤ等の非晶質膜にイオンを注
入することによって得るものか、もしくは低温分解が可
能なシラン系のガスによって低温堆積した非晶質膜であ
る必要がある。もう１つはシリコン膜にＰ、Ｂ、Ａｓ等
の不純物を高濃度にドープしたものを、１０００℃以上
の温度で熱処理を施して異常粒成長を生起させたもので
ある。いずれの場合にも、得られる多結晶膜は比較的強
い（１１１）配向を示す。そしてこれらの（１１１）配
向膜を凝集させることによって、得られる種結晶は非常
に強い（１１１）配向を示すのである。この種結晶を選
択的に成長させるならば、成長した結晶も（１１１）配
向となる。

【００１０】この強く配向した結晶上に形成されたトラ
ンジスタ等の素子特性のバラツキは極めて小さく、素子
回路の設計を容易にし、その性能を向上させる。

【００１１】つぎに本発明の好ましい実施態様例を図１
を用いて説明する。Ａ．表面に核形成密度の小さい非核形成面を有する基
体１０１上にシリコン膜１０２aを堆積する。この際、
まず非核形成面を有する基体１０１としては石英基板、
シリコン基板の表面を酸化したもの、セラミックス等の
任意基板上に常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、プラズマＣＶ
Ｄ、スパッタ等の方法でＳｉＯx、またはＳｉＮyを主成
分とする膜を堆積したものなどが使用できる。また堆積
するシリコン膜１０２aは、減圧ＣＶＤ、プラズマＣＶ
Ｄ、プラズマＣＶＤ等で堆積すればよい。膜質は多結晶
であっても非晶質であっても構わない。膜厚は５００Å
以上２０００Å以下が好ましく、最適には１０００Å程
度である。なぜならば後に非晶質化された膜を固相成長
する際に、５００Åよりも薄いと成長速度が極めて小さ
くなってしまうことと、２０００Åよりも厚いと配向性
が悪くなってしまうためである。Ｂ−［固相成長を行なう場合］堆積したシリコン膜１０２aにＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎのいず
れかのイオン１０８を注入して膜を完全に非晶質化し、
非晶質シリコン膜１０２bを得る。この際イオンの注入
条件は、堆積したままのシリコン膜１０２aが多結晶か
非晶質か、または膜厚が厚いか薄いかで異なるが、例え
ば膜厚を１０００Å程度にした場合、多結晶膜ではドー
ズ量として３×１０¹⁵から６×１０¹⁵ｃｍ^-2、非晶質膜
では１×１０¹⁵ｃｍ^-2程度でよい。また加速電圧はシリ
コン膜１０２aの中央付近にイオンの投影飛程がくるよ
うに設定すればよい。シリコン膜１０２aが２０００Å
と比較的厚い膜である場合には、２段のイオン注入を施
すことで、完全な非晶質シリコン膜１０２bを容易に得
ることができる。

【００１２】シリコン膜１０２aをＳｉ₂Ｈ₆またはＳｉ₃
Ｈ₈をソースガスとして５００℃以下の堆積温度のＣＶ
Ｄで形成した場合には、膜は堆積状態で完全な非晶質と
なっているため、イオン注入をする必要はない。Ｂ−［異常粒成長を行なう場合］堆積したシリコン膜１０２aにＰ、Ｂ、Ａｓのいずれか
のイオンを注入するか、もしくは拡散によりドーピング
し、不純物が高濃度にドープされたシリコン膜１０２b
を得る。この際イオンの注入条件は堆積したシリコン膜
１０２aの膜厚によって異なるが、結果的に膜中の平均
不純物濃度が８×１０²⁰ｃｍ^-3以上になればよい。また
加速電圧はシリコン膜１０２aの中央付近にイオンの投
影飛程がくるように設定すればよい。拡散で不純物ドー
プする場合はその拡散温度における固溶限界までドーピ
ングすればよい。

【００１３】Ｃ．シリコン膜１０２bに熱処理を施し大
粒径の多結晶シリコン膜１０２cを得る。このとき固相
成長を行なう膜の場合、熱処理の雰囲気は窒素、希ガス
等の不活性ガスを用い、温度は５８０℃以上６５０℃以
下とする。これは５８０℃以下では固相成長速度が極め
て小さくなることと、６５０℃以上では逆に固相中での
核形成密度と成長速度が大きすぎて小粒径の多結晶膜が
形成され、その配向性が悪くなってしまうからである。
最適には６００℃程度で行なう。熱処理時間は２０〜１
００時間程度とする。

