JP2006522222A - 基板上に材料を堆積させる方法及び装置 - Google Patents

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Abstract

材料4は、容器2内に材料を配置し、材料を蒸発させそれが基板上に移るように材料4の表面に電子ビームを接触させることによって基板8上に堆積される。電子を通さないシールド7は、電子ビームによって接触される表面の一部を覆うように配置される。以前には電子ビームによって接触されていた表面の一部が、もはやシールドによって覆われず、基板8に露出するように、一方の容器2と他方のシールド7及び電子ビームの間に相対運動が生じる。

Description

本発明は、基板上に材料を堆積させる方法及び装置に関する。
本発明は、これに限定されないが、敏感な材料をすでに有している基板上への封入材料の堆積に特に適用可能である。例えば、有機発光ダイオード(OLED)のアレイを有する半導体基板は、カルシウムなどの低仕事関数材料の層を含む上部電極を有することができる。カルシウムは、酸素及び水と非常に反応しやすく、したがって、酸素及び水の浸入を防ぐために、例えば酸化アルミニウム又は二酸化シリコンの封入層でカルシウム層をコーティングする必要がある。
提案されている封入材料の一堆積方法は、電子ビーム蒸発である。これは、電子を熱フィラメントから放出させ、この電子がるつぼ内に入れられた封入材料の表面に衝突することを含む。高真空下で、電子は、封入材料を蒸発させ基板へと移す。
電子ビーム蒸発の主要な欠点は、封入材料から放出される2次電子が存在することである。これらの2次電子は、OLEDのポリマー層に損傷を与えて、例えば製作しようとする任意のOLEDデバイスを役に立たなくする。
2次電子の閉じ込めの手段として磁場が提案されてきた。しかし、るつぼ内の封入材料の表面が粗い場合や、2次電子が広範なエネルギー及び/又は方向を有する場合には、磁場は効果がない。
本発明の目的は、2次電子によって引き起こされる基板への損傷が防止される、又は最小化される、電子ビーム蒸発を使用して基板上へ材料を堆積する方法を提供することである。
したがって、本発明は、材料が自由表面を有するように容器内に堆積させる材料を配置するステップと、材料を蒸発させて基板へ材料を移すように前記表面に電子ビームを接触させるステップであって、電子を通さないシールドが前記電子ビームによって接触される表面の一部を覆うように配置されるステップと、以前には電子ビームによって接触されていた前記表面の一部が、もはやシールドによって覆われず、基板に露出するように、一方の容器と他方のシールド及び電子ビームの間に相対運動を生じさせるステップとを含む、基板上に材料を堆積させる方法を提供する。
シールドは、2次電子が基板に到達するのを妨げ、材料は、電子ビームによって実際には接触されていないが、以前に接触されていたことによる余熱に依然としてさらされている表面の一部から蒸発する。
相対運動は特に相対回転運動を含んでもよく、シールド及び電子ビームが静止したままで、容器を動かすことができる。
電子ビームの余熱が十分でない場合には、電子ビームに加えて、熱源によって材料を加熱することができる。
本発明は、堆積される材料を収容する容器と、材料を蒸発させ、材料を基板へ移すように材料を電子ビームと接触させる電子銃と、容器の一部を覆うように配置された、電子を通さないシールドと、一方の容器と他方のシールド及び電子銃の間で相対運動を生じさせる手段とを備える、基板上に材料を堆積させる装置も提供する。
相対運動を生じさせる手段は、特に容器を軸の周りで回転させる手段を含んでもよい。
この装置は、電子銃に加え、材料を加熱する手段を含んでもよい。
次に、本発明をより容易に理解できるように、例としてのみ添付の図面を参照する。
この図面は、プラットフォーム1を備える装置を示していて、電気モータ3などの手段によって駆動される、プラットフォーム1上のるつぼ2が軸の周りを回転するように配置された。公知の電子ビーム蒸発装置は、蒸発のために様々な材料を選択できるように回転する回転台を備える。本発明によれば、この回転台は、るつぼ2に置き換えられる。るつぼ2は、封入材料4を収容する。
電子銃5は、矢印で示す電子ビームを放出するフィラメント6を備える。シールド7は、るつぼ2内の材料4の表面の一部(例えば、半分)を覆い、電子ビームはこの部分に入射する。材料から放出される2次電子のすべては、シールド7によって捕捉される。
シールド7に覆われていない材料4の表面の一部は、基板8に面している。表面のこの露出した部分から蒸発した材料は、基板8へ移される。
電熱源などのオプションの補助熱源9を、材料4を加熱するために設けることができる。
本明細書で使用される動詞「備える、含む(to comprise)」のすべての型は、「から成る又は含む(to consist of or include)」の意味を有する。
本発明の一実施例による装置の概略図である。

