JP2006253165A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 フリップチップ実装する半導体チップの液状樹脂封止に対して、隙間封止して半導体チップの領域外にはみ出る樹脂の外形サイズを最小限にして、二次実装の自由度を向上することのできる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 配線基板の電極突起３１と同一の工程で同時に形成した金属突起３０を、半導体装置の封止外側縁部分に有することにより、封止樹脂の流出をせき止め、フリップチップ実装する半導体チップ１０の液状樹脂封止に対して、隙間封止して半導体チップ１０の領域外にはみ出る樹脂の外形サイズを最小限にして、二次実装の自由度を向上することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、フリップチップなどの接合工法により半導体チップを回路基板や配線基板へ実装する半導体装置および半導体装置の製造方法に関するものである。さらに詳しくは、半導体チップを封止するための樹脂を半導体チップからのはみ出しを抑制し狭封止領域を得る為の構造技術に関するものである。

以下、従来の半導体装置および半導体装置の製造方法について、図７，図８，図９，図１０，図１１，図１２を用いて説明する。
図７は従来の半導体装置を上面より見た概略図、図８は従来の半導体装置のＡ−Ａ’断面図、図９は従来の半導体装置のインナーリード先端部の金属突起を示す概略図、図１０は従来の半導体装置を説明するためのＬＣＤパネルの概略図、図１１はＬＣＤパネルのＡ−Ａ’断面図、図１２は従来のフィルムキャリア製造フローを示す工程断面図である。

半導体チップの実装構造のうち、図７、図８に示すように、半導体チップ１０を搭載する配線基板に形成される複数の配線パターン２１の一部を、半導体チップ１０の端子と接続する配線電極として露出させた状態で、保護レジスト（以下、ソルダーレジスト４０と称す）が形成された配線基板（以下、フィルムキャリア２０を例として説明する）に対し、半導体チップ１０をフリップチップ実装する際には、半導体チップ１０に金属突起を設けるか、もしくは配線電極として配線基板の配線用電極突起３１を設けて半導体チップ１０とフィルムキャリア２０とを電気的に接合し、ＮＣＰ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｐａｓｔｅ）樹脂５０を用いて密着保持する接合が用いられる。

この工法で、一般的には、半導体チップ１０側の電極パッドに金などを成長させ電極３１突起を形成し、フィルムキャリア２０のインナーリードと接合することが多いが、最近ではフィルムキャリア２０のインナーリード先端部に電極突起３１を形成して、表面にめっきを施した上で、半導体チップの電極パッドとＮＣＰ樹脂５０で接合する工法も開発されている。

この工法で、フィルムキャリアのインナーリードに金属突起を形成する製造方法としては、まず、（図１２（ａ））一般的はフィルムキャリアの製造工程途中段階で、フィルムキャリアの配線形成が完了した段階で、（図１２（ｂ））再度感光性レジスト８０を塗布し、複数のインナーリードの半導体チップ側電極と接合される先端部分と交差させるスリット状に開口した露光マスク７０を用いて、電極突起形成部分の感光性レジスト８０を露光するという方法をとる。この方法を使用すると、フィルムキャリアと２０露光マスク７０の精度の高い位置合わせを不要としながら、一括で電極突起形成部分の感光性レジスト８０を露光することが出来る。

次に、（図１２（ｃ，ｄ））前記感光性レジスト８０を除去後、除去した感光性レジスト８０部分とインナーリード配線が交わる部分に、銅などの金属をめっき工法で成長させると、インナーリード上にかまぼこ状の電極突起（図９参照）が形成される。次に、フィルムキャリア２０の配線表面に外装めっきを施し、さらに、（図１２（ｅ））配線引き回し部分にはソルダーレジスト４０を塗布してフィルムキャリア２０は完成する。