【００１４】非晶質シリコン膜１０２bが異常粒成長を
行なう膜の場合、熱処理の雰囲気は窒素、希ガス等の不
活性ガスを用い温度１０００℃以上で行なう。１０００
℃以下では異常粒成長が起こりにくい。熱処理時間は２
０〜８０分間程度とする。得られる大粒径多結晶膜１０
２cの結晶方位は、固相成長の場合も異常粒成長の場合
も（１１１）に配向している。

【００１５】Ｄ．通常のフォトリングラフィー工程、エ
ッチング工程を用いて、大粒径化した多結晶膜シリコン
１０２cを微細な島状にパターニングする。パターニン
グする島の面積は、多結晶膜１０２cの膜厚に依存する
が、膜厚が５００〜２０００Åの間であるので、およそ
０．５×０．５μｍ²以上、４×４μｍ²以下が好まし
い。これは多結晶膜１０２cが０．５×０．５μｍ²より
小さいと、通常のフォトリングラフィー工程の使用が困
難になることと、凝集によって得られた種結晶の体積が
小さすぎて、種結晶からの選択的結晶成長が困難になる
ためである。また４×４μｍ²以上の大きさだと種結晶
が単一にならずに複数個の種結晶が形成してしまい、成
長した結晶が多結晶になってしまうためである。従って
島状多結晶シリコン膜１０２cの面積は、好ましくは１
×１μｍ²以上、３×３μｍ²以下、最適には２×２μｍ
²程度である。また必ずしも正方形である必要はない。

【００１６】なお、工程ＢとＣの順番を逆にしてもかま
わない。すなわち堆積膜をパターニングした後に固相成
長や異常粒成長を生起させる処理を施しても実施可能で
ある。

【００１７】Ｅ．パターニングされた多結晶薄膜１０２
cを水素雰囲気中で熱処理を施し、凝集を生起させて単
結晶性のシリコン種結晶１０４を得る。種結晶１０４は
凝集を起こす際に、（１１１）結晶方位に強く配向す
る。熱処理の温度は９００〜１０５０℃程度で、この温
度は多結晶膜の膜厚によって異なる。また多結晶膜中に
不純物が高濃度にドーピングされている場合、例えば異
常粒成長を起こした膜などは凝集開始温度は低下する。
また熱処理を低圧（数Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ）で行
なっても凝集開始温度は低下する。熱処理時間は設定温
度によって違ってくるが、約３０秒〜１０分間である。

【００１８】Ｆ．次に上記基板上に半導体単結晶を成長
する処理を施し、シリコン単結晶１０５を得る。シリコ
ンの単結晶成長はＣＶＤ法で行なうが、ソースガスとし
てＳｉＣｌ₄，ＳｉＨＣｌ₃，ＳｉＨ₂Ｃｌ₂等のクロロシ
ラン系、ＳｉＦ₄，ＳｉＨ₂Ｆ₂等のフロロシラン系、Ｓ
ｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆等のシラン系が使用できる。選択成長
を行なうのでＨＣｌ等のエッチングガスを添加し、Ｈ₂
ガスをキャリアとして成長させる。成長温度は９００〜
１２００℃、成長圧力は数Ｔｏｒｒ〜２５０Ｔｏｒｒ程
度の範囲内で行なうのが好ましい。単結晶１０５は種結
晶１０４の方位を受け継いで、非晶質絶縁物の上に（１
１１）に配向して成長する。なお、結晶は単結晶特有の
ファセットをもって３次元的に成長するので、素子を形
成するためには結晶を平坦化する必要がある。

【００１９】

【実施例】本発明の実施例を図１を参照して説明する。

【００２０】（第１実施例）１．図１−Ａに示す基体１０１として、４インチ径の溶
融石英基板を用いた。この基体１０１の非核形成面上
に、減圧ＣＶＤ法により多結晶シリコン膜１０２aを１
０００Åの厚さで堆積した。堆積条件はＳｉＨ₄ガスを
用い、温度６２０℃、流量５０［ｓｃｃｍ］、圧力０．
３Ｔｏｒｒで、１０分間の堆積を行なった。２．堆積した多結晶シリコン膜１０２a中にイオン注入
装置を用いてＳｉイオン１０８を注入し、非晶質シリコ
ン膜１０２bを得た（図１−Ｂ）。条件はドーズ量が５
×１０¹⁵ｃｍ^-2、加速電圧が７０ＫｅＶであった。この
非晶質膜１０２bを窒素雰囲気中で６０５℃、５０時間
の熱処理を行ない、（１１１）配向性をもった平均粒径
１μｍの多結晶シリコン膜１０２cを得た（図１−
Ｃ）。さらにこの多結晶膜１０２cを図１−Ｄに示すよ
うな島状にパターニングして他をエッチングし、種結晶
の前駆体を形成した。この前駆体のサイズは一辺ａ＝
２．０μｍの正方形で、間隔ｂ＝２０μｍのマトリック
ス状に配した。

