JP4050504B2 - 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、最小線幅が0.1ミクロン以下のパターンを有する試料を高スループット且つ高精度で評価するための電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の電子線装置において、試料側に磁極間隙を配置した対物レンズは、レンズ主面が試料側に近付くため、低収差になることが知られている。また、こうした対物レンズの上部電極に正の高電圧を印加して軸上色収差を低減する方法も公知である。
【0003】
レンズ・ギャップが試料側にある従来の対物レンズにおいては、レンズ主面を下げる、すなわち試料側に近付けるには、大きいアンペア・ターン(AT)の励磁電流を必要とするため、余り収差係数を下げることができなかった。また、上部電極に高電圧を印加する形式の対物レンズにあっては、収差係数に最小値が存在し、或る程度以上の高電圧を印加すると、静電レンズとしての対物レンズのレンズ作用が強くなり、逆に収差係数が低下するという問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
この発明はこうした問題点に鑑みて提案されたものであり、この発明の目的は、収差の小さい対物レンズを用いて、大きい開口角の動作点で大きなビーム電流により高スループットで試料の評価を行うことが可能な電子線装置を提供すること、及び、該装置を用いて歩留まり良くデバイスを製造することが可能なデバイス製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、請求項1の発明は、
電子銃から放出された電子線を対物レンズで収束して試料を照射する電子線装置であって、前記対物レンズが磁極間隙を前記試料の側に有する電磁レンズであり、前記対物レンズと前記試料との間に制御電極を配置した電子線装置において、
前記制御電極が、
前記試料と前記制御電極との間に一次電子線に対する減速電界を形成する電圧を出力する動作条件、前記試料と前記制御電極との間の放電を回避し得る電圧を出力する動作条件、及び、前記試料の電圧よりも低い電圧を前記制御電極に与える動作条件のうちのいずれか一つの動作条件で動作する電源
に接続されることを特徴とする電子線装置、
を提供する。
【0006】
請求項2の発明は、
電子銃から放出された電子線を対物レンズで収束して試料を照射する電子線装置であって、前記対物レンズが磁極間隙を前記試料の側に有する電磁レンズを有する電子線装置において、
前記電子銃が、電子線を前記電子銃の光軸から等距離の位置から放出するカソードを有することを特徴とする電子線装置、
を提供する。
【0007】
請求項3の発明は、
電子銃から放出された電子線を対物レンズで収束して試料を照射する電子線装置であって、前記対物レンズが磁極間隙を前記試料の側に有する電磁レンズであり、前記対物レンズと前記試料との間に正の電圧を印加する制御電極を配置した電子線装置において、
上記電磁レンズのレンズ主面を前記制御電極の近傍に位置させることを特徴とする電子線装置、
を提供する。
【0008】
請求項4の発明は、
電子銃から放出された電子線の放出方向を拡大するコンデンサ・レンズと、
拡大された前記電子線によって照射される複数の開口を有するマルチ開口板と、
前記複数の開口を通過した電子線のクロスオーバが形成されるNA開口板と、
前記クロスオーバの縮小像を試料面に形成する縮小レンズ及び対物レンズと、
前記縮小像を試料面上で走査させる偏向器と、
を具備することを特徴とする電子線装置、
を提供する。
【0009】
請求項5の発明は、更に、少なくとも電磁偏向器を有する分離器が光軸に沿って設けられていることを特徴とする。
請求項6の発明は、
請求項1〜5のいずれかに記載の電子線装置を用いて、各プロセス終了後の前記試料の評価を行うことを特徴とするデバイス製造方法、
を提供する。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明に係る電子線装置の一つの実施の形態における電子光学系及び信号処理系の構成を概略的に示す図である。同図において、電子銃EGはカソード1、ウェーネルト2及びアノード3を備えている。カソード1は円周上に8個の突起を備え、8本の強い電子線を光軸Lから等距離の位置から放出する。
【0011】
カソード1から放出された8本の電子線は第1のコンデンサ・レンズ4で放出方向を拡大された後、第2のコンデンサ・レンズ5によって縮小され、マルチ開口板6の8個の開口を8本の強い電子線のそれぞれで照射する。マルチ開口板6の8個の開口を通過した電子線はNA開口板7の開口にクロスオーバーを形成した後、縮小レンズ8によって縮小され、対物レンズ9によって減速されて、縮小像すなわちプローブを試料10の面に形成する。試料10には、第1の直流電源11から負の電圧が印加される。こうして、パターンが形成された試料10を一次電子線によって照射する。試料10を一次電子線によって走査するため、光軸Lに沿って偏向器12およびE×B分離器13が設けられ、2段の偏向が行われる。E×B分離器13は静電偏向器と電磁偏向器からなる。
【0012】
対物レンズ9は、磁極間隙14が試料10の側を向いた電磁レンズであり、対物レンズ9と試料10との間には、軸対称の円盤状の制御電極15が配置される。制御電極15は切り換えスイッチ16を介して、試料10に印加される負電圧よりも更に低い電圧を供給する第2の直流電源17又は正の高電圧を供給する第3の直流電源18に接続される。