その後、フリップチップ実装するのであるが、まず、フィルムキャリア２０上の半導体チップ１０が載置される位置にＮＣＰ樹脂５０を塗布し、フィルムキャリア２０のインナーリード先端の電極突起３１位置と半導体チップ１０の電極パッドの相対位置を合わせて、ボンディングツールを用いてフリップチップ接合を実施する。半導体チップ１０をフィルムキャリア２０に押圧する際、フィルムキャリア２０と半導体チップ１０の隙間にあるＮＣＰ樹脂５０は、押し出され半導体チップ１０周辺に広がる。半導体チップ１０とフィルムキャリア２０は、ボンディングツールとステージで加圧保持されながら、過熱され樹脂は硬化し接合を完了する。

ここで、半導体装置の小型化のために封止領域をできるだけ小さくするための従来技術としては、ＮＣＰ樹脂５０の粘土、フィルムキャリア２０に塗布する際の塗布領域、塗布する樹脂量や、フリップチップ実装する際のボンディングステージの温度、またボンディングツールの温度や加圧保持する時間のコントロールをして、封止樹脂外形サイズを制御していた。

さらには、積極的にＮＣＰ樹脂５０の外形領域をコントロールするために、フィルムキャリア２０の半導体チップ１０が載置される周辺の、封止領域の樹脂外形ライン上に、事前に封止樹脂を塗布したり、同様にソルダーレジスト４０を塗布するなどして、封止樹脂をせき止める段差を形成して、樹脂の広がりを抑制するといった方法がとられてきた（例えば、特許文献１，特許文献２参照）。
特開平９−１２０９７５号公報 特開２００１−１８５５７９号公報

しかしながら、従来の方法で樹脂の特性を変更したり、塗布する際の条件を改善するなどしたりして、封止樹脂外形の狭化は可能であるが、それ以上の狭領域での封止技術への展開は困難である。このとき、何らかの方法で段差を形成して樹脂の流れ出しを抑制する方法でも、段差を形成するために、工程が増え生産タクトが延びたり、そのために従来の設備を改造したりして対応しないといけないという問題が発生する。

また、ＦＰＤ用のドライバ用半導体装置に関しては、折り曲げした状態で２次実装されることも多く（図１０）、封止樹脂とフィルムキャリアの封止外側縁際での密着強度なども向上することが要求されている。また、図１１に示すように、封止の領域が狭められないと、ＦＰＤパネル６０に半導体装置を実装した場合、ＦＰＤパネル６０の周辺部品と半導体装置が干渉して、半導体チップが割れてしまったり、ＦＰＤパネル６０の設計制約が増して、ＦＰＤパネル６０の薄型化、狭額縁化が実現できないと言う問題点があった。

したがって、上記問題点を解決するために、本気的に接続する配発明の目的は、フリップチップ実装する半導体チップの液状樹脂封止に対して、隙間封止して半導体チップの領域外にはみ出る樹脂の外形サイズを最小限にして、二次実装の自由度を向上することのできる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の半導体装置は、配線基板上に搭載された半導体チップを樹脂封止して成る半導体装置であって、前記配線基板が、前記半導チップの電極端子と電気的に接続される電極と、前記電極を露出しながら前記配線基板表面を保護するレジスト層と、前記電極と半導体装置の外部端子とを電線パターンと、封止外側端部の前記配線パターン上に形成される１または複数の金属突起とを有し、前記金属突起が封止樹脂の流出をせき止めることを特徴とする。

請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、前記金属突起が、前記封止外側端部に千鳥状に配列されることを特徴とする。
請求項３記載の半導体装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置において、一部の前記金属突起が、前記封止樹脂および前記レジスト層から露出することを特徴とする。

請求項４記載の半導体装置の製造方法は、請求項１または請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体装置を構成する配線基板の製造方法であって、所定の金属配線パターンを形成する工程と、感光性レジスト膜を塗布する工程と、スリットマスクを用いて前記感光性レジスト膜の前記電極および前記金属突起の形成位置を同時に露光する工程と、前記感光性レジスト膜を除去する工程と、前記電極および前記金属突起をめっき成長して同時に形成する工程とを有し、前記配線基板の製造工程において、前記電極および前記金属突起を同一工程で同時に形成することを特徴とする。

以上により、フリップチップ実装する半導体チップの液状樹脂封止に対して、隙間封止して半導体チップの領域外にはみ出る樹脂の外形サイズを最小限にして、二次実装の自由度を向上することができる。

