JP2006351621A - バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 147
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims abstract description 82
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims abstract description 82
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 119
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- -1 oxygen nitride Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0804—Emitter regions of bipolar transistors
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/1608—Silicon carbide
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/66068—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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Abstract
【解決手段】 半導体結晶の一方の面に形成された第1導電型の低抵抗層からなるコレクタ領域11とコレクタ領域上に設けられた第1導電型の高抵抗層12と、第1導電型の高抵抗層上に設けられた第2導電型のベース領域13と、半導体基板の他方の面に形成された第1導電型の低抵抗のエミッタ領域14と、エミッタ領域の周囲に第1導電型の高抵抗層を挟んで設けられた、ベース領域に接合する第2導電型の低抵抗のベースコンタクト領域16を有するバイポーラ型半導体装置であって、ベースコンタクト領域16とエミッタ領域14の間の半導体結晶の表面付近に第2導電型の再結合抑制半導体層17を有する。
【選択図】 図1
Description
J. Zhang他著「High Power(500V-70A) and High Gain(44-47) 4H-SiC Bipolar Junction Transistors」Materials Science Forum Vols. 457-460 (2004) pp. 1149-1152.
11 コレクタ領域
12 n型高抵抗層
13 ベース領域
14 エミッタ領域
15 n型高抵抗層
16 ベースコンタクト領域
17 再結合抑制半導体層
18 再結合抑制膜
19 コレクタ電極
20 エミッタ電極
21 ベース電極
22 上層電極
Claims (9)
- 半導体結晶の一方の面に形成された第1の導電型の低抵抗層からなるコレクタ領域と、前記コレクタ領域上に設けられた第1の導電型の高抵抗層と、前記第1の導電型の高抵抗層上に設けられた第2の導電型のベース領域と、前記半導体基板の他方の面に形成された第1の導電型の低抵抗のエミッタ領域と、前記エミッタ領域の周囲に第1の導電型の高抵抗層を挟んで設けられた、前記ベース領域に接合する第2の導電型の低抵抗のベースコンタクト領域を有するバイポーラ型半導体装置であって、
前記ベースコンタクト領域と前記エミッタ領域の間の前記半導体結晶の表面付近に第2の導電型の再結合抑制半導体層を有することを特徴とするバイポーラ型半導体装置。 - 半導体結晶の一方の面に形成された第1の導電型の低抵抗層からなるコレクタ領域と、前記コレクタ領域上に設けられた第1の導電型の高抵抗層と、前記第1の導電型の高抵抗層上に設けられた第2の導電型のベース領域と、前記半導体基板の他方の面に形成された第1の導電型の低抵抗のエミッタ領域と、前記エミッタ領域の周囲に第1の導電型の高抵抗層を挟んで設けられた、前記ベース領域に接合する第2の導電型の低抵抗のベースコンタクト領域を有するバイポーラ型半導体装置であって、
前記ベースコンタクト領域と前記エミッタ領域の間の前記半導体結晶の表面付近に第1の導電型の再結合抑制半導体層を有することを特徴とするバイポーラ型半導体装置。 - 前記ベースコンタクト領域と前記エミッタ領域の間の前記半導体の表面は、一部分に傾斜を有することを特徴とする請求項1または2記載のバイポーラ型半導体装置。
- 前記ベースコンタクト領域と前記エミッタ領域の間の前記半導体の表面は、段差がないことを特徴とする請求項1または2記載のバイポーラ型半導体装置。
- 前記ベースコンタクト領域と前記エミッタ領域の間の前記半導体結晶の表面上に再結合抑制膜を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のバイポーラ型半導体装置。
- 前記半導体結晶が炭化珪素であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のバイポーラ型半導体装置。
- 前記再結合抑制半導体層の不純物濃度が前記ベース領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のバイポーラ型半導体装置。
- 第1の導電型の半導体基板に第1導電型の第1の高抵抗層を形成する第1高抵抗層形成工程と、
第2の導電型のベース領域を形成するベース領域形成工程と、
第1の導電型の第2の高抵抗層を形成する第2高抵抗層形成工程と、
第1の導電型の低抵抗層を形成する低抵抗層形成工程と、
前記低抵抗層と前記第2の高抵抗層の一部を部分的にエッチングしてエミッタ領域を形成するエミッタ領域形成工程と、
前記エッチングにより露出した第2の高抵抗層の表面付近に第2の導電型の再結合抑制半導体層を形成する再結合抑制半導体層形成工程と、
前記ベース領域に接合するベースコンタクト領域を形成するベースコンタクト領域形成工程と、
ベース電極とエミッタ電極とコレクタ電極を形成する電極形成工程と、
ベース電極とエミッタ電極側に上層電極を形成する上層電極形成工程と、
を有することを特徴とするバイポーラ型半導体装置の製造方法。 - 第1の導電型の半導体基板に第1導電型の第1の高抵抗層を形成する第1高抵抗層形成工程と、
第2の導電型のベース領域を形成するベース領域形成工程と、
第1の導電型の第2の高抵抗層を形成する第2高抵抗層形成工程と、
第1の導電型の低抵抗層を形成する低抵抗層形成工程と、
前記低抵抗層と前記第2の高抵抗層の一部を部分的にエッチングしてエミッタ領域を形成するエミッタ領域形成工程と、
前記エッチングにより露出した第2の高抵抗層の表面付近に第2の導電型の再結合抑制半導体層を形成する再結合抑制半導体層形成工程と、
前記ベース領域に接合するベースコンタクト領域を形成するベースコンタクト領域形成工程と、
前記ベースコンタクト領域と前記エミッタ領域の間の半導体結晶表面上に再結合抑制膜を形成する再結合抑制膜形成工程と、
ベース電極とエミッタ電極とコレクタ電極を形成する電極形成工程と、
ベース電極とエミッタ電極側に上層電極を形成する上層電極形成工程と、
を有することを特徴とするバイポーラ型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005172620A JP4777699B2 (ja) | 2005-06-13 | 2005-06-13 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
