JP2006310477A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
- H01L2224/81815—Reflow soldering
Abstract
【解決手段】 上面及び下面に所定パターンの配線を有し上面及び下面の前記配線の一部は上下面を貫通する配線で接続される配線基板と、配線基板の上面配線に半田を介して電極がフリップ・チップ接続される半導体チップと、配線基板の下面配線に重ねて形成される外部電極端子とを有する半導体装置であって、電極が接続される配線表面部分はその周囲の配線部分よりも窪みかつ窪み上の半田は他の配線表面の半田よりも厚くなっている。また、配線基板の上面と半導体チップの下面の隙間には絶縁性樹脂が充填されて封止体が形成され、封止体によって隙間が塞がれている。
【選択図】 図9
Description
そこで、本発明者は、配線において金スタッド電極の接続位置に半田の盛り上がり部を形成しておくことを考え本発明をなした。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
第1の面及びこの第1の面の反対面となる第2の面に所定パターンの配線を有し、前記第1及び第2の面の前記配線の一部は前記第1の面及び第2の面間を貫通する配線で接続される配線基板と、
前記配線基板の第1の面の前記配線に半田を介して電極が接続(フリップ・チップ接続)される半導体チップと、
前記配線基板の第2の面の前記配線に重ねて形成される外部電極端子とを有する半導体装置であって、
前記電極が接続される前記配線部分の表面はその周囲の配線部分よりも窪み、かつ前記窪み上の前記半田は他の配線表面の半田よりも厚くなっていることを特徴とする。
(a)第1の面及びこの第1の面の反対面となる第2の面に所定パターンの配線を有し、前記第1及び第2の面の前記配線の一部は前記第1の面及び第2の面間を貫通する配線で接続されてなる製品形成部を、縦横に整列配置した配線母基板を準備する工程、
(b)前記各製品形成部の第1の面の前記配線の表面に半田層を形成する工程、
(c)前記各製品形成部の第1の面の前記配線に半導体チップの電極を重ね、前記半田を一時的に溶融して前記配線と前記電極を接続する工程、
(d)前記各製品形成部において、前記配線母基板と前記半導体チップとの隙間を絶縁性樹脂で塞ぐ工程、
(e)前記各製品形成部において、前記配線母基板の第2の面に外部電極端子を形成する工程、
(f)前記配線母基板を前記各製品形成部の境界線で切断して前記製品形成部を個片化する工程によって半導体装置を製造する方法であって、
前記工程(a)では、前記各製品形成部の第1の面の前記電極を接続する前記配線において、
前記電極に対面する配線部分の表面を周囲の配線部分よりも窪んだ窪みに形成しておき、
前記工程(b)と前記工程(c)との間に、
(g)前記半田を一次的に溶融させ、溶融した前記半田が前記窪みに流入して衝突することを利用して前記窪み部分に周囲よりも盛り上がった半田盛り上がり部を形成する工程を行い、
前記工程(c)では、前記半導体チップの前記電極を前記半田盛り上がり部に重ねて前記配線と前記電極を前記半田で接続することを特徴とする。
前記(1)の手段によれば、(a)半導体装置の製造においては、半導体チップのフリップ・チップ接続の前に、半導体チップの電極が接続される配線部分の表面に窪みを設け、その後配線表面に半田膜を形成し、さらに半田膜をリフローする。このリフローによって、溶融した半田は窪み内に周囲から流入しかつ衝突し、窪み内において盛り上がる現象が発生する。そこで、リフロー時間を所定時間内に行うことにより、半田盛り上がり部を維持したまま半田は硬化する。従って、半導体チップのフリップ・チップ接続において、半導体チップの電極(金バンプ電極)を前記半田盛り上がり部に重ねるようにしてリフローすることによって、充分な半田量で金バンプ電極を配線に接続することができる。この結果、配線と電極との接続の信頼性が高い半導体装置を提供することができる。
図8(b)に示すように、窪み13は細長い配線3の途中にその幅員全域に亘って形成されている状態となる。
(1)半導体装置1の製造においては、半導体チップ10のフリップ・チップ接続の前に、半導体チップ10の電極(金スタッド電極11)が接続される配線3部分の表面に窪み13を設け、その後配線3の表面に半田膜16aを形成し、さらに半田膜16aをリフローする。このリフローによって、溶融した半田16は窪み13内に周囲から流入しかつ衝突し、窪み13内において盛り上がる現象が発生する。そこで、リフロー時間を所定時間内に行うことにより、半田盛り上がり部17を維持したまま半田16は硬化する。従って、半導体チップ10のフリップ・チップ接続において、半導体チップ10の電極(金バンプ電極11)を半田盛り上がり部17に重ねるようにしてリフローすることによって、充分な半田量で金バンプ電極11を配線3に接続することができる。この結果配線3と電極(金バンプ電極11)との接続の信頼性が高い半導体装置1を製造することができる。