以上のように、本発明は、配線基板の電極突起と同一の工程で同時に形成した金属突起を、半導体装置の封止外側縁部分に有することにより、封止樹脂の流出をせき止め、フリップチップ実装する半導体チップの液状樹脂封止に対して、隙間封止して半導体チップの領域外にはみ出る樹脂の外形サイズを最小限にして、二次実装の自由度を向上することができる。

本発明の半導体装置は、封止外側縁部分周辺のフィルムキャリアの配線上に複数の金属突起を形成する。
これにより、ＮＣＰ樹脂がフリップチップ実装された際、半導体チップとフィルムキャリアの隙間よりはみ出る樹脂は、この金属突起が形成されているので、せき止められる。フリップチップ実装後、押圧しながら熱を加える際、ＮＣＰ樹脂は軟化し濡れ広がるが、この時も同様に、前記金属突起が樹脂の濡れ広がりを抑制し、所定の樹脂外形サイズ内での外形形成を実現できる。

さらに、フィルムキャリアの配線保護に用いるソルダーレジストの半導体チップが載置される周辺の、設計上の内側端縁位置を封止樹脂外側縁と重ねる位置まで後退させる。これにより、金属突起を複数形成する場合は、一部の金属電極が露出した状態になる。

これにより、封止樹脂が濡れ広がる場合、配線上の金属突起の段差の影響を受けやすくなり、せき止める効果が増す。また、フィルムキャリアを形成する際に配線保護用のソルダーレジストを塗布するのであるが、このソルダーレジスト樹脂も液状でスクリーン印刷されるので、内側端縁は、±０．１５ｍｍ程度の精度でしか内側端縁ラインをコントロールできず、前記金属突起を形成しておけば、封止樹脂同様にソルダーレジストをせき止めることが可能になる。封止外側縁ラインとソルダーレジスト内側端縁ラインの相対位置を効果的に設計すれば、前記金属突起上にソルダーレジストが積み重なり２重の厚みで、ＮＣＰ樹脂をせき止める段差を形成することも可能である。

さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、今回のフィルムキャリアの特徴を活かして、インナーリード先端に電極バンプを形成する際の、露光マスクに、金属突起を形成する複数配線と交差するスリットを設計上の封止樹脂外側縁周辺に形成して金属突起を作る製造方法とする。

これにより、新たな工程を追加することなく、封止外側縁部の配線上に金属突起による段差を形成し、樹脂をせき止めることができる。
以下、本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法について詳細に説明する。

本発明において、半導体チップは、たとえば平面形状が長方形であり、この半導体チップの周辺部に沿って電極端子である複数の電極パッドが並べられて形成されている。この半導体チップには、たとえばシリコン単結晶などの半導体基板上に論理回路、記憶回路などの所定の集積回路が形成されている。

フィルムキャリアは、基材となるフィルム（基板基材）と、このフィルムの主面上にＣｕなどの金属を積層して形成する。もしくは、Ｃｕ箔などの基材にポリイミドなどを積層させてフィルムキャリアを形成する。このフィルムキャリアを構成する配線パターンは、その一端つまりインナーリード上の電極突起と半導体チップの電極パッドが接続され、また他端つまりアウターリードが外部端子を介して外部回路に接続される構成となっている。なお、配線パターンの本数は、半導体チップの電極パッドの数に応じて適宜決定される。

フィルムキャリアを構成する基板材料は、たとえばポリイミド樹脂などの材料から構成され、また配線パターンには、たとえばＣｕなどの材料が用いられる。この配線パターンのインナーリード部分には銅の突起を形成し、さらにインナーリード、アウターリードの部分は、芯材の表面および裏面に、たとえばＡｕなどの材料によるめっき層が形成されている。

ソルダーレジスト層は、たとえばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などによる絶縁材料から構成され、フィルムキャリアの配線パターンの露出部分を電気的に保護するために、この配線パターンの主面上に所定の範囲で形成される。

封止樹脂は、たとえばエポキシ樹脂などの材料から構成され、フィルムキャリアおよび半導体チップの隙間部に封入されて、半導体チップの電極パッドとインナーリード金属突起とのボンディング部分を覆い、ボンディング部分に対する外部からの応力を防ぐとともに、湿気や汚染物質などの外部環境から保護している。

