JP2006516802A - 試料から放出された電子を用いることによって試料を検査するための写像投影型電子ビーム装置 - Google Patents
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Abstract
Description
基板の表面に電子ビームを照射し走査したときに放出される二次電子を検出し、その検出結果に基づいてウェーハ画像データを生成し、ウェーハ上の各ダイの画像データを隣接する画像データと相互に比較することによって欠陥を検出するようにし、ウェーハに存在する欠陥を検出する検査装置は公知である。また、一次電子ビームを基板に照射し、基板から放出された二次電子を二次レンズ系によって結像させる写像投影型の検査装置も知られている。
特に、反射電子検出器として高感度な電子衝撃(EB: Electron Bombardment)型CCD(以下、EB−CCDという)を用いるならば、電流量やMCPゲインを従来と同レベルとしたまま、S/N比を改善することができ、また、従来のMCPを使用する場合に発生した増倍揺らぎのない高感度画像を得ることが可能である。さらに、EB−CCDは該CCDへの電子の入射エネルギによって増倍ゲインが決定されるため、EB−CCDを使用すると、二次電子と反射電子とのエネルギ差を利用して、選択的に反射電子を取り出すことができる。
さらに、本発明の別の目的は、こうした電子ビーム装置を用いた半導体デバイス製造方法を提供することにある。
一次電子ビームを試料に照射し、該試料から放出される反射電子を検出器に結像させて試料の表面を観察又は評価するための写像投影型の電子ビーム装置であって、
反射電子を検出するための検出器として、電子衝撃型CCD及び電子衝撃型TDI等の電子衝撃型検出器を具備し、
反射電子が、前記試料から放出された反射電子と二次電子とのエネルギ差に基づいて選択的に検出される電子ビーム装置、
が提供される。
電子衝撃型検出器を冷却して電子衝撃による発熱を低減するための冷却手段を更に備えることが好ましい。
試料室内に配置された試料表面に一次電子ビームを照射し、試料表面から放出された二次電子に基づいて試料表面を評価する電子ビーム装置であって、
全試料表面を均一に覆うようにガスを供給する手段を具備し、
試料表面とガスとの接触により試料表面のチャージアップを低減する電子ビーム装置、
が提供される。
一次電子ビームを試料表面に照射し、該試料表面から放出される二次電子に基づいて試料表面を観察し評価する方法であって、
試料表面を均一に覆うようにガスを供給して、負にチャージアップした試料表面を中和する工程と、
ガスの圧力を0.01〜0.1Paに設定する工程と、
を含む方法、
が提供される。こうしたガス圧で試料表面は適切に中和される。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明に係る電子ビーム装置の実施の形態を説明する。本発明は以下に記述する実施の形態に限定されるものではないことに注意すべきである。図において、同じ構成要素は同一の参照数字によって指示されている。
E×Bフィルタ6の磁界:111.8mA
アパーチャ5の径:65μm
静電レンズ9:−1436V
静電レンズ10:−322V
静電レンズ11:−499V。
EB−TDIの画素数:4096×512(つまり512段の積算)
ライン周波数:200〜500kHz
最小分解能:30〜100nm。
試料室全体を1.0E−5Pa程度までターボ分子ポンプで排気した。その後、窒素タンク40から窒素ガスを、レギュレータによって窒素ガス圧を約0.1MPaまで低減し、流量コントローラ39によって流量を5sccmに調節した後、ガス導入口38を介してカバー37へ導入した。導入されたガスはカバー37内の圧力を4.0E−2Paだけ増加させたが、例えば電子銃室や検出器等の高真空環境を必要とする容器は、差動排気機構によって図7に示すように高真空状態に維持された。図7において、MCはカバー37内の圧力を示し、EOはE×B28を含む電子光学系室内の圧力を示し、MCPはMCP32と蛍光スクリーン33とを含む検出器を含む室内の圧力を示す。
一層多くの窒素ガスを導入することによって、実施例1でのガス圧0.1Paよりも高いガス圧で、実施例1と同じプロセスを実施した。ガス分子は試料22と一層頻繁に接触するので、試料22の表面上の電荷は除去され、試料表面は正に帯電した。0.01Paよりも低い圧力では、ウェーハは負に帯電し続けた。いずれの場合も、歪みのない良好な画像が取得されることが判明した。
窒素よりも電子親和力の高いハロゲン・ガスを導入し、実施例1のプロセスを実施した。試料22の表面で電荷が平衡になるのに要する時間が低減され、ウェーハ等の試料の検査のスループットを向上させることができることが分かった。
タングステンのような熱フィラメントを持つ熱電子源41の代わりにカーボン・ナノチューブ冷陰極源を用いることにより、一次電子ビームを試料22に照射する前に試料22に電子を照射した。この場合、熱フィラメントを有する熱電子源を用いたときより大きな試料領域を均一な電流密度分布で照射することができることが分かった。
(2)露光に使用するマスク(レチクル)72を製造するマスク製造工程(又は、マスクを準備するマスク準備工程)71、
(3)必要な加工処理をウェーハに対して行うウェーハ・プロセッシング工程63、
(4)ウェーハに形成された各チップを切り出して動作可能にするチップ組み立て工程64、及び
(5)チップ組み立て工程64で作られたチップ65を検査するチップ検査工程66。
