JP2006351772A - 半導体チップの識別情報記録方法及び撮像装置 - Google Patents

半導体チップの識別情報記録方法及び撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006351772A
JP2006351772A JP2005175074A JP2005175074A JP2006351772A JP 2006351772 A JP2006351772 A JP 2006351772A JP 2005175074 A JP2005175074 A JP 2005175074A JP 2005175074 A JP2005175074 A JP 2005175074A JP 2006351772 A JP2006351772 A JP 2006351772A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
identification information
wafer
image sensor
sensor chip
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005175074A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Misawa
岳志 三沢
Maki Saito
斎藤  牧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fujifilm Holdings Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Holdings Corp filed Critical Fujifilm Holdings Corp
Priority to JP2005175074A priority Critical patent/JP2006351772A/ja
Priority to US11/453,007 priority patent/US20060283961A1/en
Publication of JP2006351772A publication Critical patent/JP2006351772A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54406Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54413Marks applied to semiconductor devices or parts comprising digital information, e.g. bar codes, data matrix
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54433Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/5448Located on chip prior to dicing and remaining on chip after dicing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01046Palladium [Pd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/1016Shape being a cuboid
    • H01L2924/10162Shape being a cuboid with a square active surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Abstract

【課題】 個々の半導体チップの識別が可能であり、かつ半導体チップへの識別情報の記録が時間的、スペース的に効率良く行うことのできる記録方法を提供する。
【解決手段】 露光工程において、感光材が塗布されたウエハの上面に、回路パターンのレチクルが複数設けられたマスクを用いて複数ショットの露光を行なう際に、レチクルを識別するレチクル番号を一緒に露光する。その後、現像及びエッチングを行なうことにより、ウエハの最上部あるいは最上部に近いメタル層に凹状または凸状のレチクル番号が形成される。また、マーキング工程では、ウエハの下面に露光時のショット単位での識別を可能にする下面用識別情報を記録する。識別情報を上面と下面とに分けて記録することにより、記録可能な情報量が多くなる。また、ショット単位で識別情報を記録することにより、記録にかかる時間を短縮することができる。
【選択図】 図2

Description

本発明は、半導体チップに識別情報を記録する方法と、この方法を用いて識別情報が記録されたイメージセンサチップが中空パッケージに収納される撮像装置とに関し、更に詳しくは、半導体チップの上下面に識別情報を記録する方法と、この識別情報を中空パッケージの外側から視認できるようにした撮像装置とに関する。
半導体装置は、パッケージと呼ばれる実装基板上に半導体チップを実装し、この半導体チップの入出力パッドと、パッケージに設けられたリードとをボンディングワイヤで接続して形成されているものが多い。このパッケージの種類の一つとして、従来より中空パッケージが用いられている。
中空パッケージは、セラミックやプラスチック等を用いて形成され、上面に半導体チップが収納される凹状のチップ収納部が設けられた略箱形状のパッケージ本体と、このパッケージ本体にインサート成形されたリードと、パッケージ本体の上面に接合されてチップ収納部を封止するリッドとから構成されている。また、最近では、ボンディングワイヤを用いず、バンプを用いて半導体チップとリードとを接続しているものもある。半導体チップとしてCCDやCMOS等のイメージセンサチップを中空パッケージに収納する撮像装置では、透明な材質で形成されたリッドが用いられている。