そして、配線パターンは、各端部（インナーリード）が半導体チップの１つの長辺から半導体チップの中へ延出して半導体チップの電極パッドに接続される第１パターングループと、各端部（インナーリード）が半導体チップの他の長辺から半導体チップの中へ延出して半導体チップの電極パッドに接続される第２パターングループと、各端部（インナーリード）が半導体チップの１つの短辺から半導体チップの中へ延出して半導体素子の突起電極に接続される第３パターングループと、各端部（インナーリード）が半導体チップの他の短辺から開口部の中へ延出して半導体素子の突起電極に接続される第４パターングループとからなり、第１〜第４パターングループが第１および第２パターングループの少なくとも１グループを除いて半導体チップの各辺から所定距離にわたってソルダーレジスト層で被覆され、かつ、基板の半導体チップが載置される周縁および半導体チップとフィルムキャリアの隙間部が封止樹脂によって包まれている。

本発明の半導体装置は次のような工程により製造される。始めに、ウェハ処理工程が完了した半導体チップ、可撓性フィルム上にインナーリードおよびアウターリードを有する配線パターンが形成されたフィルムキャリア、樹脂封止のための樹脂などを用意する。フィルム基板は、たとえばリールに巻回されたＴＡＢテープである。

フィルムキャリアは、ポリイミド樹脂などからなるフィルムの上に薄いＣｕなどの金属膜を形成し、写真技術を用いて金属膜上に必要なパターンをレジストにより形成した後、エッチングにより必要な配線パターンを形成し、さらに同様に、配線パターン上に必要な金属突起を形成する為のレジスト溝を形成した後、そのレジスト溝にめっき法でＣｕなどの金属を配線上に形成する。その後、配線パターンのインナーリードおよびアウターリードの表面にＡｕめっき処理を施したあと、ソルダーレジストを所定の範囲に施してフィルムキャリアを作ることができる。

続いて、インナーリードと半導体チップのフリップチップボンディング工程において、リールに巻かれた状態から、１個の半導体素子に相当する分だけ順次供給されるフィルムキャリアにＮＣＰ樹脂を所定の範囲にディスペンサーなどを用いて塗布し、次に配線パターンの一端のインナーリード電極突起部と、半導体チップの電極パッドとの相対位置が一致するように、位置合わせを行う。

そして、半導体チップを、ボンディングツールによりフィルムキャリアの電極突起に打ち下ろし、たとえばＮＣＰ樹脂を熱硬化させるなどの手法によりインナーリード電極との電極パッドの接続（ボンディング）を行う。

最後に、最終的な半導体装置としての電気的特性を検査し組み立て工程が完了する。なお、この組み立て工程が完了した半導体装置は、リールに巻回されたテープ状態で包装された後にユーザに対して出荷される。

その後、ユーザにおいては、たとえば、必要な半導体装置部分をテープ状態より切り取り、たとえば入力側のアウターリードをプリント配線基板の配線上に異方性導電シートを介して接続し、また出力側のアウターリードも同様に接続してＬＣＤなどのＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌｙ）に接続し、たとえばノート型パーソナルコンピュータなどのＬＣＤを駆動するためのＬＣＤドライバ、携帯電話機などのＬＣＤコントローラなどとして用いることができる。

以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する。なお、共通の構成要素には共通の符号を付してその説明を省略している。
以下、図を用いて具体的な実施例を挙げて詳細に説明する。
（実施例１）
まず、実施例１における半導体装置および半導体装置の製造方法について、図１，図２，図３を用いて説明する。

図１は実施例１における半導体装置を上面より見た概略図、図２は実施例１における半導体装置のＡ−Ａ’断面図、図３は実施例１におけるフリップチップ実装フローを説明する図である。

