JP2006332203A - 配線回路基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】 電子部品実装部に充填される封止樹脂の、電子部品実装部以外への流出を確実に防止することのできる、配線回路基板を提供すること。
【解決手段】 電子部品Eを実装する電子部品実装部8が形成されている配線回路基板1において、電子部品実装部8には、電子部品Eを設置する電子部品設置領域9と、電子部品設置領域9内に配置され、導体配線5と連続する端子6とを設ける。そして、カバー絶縁層4に、電子部品実装部8の周囲を取り囲み、各導体配線5と直交するように延びる溝11を形成し、その溝11に、各導体配線5との交差部分において、導体配線5が延びる方向に突出する突出部分12を形成する。これによって、過度に充填された封止樹脂Rが、溝11を乗り越えにくくなり、溝11から外側へ広がることを防止することができる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、電子部品が実装される配線回路基板に関する。
配線回路基板に、半導体素子などの電子部品を実装する場合には、配線回路基板の電子部品実装部に、電子部品を設置して、配線回路基板に設けられる導体パターンの端子と電子部品の端子とを接続した後、電子部品と電子部品実装部との間の隙間に、その隙間を封止するように、封止樹脂を充填するようにしている。
このような電子部品の実装では、封止樹脂を、電子部品と電子部品実装部との間の隙間に充填するときに、封止樹脂が必要以上に充填され、その必要以上に充填された余剰の封止樹脂が電子部品実装部以外の部分に流出してしまい、配線回路基板を汚染する場合がある。
そのため、例えば、プリント配線基板に、ベアチップを実装して、封止用樹脂組成物で封止する場合において、ベアチップが搭載される個所に沿って、その外縁の外側付近に封止用樹脂組成物の広がりを抑制する溝を形成することが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2001−244384号公報
しかし、特許文献1に記載されるように、電子部品実装部の外側近傍に溝を形成しても、封止樹脂が過度に充填されると、過度に充填された封止樹脂が、溝を乗り越えて広がる場合があり、とりわけ、導体パターンの配線密度が高くなるに伴って、封止樹脂の流出を、より確実に防ぐことが求められている。
本発明の目的は、電子部品実装部に充填される封止樹脂の、電子部品実装部以外への流出を確実に防止することのできる、配線回路基板を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される複数の導体配線と、前記ベース絶縁層の上に前記導体配線を被覆するように形成されるカバー絶縁層とを備え、電子部品を実装する電子部品実装部が形成されている配線回路基板において、前記電子部品実装部は、前記カバー絶縁層が開口されることにより形成されており、かつ、電子部品が設置される電子部品設置領域と、前記電子部品設置領域内に配置され、前記導体配線と連続するように形成され、電子部品と電気的に接続される端子とを備えており、前記カバー絶縁層には、前記電子部品実装部の周囲に、複数の前記導体配線と交差するように延びる溝が形成されており、前記溝は、少なくとも1つの前記導体配線との交差部分において、前記導体配線が延びる方向に突出するように、形成されていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板では、前記溝は、少なくとも1つの前記導体配線との交差部分において、前記電子部品実装部に向かって突出するように、形成されていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記溝は、互いに隣接する少なくとも2つの前記導体配線の交差部分において、前記導体配線が延びる方向において互いに反対方向に突出するように、形成されていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記溝は、互いに隣接する少なくとも2つの前記導体配線の交差部分の間において、前記導体配線が延びる方向に対して直交する方向に延びる部分が形成されるように、形成されていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記溝は、前記電子部品実装部の周囲において、前記導体配線が延びる方向に沿って重なるように、複数形成されていることが好適である。