【0013】
第3の直流電源18は、軸上色収差を小さくする正の高電圧と、試料10と制御電極15との間に放電を生じさせない程度の中程度の電圧とに調整可能になっている。この結果、ビア付きのウェーハのような放電し易い試料であっても、第3の直流電源18を前記中程度の電圧に設定し、スイッチ16を介して制御電極15と第3の直流電源18とを接続することにより、放電の恐れなく評価を実施することができる。
【0014】
放電の心配の少ない平坦な試料においては、制御電極15の近傍ではビーム・エネルギがおおきいため、制御電極15に第3の直流電源18から高電圧を与えることにより、軸上色収差を極めて小さくすることができる。これは、レンズを通過するときのビーム・エネルギを大きくして△V/V(ただし、△Vはビームのエネルギ幅、Vは制御電極の電圧)を小さくしたからである。しかも、対物レズ9の磁極間隙14が試料10の側を向いているので、レンズ主面が試料側に下がり、更に色収差を低減することができる。例えば、試料面への収束半角が30mradで、エネルギ幅が3eVのとき、15nmの軸上色収差が得られる。また、制御電極15の内径を接地されている対物レンズ9の内径よりも小さくすることにより、試料10と制御電極15との間で放電が生じない程度の低い電圧で軸上色収差を低減することができる。ここで、磁気レンズのレンズ主面を制御電極の位置近傍になるようにすると、さらに効果的である。
【0015】
制御電極15に試料10に与えられた電圧よりも低い電圧を印加することにより、試料10に形成されたパターンの電位コントラストを得ることも可能である。この場合、円盤状の制御電極15の内径が対物レンズ9の内径よりも小さいならば、試料10に与えられた電圧に一層近い電圧で、高コントラストの電位コントラストを得ることができる。
【0016】
試料10を一次電子線で走査した結果、各走査点から二次電子線が放出される。放出された二次電子線は対物レンズ9によって加速、収束されてマルチ二次電子検出器19によって検出される。マルチ二次電子検出器19は、そこに印加される電界が光軸Lの方へ漏れるのを防止するためにシールドケース20によって包囲される。さらに、検出器の前面には8個の開口が設けてあり、互いに隣の検出器に入るクロストークを防止する働きもする。マルチ二次電子検出器19の出力はA/Dコンバータ21によってディジタル信号に変換され、このディジタル信号は画像形成回路22において画像信号化される。こうして得られた画像信号を欠陥検出回路23に加えて、試料10に形成されたパターンの欠陥を検出する。
【0017】
以上、この発明に係る電子線装置の一つの実施の形態を説明したが、電子銃EGのカソード1から放出される電子線の数は8個に限定されるものではなく、これより多くても、少なくてもよく、1個でもよいことは勿論である。それに対応して、カソード1から放出される電子線の数に応じた数の開口を有するマルチ開口板6が使用される。
【0018】
次に、図2及び図3を用いて、本発明の半導体デバイス製造方法について説明する。本発明の半導体デバイス製造方法は、上記した評価装置を用いて、プロセス途中あるいは完成後のウェーハの評価を行うものである。以下に、一般的な半導体デバイス製造方法について、図2及び図3のフローチャートを参照して説明する。
【0019】
図2に示すように、半導体デバイス製造方法は、概略的に分けると、ウェーハを製造するウェーハ製造工程S1、ウェーハに必要な加工処理を行うウェーハ・プロセッシング工程S2、露光に必要なマスクを製造するマスク製造工程S3、ウェーハ上に形成されたチップを1個づつに切り出し、動作可能にするチップ組立工程S4、及び、完成したチップを検査するチップ検査工程S5によって構成されている。これら工程はそれぞれ、幾つかのサブ工程を含んでいる。
【0020】
上記した工程の中で、半導体デバイスの製造に決定的な影響を及ぼす工程は、ウェーハ・プロセッシング工程である。これは、この工程において、設計された回路パターンをウェーハ上に形成し、かつ、メモリやMPUとして動作するチップを多数形成するからである。
【0021】
このように半導体デバイスの製造に影響を及ぼすウェーハ・プロセッシング工程のサブ工程において実行されたウェーハの加工状態を評価することが重要であり、該サブ工程について、以下に説明する。
【0022】
まず、絶縁層となる誘電体薄膜を形成するとともに、配線部及び電極部を形成する金属薄膜を形成する。薄膜形成は、CVDやスパッタリング等により実行される。次いで、形成された誘電体薄膜及び金属薄膜、並びにウェーハ基板を酸化し、かつ、マスク製造工程S3によって作成されたマスク又はレチクルを用いて、リソグラフィ工程において、レジスト・パターンを形成する。そして、ドライ・エッチング技術等により、レジスト・パターンに従って基板を加工し、イオン及び不純物を注入する。その後、レジスト層を剥離し、ウェーハを検査する。
【0023】
このようなウェーハ・プロセッシング工程は、必要な層数だけ繰り返し行われ、チップ組立工程S4においてチップ毎に分離される前のウェーハが形成される。
【0024】
図3は、図2のウェーハ・プロセッシング工程のサブ工程であるリソグラフィ工程を示すフローチャートである。図7に示すように、リソグラフィ工程は、レジスト塗布工程S21、露光工程S22、現像工程S23及びアニール工程S24を含む。