ここでは、フィルムキャリア２０は、ポリイミド樹脂製の可撓性基材の表面に複数本の銅箔の配線パターン２１よりリードを形成したものであり、１．５ｍｍ×１８ｍｍ×０．６５ｍｍの半導体チップ１０がフィルムキャリア２０の表面に載置され、フィルムキャリア２０の上面に設けられた複数の電極突起３１は半導体チップ１０表面の電極パッド１１と接合されている。半導体チップ１０の外側端縁部から封止樹脂の広がりが片側０．８ｍｍに収まるように半導体装置を設計した実施例で以下に示す。

まず、インナーリード２１ａとアウターリード２１ｂの間の配線部分には、半導体チップ１０外側縁部より０．２ｍｍから０．８ｍｍ離れた０．６ｍｍ間隔範囲の配線上に金属突起３０を０．０７５ｍｍピッチ間隔で、全ての配線リード毎に８個形成する（図面は簡略的に２個表示）。
このとき、半導体チップ１０の長辺側に延出しているインナーリード２１ａのピッチは、一方の長辺が２００μｍピッチから５００μｍピッチ間隔で不均一に配線されており、他方の長辺は４５μｍピッチで均一に設計されている。インナーリード２１ａ配線間隔が不均一な長辺側では、最小ピッチ２００μｍ間隔以上になるようにダミーの配線２１Ｃを置いた。

このときのインナーリード配線幅は、両長辺とも１２μｍ、厚みは８μｍとし、インナーリード２１ａの先端部分の電極突起３１のサイズは、インナーリードに沿う方向の長さを３０μｍ、突起の幅を３０μｍ、突起の高さを１０μｍ（配線厚みと併せて１８μｍ）で設定した。

また、配線上に形成する封止樹脂止め部分の金属突起３０のサイズは、配線ピッチが大きく、配線が不均一な長辺では、まず、配線の引き回し途中で配線幅を１２μｍから２５μｍに広げた状態で、配線に沿う金属突起３０の長さで５０μｍ、幅で４３μｍ、高さは１０μｍ（配線厚みと併せて１８μｍ）とした。他方長辺の狭ピッチ配線部分の金属突起３０のサイズは、それぞれ長さ５０μｍ、幅３０μｍ、高さ１０μｍ（配線厚みと併せて１８μｍ）とした。樹脂をせき止めに用いる配線上の金属突起３０のサイズは、インナーリード２１ａ先端部分の電極突起３１に比べ大きくし、金属突起３０の数も十分効果が得られるように、広範囲で金属突起形成を行う。

ソルダーレジスト４０の印刷領域は、半導体チップ１０外側端縁部より、ソルダーレジスト４０内側縁部分が０．４ｍｍ離れた位置を設計値のセンターとして設計を行った。ソルダーレジスト４０のスクリーン印刷での精度は一般的に±１５０μｍであるので、この数値と、封止樹脂の濡れ広がりによる封止樹脂外側縁位置の寸法交差を考慮して、インナーリードがＮＣＰ樹脂５０か、もしくはソルダーレジスト４０で確実に覆われるようにフィルムキャリア設計を行う。

半導体チップ１０短辺側も同様に設計すればよいのであるが、今回の実施例では省略した。
次に、ＮＣＰ樹脂５０を用いたフリップチップ実装フローを図３の工程フロー図面を用いて説明する。

まず、リールより搬送されたフィルムキャリア２０をボンディングステージ５３上に吸着する。この状態で、ディスペンサー５１でＮＣＰ樹脂５０をフィルムキャリア２０上に塗布する。塗布領域は、半導体チップ１０が載置される領域より、フィルム搬送精度、シリンジのニードル径、ディスペンサー５１の吐出圧、ＮＣＰ樹脂５０の粘土などを考慮して、若干大きな範囲に塗布を行う。今回は、半導体チップサイズより片側０．２ｍｍ離れた位置（１．９ｍｍ×１８．４ｍｍの範囲）まで、ＮＣＰ樹脂５０を塗布する（図３（ａ））。