ところで、半導体チップの製品番号やロット番号等の各種情報を識別するために、半導体チップの表面に識別情報を記録することが従来より行なわれている。例えば、特許文献1記載の発明では、マスクに設けられた回路パターンからなる複数のレチクルに、1ショットの露光内での半導体チップの位置を表す識別情報を設け、この識別情報を回路パターンとともにウエハに露光することにより、半導体チップの上面に識別情報を記録している。また、特許文献2記載の発明では、ウエハの半導体回路が形成される上面と反対側の下面に対し、各半導体チップごとの識別情報を個別にレーザーマーキング方式等の方法によって記録している。
特開昭57−179849号公報 特開平04−106960号公報
上述したイメージセンサチップは、その上面に、チップの上面全体の面積に対して大きな割合を有する受光部を備えている。そのため、特許文献1記載の発明を用いて識別情報を記録する場合に、記録できる情報量が少なくなるという問題があった。そのため、1ショットの露光内でのチップ位置程度の情報しか記録することができず、半導体チップの識別に用いるという効果は小さかった。
また、特許文献2記載の発明を用いて、イメージセンサチップの下面に識別情報を記録することも考えられるが、個別に識別情報を記録すると時間がかかり、イメージセンサチップの製造効率を低下させるという問題があった。更に、下面に記録した識別情報は、中空パッケージ内にイメージセンサチップを収納した後は視認することができないという問題もあった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、個々の半導体チップの識別が可能であり、かつ半導体チップへの識別情報の記録を時間的、スペース的な観点から効率良く行なうことができ、更に、中空パッケージに収納した後も識別可能にする識別情報記録方法及び撮像装置を提供する。
上記課題を解決するために、本発明の半導体チップの識別情報記録方法は、感光材が塗布されたウエハの上面に、回路パターンからなるレチクルが複数設けられたマスクを用いて複数ショットの露光を行なう際に、各レチクルに対しレチクル単位での識別を可能にする上面用識別情報が設けられたマスクを用い、回路パターンとともに上面用識別情報をウエハに露光及び現像し、かつエッチングを行なって、該ウエハの最上部あるいは最上部に近いメタル層に上面用識別情報を記録する工程と、ダイシング工程前のウエハの下面に対し、ロット番号、ウエハ番号、ウエハ上のショット位置等の情報であって、露光時のショット単位での識別を可能にする下面用識別情報を記録する工程とを設けたものである。
これによれば、ウエハの上面と下面とに識別情報を記録することができるので、記録できる情報量を増やすことができる。
また、上面への記録にはマスクによる露光を用いたので、回路パターンの露光と同時に行なうことができ、半導体チップの製造工数が長くなることはない。
また、ウエハの下面への識別情報の記録は、露光のショット単位で行なうようにしたので、個々の半導体チップごとに識別情報を記録する場合に比べ、情報の記録にかかる時間を短縮することができる。そして、これらの識別情報により、個々の半導体チップを露光のショット単位、及びレチクル単位で識別することができ、識別性を向上させることができる。
また、上面用識別情報及び下面用識別情報としては、文字、数字または記号、あるいはこれらの組み合わせを用いて記録するようにしている。これによれば、識別情報を容易に判読することができる。また、下面用識別情報としては、異なる方向に沿って設けられた複数のバーコードから構成することもでき、バーコードリーダー等の読取装置によって識別情報を読み取る場合には、その識別性を向上させることができる。
下面用識別情報の記録には、レーザーマーキング方式や、インクジェット方式等の記録方式を用いることができる。なお、これらの記録方式は例示的に挙げたものであり、他の記録方式を用いることも可能である。インクジェット方式で用いられるインクとしては、耐熱・耐水インクが好ましい。これによれば、ウエハをダイシングする際の熱や、冷却水等によって識別情報が消えてしまうのを防止することができる。
また、本発明を実施する半導体チップとしては、上面に受光部を有するイメージセンサチップが好ましい。イメージセンサチップとしては、CCD型イメージセンサチップ、またはCMOS型イメージセンサチップのいずれにも用いることができる。
また、本発明の撮像装置は、下面に識別情報が記録されたイメージセンサチップと、このイメージセンサチップが収納されるチップ収納部が上面に設けられたパッケージ本体と、パッケージ本体の下面とチップ収納部の底面との間に貫通して設けられ、イメージセンサチップの下面の識別情報が外部から視認できるようにする開口とから構成している。これによれば、イメージセンサチップの下面の識別情報を開口から視認することができるため、パッケージ本体に記録する識別情報の項目数を少なくしたり、識別情報の記録自体を省略することもできる。
また、開口は、イメージセンサチップの下面の識別情報が視認できる透明性を有する封止板により封止してもよい。これによれば、パッケージ内への異物や湿気等の侵入を防止することができる。
また、パッケージ自体を識別情報が視認可能な透明性を有する材質で形成しても、同様の効果を得ることができる。
本発明によれば、記録された識別情報から個々の半導体チップの識別を行なうことができる。また、半導体チップへの識別情報の記録を時間的、スペース的な観点から効率良く行なうことができ、半導体チップの製造コストの上昇させることなく採用することが可能である。更に、中空パッケージに収納した後もイメージセンサチップの識別情報を視認することができるため、製品管理に役立てることができる。