【0025】
レジスト塗布工程S21において、CVDやスパッタリングを用いて回路パターンが形成されたウェーハ上にレジストを塗布し、露光工程S22において、塗布されたレジストを露光する。そして、現像工程S23において、露光されたレジストを現像してレジスト・パターンを得、アニール工程S24において、現像されたレジスト・パターンをアニールして安定化させる。これら工程S21〜S24は、必要な層数だけ繰り返し実行される。
【0026】
本発明の半導体デバイス製造方法においては、図1に関連して説明した電子線装置を、完成したチップを検査するチップ検査工程S5において用いることにより、微細なパターンを有する半導体デバイスであっても、歪み、ぼけ等が低減された画像を得ることができるので、ウェーハの欠陥を確実に検出することができる。なお、電子線装置が近傍に配置される加工装置は、評価を必要とする加工を行うものであれば、どのような加工装置であってもよい。
【0027】
【発明の効果】
以上、この発明に係る電子線装置の一つの実施の形態について詳述したところから理解されるように、この発明は、
(1)制御電極に正の高電圧を与えることにより、対物レンズを通過するときの一次電子線のエネルギを高めることができるので、収差特性を改善することができる、
(2)制御電極を対物レンズよりも試料側に設置したので、制御電極に与える電圧を上げても、レンズ主面の位置が変化せず、エネルギが高い効果のみが強調される、
(3)制御電極に試料よりも低い電圧を与えることにより、試料から放出される二次電子線のエネルギ・フィルタの作用を行わせることができ、高コントラストの電位コントラスト像を得ることができる、
(4)制御電極に与える電圧の大きさを、試料との間に放電を生じない程度に調整することにより、ビア付きのウェーハのような放電し易い試料であっても、放電の恐れなく評価を行うことができる、
(5)電子銃からマルチビームを放出させることにより、高スループットで試料の評価を実施することができる、
(6)制御電極の内径を対物レンズの内径よりも小さくすることにより、比較的小さい電圧で色収差係数を小さくすることができるうえ、高コントラストの電位コントラスト像を得ることができる、
(7)歩留まり良くデバイスを製造することができる、
という格別の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明に係る電子線装置の一つの実施の形態における電子光学系及び信号処理系を概略的に示す図である。
【図2】 本発明に係る電子線装置を適用して半導体デバイスを製造する方法のフローチャートである。
【図3】 図2に示したウェーハ・プロセッシング工程のサブ工程であるリソグラフィ工程を示したフローチャートである。
【符号の説明】
1:カソード、 2:ウェーネルト、 3:アノード、 EG:電子銃、 4:第1のコンデンサ・レンズ、 5:第2のコンデンサ・レンズ、 6:マルチ開口板、 7:NA開口板、 8:縮小レンズ、 9:対物レンズ、 10:試料、 11:第1の直流電源、 12:偏向器、 13:E×B分離器、14:磁極間隙、 15:制御電極、 16:スイッチ、 17:第2の直流電源、 18:第3の直流電源、 19:マルチ二次電子検出器、 20:シールドケース、 21:A/Dコンバータ、 22:画像形成回路、 23:欠陥検出回路、
Claims (6)
- 電子銃から放出された電子線を対物レンズで収束して試料を照射する電子線装置であって、前記対物レンズが磁極間隙を前記試料の側に有する電磁レンズであり、前記対物レンズと前記試料との間に制御電極が配置され、前記試料に負電圧が印加される電子線装置において、
前記制御電極が
(1)前記試料に印加された前記負電圧よりも低い電圧を前記制御電極に印加する電源と、
(2)前記試料がビア付きのウェーハであるとき、前記試料と前記制御電極に放電を生じさせない第1の正電圧を印加し、前記試料が平坦な試料であるとき、前記制御電極に前記第1の正電圧より高く放電を生じさせない第2の正電圧を印加する電源と、
のうちのいずれかに選択的に接続される
ことを特徴とする電子線装置。 - 請求項1に記載の電子線装置であって、前記電子銃が、電子線を前記電子銃の光軸から等距離の位置から放出するカソードを有することを特徴とする電子線装置。
- 請求項1に記載の電子線装置であって、前記電磁レンズのレンズ主面を前記制御電極の近傍に位置させることを特徴とする電子線装置。
- 請求項1に記載の電子線装置であって、更に、
電子銃から放出された電子線によって照射される複数の開口を有するマルチ開口板と、
前記複数の開口を通過した電子線のクロスオーバが形成されるNA開口板と、
前記クロスオーバの縮小像を試料面に形成する縮小レンズ及び対物レンズと、
前記縮小像を試料面上で走査させる偏向器と、
を具備することを特徴とする電子線装置。 - 請求項4に記載の電子線装置であって、更に、少なくとも電磁偏向器を有する分離器が光軸に沿って設けられていることを特徴とする電子線装置。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の電子線装置を用いて、各プロセス終了後の前記試料の評価を行うことを特徴とするデバイス製造方法。
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