次に、半導体チップ１０電極パッド１１とフィルムキャリア２０の電極突起３１の相対位置をフリップチップボンダーに記憶させ、半導体チップ１０表面を下に向け、フィルムキャリア２０上にフリップチップ実装を行う（図３（ｂ））。このときのボンディングステージ５３の温度は常温、ボンディングツール５２の温度は１７０℃、接合時点での保持時間は２．０ｓｅｃで接合を行う（使用するＮＣＰ樹脂５０により条件は異なる）。ＮＣＰ樹脂５０は熱が加わり軟化してフィレット形成をしながら硬化を完了させる（図３（ｃ））。
（実施例２）
次に、実施例２における半導体装置および半導体装置の製造方法について、図４，図５を用いて説明する。

図４は実施例２における半導体装置を上面より見た概略図、図５は実施例２における半導体装置のＡ−Ａ’断面図である。
インナーリードピッチが更に細かくなり、半導体チップ１０の一方の長辺の電極パッド１１のピッチが３５μｍ程度の時を想定して、配線上の金属突起３０の構成を説明する。このときの封止領域は、実施例１と同様に半導体チップ１０より最大０．８ｍｍまでの封止領域として設定して考える。また、もう一方のピッチの粗い長辺の設定は、実施例１と同じ設定とする。他実施例１と共通する部分の説明は省略する。

長辺の電極パッド１１が、３５μｍの狭ピッチ化になっても、インナーリード２１ａ及び、配線パターン２１の幅は１２μｍ以下では形成不可能である。また、本発明の特徴である配線上の金属突起３０も形成方法を変えるとメリットが薄れるので変更できない。そうすると、必然的に配線上のバンプ幅の３０μｍが、狭ピッチになった場合問題になる。そこで、配線を一本飛ばしに配線上の金属突起３０を形成し、残りの配線上に、先に形成した金属突起３０の形成位置からずらした位置に金属突起３０を形成して、千鳥形状に金属突起３０を形成する。まず、バンプ形成させるためのレジスト露光の際、露光マスクを配線の一本飛ばしでバンプが形成できるように加工する。スリット形状での一括露光は出来なくなるが、隣接間配線同士の非導体間隔は、配線ピッチが４５μｍピッチの場合で４５μｍ−バンプ幅（３０μｍ）＝１５μｍ、一本飛ばした場合で３５μｍピッチでの配線間隔の場合で、３５μｍ−バンプ幅の半分（１５μｍ）−配線の半分（６μｍ）＝１４μｍと、４５μｍ配線ピッチと同等で金属突起３０を形成することが出来る。ただし、隣接間の配線のフィルムキャリアと露光マスクズレの影響を受けるので、露光ズレを考慮した露光マスク設定が必要である。
（実施例３）
次に、実施例３における半導体装置および半導体装置の製造方法について、図６を用いて説明する。

図６は本発明のフィルムキャリア製造フローを示す工程断面図である。
フィルムキャリア２０の配線パターン２１上への金属突起３０の形成方法としては、図６のフィルムキャリア製造フローを参照しながら説明を行う。

まず、（図６（ａ））では銅箔とポリイミド基材の２層構造のフィルムキャリア２０に感光性レジスト８０を塗布し、露光マスク７０で配線パターンを焼き付け、感光性レジスト８０除去後、銅箔をエッチングして、所要の配線パターンを形成する。（図６（ｂ））次に、再度感光性レジスト８０を塗布して、インナーリード先端部分の接合用の電極突起の位置と、引き回し配線上で、封止樹脂外側縁部分周辺に樹脂せき止め用の金属突起形成用の位置にをスリットを形成した露光マスク７０で露光する。（図６（ｃ））レジスト除去後、配線部分にＣｕをめっき成長させて、所要の高さの電極突起３１および金属突起３０を同時に形成する。（図６（ｄ））レジスト除去後、金めっきを施して、（図６（ｅ））実施例１で説明した位置に、ソルダーレジスト４０を塗布して一連のフィルムキャリアの製造を完了させる。

以上の実施例で説明したように、本発明の半導体装置では、樹脂をせき止める複数の金属突起段差形成は、新たな工程を追加することなく、接合用の金属突起を形成する時に、同時に形成することが出来る。また、この実装構造を採用すると、金属突起により、封止用樹脂をせき止めることができるので、半導体装置自体も小さくすることができ、半導体材料（キャリア基材など）のコストを抑制できるとともに、二次実装時の半導体が占める面積も小さくすることができる。ここで、樹脂とソルダーレジストが重ならないように設計し、樹脂とソルダーレジスト間に金属突起を形成して、金属突起により樹脂と同様にソルダーレジストの流出をせき止める構造にすることも可能である。