【００２１】３．上記基体を一般的なエピタキシャル装
置内にセットして、水素雰囲気中１０３０℃、８０Ｔｏ
ｒｒで３分間熱処理し、図１−Ｅに示すような単結晶性
の種結晶１０４を得た。

【００２２】４．続いて同反応炉内で種結晶１０４を中
心にシリコンの単結晶を成長させた。成長条件は次のと
うり。ソースガス／エッチングガス／キャリアガス：ＳｉＨ₂Ｃｌ／ＨＣｌ／Ｈ₂ ガス流量：０．５３／１．８０／１００（ｌ／ｍｉ
ｎ．）堆積温度：１０３０℃ 堆積圧力：８０Ｔｏｒｒ堆積時間：４５ｍｉｎ．この結果図１−Ｆに示すように、シリコン単結晶１０５
が種結晶１０４を中心に成長し、隣り合う種結晶１０
４’から成長してきたシリコン単結晶１０５’と衝突し
て粒界１０７を生じた。得られた結晶の面方位をＸ線回
析により測定したところ、２５＜２θ＜９０（ｄｅｇｒ
ｅｅ）の範囲で（１１１）、（２２０）、（３１１）、
（４００）、（３３１）、（４２２）の回析ピークが現
われた。そして上記６つのピークの合計カウント数（ｃ
ｐｓ）に対する各ピークのカウント数の割合を計算した
ところ、（１１１）が全体の９９．５％を占めていて、
残りの５つのピークを合計してもわずかに０．５％しか
なかった。

【００２３】得られたシリコン単結晶１０５を研磨によ
り平坦化し、その上にＮＭＯＳトランジスタを形成して
その電気的特性を調べたところ、電子移動度μ_e＝４５
０〜４８０ｃｍ²／Ｖ．ｓｅｃ．、Ｖ_th＝０．１８〜
０．２２Ｖであった。この値は、（１１１）シリコン基
板上に同条件で形成したＮＭＯＳトランジスタと同等の
結果であり、且つ特性のバラツキも通常の多結晶シリコ
ン上のＴＦＴと比較して極めて小さかった。

【００２４】（第２実施例）１．図１−Ａに示す基体１０１として、４インチ径の溶
融石英基板を用いた。この基体（非核形成面）１０１上
に減圧ＣＶＤ法により多結晶シリコンｉ膜１０２aを１
０００Åの厚さで堆積した。堆積条件はＳｉＨ₄ガスを
用い、温度６２０℃、流量５０［ｓｃｃｍ］、圧力０．
３Ｔｏｒｒで、１０分間の堆積を行なった。

【００２５】２．堆積した多結晶シリコン膜１０２a中
にイオン注入装置を用いてＰイオン１０８を注入した
（図１−Ｂ）。条件はドーズ量が９×１０¹⁵ｃｍ^-2、加
速電圧が３０ＫｅＶとした。前記不純物ドープ膜１０２
bを窒素雰囲気中で１０００℃、２０分間の熱処理を行
ない、（１１１）配向性をもった平均粒径２μｍの多結
晶薄膜１０２cを得た。さらにこの多結晶膜１０２cを図
１−Ｄに示すような島状にパターニングして他をエッチ
ングし、種結晶の前駆体を形成した。この前駆体のサイ
ズは一辺ａ＝２．０μｍの正方形で、間隔ｂ＝２０μｍ
のマトリックス状に配した。

【００２６】３．上記基体を一般的なエピタキシャル装
置内にセットして、水素雰囲気中９８０℃、８０Ｔｏｒ
ｒで５分間熱処理し、図１−Ｅに示すような単結晶性の
種結晶１０４を得た。

【００２７】後は第１の実施例と全く同様に結晶成長を
行ない、第１実施例と同じ結果が得られた。

【００２８】（第３実施例）１．図１−Ａに示す基体１０１として、４インチ径のシ
リコン基板を用い、表面の非核形成面１０３として基板
の表面を２０００Åの厚さで酸化したものを用いた。こ
の非核形成面１０３上に減圧ＣＶＤ法により非晶質シリ
コン膜１０２aを１０００Åの厚さで堆積した。堆積条
件はＳｉ₂Ｈ₆ガスを用い、温度５１０℃、流量５０［ｓ
ｃｃｍ］、圧力０．２５Ｔｏｒｒで、１５分間の堆積を
行なった。２．堆積した非晶質シリコン膜１０２aを窒素雰囲気中
で６０５℃、５０時間の熱処理を行ない、（１１１）配
向性をもった平均粒径１μｍの多結晶薄膜１０２cを得
た(図１−Ｃ）。さらにこの多結晶膜１０２cを図１−Ｄ
に示すような島状にパターニングして他をエッチングで
除去し、種結晶の前駆体を形成した。この前駆体のサイ
ズは一辺ａ＝１．５μｍの正方形で、間隔ｂ＝５０μｍ
のマトリックス状に配した。