EP06757370.9A EP1878056B1 (en) | 2005-06-13 | 2006-06-09 | Bipolar semiconductor device and manufacturing method thereof |
CNB2006800211881A CN100544023C (zh) | 2005-06-13 | 2006-06-09 | 双极半导体器件及其制造方法 |
PCT/JP2006/312077 WO2006135031A2 (en) | 2005-06-13 | 2006-06-09 | Bipolar semiconductor device and manufacturing method thereof |
US11/919,350 US8460994B2 (en) | 2005-06-13 | 2006-06-09 | Bipolar semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR1020077027677A KR100972217B1 (ko) | 2005-06-13 | 2006-06-09 | 바이폴라 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US13/887,935 US8653627B2 (en) | 2005-06-13 | 2013-05-06 | Bipolar semiconductor device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005172620A JP4777699B2 (ja) | 2005-06-13 | 2005-06-13 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006351621A true JP2006351621A (ja) | 2006-12-28 |
JP4777699B2 JP4777699B2 (ja) | 2011-09-21 |
Family
ID=37532705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005172620A Expired - Fee Related JP4777699B2 (ja) | 2005-06-13 | 2005-06-13 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8460994B2 (ja) |
EP (1) | EP1878056B1 (ja) |
JP (1) | JP4777699B2 (ja) |
KR (1) | KR100972217B1 (ja) |
CN (1) | CN100544023C (ja) |
WO (1) | WO2006135031A2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173841A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Cree Inc | ベース領域上に炭化ケイ素保護層を有する炭化ケイ素バイポーラ接合トランジスタとその製造方法 |
JP2009054931A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Hitachi Ltd | バイポーラ素子及びその製造方法 |
WO2010024237A1 (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | 本田技研工業株式会社 | 接合型半導体装置およびその製造方法 |
WO2010024239A1 (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | 本田技研工業株式会社 | 接合型半導体装置およびその製造方法 |
WO2010024243A1 (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | 本田技研工業株式会社 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
WO2010024240A1 (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | 本田技研工業株式会社 | バイポーラ型炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2012521654A (ja) * | 2009-03-24 | 2012-09-13 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | シリコンカーバイドバイポーラ接合トランジスタ |
JP2013536576A (ja) * | 2010-07-26 | 2013-09-19 | クリー インコーポレイテッド | 表面パッシベーションのための半導体レッジ層を有する電子デバイス構造 |
JP2013543648A (ja) * | 2010-07-21 | 2013-12-05 | クリー インコーポレイテッド | ベース層上に緩衝層を備える電子デバイス構造 |
WO2015037335A1 (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-19 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8432012B2 (en) | 2006-08-01 | 2013-04-30 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including schottky diodes having overlapping doped regions and methods of fabricating same |
US7728402B2 (en) | 2006-08-01 | 2010-06-01 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including schottky diodes with controlled breakdown |
CN101501859B (zh) | 2006-08-17 | 2011-05-25 | 克里公司 | 高功率绝缘栅双极晶体管 |
US8835987B2 (en) | 2007-02-27 | 2014-09-16 | Cree, Inc. | Insulated gate bipolar transistors including current suppressing layers |
KR101494935B1 (ko) | 2007-11-09 | 2015-02-23 | 크리,인코포레이티드 | 메사 스텝들을 포함하는 버퍼층들 및 메사 구조들을 가지는 전력 반도체 장치들 |
US9640609B2 (en) | 2008-02-26 | 2017-05-02 | Cree, Inc. | Double guard ring edge termination for silicon carbide devices |