図1(A),(B)は、本発明を実施したイメージセンサチップの上下面の外観形状を示す斜視図である。イメージセンサチップ2は、例えば、CCDからなり、シリコン等で形成されたチップ基板3の上面3aに、受光部4と、複数個の入出力パッド5とが形成されている。受光部4には、例えばフォトダイオード(PD)がマトリクス状に配列され、その上方にカラーフィルタとマイクロレンズとが設けられている。入出力パッド5は、導電性を有する金属で形成された電極パッドであり、受光部4と電気的に接続されている。
チップ基板3の上面3aで、受光部4の側方には、上面用識別情報であるレチクル番号8が設けられている。このレチクル番号8は、チップ基板3の基材であるウエハに対してマスクを使用して回路パターンを露光する際に、このマスク上に設けられた複数のレチクルの位置を示す番号である。
チップ基板3の下面3bには、下面用識別情報として、製品コード11、製造コード12、ショット位置コード13が記録されている。製品コード11とは、イメージセンサチップ2の製品型番を表す識別情報である。製造コード12は、イメージセンサチップ2のロット番号及びウエハ番号を表す識別情報である。ショット位置コード13は、ウエハに回路パターンを露光する際に、マスクを移動しながら複数ショットの露光を行なうが、そのショット位置を表す識別情報である。これらの識別情報から、イメージセンサチップ2の種類や性能、製造時期や製造工場、製造設備等を特定し、基材として用いたウエハ、このウエハ上の位置等を個々に識別することができるため、製品管理を行なう上で非常に有益である。なお、製品コード11は、参照される頻度が多いため、より見やすい上面に記録してもよい。
図2は、上記イメージセンサチップ2の一般的な製造手順を示すフローチャートである。周知のように、イメージセンサチップ2等の半導体チップは、複数種類の薬液や純水等を使用してウエハを洗浄する洗浄工程、スパッタやCVD、熱酸化等の手法を用いてウエハの上面に酸化シリコンやアルミの層を形成する成膜工程、ウエハの上面に回路パターンを形成するパターニング工程、ウエハ上面に半導体回路を形成する回路形成工程、ウエハの下面を研削して薄層化を図るバックグラインド工程、各半導体回路毎にウエハを裁断するダイシング工程等を経て形成されている。本発明のイメージセンサチップ2は、パターニング工程と、バックグラインド工程とダイシング工程との間に設けられたマーキング工程とによって、上記識別情報の記録が行なわれている。
パターニング工程は、スピンコータ等によってウエハの上面に感光材を塗布する感光材塗布工程と、回路パターンを露光する露光工程、現像を行なってウエハの上面に回路パターンを形成する現像工程とから構成されている。
図3は、露光工程に用いられるステッパーの構成を示す概念図である。このステッパー17は、縮小投影露光装置とも呼ばれ、ガラス板等の透明基板上に回路パターンからなるレチクル26を複数個分形成したマスク18をコンデンサレンズ19を介した光源20で照明し、投影レンズ21によって縮小投影してウエハ22の上面22aの感光材層を露光する装置である。ウエハ22が載置されたウエハステージ23は、前後左右のY,X方向に移動可能に設けられており、投影光学系に対してウエハ22を移動させて露光を繰り返すことで、ウエハ22の全域に回路パターンを露光できるようになっている。
図4は、本発明に用いられるマスク18のレチクル26の構成を示す概略図である。マスク18には、例えば、マトリクス状に配列された9個のレチクル26a〜26Iが設けられている。なお、1枚のマスク18上に設けられるレチクルの数は、ウエハ及びチップのサイズ、使用するステッパーによって変わるため、9個に限定されるものではない。各レチクル26a〜26Iには、イメージセンサチップ2の受光部4を形成するパターン27と、入出力パッド5を形成するパターン28、レチクル番号8のパターン29が設けられている。レチクル番号8のパターン29は、左上から右下のレチクルパターン26a〜26Iに対し、順にA〜Iが付されている。また、各レチクル26a〜26Iの間には、ウエハ22を裁断する際の裁断線となるダイシングラインのパターン30が設けられている。
マスク18を用いてウエハ22の上面22aを露光し、現像を行なうと、ウエハ22の上面にはレチクル番号8の形状のレジストが形成される。この状態でウエハ22のエッチングを行なうと、レジストで覆われていない部分が除去されて、ウエハ22の最上部または最上部に近いメタル層に凹状または凸状のレチクル番号8が形成される。
図5は、ステッパー17によってウエハ22上に複数ショットの露光を行なう際の各ショット位置33a〜33hと、そのショット位置の座標とを表している。この座標は、水平方向をX、垂直方向をYとし、Y軸は図中上方から下方に向けて座標値が増加する系とする。このとき、ショット位置33aの座標は「X1,Y0」となり、ショット位置33hの座標は「X2,Y2]となる。
図6は、例えば、ウエハ22のショット位置33aの下面に識別情報を記録した状態を示す概略図である。下面への識別情報の記録はショット単位で行なわれ、このときに記録される製品コード11、製造コード12、ショット位置コード13は全て同一のものとなる。すなわち、同じウエハ22に記録される製品コード11及び製造コード12は全て共通となるが、ショット位置コード13は記録されるショット位置に応じて変更されることになる。
上記下面用識別コードの記録には、レーザーマーキング装置が使用される。このレーザーマーキング装置としては、ショット位置コード13がショット位置に応じて変わることを考慮すれば、マーキングする文字の変更が容易なスキャン式が適しているが、マーキング時間の短縮化を図るためにマスク式のレーザーマーキング装置を用いてよい。
