JP2006309914A - 半導体メモリ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】データが印加される間だけデータストローブ信号を分周して、順次活性化される複数のアライメント制御信号を生成するためのアライメント制御信号生成手段と、前記複数のアライメント制御信号に応答して連続的に印加される複数のデータを同時に複数のアライメントデータに出力するためのデータアライメント手段とを備える。
【選択図】図4
Description
本発明の一側面に係る半導体メモリ素子の前記複数のアライメント制御信号は、前記書き込みフラグ信号の活性化以後に印加されるデータストローブ信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに同期されて活性化される第1ないし第4アライメント制御信号である。
図9は、図4に示されているように、本発明の動作タイミングチャートであるため、半導体メモリ素子が順次印加されるデータを1つの時点に同期させて出力するために、有するアライメントの過程を図面を参照して具体的に説明する。
尚、本発明は、上記の本実施の形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
200 データアライメント部
Claims (8)
- データが印加される間だけデータストローブ信号を分周して、順次活性化される複数のアライメント制御信号を生成するためのアライメント制御信号生成手段と、
前記複数のアライメント制御信号に応答して連続的に印加される複数のデータを同時に複数のアライメントデータに出力するためのデータアライメント手段と、
を備えることを特徴とする半導体メモリ素子。 - 前記アライメント制御信号生成手段は、
書き込みフラグ信号の入力を通してデータの印加如何を判別し、前記データストローブ信号が有する周波数を2分周し、前記複数のアライメント制御信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子。 - 前記複数のアライメント制御信号は、
前記書き込みフラグ信号の活性化以後に印加されるデータストローブ信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに同期されて活性化される第1ないし第4アライメント制御信号であることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ素子。 - 前記アライメント制御信号生成手段は、
前記書き込みフラグ信号の活性化に応答し、前記データブストローブ信号を2分周して出力するための分周部と、
該分周部の正出力及び負出力を前記データストローブ信号に同期させ、前記第1ないし第4アライメント制御信号に出力するための出力部と、
を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ素子。 - 前記出力部は、
前記分周部の正出力と前記データストローブ信号とを受け取って、前記第1アライメント制御信号を出力するための第1NANDゲートと、
前記第1アライメント制御信号を反転させ、前記第2アライメント制御信号に出力するための第1インバータと、
前記分周部の負出力と前記データストローブ信号とを受け取って、前記第3アライメント制御信号を出力するための第2NANDゲートと、
前記第3アライメント制御信号を反転させ、前記第4アライメント制御信号に出力するための第2インバータと、
を備えることを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ素子。 - 前記分周部は、
前記データストローブ信号の活性化に応答して、第1ノードに掛かった電圧を第2ノードに伝達するための第1トランスファーゲートと、
前記データストローブ信号の活性化に応答して、前記第2ノードに掛かった電圧を第3ノードに伝達するための第2トランスファーゲートTG1と、
前記第3ノードに掛かった電圧と前記書き込みフラグ信号とを入力とする第3NANDゲートと、
該第3NANDゲートの出力信号を反転させるための第3インバータと、
前記データストローブ信号の非活性化に応答して、前記第3インバータの出力信号を前記第3ノードに伝達するための第2トランスファーゲートと、
前記データストローブ信号の非活性化に応答して、前記第3NANDゲートの出力信号を前記第1ノードに伝達するための第3トランスファーゲートと、
前記第1ノードに掛かった電圧を反転させて、出力するための第4インバータと、
該第4インバータの出力信号を反転させて、前記第2ノードに出力するための第5インバータと、
該第5インバータの出力を反転させて出力するための第6インバータと、
該第6インバータの出力信号を遅延させて、前記正出力に出力するための第1遅延部と、
前記第4インバータの出力信号を遅延させて、前記負出力に出力するための第2遅延部と、
を備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ素子。 - 前記書き込みフラグ信号の活性化以前、前記分周部の前記正出力は、論理レベル「H」に初期化され、前記負出力は、論理レベル「L」に初期化されることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ素子。
- 前記データアライメント手段は、
データ及び反転データをそれぞれ供給するための第1及び第2ドライバーと、
前記第1アライメント制御信号に応答して、前記第1及び第2ドライバーの出力信号を印加され、正出力及び負出力を出力するための第1フリップフロップと、
前記第2アライメント制御信号に応答して、前記第1及び第2ドライバーの出力信号を印加され、正出力及び負出力を出力するための第2フリップフロップと、
前記第3アライメント制御信号に応答して、前記第1及び第2ドライバーの出力信号を印加され、正出力及び負出力を出力するための第3フリップフロップと、
前記第4アライメント制御信号に応答して、前記第1ないし第3フリップフロップの正出力及び負出力を印加されるための第4ないし第6フリップフロップと、
前記第4アライメント制御信号に応答して、前記第1及び第2ドライバーの出力信号を印加され、正出力及び負出力を出力するための第7フリップフロップと、
前記第4ないし第7フリップフロップの正出力をそれぞれ前記第1ないし第4アライメントデータに出力するための第3ないし第6ドライバーと、
を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ素子。
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