本発明の配線回路基板では、カバー絶縁層には、電子部品実装部の周囲に、複数の導体配線と交差するように延びる溝が、少なくとも1つの導体配線との交差部分において、導体配線が延びる方向に突出するように、形成されている。そのため、封止樹脂が電子部品実装部に過度に充填されても、その過度に充填された封止樹脂が、その溝によって、溝から外側へ広がることを、確実に防止することができる。
すなわち、この溝は、電子部品実装部の周囲において、複数の導体配線と交差するように形成されており、導体配線との交差部分の溝の深さは、交差部分以外の部分の溝の深さに比べて、導体配線の厚み分浅く形成されている。そのため、封止樹脂が過度に充填されると、導体配線との交差部分においては、過度に充填された封止樹脂が、その浅く形成されている溝を乗り越えて、広がってしまうおそれがある。
しかし、この溝は、導体配線との交差部分においては、導体配線が延びる方向に突出しているので、過度に充填された封止樹脂が、その溝を乗り越えにくくなり、溝から外側へ広がることを防止することができる。その結果、電子部品実装部に充填される封止樹脂の、電子部品実装部以外への流出を確実に防止することができる。
図1は、本発明の配線回路基板の一実施形態の電子部品実装部周辺の要部平面図、図2は、図1のA−A線断面図、図3は、図1のB−B線断面図、図4は、図1の要部拡大平面図である。
この配線回路基板1は、図1および図2に示すように、ベース絶縁層2と、ベース絶縁層2の上に形成された導体パターン3と、導体パターン3を被覆するように、ベース絶縁層2の上に形成されたカバー絶縁層4とを備えている。
ベース絶縁層2は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂からなる。好ましくは、ポリイミドからなる。ベース絶縁層2の厚みは、例えば、3〜20μm、好ましくは、8〜12μmである。
導体パターン3は、例えば、銅箔、ニッケル箔、金箔、はんだ箔またはこれらの合金箔からなる。導体パターン3の厚みは、例えば、5〜25μm、好ましくは、8〜15μmである。
また、導体パターン3は、複数の導体配線5と、各導体配線5に連続し、後述する電子部品実装部8を構成する端子6とを一体的に備えている。各導体配線5は、互いに間隔を隔てて平行して延びるように形成されている。端子6は、各導体配線5から連続して延び、次に述べる電子部品設置領域9内に配置されている。
カバー絶縁層4は、ベース絶縁層2と同様の合成樹脂からなり、その厚みは、例えば、1〜15μm、好ましくは、3〜8μmである。
また、カバー絶縁層4には、次に述べる電子部品実装部8を形成するために、開口部7が形成されている。この開口部7は、配線回路基板1における電子部品実装部8を形成する所定部分において、その一辺が、300〜5000μm、好ましくは、500〜3000μmの平面視略矩形状に形成されている。
また、この配線回路基板1には、半導体素子などの電子部品E(図5参照)を実装するための電子部品実装部8が形成されている。
電子部品実装部8は、カバー絶縁層4の開口部7の開口部分として形成されており、電子部品Eが設置される電子部品設置領域9と、電子部品設置領域9内に配置される導体パターン3の端子6とを備えている。
すなわち、導体パターン3の各導体配線5は、開口部7の周辺では、開口部7の四辺に対応する4つの配線部分10として形成されている。各配線部分10では、複数の導体配線5が、対応する開口部7の各辺に対して直交する方向から、その各辺に対応する開口部7の端縁に向かうように、互いに間隔を隔てて平行して延びるように配置されている。これによって、各配線部分10は、開口部7を挟んで平面視略十字状に配置されている。
各配線部分10において、互いに隣接する導体配線5の間隔Sは、例えば、5〜3000μm、好ましくは、10〜2500μmであり、各導体配線5の幅W1は、例えば、5〜2000μm、好ましくは、10〜1000μmである。
各端子6は、導体パターン3における開口部7からの露出部分であって、各配線部分10において、各導体配線5から開口部7内へ連続して延びるように形成されている。各端子6は、各配線部分10に対応して、開口部7の四辺の端縁から、開口部7内へ各辺と直交する方向に延びるように形成され、開口部7内においては、各配線部分10毎に、互いに間隔を隔てて平行して延びるように配置されている。また、各端子6は、開口部7内において、互いに対向する対辺から延びる各端子6が、互いに間隔を隔てて対向配置されるように、その基端部が開口部7の端縁に配置され、その遊端部が、開口部7の対辺間の中央よりも基端部側に配置されている。各端子6は、対応する配線部分10毎に、開口部7の四辺から延び、次に述べる電子部品設置領域9を挟んで平面視略十字状に配置されている。