本実施例3の半導体装置の製造方法では、実施例1の半導体装置の製造方法において、配線(配線3及び金属めっき膜14)上の半田膜16aをリフローした際、窪み13部分に半田盛り上がり部を形成することなく平坦化し、その後、半導体チップ10を接続するものである。
Array)型とすることもできる。
Claims (22)
- 第1の面及びこの第1の面の反対面となる第2の面に所定パターンの配線を有し、前記第1及び第2の面の前記配線の一部は前記第1の面及び第2の面間を貫通する配線で接続される配線基板と、
前記配線基板の第1の面の前記配線に半田を介して電極が接続される半導体チップと、
前記配線基板の第2の面の前記配線に重ねて形成される外部電極端子とを有する半導体装置であって、
前記電極が接続される前記配線部分の表面はその周囲の配線部分よりも窪み、かつ前記窪み上の前記半田は他の配線表面の半田よりも厚くなっていることを特徴とする半導体装置。 - 前記配線は金属箔から形成され、前記配線の表面に金属めっき膜が選択的に形成され、前記金属めっき膜が設けられない部分で前記窪みが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属箔は銅箔からなり、前記金属めっき膜は銅めっき膜であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記半導体チップの電極は金バンプ電極であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記配線基板の第1の面の前記電極が接続される前記配線部分は、前記電極が接続される部分から所定距離離れた部分以遠は絶縁膜で覆われ、前記絶縁膜で覆われない前記配線表面全域に前記半田が付着していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記窪みは細長い前記配線の途中にその幅員全域に亘って形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記窪みは前記配線の一部に形成され、前記窪みの周縁は無端状に繋がっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記配線基板の第1の面と前記半導体チップの隙間には絶縁性樹脂が充填されて前記隙間が塞がれていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- (a)第1の面及びこの第1の面の反対面となる第2の面に所定パターンの配線を有し、 前記第1及び第2の面の前記配線の一部は前記第1の面及び第2の面間を貫通する配線で接続されてなる製品形成部を、縦横に整列配置した配線母基板を準備する工程、
(b)前記各製品形成部の第1の面の前記配線の表面に半田層を形成する工程、
(c)前記各製品形成部の第1の面の前記配線に半導体チップの電極を重ね、前記半田を一時的に溶融して前記配線と前記電極を接続する工程、
(d)前記各製品形成部において、少なくとも前記電極を有する前記半導体チップの面側を絶縁性樹脂で覆う工程、
(e)前記各製品形成部において、前記配線母基板の第2の面に外部電極端子を形成する工程、
(f)前記配線母基板を前記各製品形成部の境界線で切断して前記製品形成部を個片化する工程によって半導体装置を製造する方法であって、
前記工程(a)では、前記各製品形成部の第1の面の前記電極を接続する前記配線において、前記電極に対面する配線部分の表面を周囲の配線部分よりも窪んだ窪みに形成しておき、
前記工程(b)と前記工程(c)との間に、
(g)前記半田を一次的に溶融させ、溶融した前記半田が前記窪みに流入して衝突することを利用して前記窪み部分に周囲よりも盛り上がった半田盛り上がり部を形成する工程を行い、
前記工程(c)では、前記半導体チップの前記電極を前記半田盛り上がり部に重ねて前記配線と前記電極を前記半田で接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記工程(b)では、前記配線の表面にめっきによって前記半田膜を形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(b)では、(j)前記配線の表面に界面活性剤を塗布する工程、
(k)前記配線の表面に半田粉末を塗布して前記界面活性剤の作用によって半田粉末層を形成する工程を行い、