Claims (7)

  1. 材料が自由表面を有するように容器内に堆積させる前記材料を配置するステップと、
    前記材料を蒸発させて基板へ前記材料を移すように前記表面に電子ビームを接触させるステップであって、電子を通さないシールドが前記電子ビームによって接触される前記表面の一部を覆うように配置されるステップと、
    以前には前記電子ビームによって接触されていた前記表面の前記一部が、もはや前記シールドによって覆われず、前記基板に露出するように、一方の前記容器と他方の前記シールド及び前記電子ビームの間に相対運動を生じさせるステップとを含む、
    基板上に材料を堆積させる方法。
  2. 前記相対運動が相対回転運動を含む、請求項1に記載の方法
  3. 前記容器が動かされ、その間前記シールド及び電子ビームが静止したままである、請求項2に記載の方法。
  4. 前記電子ビームに加え、熱源によって前記材料を加熱するステップを含む、請求項1、2、又は3に記載の方法。
  5. 堆積される材料を収容する容器と、
    前記材料を蒸発させ、前記材料を基板へ移すように前記材料を電子ビームと接触させる電子銃と、
    前記容器の一部を覆うように配置された、電子を通さないシールドと、
    一方の前記容器と他方の前記シールド及び前記電子銃の間で相対運動を生じさせる手段とを備える、
    基板上に材料を堆積させる装置。
  6. 前記相対運動を生じさせる手段が、前記容器を軸の周りで回転させる手段を含む、請求項5に記載の装置。
  7. 前記電子銃に加え、前記材料を加熱する手段を含む、請求項5又は6に記載の装置。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5179716B2 (ja) * 2005-11-17 2013-04-10 キヤノントッキ株式会社 電子ビーム真空蒸着方法およびその装置
GB0605014D0 (en) * 2006-03-13 2006-04-19 Microemissive Displays Ltd Electroluminescent device
GB0622998D0 (en) * 2006-11-17 2006-12-27 Microemissive Displays Ltd Colour optoelectronic device
US11049048B2 (en) * 2008-11-06 2021-06-29 International Business Machines Corporation Managing reusable business process modeling (BPM) assets

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60181265A (ja) * 1984-02-27 1985-09-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空蒸着装置
JPH06108234A (ja) * 1992-09-30 1994-04-19 Nec Kansai Ltd 蒸着装置
JPH09125235A (ja) * 1995-11-01 1997-05-13 Anelva Corp 電子銃蒸着装置および電子銃蒸着方法