電子部品設置領域9は、開口部7から露出するベース絶縁層2の表面において、図1の点線で示すように、開口部7内の中央に配置され、開口部7の四辺からそれぞれ延びる各端子6の遊端部をすべて含むように、開口部7よりも一回り小さい平面視略矩形状の領域として画成されている。
そして、この配線回路基板1において、カバー絶縁層4には、電子部品実装部8の周囲を取り囲むように、溝11が形成されている。
この溝11は、開口部7よりも一回り大きい平面視略矩形枠状に形成されており、その溝11内に、開口部7、すなわち、電子部品実装部8が配置されている。また、この溝11は、カバー絶縁層4の厚さ方向を貫通して、次に述べる各導体配線5との交差部分以外の部分でベース絶縁層2が露出するように開口され、その溝深さが、カバー絶縁層4の厚さに相当し、その溝幅W2が、例えば、20〜500μm、好ましくは、50〜200μmで、電子部品実装部8の周囲において、無端状(閉鎖状)に連続して形成されている。また、この溝11は、導体配線5が延びる方向における溝11の幅方向内側端縁から開口部7の周端縁までの間(以下に述べる実施例では溝間という。)L1が、実質的にほぼ同程度の距離で、例えば、20〜500μm、好ましくは、40〜200μmとなるように、電子部品実装部8を取り囲んでいる。
また、この溝11では、四方の各辺が、各配線部分10の各導体配線5と、互いに直交する方向で交差しており、その交差部分において、各導体配線5を露出させている。
そして、この溝11における各導体配線5との交差部分には、各導体配線5が延びる方向(すなわち、溝11の幅方向)に突出する突出部分12が形成されている。
この突出部分12は、図4に示すように、互いに隣接する2つの交差部分において、一方が幅方向内側(電子部品実装部8側)に向かって突出するように、他方が幅方向外側に向かって突出するように、つまり、幅方向において互いに反対方向に突出するように、形成されている。また、各突出部分12は、それぞれの方向に向かって、溝11が平面視略円弧形状に突出するように、形成されている。
また、溝11における互いに隣接する2つの交差部分の間(すなわち、各突出部分12の間)には、2つの交差部分でそれぞれ交差している導体配線5が延びる方向に対して直交する方向に延びる直交部分13が形成されている。
この直交部分13は、2つの交差部分の間において、後で述べるが、すべての部分にわたって形成されていてもよく(図9参照)、また、図4に示すように、部分的に形成されていてもよい。
直交部分13が、部分的に形成されている場合には、互いに隣接する各突出部分12と、それらの間に挟まれる直交部分13のとの間に、各突出部分12と直交部分13とを連結する連結部分14が形成される。この連結部分14は、突出部分12から、その突出部分12が延びる方向に傾斜して、直交部分13に連結されている。
これによって、溝11は、図1に示すように、突出部分12、直交部分13および連結部分14が連続して繰り返される無端状に形成されている。
このような溝11において、図4に示すように、突出部分12間のピッチPは、例えば、50〜2000μm、好ましくは、80〜1500μmであり、また、突出部分12の幅方向最内側部分と、直交部分13の幅方向最内側部分との差(以下に述べる実施例では振幅量という。)Aが、例えば、50〜1000μm、好ましくは、80〜800μmである。
なお、この配線回路基板1は、通常の配線回路基板1の製造方法と、同様の方法で製造することができる。すなわち、例えば、まず、ポリイミドなどからなるベース絶縁層2を、キャスティングにより、または、ドライフィルムとして用意し、そのベース絶縁層2の上に、アディティブ法やサブトラクティブ法などの公知のパターンニング法によって、導体配線5および端子6を備える銅箔などからなる導体パターン3を形成した後、ベース絶縁層3の上に、導体パターン3を被覆するように、感光性ポリアミド酸(感光性ポリイミド前駆体)を含む溶液を塗布し、露光および現像することによりパターンニングした後、これを加熱硬化させて、ポリイミドなどからなるカバー絶縁層4を形成する。また、開口部7は、カバー絶縁層4のパターンニングにおいて、感光性ポリアミド酸を、電子部品実装部8を形成する部分が露出するように、パターンニングすることにより、形成する。
なお、このような配線回路基板1では、図2の仮想線に示すように、ベース絶縁層2の裏面(導体パターン3が積層される表面と反対側の裏面)に、補強層15を積層することもできる。
補強層15は、例えば、ステンレス箔、42アロイ箔、アルミニウム箔、銅−ベリリウム箔、りん青銅箔などからなり、その厚みは、例えば、10〜200μm、好ましくは、15〜150μmである。