その後、前記工程(g)では、前記半田粉末層を一次的に溶融させて、前記窪み部分に前記半田盛り上がり部を形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)では、前記配線を金属箔から形成し、前記配線の表面に金属めっき膜を選択的に形成して、前記金属めっき膜が設けられない部分で前記窪みを形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(a)では、前記配線を銅箔で形成し、前記配線の表面に銅めっき膜を選択的に形成して、前記銅めっき膜が設けられない部分で前記窪みを形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(a)の配線母基板を準備する工程では、前記各製品形成部の第1の面の前記電極が接続される前記配線部分を細長い配線に形成し、この細長い配線の途中にその幅員全域に亘って前記窪みを形成した配線母基板を準備することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(a)の配線母基板を準備する工程では、前記各製品形成部の第1の面の前記電極が接続される前記配線部分の一部に、周縁が無端状に繋がる前記窪みを形成した配線母基板を準備することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(c)で使用する前記半導体チップは、その電極を金バンプ電極で形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(a)では、前記配線母基板としては、前記各製品形成部の第1の面の前記電極が接続される前記配線部分において、前記電極が接続される部分から所定距離離れた部分以遠を絶縁膜で覆った構造の配線母基板を準備し、
前記工程(b)では、前記絶縁膜で覆われない前記配線表面全域に前記半田膜を形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)では、前記配線母基板と前記半導体チップとの隙間を絶縁性樹脂で塞ぐことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- (a)第1の面及びこの第1の面の反対面となる第2の面に所定パターンの配線を有し、前記第1及び第2の面の前記配線の一部は前記第1の面及び第2の面間を貫通する配線で接続されてなる製品形成部を、縦横に整列配置した配線母基板を準備する工程、
(b)前記各製品形成部の第1の面の前記配線の表面に半田層を形成する工程、
(c)前記各製品形成部の第1の面の前記配線に半導体チップの電極を重ね、前記半田を一時的に溶融して前記配線と前記電極を接続する工程、
(d)前記各製品形成部において、前記配線母基板と前記半導体チップとの隙間を絶縁性樹脂で塞ぐ工程、
(e)前記各製品形成部において、前記配線母基板の第2の面に外部電極端子を形成する工程、
(f)前記配線母基板を前記各製品形成部の境界線で切断して前記製品形成部を個片化する工程によって半導体装置を製造する方法であって、
前記工程(a)では、前記各製品形成部の第1の面の前記電極を接続する前記配線において、前記電極に対面する配線部分の表面を周囲の配線部分よりも窪んだ窪みに形成しておき、
前記工程(b)と前記工程(c)との間に、
(g)前記半田を一次的に溶融させて前記窪み領域を含めて前記半田表面を平坦化する工程を行い、
前記工程(c)では、前記半導体チップの前記電極を前記窪みの厚い前記半田部分に重ねて前記配線と前記電極を前記半田で接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)では、前記配線を金属箔から形成し、前記配線の表面に金属めっき膜を選択的に形成して、前記金属めっき膜が設けられない部分で前記窪みを形成することを特徴とする請求項19に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(b)では、前記配線の表面にめっきによって前記半田膜を形成することを特徴とする請求項19に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(b)では、(j)前記配線の表面に界面活性剤を塗布する工程、
(k)前記配線の表面に半田粉末を塗布して前記界面活性剤の作用によって半田粉末層を形成する工程を行い、
その後、前記工程(g)では、前記半田粉末層を一次的に溶融させて、表面が平坦な前記半田膜を形成することを特徴とする請求項19に記載の半導体装置の製造方法。
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