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3552352A (en) * 1968-02-13 1971-01-05 Du Pont Electron beam vaporization coating apparatus
US3660158A (en) * 1968-12-30 1972-05-02 Gen Electric Thin film nickel temperature sensor and method of forming
US3791852A (en) * 1972-06-16 1974-02-12 Univ California High rate deposition of carbides by activated reactive evaporation
US3892490A (en) * 1974-03-06 1975-07-01 Minolta Camera Kk Monitoring system for coating a substrate
DE2813180C2 (de) * 1978-03-25 1985-12-19 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vakuumbeschichtungsanlage zum allseitigen Beschichten von Substraten durch Rotation der Substrate im Materialstrom
DE2917841A1 (de) * 1979-05-03 1980-11-13 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verdampfer fuer vakuumaufdampfanlagen
FR2455634A1 (fr) * 1979-05-04 1980-11-28 Bois Daniel Procede et dispositif de depot par evaporation sous vide utilisant un faisceau d'electrons moule et un ecran
EP0111611B1 (fr) * 1982-10-28 1987-05-13 International Business Machines Corporation Perfectionnements aux procédés et équipements de dépôt par évaporation sous vide mettant en oeuvre un canon à électrons
US4676994A (en) * 1983-06-15 1987-06-30 The Boc Group, Inc. Adherent ceramic coatings
US4472453A (en) * 1983-07-01 1984-09-18 Rca Corporation Process for radiation free electron beam deposition
JPS60165374A (ja) * 1984-02-09 1985-08-28 Matsushita Electronics Corp 電子ビ−ム蒸着装置
JPS60165373A (ja) * 1984-02-09 1985-08-28 Matsushita Electronics Corp 電子ビ−ム蒸着装置
US4514437A (en) * 1984-05-02 1985-04-30 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for plasma assisted evaporation of thin films and corresponding method of deposition
CH663037A5 (de) * 1985-02-05 1987-11-13 Balzers Hochvakuum Dampfquelle fuer vakuumbeschichtungsanlagen.
US4769290A (en) * 1985-09-04 1988-09-06 Santa Barbara Research Center High efficiency reflectors and methods for making them
US4777908A (en) * 1986-11-26 1988-10-18 Optical Coating Laboratory, Inc. System and method for vacuum deposition of thin films
US4882198A (en) * 1986-11-26 1989-11-21 Optical Coating Laboratory, Inc. System and method for vacuum deposition of thin films
US4866239A (en) * 1988-05-31 1989-09-12 The Boc Group, Inc. Vapor source assembly with crucible
DE59002513D1 (de) * 1989-02-09 1993-10-07 Balzers Hochvakuum Tiegelabdeckung für Beschichtungsanlagen mit einer Elektronenstrahlquelle.
GB8921004D0 (en) * 1989-09-15 1989-11-01 Secr Defence Ohmic contact for gaas and gaa1as
US5122389A (en) * 1990-03-02 1992-06-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Vacuum evaporation method and apparatus
US5182488A (en) * 1991-08-27 1993-01-26 The Boc Group, Inc. Electron beam gun for use in an electron beam evaporation source
US5227203A (en) * 1992-02-24 1993-07-13 Nkk Corporation Ion-plating method and apparatus therefor
US5216690A (en) * 1992-03-11 1993-06-01 Hanks Charles W Electron beam gun with grounded shield to prevent arc down
JPH06223356A (ja) * 1992-12-03 1994-08-12 Tdk Corp 磁気記録媒体
US5456205A (en) * 1993-06-01 1995-10-10 Midwest Research Institute System for monitoring the growth of crystalline films on stationary substrates
JP2655094B2 (ja) * 1994-08-30 1997-09-17 日本電気株式会社 電子銃蒸着装置
EP0785291A1 (en) * 1996-01-19 1997-07-23 The Boc Group, Inc. Electron beam evaporation system
US5878074A (en) * 1997-07-31 1999-03-02 Lucent Technologies Inc. Evaporator crucible and improved method for performing electron-beam evaporation
GB9907931D0 (en) * 1999-04-07 1999-06-02 Univ Edinburgh An optoelectronic display
UA71572C2 (uk) * 1999-08-04 2004-12-15 Дженерал Електрік Компані Електронно-променевий пристрій для нанесення покриття на вироби конденсацією із парової фази
CA2305938C (en) * 2000-04-10 2007-07-03 Vladimir I. Gorokhovsky Filtered cathodic arc deposition method and apparatus
US6342103B1 (en) * 2000-06-01 2002-01-29 The Boc Group, Inc. Multiple pocket electron beam source
GB0013394D0 (en) * 2000-06-01 2000-07-26 Microemissive Displays Ltd A method of creating a color optoelectronic device
GB0024804D0 (en) * 2000-10-10 2000-11-22 Microemissive Displays Ltd An optoelectronic device
GB0104961D0 (en) * 2001-02-28 2001-04-18 Microemissive Displays Ltd An encapsulated electrode
US6692850B2 (en) * 2001-03-07 2004-02-17 Axsun Technologies, Inc. Controlled stress optical coatings for membranes
GB0107236D0 (en) * 2001-03-22 2001-05-16 Microemissive Displays Ltd Method of creating an electroluminescent device
WO2003095698A2 (de) * 2002-05-10 2003-11-20 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewan Dten Forschung E.V. Vorrichtung und verfahren zum elektronenstrahlaufdampfen von reaktiv gebildeten schichten auf substraten
JP3862639B2 (ja) * 2002-08-30 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置
GB0222649D0 (en) * 2002-09-30 2002-11-06 Microemissive Displays Ltd Passivation layer
GB0224121D0 (en) * 2002-10-16 2002-11-27 Microemissive Displays Ltd Method of patterning a functional material on to a substrate
JP2005214709A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Tdk Corp 電子線照射装置、電子線照射方法、ディスク状体の製造装置及びディスク状体の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60181265A (ja) * 1984-02-27 1985-09-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空蒸着装置
JPH06108234A (ja) * 1992-09-30 1994-04-19 Nec Kansai Ltd 蒸着装置
JPH09125235A (ja) * 1995-11-01 1997-05-13 Anelva Corp 電子銃蒸着装置および電子銃蒸着方法

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Publication number Publication date
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US7595098B2 (en) 2009-09-29
GB0307745D0 (en) 2003-05-07

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