補強層15が積層される場合には、上記の製造方法において、例えば、ステンレス箔などからなる補強層15を用意して、その補強層15の上に、感光性ポリアミド酸(感光性ポリイミド前駆体)を含む溶液を塗布し、露光および現像することによりパターンニングした後、これを加熱硬化させて、ポリイミドなどからなるベース絶縁層3を形成する。そして、必要により、カバー絶縁層4の形成後に、補強層15を、エッチングすることによりパターンニングする。
そして、このように形成された配線回路基板1では、半導体素子などの電子部品Eを実装する場合には、図5に示すように、電子部品実装部8において、まず、電子部品Eを、電子部品設置領域9に、導体パターン3の端子6と電子部品Eの端子(図示せず。)とが、はんだバンプ16などを介して電気的に接続されるように、設置する。次いで、電子部品Eと電子部品実装部8との隙間に、その隙間を封止するように、封止樹脂Rを充填する。
封止樹脂Rは、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などの流動性のある液状樹脂からなり、電子部品Eと電子部品実装部8との隙間に流入させた後に、硬化させる。
このような封止樹脂Rの充填においては、封止樹脂Rが必要以上に充填され、その必要以上に充填された余剰の封止樹脂Rが電子部品実装部8以外のカバー絶縁層4の表面に流出してしまい、配線回路基板1を汚染する場合がある。
しかし、この配線回路基板1では、カバー絶縁層4には、電子部品実装部8の周囲を取り囲み、各配線部分10において、各導体配線5と直交するように延びる溝11が、各導体配線5との交差部分において突出部分12が形成されるように、形成されている。そのため、封止樹脂Rが、上記したように、電子部品実装部8に過度に充填されても、その過度に充填された封止樹脂Rを溝11内に流入させることにより堰き止めて、溝11の内側(すなわち、電子部品実装部8が配置されている溝11内)から外側へ広がることを、確実に防止することができる。
すなわち、この溝11は、電子部品実装部8の周囲において、各配線部分10において、各導体配線5と直交するように形成されており、図3に示すように、各導体配線5との交差部分の溝の深さD1は、隣接する交差部分間の溝の深さD2に比べて、導体配線5の厚みT1分浅く形成されている。そのため、封止樹脂Rが過度に充填されると、各導体配線5との交差部分においては、過度に充填された封止樹脂Rが、その浅く形成されている溝11を乗り越えて、広がってしまうおそれがある。
しかし、この溝11は、図4に示すように、各導体配線5との交差部分においては、突出部分12が、各導体配線5が延びる方向に突出しているので、過度に充填された封止樹脂Rが、その溝11を乗り越えにくくなり、溝11の内側(すなわち、電子部品実装部8が配置されている溝11内)から外側へ広がることを防止することができる。その結果、電子部品実装部8に充填される封止樹脂Rの、電子部品実装部8以外への流出を確実に防止することができる。
なお、上記の実施形態では、溝11を、電子部品実装部8の周囲において、無端状(閉鎖状)に連続して形成したが、例えば、図6に示すように、電子部品実装部8の周囲において、それぞれが連続せずに、複数に分割して形成することもできる。
すなわち、図6において、溝11は、開口部7の四辺に対して、間隔を隔ててそれぞれ外側で対向するように、4つに分割して形成されている。また、溝11は、図6には示さないが、例えば、開口部7を囲むように、平面視略L字形状に2つに分割して形成することもできる。さらに、溝11は、必ずしも開口部7の四辺のすべてに対向してそれぞれ形成する必要はなく、その目的および用途などによって、例えば、開口部7の対辺に対応して、平行状に2つ形成することもできる。また、互いに隣接する辺に対応して、L字状に2つ形成することもできる。
また、溝11は、図7に示すように、その目的および用途などによって、電子部品実装部8の周囲に、各配線部分10の各導体配線5が延びる方向に沿って重なるように、多重で形成することもできる。
すなわち、図7において、溝11は、開口部7を取り囲むように、開口部7よりも一回り大きい平面視略矩形枠状に形成された無端状の内側溝11Aと、その内側溝11Aを、さらに取り囲むように、内側溝11Aより一回り大きい平面視略矩形枠状に形成された無端状の外側溝11Bとからなる2重溝として形成されている。また、外側溝11Bの幅方向内側端縁から内側溝11Aの幅方向外側端縁までの間(以下に述べる実施例では溝間という。)L2は、例えば、20〜500μm、好ましくは、40〜200μmである。
なお、図7では、溝11は、2重溝として形成されているが、その目的および用途などによっては、3重溝や4重溝として形成することができ、例えば、1〜15重溝、好ましくは、2〜10重溝として形成することができる。