【００２９】３．上記基体を一般的なエピタキシャル装
置内にセットして、水素雰囲気中１０５０℃、８０Ｔｏ
ｒｒで３分間熱処理し、図１−Ｅに示すような単結晶性
の種結晶１０４を得た。

【００３０】４．続いて同反応炉内で種結晶１０４を中
心にシリコンの単結晶を成長させた。成長条件は次のと
おり。

【００３１】ソースガス／エッチングガス／キャリアガ
ス：ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／ＨＣｌ／Ｈ₂ ガス流量：０．５３／２．０／１００（ｌ／ｍｉ
ｎ．）堆積温度：１０５０℃ 堆積圧力：８０Ｔｏｒｒ堆積時間：７０ｍｉｎ．この結果、図１−Ｆに示すように、シリコン単結晶１０
５，１０５’が種結晶１０４を中心に成長し、隣り合う
結晶同士が衝突して粒界１０７を生じた。得られた結晶
の面方位は第１実施例で得られた結果をほぼ同等で、ま
た結晶上に形成したＮＭＯＳトランジスタの特性も第１
実施例の結果と同じであった。

【００３２】

【発明の効果】以上に説明したように、ある程度結晶方
位が配向した多結晶薄膜を微細にパターニングし、これ
を熱処理することによって凝集を生起させると、極めて
強く配向した単結晶性の種結晶を得ることができる。そ
してこの種結晶を成長させることによって結晶方位がほ
ぼ完全に揃った単結晶部が形成でき、これにより結晶上
に作られる素子の結晶方位の違いに起因する特性のバラ
ツキが抑えられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例において結晶の成長を行なう工
程図。

【図２】従来の選択核成長法による結晶成長法の説明
図。

【図３】従来の凝集種結晶成長法による結晶成長法の説
明図。

【符号の説明】

１０１基体１０２シリコン膜１０２a 堆積したままのシリコン膜１０２b 非晶質シリコン膜１０２c 多結晶シリコン膜１０３結晶成長面１０４種結晶１０５シリコン単結晶１０７結晶粒界

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非晶質絶縁物の表面を有する基体に、非
晶質半導体膜の固相成長もしくは多結晶半導体膜の粒成
長によって得られる大粒径半導体多結晶膜を形成する工
程と、該大粒径半導体多結晶膜を単一に凝集するのに十
分に微細な大きさにパターニングする工程と、前記パタ
ーニングされた大粒径半導体多結晶膜に熱処理を施して
凝集現象を生起させることにより単一体の単結晶へと変
化させる工程と、ついでこの単結晶を種結晶として半導
体単結晶を成長させる工程とを具備することを特徴とす
る結晶の成長方法。
【請求項２】前記大粒径半導体多結晶膜は、多結晶シ
リコンまたは非晶質シリコンにＳｎ，Ｇｅ，Ｓｉのいず
れかのイオンを注入したのち、５８０℃以上、６５０℃
以下の温度で熱処理することにより形成される請求項１
記載の結晶の成長方法。
【請求項３】前記大粒径半導体多結晶膜は、Ｓｉ₂Ｈ₆
またはＳｉ₃Ｈ₈をソースガスとする５００℃以下の堆積
温度でのＣＶＤにより形成された非晶質シリコン膜を、
５８０℃以上６５０℃以下の温度で熱処理することによ
り得られる請求項１記載の結晶の成長方法。
【請求項４】前記大粒径半導体多結晶膜が、多結晶シ
リコンまたは非晶質シリコンにＰ、Ｂ、またはＡｓのい
ずれかのイオンを注入するか、もしくは上記元素のいず
れかを拡散によりドーピングしたものを１０００℃以上
の温度で熱処理することにより得られる請求項１記載の
結晶の成長方法。
【請求項５】前記半導体膜に凝集に生起させる熱処理
が水素雰囲気中で行なわれる請求項１ないし４のいづれ
か１項に記載の結晶の成長方法。
【請求項６】前記半導体膜に凝集を生起させる熱処理
温度が前記半導体膜の融点以下である請求項１ないし４
のいづれか１項に記載の結晶の成長方法。