さらに、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌｙ）用のドライバとして本半導体装置を使用する場合、（折り曲げ実装するような場合が多い）、半導体チップから実装外部端子までの距離の自由度に余裕ができるので、本半導体装置をパネルへの実装する際の自由度が向上し、パネル設計自体の自由度が増す。ここで、半導体装置を折り曲げ実装する際、封止樹脂とキャリア基材際の界面に応力集中するような場合があるが、本構造の半導体装置では、封止樹脂をせき止める金属突起段差が樹脂へのアンカー効果を出し密着強度が向上し信頼性も向上する。また、キャリア基材の配線保護用レジスト塗布の際、本発明の金属突起は、封止樹脂と同様に保護用レジストも金属突起段差によりせき止めることが可能で、レジスト塗布領域の精度アップにもつながる。

以上、詳述したように本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法によれば、半導体装置の製造装置を大きな改造することなく、フリップチップ実装する半導体チップの液状樹脂封止に対して、隙間封止して半導体チップの領域外にはみ出る樹脂の外形サイズを最小限にして、二次実装の自由度を向上することができる。

本発明は、フリップチップ実装する半導体チップの液状樹脂封止に対して、隙間封止して半導体チップの領域外にはみ出る樹脂の外形サイズを最小限にして、二次実装の自由度を向上することができ、フリップチップなどの接合工法により半導体チップを回路基板や配線基板へ実装する半導体装置および半導体装置の製造方法等に有用である。

実施例１における半導体装置を上面より見た概略図 実施例１における半導体装置のＡ−Ａ’断面図 実施例１におけるフリップチップ実装フローを説明する図 実施例２における半導体装置を上面より見た概略図 実施例２における半導体装置のＡ−Ａ’断面図 本発明のフィルムキャリア製造フローを示す工程断面図 従来の半導体装置を上面より見た概略図 従来の半導体装置のＡ−Ａ’断面図 従来の半導体装置のインナーリード先端部の金属突起を示す概略図 従来の半導体装置を説明するためのＬＣＤパネルの概略図 ＬＣＤパネルのＡ−Ａ’断面図 従来のフィルムキャリア製造フローを示す工程断面図

符号の説明

１０ 半導体チップ
１１ 電極パッド
２０ フィルムキャリア
２１ 配線パターン
２１ａ 配線インナーリード
２１ｂ 配線アウターリード
３０ 金属突起
３１ 電極突起
４０ ソルダーレジスト
５０ ＮＣＰ樹脂
５１ ディスペンサー
５２ ボンディングツール
５３ ボンディングステージ
６０ ＦＰＤパネル
７０ 露光マスク
８０ 感光性レジスト

Claims (4)

1. 配線基板上に搭載された半導体チップを樹脂封止して成る半導体装置であって、
   前記配線基板が、
   前記半導体チップの電極端子と電気的に接続される電極と、
   前記電極を露出しながら前記配線基板表面を保護するレジスト層と、
   前記電極と半導体装置の外部端子とを電気的に接続する配線パターンと、
   封止外側端部の前記配線パターン上に形成される１または複数の金属突起と
   を有し、前記金属突起が封止樹脂の流出をせき止めることを特徴とする半導体装置。
2. 前記金属突起が、前記封止外側端部に千鳥状に配列されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 一部の前記金属突起が、前記封止樹脂および前記レジスト層から露出することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
4. 請求項１または請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体装置を構成する配線基板の製造方法であって、
   所定の金属配線パターンを形成する工程と、
   感光性レジスト膜を塗布する工程と、
   スリットマスクを用いて前記感光性レジスト膜の前記電極および前記金属突起の形成位置を同時に露光する工程と、
   前記感光性レジスト膜を除去する工程と、
   前記電極および前記金属突起をめっき成長して同時に形成する工程と
   を有し、前記配線基板の製造工程において、前記電極および前記金属突起を同一工程で同時に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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