さらに、図8に示すように、溝11を、開口部7を取り囲むように、開口部7よりも一回り大きい平面視略矩形枠状に形成された無端状の内側溝11Aと、その内側溝11Aを、内側溝11Aの四辺に対して、間隔を隔ててそれぞれ外側で対向するように、4つに分割して形成された中間溝11Cと、さらに、各中間溝11Cに対して、間隔を隔ててそれぞれ外側で対向し、かつ、対向する各中間溝11Cよりも短く4つに分割して形成された外側溝11Bとからなる3重溝などとして形成することもできる。
また、上記の実施形態では、突出部分12を、溝11の幅方向のそれぞれの方向に向かって、平面視略円弧形状に突出するように形成したが、その突出形状は、特に制限されず、例えば、図9(a)に示すように、両側斜辺が湾曲し先端が鋭利に尖った平面視略V字形状や、図9(b)に示すように、両側斜辺が真っ直ぐに延び先端が角状に尖った平面視略V字形状などの形状に、形成することもできる。
なお、図9(a)および図9(b)では、突出部分12に連続して直交部分13が形成されており、溝11は、突出部分12および直交部分13が連続して繰り返されている。
また、図9(a)および図9(b)において、突出部分12の突出量(幅方向最内側部分と直交部分13の幅方向最内側部分との差)aが、例えば、30〜1000μm、好ましくは、60〜800μmであり、突出部分12の幅(直交部分13の間の距離)bが、例えば、5〜2000μm、好ましくは、10〜1000μmである。
また、場合により、突出部分12は、溝11における各導体配線5とのすべての交差部分に形成する必要はなく、その目的および用途などによって、適宜選択された交差部分のみに、形成してもよい。また、突出部分12は、場合により、互いに隣接する2つの交差部分において、幅方向において互いに反対方向に突出するように形成する必要もなく、例えば、すべてが幅方向内側(電子部品実装部8側)に向かって突出するように形成してもよく、また、すべてが幅方向外側に向かって突出するように形成してもよい。なお、突出部分12は、幅方向外側に向かって突出するように形成するよりも、幅方向内側(電子部品実装部8側)に向かって突出するように形成することが、好適である。
なお、上記の説明では、電子部品実装部8を、カバー絶縁層4の開口部7において、電子部品Eが設置される電子部品設置領域9と、電子部品設置領域9内に配置される導体パターン3の端子6とを設けたが、例えば、図10に示すように、電子部品設置領域9内において、各端子6よりもさらに電子部品設置領域9の内方に、例えば、放熱用の中央端子21を、導体パターン3として設けるとともに、電子部品設置領域9内に、各端子6および中央端子21を被覆する端子カバー22を、カバー絶縁層4として形成することもできる。
また、例えば、図11に示すように、中央端子21を設けずに、電子部品設置領域9内に、各端子6を被覆する端子カバー22を、カバー絶縁層4として形成することもできる。
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
実施例1
厚み25μmのステンレス箔からなる補強層の上に、感光性ポリアミック酸のワニスを塗布し、露光および現像することによりパターンニングした後、これを加熱硬化させて、厚み10μmのポリイミドからなるベース絶縁層を形成した。
次いで、アディティブ法によって、厚み10μmの銅箔からなる導体パターンを形成した。この導体パターンにおいて、互いに隣接する導体配線の間隔は、100μmであり、各導体配線の幅は、100μmであった。
その後、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、感光性ポリアミック酸のワニスを塗布し、露光および現像することにより、開口部および溝が形成されるように、パターンニングした後、これを加熱硬化させて、厚み5μmのポリイミドからなるカバー絶縁層を形成し、これによって、配線回路基板を得た。
開口部は、一辺が、1500μmの平面視略矩形状に形成した。
溝は、突出部分、直交部分および連結部分が連続して繰り返される無端状で、4重溝として形成した。各溝は、その溝幅が100μm、その溝間が50μmとして形成した。また、各溝の突出部分は、互いに隣接する2つの交差部分で幅方向において互いに反対方向に、平面視略円弧形状に突出するように形成した。突出部分間のピッチは500μm、振幅量は200μmであった。
比較例1
突出部分のない溝を形成した以外は、実施例1と同様の方法によって、配線回路基板を得た。
評価
実施例1および比較例1において、配線回路基板の電子部品実装部に半導体素子を設置した後、電子部品と電子部品実装部との隙間に、液状のエポキシ樹脂(封止樹脂)を0.5mm3充填し、その後、165℃で30分加熱した。