(b)薄膜層やウェーハ基板を酸化する酸化工程、
(c)薄膜層やウェーハ基板を選択的に加工するためのマスク(レチクル)72を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィー工程73、
(d)イオン・不純物注入・拡散工程、
(e)レジスト剥離工程、
(f)加工されたウェーハを検査する検査工程。
図9のウェーハ・プロセシング工程63の中核をなすのはリソグラフィー工程73であり、図10はリソグラフィー工程73で実施される以下の工程を示している。
(b)レジストを露光する露光工程82、
(c)露光されたレジストを現像してレジストのパターンを得る現像工程83、
(d)現像されたレジスト・パターンを安定化させるためのアニール工程84。
本発明に係る電子ビーム装置をチップ検査工程66に対して用いて欠陥検査を行うと、微細なパターンを有する半導体デバイスをスループット良く検査することができ、全数検査が可能となり、製品の歩留まりを向上させ、欠陥製品の出荷を防止することが可能になる。
これまでの説明から理解されるように、本発明は、試料表面の電位を均一化し、試料表面から放出される反射電子を検出することができるので、本発明は、収差と歪みの小さい放出電子像を得ることを可能とする。その結果、本発明は、信頼性の高い欠陥検出及び画像処理が達成できる点で格別の効果を奏する。
Claims (15)
- 一次電子ビームを試料に照射し、該試料から放出される反射電子を検出器に結像させて前記試料の表面を観察及び/又は評価するための写像投影型の電子ビーム装置であって、
前記反射電子を検出するための前記検出器として、電子衝撃型CCD及び電子衝撃型TDI等の電子衝撃型検出器を具備し、
前記検出器が、前記試料から放出された前記反射電子と二次電子とのエネルギ差に基づいて、選択的に前記反射電子を検出することができる電子ビーム装置。 - 請求項1に記載の電子ビーム装置であって、
前記電子衝撃型検出器の出力を処理して評価及び検査のための画像を出力する画像処理機構を更に備え、
前記一次電子ビームの前記試料への入射エネルギを変えることにより、前記電子衝撃型検出器のゲイン及び前記評価及び検査のための画像の露光量を調節する電子ビーム装置。 - 請求項1又は2に記載の電子ビーム装置であって、
前記一次電子ビームの前記試料への入射エネルギが2〜4keVであり、もって、前記試料の表面を負に帯電させて前記試料の表面でのチャージアップによる画像歪みを低減する電子ビーム装置。 - 請求項1〜3のいずれか一つに記載の電子ビーム装置であって、
前記一次電子ビームの前記試料でのランディング・エネルギを0.2〜4.0kVとし、もって、前記反射電子と後方散乱電子を検出することでS/N比を向上させる電子ビーム装置。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の電子ビーム装置であって、
前記電子衝撃型検出器を冷却して電子衝撃による発熱を低減するための冷却手段を更に備える電子ビーム装置。 - 試料室内に配置された試料表面を一次電子ビームで照射し、前記試料表面から放出された二次電子に基づいて前記試料表面を評価する電子ビーム装置であって、
前記試料表面を均一に覆うようにガスを供給する手段を具備し、
前記試料表面と前記ガスとの接触により前記試料表面のチャージアップを低減する電子装置。 - 請求項6に記載の電子ビーム装置であって、
前記試料が前記試料室に設けられたステージ上に載置され、
ガスを供給する前記手段が、前記ステージ上に載置されたカバーを有し、前記カバーが少なくとも一つのガス導入口を有する電子ビーム装置。 - 請求項6又は7に記載の電子ビーム装置であって、
前記一次電子ビームを生成するための一次電子源とは別に設けられ、前記試料表面を電子で照射することができる電子源を更に備える電子ビーム装置。 - 請求項8に記載の電子ビーム装置であって、前記一次電子源とは別に設けられた前記電子源が2〜4keVのエネルギ・レベルで電子を照射する電子ビーム装置。
- 請求項8又は9に記載の電子ビーム装置であって、
前記一次電子源とは別に設けられた前記電子源がカーボン・ナノチューブ型の冷陰極電子源である電子ビーム装置。 - 請求項1〜10のいずれか一つに記載の電子ビーム装置を用いて、プロセス途中のウェーハの評価を行う工程を含む半導体デバイス製造方法。
- 一次電子ビームを試料表面に照射し、該試料表面から放出される二次電子に基づいて前記試料表面を評価する方法であって、
前記試料表面を均一に覆うようにガスを供給して、負にチャージアップした前記試料表面を中和する工程を含み、
供給される前記ガスの圧力が0.01〜0.1Paの範囲にある方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
試料室に導入される前記ガスが、窒素、水蒸気、電子親和力を有するハロゲン・ガス、及びそれらの化合物からなる群から選択された一つである方法。 - 請求項12又は13に記載の方法であって、
前記一次電子ビームの発生源以外の電子源を用意し、該電子源からの電子を前記試料に照射し、もって、前記試料表面を負にチャージアップさせ、該チャージアップを前記ガスによって中和した後、前記一次電子ビームによる前記試料表面の評価を行う方法。 - 請求項12〜14のいずれか一つに記載の試料評価方法を用いて、プロセス途中のウェーハの評価を行うことを含む半導体デバイス製造方法。
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