US8232558B2 (en) | 2008-05-21 | 2012-07-31 | Cree, Inc. | Junction barrier Schottky diodes with current surge capability |
US8097919B2 (en) | 2008-08-11 | 2012-01-17 | Cree, Inc. | Mesa termination structures for power semiconductor devices including mesa step buffers |
WO2010047280A1 (ja) * | 2008-10-21 | 2010-04-29 | 日本電気株式会社 | バイポーラトランジスタ |
US8716835B2 (en) | 2008-10-21 | 2014-05-06 | Renesas Electronics Corporation | Bipolar transistor |
US8497552B2 (en) | 2008-12-01 | 2013-07-30 | Cree, Inc. | Semiconductor devices with current shifting regions and related methods |
US8294507B2 (en) | 2009-05-08 | 2012-10-23 | Cree, Inc. | Wide bandgap bipolar turn-off thyristor having non-negative temperature coefficient and related control circuits |
US8637386B2 (en) | 2009-05-12 | 2014-01-28 | Cree, Inc. | Diffused junction termination structures for silicon carbide devices and methods of fabricating silicon carbide devices incorporating same |
US8629509B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-01-14 | Cree, Inc. | High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter |
US8193848B2 (en) | 2009-06-02 | 2012-06-05 | Cree, Inc. | Power switching devices having controllable surge current capabilities |
US8541787B2 (en) | 2009-07-15 | 2013-09-24 | Cree, Inc. | High breakdown voltage wide band-gap MOS-gated bipolar junction transistors with avalanche capability |
US8354690B2 (en) | 2009-08-31 | 2013-01-15 | Cree, Inc. | Solid-state pinch off thyristor circuits |
JP2011091179A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Honda Motor Co Ltd | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
US9117739B2 (en) | 2010-03-08 | 2015-08-25 | Cree, Inc. | Semiconductor devices with heterojunction barrier regions and methods of fabricating same |
US8415671B2 (en) | 2010-04-16 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | Wide band-gap MOSFETs having a heterojunction under gate trenches thereof and related methods of forming such devices |
US8803277B2 (en) | 2011-02-10 | 2014-08-12 | Cree, Inc. | Junction termination structures including guard ring extensions and methods of fabricating electronic devices incorporating same |
US9318623B2 (en) | 2011-04-05 | 2016-04-19 | Cree, Inc. | Recessed termination structures and methods of fabricating electronic devices including recessed termination structures |
WO2012139633A1 (en) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Bipolar transistor with gate electrode over the emitter base junction |
SE1150386A1 (sv) | 2011-05-03 | 2012-11-04 | Fairchild Semiconductor | Bipolär transistor av kiselkarbid med förbättrad genombrottsspänning |
US9673283B2 (en) | 2011-05-06 | 2017-06-06 | Cree, Inc. | Power module for supporting high current densities |
US9142662B2 (en) | 2011-05-06 | 2015-09-22 | Cree, Inc. | Field effect transistor devices with low source resistance |
US9029945B2 (en) | 2011-05-06 | 2015-05-12 | Cree, Inc. | Field effect transistor devices with low source resistance |
US8618582B2 (en) | 2011-09-11 | 2013-12-31 | Cree, Inc. | Edge termination structure employing recesses for edge termination elements |
US9640617B2 (en) | 2011-09-11 | 2017-05-02 | Cree, Inc. | High performance power module |
US9373617B2 (en) | 2011-09-11 | 2016-06-21 | Cree, Inc. | High current, low switching loss SiC power module |