加熱後に封止樹脂の流出状態を観察したところ、実施例1の配線回路基板では、最内側の溝(内側から1番目の溝)で、封止樹脂の広がりが止まっていることが確認された。一方、比較例1の配線回路基板では、最外側の溝(内側から4番目の溝)で、封止樹脂の広がりが止まっていることが確認された。
次に、実施例1および比較例1において、配線回路基板の電子部品実装部に半導体素子を設置した後、電子部品と電子部品実装部との隙間に、液状のエポキシ樹脂(封止樹脂)を0.5mm3充填し、その後、165℃で30分加熱した。
加熱後に封止樹脂の流出状態を観察したところ、実施例1の配線回路基板では、内側から2番目の溝で、封止樹脂の広がりが止まっていることが確認された。一方、比較例1の配線回路基板では、最外側の溝(内側から4番目の溝)を越えて、封止樹脂が広がっていることが確認された。
本発明の配線回路基板の一実施形態の電子部品実装部周辺の要部平面図である。 図1のA−A線断面図である。 図1のB−B線断面図である。 図1の要部拡大平面図である。 図2における電子部品の実装状態を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態(溝を、電子部品実装部の周囲において複数に分割して形成する態様)の電子部品実装部周辺の要部平面図である。 本発明の配線回路基板の他の実施形態(溝を、多重で形成する態様)の電子部品実装部周辺の要部平面図である。 本発明の配線回路基板の他の実施形態(溝を、無端状の内側溝、分割して形成された中間溝および分割して形成された外側溝の3重溝として形成する態様)の電子部品実装部周辺の要部平面図である。 溝の突出部分の他の実施形態を示す平面図であって、(a)は、両側斜辺が湾曲し先端が鋭利に尖った平面視略V字形状、(b)は、両側斜辺が真っ直ぐに延び先端が角状に尖った平面視略V字形状を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態(中央端子および端子カバーを形成する態様)の、図2に対応する断面図である。 本発明の配線回路基板の他の実施形態(端子カバーを形成する態様)の、図2に対応する断面図である。
符号の説明
1 配線回路基板
2 ベース絶縁層
4 カバー絶縁層
5 導体配線
6 端子
8 電子部品実装部
9 電子部品設置領域
11 溝
12 突出部分
13 直交部分
E 電子部品

Claims (5)

  1. ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される複数の導体配線と、前記ベース絶縁層の上に前記導体配線を被覆するように形成されるカバー絶縁層とを備え、電子部品を実装する電子部品実装部が形成されている配線回路基板において、
    前記電子部品実装部は、前記カバー絶縁層が開口されることにより形成されており、かつ、電子部品が設置される電子部品設置領域と、前記電子部品設置領域内に配置され、前記導体配線と連続するように形成され、電子部品と電気的に接続される端子とを備えており、
    前記カバー絶縁層には、前記電子部品実装部の周囲に、複数の前記導体配線と交差するように延びる溝が形成されており、
    前記溝は、少なくとも1つの前記導体配線との交差部分において、前記導体配線が延びる方向に突出するように、形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
  2. 前記溝は、少なくとも1つの前記導体配線との交差部分において、前記電子部品実装部に向かって突出するように、形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の配線回路基板。
  3. 前記溝は、互いに隣接する少なくとも2つの前記導体配線の交差部分において、前記導体配線が延びる方向において互いに反対方向に突出するように、形成されていることを特徴とする、請求項1および2に記載の配線回路基板。
  4. 前記溝は、互いに隣接する少なくとも2つの前記導体配線の交差部分の間において、前記導体配線が延びる方向に対して直交する方向に延びる部分が形成されるように、形成されていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の配線回路基板。
  5. 前記溝は、前記電子部品実装部の周囲において、前記導体配線が延びる方向に沿って重なるように、複数形成されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の配線回路基板。
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