JP2006523778A5

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Publication number: JP2006523778A5
Application number: JP2006510108A
Authority: JP
Filing date: 2004-04-16
Publication date: 2007-05-24
Anticipated expiration: 2024-04-16

Description

おおよそ０．０４０ｇの銅前駆体をドライボックス中で磁器ボート中へ装填した。ボートおよびウェハー（約１ｃｍ^２）をおおよそ３．５インチ離してガラス管中に入れた。ガラス管をドライボックスから取り出し、真空ラインに取り付けた。加熱コイルを、磁器ボート周りの区域およびウェハーチップ周りの区域の両方を取り囲んでガラス管に取り付けた。この配置は２つの区域が異なる温度に維持されることを可能にする。システムの排気の後、管を通してアルゴン流れを作り出し、先ずボート中のサンプル上方を、次にウェハー上方を通過させた。管内部の圧力を１５０〜２００ミリトルに維持した。ウェアー周りの領域を１１０℃に暖めた。おおよそ１時間後に、サンプル・ボート周りの領域の温度は５５℃に上昇した。これらの温度およびＡｒガス流れをおおよそ２．５時間維持した。サンプル・ボート周りの区域を次に室温に冷却した。管を約１０ミリトルの圧力に排気し、ジエチルシランでバック充満した。１１０℃の管の区域は迅速に銅色になった。装置を冷却し、ドライボックスへ戻した。銅色は知覚できるほどに暗くなった。本方法を、平滑な金属銅フィルム付きウェハーをもたらすために繰り返した。
本発明の好適な実施態様は次のとおりである。
１．ａ．基材を銅錯体（Ｉ）と接触させて基材上に銅錯体の蒸着物を形成せしめ、そして

式中、Ｌが２〜１５個の炭素を含んでなるオレフィンであり、
Ｒ^１およびＲ^４が独立して水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、イソブ
チルおよびネオペンチルよりなる群から選択され、
Ｒ^２およびＲ^３が独立してフェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選
択され、
ｂ．蒸着した銅錯体を還元剤と接触させる
ことを含んでなる基材上での銅蒸着物の形成方法であって、
そして
還元剤が９−ＢＢＮ、ジボラン、形ＢＲ_ｘＨ_３−ｘ（ここで、ｘ＝０、１または２で
あり、そしてＲは独立してフェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選
択される）のボラン、ジヒドロベンゾフラン、ピラゾリン、ジシラン、形ＳｉＲ’_ｙ
Ｈ_４−ｙ（ここで、ｙ＝０、１、２または３であり、そしてＲ’は独立してフェニル
およびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選択される）のシラン、ならびに形Ｇ
ｅＲ”_ｚＨ_４−ｚ（ここで、ｚ＝０、１、２または３であり、そしてＲ”は独立して
フェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選択される）のゲルマンより
なる群から選択される
方法。
２．Ｒ^２およびＲ^３がメチルであり、かつ、Ｒ^１およびＲ^４がイソブチルである上記１に記載の方法。
３．Ｌがビニルトリメチルシランである上記１に記載の方法。
４．基材が銅、シリコンウェハーおよびバリア層で被覆された二酸化ケイ素よりなる群から選択される上記１に記載の方法。
５．基材が銅錯体の蒸気に曝される上記１に記載の方法。
６．蒸着が０〜２００℃で実施される上記１に記載の方法。
７．還元剤がシランまたはジエチルシランである上記１に記載の方法。
８．

式中、Ｌが２〜１５個の炭素を含んでなるオレフィンであり、
Ｒ^１およびＲ^４が独立して水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、イソブチルおよびネオペンチルよりなる群から選択され、
Ｒ^２およびＲ^３が独立してフェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選択され、
そして
還元剤が９−ＢＢＮ、ジボラン、形ＢＲ_ｘＨ_３−ｘ（ここで、ｘ＝０、１または２であり、そしてＲは独立してフェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選択される）のボラン、ジヒドロベンゾフラン、ピラゾリン、ジシラン、形ＳｉＲ’_ｙＨ_４−ｙ（ここで、ｙ＝０、１、２または３であり、そしてＲ’は独立してフェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選択される）のシラン、ならびに形ＧｅＲ”_ｚＨ_４−ｚ（ここで、ｚ＝０、１、２または３であり、そしてＲ”は独立してフェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選択される）のゲルマンよりなる群から選択される１，３−ジイミン銅錯体（Ｉ）。
９．Ｌがビニルトリメチルシランであり、
Ｒ^１およびＲ^４が水素、イソブチルおよびネオペンチルの群から選択され、
Ｒ^２がＭｅであり、かつ、
Ｒ^３がＭｅ、Ｅｔおよびフェニルよりなる群から選択される
上記８に記載の１，３−ジイミン銅錯体。
１０．基材を上記８に記載の１，３−ジイミン銅錯体と接触させることによって製造される物品。
１１．基材が銅、シリコンウェハーおよびバリア層で被覆された二酸化ケイ素の群から選択される上記１０に記載の物品。
１２．バリア層がタンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、窒化タンタルシリコン、窒化チタンシリコン、窒化タンタルカーボンおよび窒化ニオブよりなる群から選択される上記１１に記載の物品。

Claims

ａ．基材を銅錯体（Ｉ）と接触させて基材上に銅錯体の蒸着物を形成せしめ、そして

式中、Ｌが２〜１５個の炭素を含んでなるオレフィンであり、
Ｒ^１およびＲ^４が独立して水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、イソブ
チルおよびネオペンチルよりなる群から選択され、
Ｒ^２およびＲ^３が独立してフェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選
択され、
ｂ．蒸着した銅錯体を還元剤と接触させる
ことを含んでなる基材上での銅蒸着物の形成方法であって、
そして
還元剤が９−ＢＢＮ、ジボラン、形ＢＲ_ｘＨ_３−ｘ（ここで、ｘ＝０、１または２で
あり、そしてＲは独立してフェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選
択される）のボラン、ジヒドロベンゾフラン、ピラゾリン、ジシラン、形ＳｉＲ’_ｙ
Ｈ_４−ｙ（ここで、ｙ＝０、１、２または３であり、そしてＲ’は独立してフェニル
およびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選択される）のシラン、ならびに形Ｇ
ｅＲ”_ｚＨ_４−ｚ（ここで、ｚ＝０、１、２または３であり、そしてＲ”は独立して
フェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選択される）のゲルマンより
なる群から選択される
方法。
式中、Ｌが２〜１５個の炭素を含んでなるオレフィンであり、
Ｒ^１およびＲ^４が独立して水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、イソブチルおよびネオペンチルよりなる群から選択され、
Ｒ^２およびＲ^３が独立してフェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選択され、
そして
還元剤が９−ＢＢＮ、ジボラン、形ＢＲ_ｘＨ_３−ｘ（ここで、ｘ＝０、１または２であり、そしてＲは独立してフェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選択される）のボラン、ジヒドロベンゾフラン、ピラゾリン、ジシラン、形ＳｉＲ’_ｙＨ_４−ｙ（ここで、ｙ＝０、１、２または３であり、そしてＲ’は独立してフェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選択される）のシラン、ならびに形ＧｅＲ”_ｚＨ_４−ｚ（ここで、ｚ＝０、１、２または３であり、そしてＲ”は独立してフェニルおよびＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基よりなる群から選択される）のゲルマンよりなる群から選択される１，３−ジイミン銅錯体（Ｉ）。
基材を請求項２に記載の１，３−ジイミン銅錯体と接触させることによって製造される物品。