JP2006350325A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101681131A (zh) * 2007-06-12 2010-03-24 东亚合成株式会社 导电性高分子上的抗蚀剂膜的剥离剂、抗蚀剂膜的剥离方法及具有已图案化的导电性高分子的基板
CN201219685Y (zh) * 2008-04-16 2009-04-15 韩广民 组装结构产品及庭院椅
KR101521066B1 (ko) 2008-10-09 2015-05-18 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. 산화구리 에칭 잔여물 제거 및 구리 전착 방지용 수성 산성 배합물
EP2395397A4 (en) * 2009-02-03 2012-10-03 Idemitsu Kosan Co RESIST STRIPPING COMPOSITION AND METHOD OF STRIPPING RESIST USING THE SAME
JP6283477B2 (ja) 2012-06-25 2018-02-21 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ アミド成分を含むフォトレジスト
JP6231423B2 (ja) * 2014-04-09 2017-11-15 東京応化工業株式会社 フォトリソグラフィ用剥離液及びパターン形成方法
US10168805B2 (en) 2014-08-18 2019-01-01 3M Innovative Properties Company Conductive layered structure and methods of making same
US9580672B2 (en) * 2014-09-26 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning composition and method for semiconductor device fabrication
JP6555273B2 (ja) * 2014-11-13 2019-08-07 三菱瓦斯化学株式会社 タングステンを含む材料のダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法
KR102427699B1 (ko) * 2015-04-27 2022-08-01 삼성전자주식회사 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10796912B2 (en) 2017-05-16 2020-10-06 Lam Research Corporation Eliminating yield impact of stochastics in lithography
US10752867B2 (en) * 2018-03-28 2020-08-25 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Cleaning compositions
JP7653908B2 (ja) 2018-11-14 2025-03-31 ラム リサーチ コーポレーション 次世代リソグラフィにおいて有用なハードマスクを作製する方法
CN120762258A (zh) 2018-12-20 2025-10-10 朗姆研究公司 抗蚀剂的干式显影
TW202514246A (zh) 2019-03-18 2025-04-01 美商蘭姆研究公司 基板處理方法與設備
CN113785381B (zh) 2019-04-30 2025-04-22 朗姆研究公司 用于极紫外光刻抗蚀剂改善的原子层蚀刻及选择性沉积处理
TWI869221B (zh) 2019-06-26 2025-01-01 美商蘭姆研究公司 利用鹵化物化學品的光阻顯影
CN111073367A (zh) * 2019-11-12 2020-04-28 江苏鑫露化工新材料有限公司 一种混合己二酸醇酰胺固化剂的制备方法
KR20250007037A (ko) 2020-01-15 2025-01-13 램 리써치 코포레이션 포토레지스트 부착 및 선량 감소를 위한 하부층
US12261044B2 (en) 2020-02-28 2025-03-25 Lam Research Corporation Multi-layer hardmask for defect reduction in EUV patterning
WO2022010809A1 (en) 2020-07-07 2022-01-13 Lam Research Corporation Integrated dry processes for patterning radiation photoresist patterning
KR102673863B1 (ko) 2020-11-13 2024-06-11 램 리써치 코포레이션 포토레지스트의 건식 제거를 위한 프로세스 툴
US20250093781A1 (en) * 2021-07-29 2025-03-20 Lam Research Corporation Rework of metal-containing photoresist
CN120958566A (zh) 2023-03-17 2025-11-14 朗姆研究公司 用于单一处理室中euv图案化的干法显影与蚀刻工艺的集成

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09133983A (ja) * 1995-06-12 1997-05-20 Fuji Photo Film Co Ltd ハロゲン化銀写真感光材料及びそれに用いるヒドロキサム酸化合物
JPH095920A (ja) * 1995-06-16 1997-01-10 Fuji Photo Film Co Ltd ハロゲン化銀写真感光材料及びそれに用いるヒドロキサム酸化合物
JPH0990546A (ja) * 1995-09-21 1997-04-04 Fuji Photo Film Co Ltd ハロゲン化銀写真感光材料及びそれに用いるヒドロキサム酸化合物
JP3737196B2 (ja) 1996-06-17 2006-01-18 積水ハウス株式会社 住宅の水平ブレース配置方法
DE19751945A1 (de) 1997-11-24 1999-05-27 Agfa Gevaert Ag Wässrige Zubereitung als Oxidationsschutz
JP3891735B2 (ja) * 1998-08-05 2007-03-14 三星電子株式会社 アルコキシｎ−ヒドロキシアルキルアルカンアミドからなるレジスト除去剤、レジスト除去用組成物、これらの製造方法及びこれらを用いたレジスト除去方法
US20030022800A1 (en) * 2001-06-14 2003-01-30 Peters Darryl W. Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners
JP4810764B2 (ja) * 2001-06-29 2011-11-09 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離剤組成物
KR100434491B1 (ko) * 2001-08-17 2004-06-05 삼성전자주식회사 레지스트 또는 식각 부산물 제거용 조성물 및 이를 이용한레지스트 제거 방법
JP4661007B2 (ja) 2001-08-23 2011-03-30 昭和電工株式会社 サイドウォール除去液
JP2003122028A (ja) 2001-10-17 2003-04-25 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液組成物
JP2004029346A (ja) 2002-06-25 2004-01-29 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液組成物
KR20070003764A (ko) * 2003-10-29 2007-01-05 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 포토레지스트 박리용 조성물 및 박리방법

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