US8680587B2 (en) | 2011-09-11 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | Schottky diode |
US8664665B2 (en) | 2011-09-11 | 2014-03-04 | Cree, Inc. | Schottky diode employing recesses for elements of junction barrier array |
CN105957886B (zh) * | 2016-06-28 | 2019-05-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种碳化硅双极结型晶体管 |
CN105977287B (zh) * | 2016-07-25 | 2018-11-09 | 电子科技大学 | 一种碳化硅双极结型晶体管 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6074571A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPS60140756A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-25 | Sharp Corp | 炭化珪素バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
JPS645063A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-10 | Toshiba Corp | Hetero-junction bipolar transistor |
JPH03171772A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-25 | Sanyo Electric Co Ltd | sicを用いたトランジスタ |
JPH0878431A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素たて型バイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
JPH11214405A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Sanyo Electric Co Ltd | SiC半導体装置及びその製造方法 |
JP2002110549A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 炭化珪素層の成長方法 |
JP2002359378A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003203916A (ja) * | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Rohm Co Ltd | バイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
JP2004516655A (ja) * | 2000-12-11 | 2004-06-03 | クリー インコーポレイテッド | 炭化ケイ素中の自己整合バイポーラ接合トランジスタの製造方法およびそれにより作製されるデバイス |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US497909A (en) * | 1893-05-23 | John b | ||
JP2533541B2 (ja) | 1987-06-08 | 1996-09-11 | 株式会社日立製作所 | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ |
US4945394A (en) * | 1987-10-26 | 1990-07-31 | North Carolina State University | Bipolar junction transistor on silicon carbide |
JP3117831B2 (ja) * | 1993-02-17 | 2000-12-18 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
JP3252805B2 (ja) * | 1998-08-20 | 2002-02-04 | 日本電気株式会社 | バイポーラトランジスタ |
SE9901410D0 (sv) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | Abb Research Ltd | Abipolar transistor |
JP3341740B2 (ja) * | 1999-11-15 | 2002-11-05 | 日本電気株式会社 | ヘテロバイポーラ型トランジスタ及びその製造方法 |
JP3565274B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2004-09-15 | 住友電気工業株式会社 | バイポーラトランジスタ |
US6828650B2 (en) * | 2002-05-31 | 2004-12-07 | Motorola, Inc. | Bipolar junction transistor structure with improved current gain characteristics |
-
2005
- 2005-06-13 JP JP2005172620A patent/JP4777699B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-09 US US11/919,350 patent/US8460994B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-09 KR KR1020077027677A patent/KR100972217B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-06-09 CN CNB2006800211881A patent/CN100544023C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-09 EP EP06757370.9A patent/EP1878056B1/en not_active Not-in-force
- 2006-06-09 WO PCT/JP2006/312077 patent/WO2006135031A2/en active Application Filing
-
2013
- 2013-05-06 US US13/887,935 patent/US8653627B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6074571A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPS60140756A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-25 | Sharp Corp | 炭化珪素バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