上記マーキング工程の終了後、ウエハ22はダイシング装置にセットされ、ダイシングラインに沿って裁断される。これにより、多数個のイメージセンサチップ2が一括して形成される。各イメージセンサチップ2は、下面の製品コード11によって製品種を知ることができ、製造コード12によってロット番号やウエハ番号等を判別することができる。更に、ショット位置コード13とレチクル番号8とを参照すれば、そのイメージセンサチップ2がウエハ22のどの位置から形成されたものであるのかも知ることができる。これにより、イメージセンサチップ2の製品管理を効果的に行なうことができる。
また、上記実施形態では、文字,数字等によってウエハの下面に識別情報を記録したが、バーコードを用いて識別情報を記録してもよい。例えば、ウエハ36の下面全体を示す図7(A)、及びイメージセンサチップ37の下面を拡大して示す同図(B)に示すように、X方向とY方向とで重なり合うように2種類のバーコード38,39を記録することもできる。この場合、X方向のバーコード38ではX方向のアドレスとロット番号とを表し、Y方向のバーコード39ではY方向のアドレスとウエハ番号とを表すとよい。また、製品コードは、ウエハ36の上面に記録するとよい。
このように、方向を変えてバーコード38,39を記録することにより、バーコードを大きく印画して読取性を向上させることができ、かつ記録される情報量を多くすることができる。また、X,Y方向の情報を1度に入れたバーコードで記録してもよい。情報量によっては、二次元バーコードの利用も可能である。
なお、レーザーマーキング方式は、発塵性が無いため半導体プロセスに適しているが、ウエハに部分的に熱を与えることになるため、半導体チップの種類によっては使用できない場合もある。そのような場合には、図8に示すように、ライン状のインクジェットヘッド42及びこれを制御する制御部43等を有するインクジェットプリンタを使用して、インクジェットヘッド42またはウエハ44を移動させながら、ウエハ44の下面44aに識別情報を記録してもよい。このときに使用するインクとしては、ダイシング時の熱や冷却水によって識別情報が消えないように、耐熱性及び耐水性を有するインクを用いるのが好ましい。
また、上記各実施形態では、ウエハの下面に識別情報を直接記録しているが、例えば、識別情報が印字されているラベルや、バーコードが記録されているラベルをウエハの下面に貼付したり、識別情報が記録されているICタグを貼付する等して、予め識別情報が記録されているものをウエハに付加してもよい。
図9は、上述したイメージセンサチップ2を用いて構成された撮像装置50の断面図である。この撮像装置50は、上下面に識別情報が記録されたイメージセンサチップ2と、このイメージセンサチップ2を収納する中空パッケージ51とからなる。中空パッケージは、セラミックやプラスチックによって形成された略箱形状のパッケージ本体52と、このパッケージ本体52の上面52aに設けられた凹状のチップ収納部53と、パッケージ本体52内にインサート成形された金属切片からなる複数本のリード54と、パッケージ本体52の上面52aに接合されてチップ収納部53を封止するリッド55とから構成されている。リッド55は、イメージセンサチップ2に光が入射できるようにするため、透明なガラス板やプラスチック板によって形成されている。
リード54の両端は、チップ収納部53内で露呈されるインナーリード部54aと、パッケージ本体52の外に突出されるアウターリード部54bとして用いられる。イメージセンサチップ2の入出力パッド5と、リード54のインナーリード部54aとの間は、ボンディングワイヤー56によって接続される。なお、ボンディングワイヤを用いずに、バンプを用いてイメージセンサチップ2とリード54とを接続することも可能である。
パッケージ本体52の下面52bとチップ収納部53の底面53bとの間には、貫通された開口58が形成されている。撮像装置50の下面図である図10に示すように、開口58は、イメージセンサチップ2の外形形状より小さく、下面に記録された識別情報59より大きな開口面積を有しており、中空パッケージ51の外側からイメージセンサチップ2の識別情報59を視認できるようにしている。従来の撮像装置では、パッケージ本体の下面等に収納しているイメージセンサチップの識別情報を記録していたが、本発明の撮像装置50では、イメージセンサチップ2の識別情報59を直接視認することができるので、パッケージ本体52への記録を省略することができる。
なお、上記開口58から異物や湿気などが中空パッケージ51内に侵入する可能性がある場合には、図11に示す撮像装置62のように、開口63内にイメージセンサチップ65の識別情報が視認可能な透明性を有する封止板64を嵌め込んで封止してもよいし、紫外線硬化樹脂等を開口63内に流し込み、紫外線を照射して硬化させて封止することもできる。また、図12に示す撮像装置68のように、イメージセンサチップ69の識別情報が視認可能な透明性を有する材質、例えばガラスやプラスチック等でパッケージ本体70を形成してもよい。
本発明を実施したイメージセンサチップの外観形状を示す斜視図である。 イメージセンサチップの製造手順を示すフローチャートである。 ステッパーの概略的な構成を示す概略図である。 マスクに設けられたレチクルの一例を示す説明図である。 ウエハ上に露光されるショット位置を示す説明図である。 ウエハの1ショット分の露光領域に対して記録される下面用識別情報の一例を示す説明図である 下面用識別情報がバーコードで記録されたウエハ及びイメージセンサチップの下面図である。 ウエハの下面にインクジェットプリンタによって下面用識別情報を記録している状態を示す概略図である。 下面に開口を形成した撮像装置の断面図である。 下面に開口を形成した撮像装置の下面図である。 下面の開口を封止板で封止した撮像装置の断面図である。 パッケージ本体を透明な材質で形成した撮像装置の断面図である。
符号の説明
2,36 イメージセンサチップ
8 レチクル番号
11 製品コード
12 製造コード
13 ショット位置コード
18 マスク
22 ウエハ
26a〜26I レチクル
33a〜33h ショット位置
38,39 バーコード
42 インクジェットヘッド
50 撮像装置
51 中空パッケージ
52,67 パッケージ本体
58 開口
59 識別情報
62 封止板

Claims (12)

  1. 感光材が塗布されたウエハの上面に、回路パターンのレチクルが複数設けられたマスクを用いて複数ショットの露光を行ない、現像して複数の回路パターンをウエハ上に形成するパターニング工程と、エッチング、イオン注入等を行なってウエハ上に複数の半導体回路を形成する回路形成工程と、ウエハをダイシングして個片化し、複数個の半導体チップを形成するダイシング工程とを経て形成される半導体チップであって、
    前記各レチクルに対しレチクル単位での識別を可能にする上面用識別情報が設けられたマスクを用い、前記回路パターンとともに上面用識別情報をウエハに露光及び現像し、かつエッチングを行なって、該ウエハの最上部あるいは最上部に近いメタル層に上面用識別情報を記録する工程と、
    前記ダイシング工程が行われる前のウエハの下面に対し、製品型番、ロット番号、ウエハ番号、ウエハ上のショット位置等の情報であって、露光時のショット単位での識別を可能にする下面用識別情報を記録する工程とを設けたことを特徴とする半導体チップの識別情報記録方法。
  2. 前記上面用識別情報及び下面用識別情報は、文字、数字または記号、あるいはこれらの組み合わせからなることを特徴とする請求項1記載の半導体チップの識別情報記録方法。
  3. 前記下面用識別情報は、異なる方向に沿って設けられた複数のバーコードからなることを特徴とする請求項1記載の半導体チップの識別情報記録方法。
  4. 前記下面用識別情報は、レーザーマーキング方式によって記録されることを特徴とする請求項1ないし3いずれか記載の半導体チップの識別情報記録方法。
  5. 前記下面用識別情報は、インクジェット方式によって記録されることを特徴とする請求項1ないし3いずれか記載の半導体チップの識別情報記録方法。
  6. 前記インクジェット方式で用いられるインクは、耐熱・耐水インクであることを特徴とする請求項5記載の半導体チップの識別情報記録方法。
  7. 前記半導体チップは、イメージセンサチップであることを特徴とする請求項1ないし6いずれか記載の半導体チップの識別情報記録方法。
  8. 前記イメージセンサチップは、CCD型イメージセンサチップであることを特徴とする請求項7記載の半導体チップの識別情報記録方法。
  9. 前記イメージセンサチップは、CMOS型イメージセンサチップであることを特徴とする請求項7記載の半導体チップの識別情報記録方法。
  10. 下面に識別情報が記録されたイメージセンサチップと、
    このイメージセンサチップが収納されるチップ収納部が上面に設けられたパッケージ本体と、
    パッケージ本体の下面とチップ収納部の底面との間に貫通して設けられ、イメージセンサチップの下面の識別情報が外部から視認できるようにする開口とを備えたことを特徴とする撮像装置。
  11. 前記開口は、イメージセンサチップの下面の識別情報が視認できる透明性を有する封止板により封止されていることを特徴とする請求項10記載の撮像装置。
  12. 下面に識別情報が記録されたイメージセンサチップと、
    前記識別情報が視認可能な透明性を有する材質で形成され、前記イメージセンサチップが収納されるパッケージとを備えたことを特徴とする撮像装置。
JP2005175074A 2005-06-15 2005-06-15 半導体チップの識別情報記録方法及び撮像装置 Pending JP2006351772A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005175074A JP2006351772A (ja) 2005-06-15 2005-06-15 半導体チップの識別情報記録方法及び撮像装置
US11/453,007 US20060283961A1 (en) 2005-06-15 2006-06-15 Method for recording identification information on semiconductor chip, and imaging device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005175074A JP2006351772A (ja) 2005-06-15 2005-06-15 半導体チップの識別情報記録方法及び撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006351772A true JP2006351772A (ja) 2006-12-28

Family

ID=37572415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005175074A Pending JP2006351772A (ja) 2005-06-15 2005-06-15 半導体チップの識別情報記録方法及び撮像装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20060283961A1 (ja)
JP (1) JP2006351772A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009026863A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 Nippon Inter Electronics Corp 半導体ウェハの印刷方法
JP2009168997A (ja) * 2008-01-15 2009-07-30 Fujifilm Corp カメラモジュール、カメラモジュールの検査パレット、カメラモジュール検査装置及び方法
WO2015115038A1 (ja) * 2014-01-29 2015-08-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像デバイス、電子プレパラート、及び固体撮像素子
WO2015133058A1 (ja) * 2014-03-07 2015-09-11 パナソニック株式会社 プレパラート、透明プレート、プレパラートの作製方法、スライドガラス、画像撮影装置、画像撮影方法、プレパラート作製装置、およびプレパラート部品セット
JP2018134759A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 株式会社沖データ 半導体チップ、発光素子ヘッド、画像形成装置及び発光素子ヘッド製造システム
JP2019188736A (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 コニカミノルタ株式会社 インク容器及びインクジェット記録装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6791619B1 (en) * 1998-09-01 2004-09-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. System and method for recording management data for management of solid-state electronic image sensing device, and system and method for sensing management data
SG106050A1 (en) * 2000-03-13 2004-09-30 Megic Corp Method of manufacture and identification of semiconductor chip marked for identification with internal marking indicia and protection thereof by non-black layer and device produced thereby
TW201103681A (en) * 2009-06-12 2011-02-01 Applied Materials Inc Methods and systems for laser-scribed line alignment
US8342659B2 (en) * 2009-08-25 2013-01-01 Canon Kabushiki Kaisha Liquid discharge head and method for manufacturing the same
GB2485337A (en) * 2010-11-01 2012-05-16 Plastic Logic Ltd Method for providing device-specific markings on devices
CN205542766U (zh) * 2015-06-16 2016-08-31 意法半导体(马耳他)有限公司 电子元件
US10283456B2 (en) * 2015-10-26 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography engraving machine for forming water identification marks and aligment marks
JP6957955B2 (ja) * 2017-04-21 2021-11-02 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 回転体、用紙搬送装置、定着装置及び画像形成装置
US10242951B1 (en) * 2017-11-30 2019-03-26 International Business Machines Corporation Optical electronic-chip identification writer using dummy C4 bumps
US11637211B2 (en) 2021-02-02 2023-04-25 Rockwell Collins, Inc. Optically clear thermal spreader for status indication within an electronics package

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54877A (en) * 1977-06-03 1979-01-06 Fujitsu Ltd Marking method for semiconductor chip
JPS57179849A (en) * 1981-04-30 1982-11-05 Nec Corp Photo mask
JPH04106960A (ja) * 1990-08-27 1992-04-08 Nec Corp Icチップ
JPH04340214A (ja) * 1990-12-14 1992-11-26 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0555122A (ja) * 1991-08-28 1993-03-05 Hitachi Ltd アパーチヤ絞り及びその認識コード読み取り方法
JPH0681049U (ja) * 1993-04-05 1994-11-15 重夫 西口 クロスバーコード
JPH10233350A (ja) * 1997-02-20 1998-09-02 Toshiba Corp 半導体チップおよびそれを用いた半導体装置の製造システム
JP2000114129A (ja) * 1998-10-09 2000-04-21 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2002175956A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Sony Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2003216915A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Seiko Epson Corp 情報伝達機器および情報伝達方法
JP2003249640A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Sony Corp 固体撮像素子の製造方法
JP2003297708A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Tokyo Electron Ltd 読取装置
JP2004079690A (ja) * 2002-08-14 2004-03-11 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4409686A (en) * 1980-06-16 1983-10-11 Harris Corporation Method of serialization of dice
US5984190A (en) * 1997-05-15 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for identifying integrated circuits
TW449672B (en) * 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
JP4738655B2 (ja) * 2001-07-04 2011-08-03 富士フイルム株式会社 インクジェット記録用インク組成物
JPWO2003028072A1 (ja) * 2001-09-20 2005-01-13 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
SG139753A1 (en) * 2004-03-15 2008-02-29 Yamaha Corp Semiconductor device
EP1589578B1 (en) * 2004-04-19 2015-02-25 STMicroelectronics Srl Method for indexing dice

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54877A (en) * 1977-06-03 1979-01-06 Fujitsu Ltd Marking method for semiconductor chip
JPS57179849A (en) * 1981-04-30 1982-11-05 Nec Corp Photo mask
JPH04106960A (ja) * 1990-08-27 1992-04-08 Nec Corp Icチップ
JPH04340214A (ja) * 1990-12-14 1992-11-26 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0555122A (ja) * 1991-08-28 1993-03-05 Hitachi Ltd アパーチヤ絞り及びその認識コード読み取り方法
JPH0681049U (ja) * 1993-04-05 1994-11-15 重夫 西口 クロスバーコード
JPH10233350A (ja) * 1997-02-20 1998-09-02 Toshiba Corp 半導体チップおよびそれを用いた半導体装置の製造システム
JP2000114129A (ja) * 1998-10-09 2000-04-21 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2002175956A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Sony Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2003216915A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Seiko Epson Corp 情報伝達機器および情報伝達方法
JP2003249640A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Sony Corp 固体撮像素子の製造方法
JP2003297708A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Tokyo Electron Ltd 読取装置
JP2004079690A (ja) * 2002-08-14 2004-03-11 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009026863A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 Nippon Inter Electronics Corp 半導体ウェハの印刷方法
JP2009168997A (ja) * 2008-01-15 2009-07-30 Fujifilm Corp カメラモジュール、カメラモジュールの検査パレット、カメラモジュール検査装置及び方法
WO2015115038A1 (ja) * 2014-01-29 2015-08-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像デバイス、電子プレパラート、及び固体撮像素子
WO2015133058A1 (ja) * 2014-03-07 2015-09-11 パナソニック株式会社 プレパラート、透明プレート、プレパラートの作製方法、スライドガラス、画像撮影装置、画像撮影方法、プレパラート作製装置、およびプレパラート部品セット
JP2015180919A (ja) * 2014-03-07 2015-10-15 パナソニック株式会社 プレパラート、透明プレート、プレパラートの作製方法、スライドガラス、画像撮影装置、画像撮影方法、プレパラート作製装置、およびプレパラート部品セット
CN105917264A (zh) * 2014-03-07 2016-08-31 松下电器产业株式会社 供检载片、透明片、供检载片的制作方法、载玻片、图像拍摄装置、图像拍摄方法、供检载片制作装置以及供检载片部件组
US9774771B2 (en) 2014-03-07 2017-09-26 Pansonic Corporation Preparation, transparent plate, method for producing preparation, slide glass, imaging apparatus, imaging method, preparation producing apparatus, and preparation component set
JP2018134759A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 株式会社沖データ 半導体チップ、発光素子ヘッド、画像形成装置及び発光素子ヘッド製造システム
JP2019188736A (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 コニカミノルタ株式会社 インク容器及びインクジェット記録装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20060283961A1 (en) 2006-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006351772A (ja) 半導体チップの識別情報記録方法及び撮像装置
JP4903685B2 (ja) 集積光学システムを製造する方法
US7348682B2 (en) Method and structures for indexing dice
US6832045B2 (en) Exposure device
US20060278722A1 (en) Semiconductor device, method of manufacturing the same, and information managing system for the same
JP2022019935A (ja) 半導体装置及び電子機器
JP2007523371A (ja) フォトマスク、およびフォトマスク基板と関連する情報を伝達する方法。
JP3839975B2 (ja) コード読取り装置
JP2008523607A5 (ja)
JPH1165093A (ja) 基板管理装置、基板収納容器、基板収納装置、およびデバイス製造方法
JP4823729B2 (ja) 光通信モジュール
JP2004165249A (ja) 露光装置及び露光方法
JP4581800B2 (ja) マーク認識システム
CN105868737A (zh) 光学指纹识别装置及其形成方法
JPH1165088A (ja) デバイス製造用の基板
JP2006269598A (ja) 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法
TWI484288B (zh) 防塵薄膜組件的製造方法
JP2005091983A (ja) Rfタグにより識別されるフォトマスク、ペリクル、ペリクル付きフォトマスク及び収納ケース
JP5724766B2 (ja) 露光マスク、ペリクル、半導体装置の製造方法
JP5426885B2 (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置
CN207200834U (zh) 光学模块
JP2011096882A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置のアレイ
JP5629076B2 (ja) 識別コードのマーキング装置及び方法、識別コードがマーキングされた半導体装置
TWI397717B (zh) 感光模組及使用其之光學滑鼠
TW200900871A (en) Exposing method, exposure apparatus, device fabricating method, and substrate for immersion exposure

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20070115

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100428

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100901