JP2006295198A - 磁気トンネル接合素子およびその形成方法ならびに磁気メモリセルおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の磁気メモリセルは、MTJ素子1と、これをその積層方向において挟んで対向するワード線21およびビット線31を備える。MTJ素子1は、最上層にキャップ層11を含むスタック10と、このスタック10の周囲を、端面10Tと接するように取り囲み、かつ、シリコン窒化物からなるスペーサ33と、このスペーサ33の周囲を取り囲むシリコン酸化物層51とを備える。キャップ層11の上面11Sは、シリコン酸化物層51の上面51Sよりもワード線21から離れる方向へ突き出している。スペーサ33によって短絡を抑制することができる。さらに、上面11Sとビット線31との確実かつ良好な接続を容易に可能とする構造となっている。
【選択図】図1
Description
まず、図1を参照して、本発明の第1の実施の形態に係る磁気メモリセルの構成について説明する。なお、本発明の磁気トンネル接合(MTJ)素子は、上記の磁気メモリセルに含まれるものであるので、以下併せて説明する。
次に、図6〜図11を参照して、本発明の第2の実施の形態に係る磁気メモリセルおよびその製造方法について説明する。ここでは、上記第1の実施の形態における磁気メモリセルおよびその製造方法と異なる部分のみ説明し、それ以外については適宜省略する。
Claims (17)
- 基板上に、最上層にキャップ層を含む磁気トンネル接合スタックを形成する工程と、
第1の等方性デポジションにより、前記磁気トンネル接合スタックおよび基板を覆うようにシリコン窒化物層を形成する工程と、
前記シリコン窒化物層に異方性エッチングを施すことにより、前記キャップ層を完全に露出させると共に、前記磁気トンネル接合スタックの端面を覆うスペーサを形成する工程と、
第2の等方性デポジションにより、全体を覆うようにシリコン酸化物層を形成する工程と、
化学機械研磨(CMP)処理により、前記シリコン窒化物層およびキャップ層に対する研磨速度よりも高い研磨速度で前記シリコン酸化物層を選択的に除去し、平坦化する工程と
を含むことを特徴とする磁気トンネル接合素子の形成方法。 - 前記異方性エッチングについては、90sccmのアルゴン(Ar)ガスと、45sccmの四フッ化炭素(CF4)ガスと、10sccmの三フッ化メタン(CHF3)ガスと、10sccmの酸素(O2)とを供給すると共に、供給電力を400ワット(W)とし、圧力を6.665Paとして行う
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。 - 基板上に、最上層にキャップ層を含む磁気トンネル接合スタックを形成する工程と、
第1の等方性デポジションにより、前記磁気トンネル接合スタックおよび基板を覆うようにシリコン窒化物層を形成する工程と、
第2の等方性デポジションにより、前記シリコン窒化物層全体を覆うように第1のシリコン酸化物層を形成する工程と、
前記第1のシリコン酸化物層に異方性エッチングを施すことにより、前記シリコン窒化物層のうちの前記キャップ層を覆う部分を露出させると共に、前記シリコン窒化物層のうちの前記磁気トンネル接合スタックの端面と接する部分を覆うマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンを利用して前記シリコン窒化物層のうちの前記キャップ層を覆う部分を除去することにより、L字型のスペーサを形成する工程と、
前記第2の等方性デポジションにより、全体を覆うように第2のシリコン酸化物層を形成する工程と、
化学機械研磨(CMP)処理により、前記シリコン窒化物およびキャップ層に対する研磨速度よりも高い研磨速度で前記第2のシリコン酸化物層を選択的に除去し平坦化することで、前記キャップ層およびL字型スペーサを含む平坦面を形成する工程と
を含むことを特徴とする磁気トンネル接合素子の形成方法。 - 前記異方性エッチングは、65sccmのアルゴン(Ar)ガスと、10sccmの四フッ化炭素(CF4)ガスと、35sccmの三フッ化メタン(CHF3)ガスとを供給し、供給電力を375ワット(W)とし、圧力を26.66Paとして行う
ことを特徴とする請求項3に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。 - 前記第1の等方性デポジションについては、
ビスターシャルブチルアミノシラン(BTBAS)ガスを、40sccm以上100sccm以下の流量で供給し、
アンモニアガスを、前記ビスターシャルブチルアミノシランガスに対して2:1から8:1の流量比となるように供給し、
全圧が39.99Pa以上66.65Pa以下となるようにして低圧化学気相蒸着(LPCVD)法によって行う
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。 - 前記第2の等方性デポジションについては、
200℃以上500℃以下の温度範囲において、テトラエトキシシラン(TEOS)を利用したプラズマ化学気相成長(PECVD)法によって行う
ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。 - 酸化セリウム(CeO2)および酸化珪素(SiO2)のうちの少なくとも1種を含むと共に9以上11以下のpH値を示す砥粒を有する高選択性スラリーを150ml/min.以上250ml/min.以下の割合で供給しつつ、ポリウレタンからなるパッドを13.79kPa以上27.58kPa以下の圧力で押し当て、30rpm以上50rpm以下の回転数で、2.724kg以上3.632以下の荷重でパッドコンディショニングを行いながら前記化学機械研磨処理を行う
ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。 - 前記シリコン酸化物層の上面に対する前記キャップ層の上面の突出量が20nm以上40nm以下となるように前記化学機械研磨処理を行う
ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。 - 最上層にキャップ層を含む磁気トンネル接合スタックと、
前記磁気トンネル接合スタックの周囲を少なくとも前記キャップ層の端面と接するように取り囲み、かつ、シリコン窒化物によって構成されたスペーサと、
前記スペーサと接するようにその周囲を取り囲むシリコン酸化物層と
を基体上に備え、
前記キャップ層は、前記シリコン酸化物層の上面よりも前記基体から遠ざかる方向に突き出ている
ことを特徴とする磁気トンネル接合素子。 - 前記スペーサの厚みは、前記キャップ層の上面位置から前記シリコン酸化物層の上面位置へ向かうに従って増大しており、前記キャップ層の上面位置において零であり、かつ、前記シリコン酸化物層の上面位置において0.1μmである
ことを特徴とする請求項9に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記スペーサは、前記磁気トンネル接合スタックの端面の全てと接するように取り囲んでいる
ことを特徴とする請求項9に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記スペーサは、50nm以上100nm以下の範囲で一定の厚さを有している
ことを特徴とする請求項11に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記シリコン酸化物層は、60nm以上100nm以下の厚さを有している
ことを特徴とする請求項9から請求項12のいずれか1項に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記キャップ層の上面は、前記シリコン酸化物層の上面よりも20nm以上40nm以下の高さ分だけ突き出ている
ことを特徴とする請求項9から請求項13のいずれか1項に記載の磁気トンネル接合素子。 - 基板上に、第1の方向へ延在する第1の電流線を形成する工程と、
前記第1の電流線の上に、磁気トンネル接合素子を形成する工程と、
前記磁気トンネル接合素子の上に第1の方向とは異なる第2の方向へ延在する第2の電流線を形成する工程と
を含み、
前記磁気トンネル接合素子を形成する工程では、
前記第1の電流線の上に、最上層にキャップ層を含む磁気トンネル接合スタックを形成する工程と、
第1の等方性デポジションにより、前記磁気トンネル接合スタックおよび基板を覆うようにシリコン窒化物層を形成する工程と、
前記シリコン窒化物層に異方性エッチングを施すことにより、前記キャップ層を完全に露出させると共に前記磁気トンネル接合スタックの端面を覆うスペーサを形成する工程と、
第2の等方性デポジションにより、全体を覆うようにシリコン酸化物層を形成する工程と、
化学機械研磨(CMP)処理により、前記シリコン窒化物層およびキャップ層に対する研磨速度よりも高い研磨速度で前記シリコン酸化物層を選択的に除去し、平坦化する工程と
を含むことを特徴とする磁気メモリセルの製造方法。 - 基板上に、第1の方向へ延在する第1の電流線を形成する工程と、
前記第1の電流線の上に、磁気トンネル接合素子を形成する工程と、
前記磁気トンネル接合素子の上に第1の方向とは異なる第2の方向へ延在する第2の電流線を形成する工程と
を含み、
前記磁気トンネル接合素子を形成する工程では、
前記第1の電流線の上に、最上層にキャップ層を含む磁気トンネル接合スタックを形成する工程と、
第1の等方性デポジションにより、前記磁気トンネル接合スタックおよび基板を覆うようにシリコン窒化物層を形成する工程と、
第2の等方性デポジションにより、前記シリコン窒化物層全体を覆うように第1のシリコン酸化物層を形成する工程と、
前記第1のシリコン酸化物層に異方性エッチングを施すことにより、前記シリコン窒化物層のうちの前記キャップ層を覆う部分を露出させると共に前記シリコン窒化物層のうちの前記磁気トンネル接合スタックの端面と接する部分を覆うマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンを利用して前記シリコン窒化物層のうちの前記キャップ層を覆う部分を除去することにより、L字型スペーサを形成する工程と、
前記第2の等方性デポジションにより、全体を覆うように第2のシリコン酸化物層を形成する工程と、
化学機械研磨(CMP)処理により、前記シリコン窒化物およびキャップ層に対する研磨速度よりも高い研磨速度で前記第2のシリコン酸化物層を選択的に除去し平坦化することで、前記キャップ層およびL字型スペーサを含む平坦面を形成する工程と
を含むことを特徴とする磁気メモリセルの製造方法。 - 請求項9から請求項15のいずれか1項に記載の磁気トンネル接合素子と、
前記磁気トンネル接合素子をその積層方向において挟んで対向すると共に、互いに接することなく交差するように延在する第1および第2の電流線と
を備えたことを特徴とする磁気メモリセル。
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