JPS645063A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-10 | Toshiba Corp | Hetero-junction bipolar transistor |
JPH03171772A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-25 | Sanyo Electric Co Ltd | sicを用いたトランジスタ |
JPH0878431A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素たて型バイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
JPH11214405A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Sanyo Electric Co Ltd | SiC半導体装置及びその製造方法 |
JP2002110549A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 炭化珪素層の成長方法 |
JP2004516655A (ja) * | 2000-12-11 | 2004-06-03 | クリー インコーポレイテッド | 炭化ケイ素中の自己整合バイポーラ接合トランジスタの製造方法およびそれにより作製されるデバイス |
JP2002359378A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003203916A (ja) * | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Rohm Co Ltd | バイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173841A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Cree Inc | ベース領域上に炭化ケイ素保護層を有する炭化ケイ素バイポーラ接合トランジスタとその製造方法 |
US7906796B2 (en) | 2007-08-29 | 2011-03-15 | Hitachi, Ltd. | Bipolar device and fabrication method thereof |
JP2009054931A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Hitachi Ltd | バイポーラ素子及びその製造方法 |
JP5514726B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2014-06-04 | 本田技研工業株式会社 | 接合型半導体装置およびその製造方法 |
WO2010024243A1 (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | 本田技研工業株式会社 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
WO2010024240A1 (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | 本田技研工業株式会社 | バイポーラ型炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
WO2010024239A1 (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | 本田技研工業株式会社 | 接合型半導体装置およびその製造方法 |
JP5469068B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2014-04-09 | 本田技研工業株式会社 | バイポーラ型炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP5470254B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2014-04-16 | 本田技研工業株式会社 | 接合型半導体装置およびその製造方法 |
WO2010024237A1 (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | 本田技研工業株式会社 | 接合型半導体装置およびその製造方法 |
JP2012521654A (ja) * | 2009-03-24 | 2012-09-13 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | シリコンカーバイドバイポーラ接合トランジスタ |
US8853827B2 (en) | 2009-03-24 | 2014-10-07 | Fairchild Semiconductor Corporation | Silicon carbide bipolar junction transistor (BJT) having a surface electrode disposed on a surface passivation layer formed at a region between emitter contact and base contact |
JP2013543648A (ja) * | 2010-07-21 | 2013-12-05 | クリー インコーポレイテッド | ベース層上に緩衝層を備える電子デバイス構造 |
JP2013536576A (ja) * | 2010-07-26 | 2013-09-19 | クリー インコーポレイテッド | 表面パッシベーションのための半導体レッジ層を有する電子デバイス構造 |
WO2015037335A1 (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-19 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2015056544A (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080003932A (ko) | 2008-01-08 |
US20130240910A1 (en) | 2013-09-19 |
WO2006135031A3 (en) | 2007-05-24 |
US20100001290A1 (en) | 2010-01-07 |
US8460994B2 (en) | 2013-06-11 |
JP4777699B2 (ja) | 2011-09-21 |
EP1878056B1 (en) | 2014-07-23 |
KR100972217B1 (ko) | 2010-07-26 |
US8653627B2 (en) | 2014-02-18 |
WO2006135031A2 (en) | 2006-12-21 |
CN100544023C (zh) | 2009-09-23 |
EP1878056A2 (en) | 2008-01-16 |
CN101199058A (zh) | 2008-06-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |