JP2006270102A - 消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000012217 deletion Methods 0.000 title abstract 3
- 230000037430 deletion Effects 0.000 title abstract 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 59
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E01—CONSTRUCTION OF ROADS, RAILWAYS, OR BRIDGES
- E01C—CONSTRUCTION OF, OR SURFACES FOR, ROADS, SPORTS GROUNDS, OR THE LIKE; MACHINES OR AUXILIARY TOOLS FOR CONSTRUCTION OR REPAIR
- E01C11/00—Details of pavings
- E01C11/22—Gutters; Kerbs ; Surface drainage of streets, roads or like traffic areas
- E01C11/224—Surface drainage of streets
- E01C11/227—Gutters; Channels ; Roof drainage discharge ducts set in sidewalks
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E03—WATER SUPPLY; SEWERAGE
- E03F—SEWERS; CESSPOOLS
- E03F3/00—Sewer pipe-line systems
- E03F3/04—Pipes or fittings specially adapted to sewers
- E03F3/046—Open sewage channels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
- H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
- H01L29/40114—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a conductor-insulator-conductor-insulator-semiconductor structure
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
- H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
- H01L29/40117—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a charge-trapping insulator
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Water Supply & Treatment (AREA)
- Public Health (AREA)
- Hydrology & Water Resources (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Architecture (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【課題】消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】(a)半導体基板上にトンネリング酸化層、電荷保存層及びブロッキング酸化層を順次に形成させる工程と、(b)トンネリング酸化層、電荷保存層及びブロッキング酸化層が形成された半導体基板を負電圧の固定酸化膜電荷を含むようにガス雰囲気で熱処理する工程と、(c)ブロッキング酸化層上にゲート電極層を形成させ、トンネリング酸化層、電荷保存層、ブロッキング酸化層及びゲート電極層の両側部をエッチングして基板の上面を露出させる工程と、(d)露出された基板の上面に不純物をドーピングして第1不純物領域及び第2不純水領域を形成させる工程と、を含む消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法である。
【選択図】図2A
【解決手段】(a)半導体基板上にトンネリング酸化層、電荷保存層及びブロッキング酸化層を順次に形成させる工程と、(b)トンネリング酸化層、電荷保存層及びブロッキング酸化層が形成された半導体基板を負電圧の固定酸化膜電荷を含むようにガス雰囲気で熱処理する工程と、(c)ブロッキング酸化層上にゲート電極層を形成させ、トンネリング酸化層、電荷保存層、ブロッキング酸化層及びゲート電極層の両側部をエッチングして基板の上面を露出させる工程と、(d)露出された基板の上面に不純物をドーピングして第1不純物領域及び第2不純水領域を形成させる工程と、を含む消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法である。
【選択図】図2A
Description
本発明は、消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法に係り、さらに詳細には、メモリ素子の製造工程時、ブロッキング酸化層が負電圧を有するように雰囲気ガス及び熱処理温度を調節した半導体メモリ素子の製造方法に関する。
半導体素子の性能は、情報保存容量とその情報の記録及び消去速度とを向上させるのに焦点を合わせて発展されてきた。通常的な半導体メモリアレイ構造は、回路的に連結された複数のメモリ単位セルを含んでおり、電源が遮断された場合にも情報がそのまま残っている不揮発性メモリとDRAM(Dynamic Random Access Memory)のような揮発性メモリとに分けられる。通常、一般的な半導体メモリ素子の単位セルは、一つのトランジスタ及び一つのキャパシタを備える。
最近、新たな形態及び動作原理を有する半導体メモリ素子が紹介された。例えば、磁気抵抗特性を利用するためにトランジスタの上部にGMR(Giant Magneto−Resistance)またはTMR(Tunneling Magneto−Resistance)構造を形成させた半導体メモリ素子が紹介された。また、相変換物質特性を利用したPRAM(Phase−change RAM)とトンネリング酸化層、電荷保存層及びブロッキング酸化層の構造を有するSONOSなど新たな構造の不揮発性半導体メモリ素子が登場している。
図1には、従来の技術によるメモリ素子の一般的な形態が示されている。図1を参照すれば、半導体基板10には、第1不純物領域11a及び第2不純物領域11bが形成されている。第1不純物領域11aと第2不純物領域11bとの間の半導体基板10内には、一般的にチャンネル領域が設定される。そして、第1不純物領域11a及び第2不純物領域11bと接触する半導体基板10上には、ゲート構造体が形成されている。ゲート構造体は、トンネリング酸化層12、電荷保存層13、ブロッキング酸化層14及び伝導性物質で形成されたゲート電極層15が順次に形成された構造を有する。
ここで、トンネリング酸化層12は、半導体基板10の第1不純物領域11a及び第2不純物領域11bと接触しており、チャンネル領域に流れる電流がトンネリング酸化層12を通過して電荷保存層13内のトラップサイトに電荷が保存される。すなわち、このような構造のメモリ素子の情報記録は、電圧を印加してトンネリング酸化層12を通過した電子が電荷保存層13のトラップサイトにトラップされつつなされる。
ゲート構造体がゲート絶縁層及びゲート電極層で形成されたMOS(Metal Oxide Silicon)トランジスタとは違って、SONOSメモリ素子のしきい電圧Vthは、電荷保存層13に電子がトラップされた場合とトラップされていない場合とによって変わる特性を有している。電荷保存層13上のブロッキング酸化層14は、電子が電荷保存層13のトラップサイトにトラップされる過程でゲート電極層15に放出されることを遮断し、ゲート電極層15の電荷が電荷保存層13に注入されることを遮断する役割を行う。
このようなメモリ素子の場合、情報の保存及び消去速度を速くするためには、薄いトンネリング酸化層12が必要であるが、この場合、情報維持特性が悪くなるという問題がある。すなわち、トンネリング酸化層12の厚さの変化によって、リテンション特性及び情報消去特性は、相互トレードオフ関係にある。このようなリテンション特性と情報消去特性との相互反比例関係を改善するために、ブロッキング酸化層14の制御が要求されている。
しかし、ブロッキング酸化層14の場合にも、ゲート電極層15の電子がブロッキング酸化層14をトンネリングする現象を防止するために、その厚さを厚く形成させねばならない。そして、ブロッキング酸化層14の厚さが厚くなれば、ゲート電極層15のチャンネル領域の制御が難しくなるという問題点がある。
本発明は、前記従来の技術の問題点を解決するためのものであって、SONOSメモリ素子またはフローティングゲート型メモリ素子のリテンション特性を維持させつつ、メモリ消去速度を向上させうる新たな半導体メモリ素子の製造方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、(a)半導体基板上にトンネリング酸化層、電荷保存層及びブロッキング酸化層を順次に形成させる工程と、(b)前記トンネリング酸化層、電荷保存層及びブロッキング酸化層が形成された半導体基板を負電圧の固定酸化膜電荷を含むようにガス雰囲気で熱処理する工程と、(c)前記ブロッキング酸化層上にゲート電極層を形成させ、前記トンネリング酸化層、電荷保存層、ブロッキング酸化層及びゲート電極層の両側部をエッチングして前記基板の上面を露出させる工程と、(d)前記露出された基板の上面に不純物をドーピングして第1不純物領域及び第2不純物領域を形成させる工程と、を含む消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法を提供する。
本発明において、前記(b)工程の前記ガスは、N、O、F、Si、P、S、Cl、C、As、Se、Br、Te、IまたはAt元素を含むことを特徴とする。
本発明において、前記(b)工程の前記ガスは、O2、RuOまたはNH3であることを特徴とする。
本発明において、前記(b)工程は、650℃以上の温度で熱処理することを特徴とする。
本発明において、前記(b)工程は、700℃ないし1000℃の温度範囲で熱処理できる。
また、本発明では、(a)半導体基板上にトンネリング酸化層、電荷保存層、ブロッキング酸化層及びゲート電極層を順次に形成させる工程と、(b)前記ブロッキング酸化層上にゲート電極層を形成させ、前記トンネリング酸化層、電荷保存層、ブロッキング酸化層及びゲート電極層の両側部をエッチングして前記基板の上面を露出させる工程と、(c)前記露出された基板の上面に不純物をドーピングして第1不純物領域及び第2不純物領域を形成させ、前記ブロッキング酸化層が負電圧の固定酸化膜電荷を含むようにガス雰囲気で熱処理する工程と、を含む消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法を提供する。
本発明によれば、チャージトラップ型半導体メモリ素子のブロッキング酸化層に負電圧の固定酸化膜電荷を有させることによって、メモリ素子で問題となった消去特性の安定性を確保できる。
また、ブロッキング酸化層に負電圧の固定酸化膜電荷を有させることによって、ブロッキング酸化層のバンドギャップエネルギーを増加させ、ゲート電極層からの電荷がブロッキング酸化層に移動する、いわば、バックトンネリング現象を防止しうる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態による消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法について詳細に説明する。ここでは、例示的な説明のために図面に示した各層の厚さ及び形態は、多少誇張されているということに留意しなければならない。
図2Aは、本発明の実施形態による消去特性が改善されたメモリ素子の構造を示す図面である。
図2Aを参照すれば、不純物がドーピングされた第1不純物領域21a及び第2不純物領域21bが形成された半導体基板20が設けられており、第1不純物領域21aと第2不純物領域21bとの間の半導体基板20上には、ゲート構造体が形成されている。ゲート構造体は、トンネリング酸化層22と、電荷をトラップするトラップサイトを含む電荷保存層23、ブロッキング酸化層24及びゲート電極層25が順次に積層された構造を有している。
ここで、トンネリング酸化層22は、通常的な半導体メモリ素子に使われる物質であればよく、例えば、SiO2のような絶縁物質で形成されうる。電荷保存層23は、半導体基板20のチャンネル領域からトンネリング酸化層22を通過した電荷をトラップできるトラップサイトを含むものであって、トンネリング酸化層22及びブロッキング酸化層24より大きい誘電定数を有するhigh−k物質を含んで形成されることが望ましい。
そして、ゲート電極層25は、伝導性物質で形成されたものであって、それは、通常の半導体メモリ素子に使われるものであれば、制限なしに利用できる。ブロッキング酸化層24は、負電圧の固定酸化膜電荷を有することが望ましい。これについては、図2Bを参照して詳細に説明する。
図2Bは、メモリ素子の初期状態のフラットバンド電圧VFBと情報消去時の最小フラットバンド電圧VFBとの関係を示すグラフである。チャージトラップ型のメモリ素子の場合、フラットバンド電圧VFBが高いほどリテンション特性が向上する。そして、メモリ素子の場合、情報消去のためには、ゲート電極層25で高い負電圧を印加するが、情報消去過程では、最小フラットバンド電圧値が大きい負の値を有することが望ましい。すなわち、図2Bのグラフで、左側上部の特性値を有することが望ましい。ゲート電極25に印加する電圧Vgとフラットバンド電圧VFB及びブロッキング酸化層24に実際印加される電圧Voxとの間には、次のような関係がある。
[数1]
Vg=VFB+VOX
Vg=VFB+VOX
そして、フラットバンド電圧は、−Qf/Coxに比例する特性を有する。ここで、Qfは、ブロッキング酸化層24の電荷値であり、Coxは、酸化膜のキャパシタンスを表す。情報消去過程で、ゲート電極25に印加する電圧は、大きい負の値を有し、実際ブロッキング酸化層24に印加される電圧は、フラットバンド電圧VFBによって変化するということが分かる。数式1から分かるように、フラットバンド電圧VFBが正の値を有する場合、ブロッキング酸化層24に印加される電圧は、大きい負の値を有するということが分かる。
したがって、フラットバンド電圧が正の値を有するためには、ブロッキング酸化層24が負電圧の固定酸化膜電荷を有することが望ましいということが分かる。
そして、ブロッキング酸化層24が負電圧の固定酸化膜電荷を有する場合、ブロッキング酸化層24のバンドキャップエネルギーが増加して、ゲート電極層25の電荷がブロッキング酸化層24をトンネリングして電荷保存層23に移動するバックトンネリング現象を防止しうる。このようなバックトンネリングは、情報消去過程でも発生し、したがって、ブロッキング酸化層24が負電圧の固定酸化膜電荷を有させることによって、メモリ素子の電気的特性が大きく向上する。
図2Aに示したような本発明による消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法を図3Aないし図3Cを参照して詳細に説明すれば、次の通りである。本発明では、メモリ素子の製造のためにPVD(Physical Vapour Deposition)、CVD(Chemical Vapour Deposition)、化学的ドーピング、コーティング、イオン注入、アニーリング工程及びRTA(Rapid Temperature Annealing)固定を使用できる。
図3Aを参照すれば、まず、半導体基板20を設ける。半導体基板20は、一般的な半導体メモリ素子の製造に使われるものならば、Siなどを含んで制限なしに使用されうる。そして、半導体基板20上にトンネリング酸化層22を蒸着する。トンネリング酸化層22は、SiO2のような絶縁物質を約2ないし4nmの厚さに蒸着して形成させ、それは、従来の技術による半導体製造工程をそのまま利用できる。トンネリング酸化層22を形成させた後、電荷保存層23をトンネリング酸化層22上に蒸着させる。電荷保存層23は、Si3N4などの高誘電定数を有するHigh−k物質を使用する。
そして、電荷保存層23上にブロッキング酸化層24を蒸着させる。ブロッキング酸化層24物質は、例えば、SiO2やAl2O3などのような誘電物質を使用して約3.5ないし20nmの厚さに形成させうる。ブロッキング酸化層24を蒸着する場合、ブロッキング酸化層24が負電圧の固定酸化膜電荷の特性を有させるために、N、O、F、Si、P、S、Cl、C、As、Se、Br、Te、IまたはAt元素が含まれた雰囲気ガスをチャンバ内に注入し、650℃以上の温度範囲でRTA工程を実施する。具体的には、700℃ないし1000℃の温度範囲で実施することが望ましい。
使われるガスは、例えば、O2ガス、NH3ガスまたはRuOガスなどを使用できる。ガス分圧の場合は、あまり重要な要素ではなく、装備によって実験者が任意に調節して進めうる。このような工程によって、O元素やN元素がブロッキング酸化層24に負電圧の固定酸化膜電荷の特性を有させる。但し、N2またはN2Oガスを注入した場合には、ブロッキング酸化膜24が負電圧の固定酸化膜電荷の特性を有することは、容易でない。したがって、窒素元素をブロッキング酸化膜24内に投入しようとする場合、NH3ガスを雰囲気ガスとして使用することが望ましい。そして、ブロッキング酸化層24上にゲート電極層25を形成させる。ゲート電極層25は、通常の半導体メモリ素子の製造時に使用する伝導性物質を使用できる。
そして、図3B及び図3Cを参照すれば、トンネリング酸化層22、電荷保存層23、ブロッキング酸化層24及びゲート電極層25の両側部をエッチングして半導体基板20の両側上部を露出させる。そして、露出された半導体基板20の両側上部に対して不純物をドーピングする。不純物のドーピングによって、半導体基板20には、第1不純物領域21a及び第2不純物領域21bが形成される。最後に、熱処理工程を実施して第1不純物領域21a及び第2不純物領域21bを活性化させる。
前述した図3Aないし図3Cについての説明では、ブロッキング酸化層24の負電圧の固定酸化膜電荷に特性付与するための工程を、ブロッキング酸化層24を電荷保存層23上に形成させた直後に実施することを記載したが、これに限定されるものではない。選択的に、第1不純物領域21a及び第2不純物領域21bを何れも形成させた後に実施して、ブロッキング酸化層24の側部を通じて酸素元素や窒素元素を浸透させてブロッキング酸化層24に負電圧の固定酸化膜電荷の特性を有させることも可能である。
図4は、前述した図3Aないし図3Cの工程によって製造した試片の熱処理温度による電荷値を示すグラフである。ここで、横軸は、酸素雰囲気下での熱処理温度を表し、縦軸は、Nf(Qf/Q)値を表すものである。
図4を参照すれば、約650℃以上のアニーリングを実施する場合、ブロッキング酸化層24が負電圧の固定酸化膜電荷の特性を有するということが分かる。
図5Aないし図5Cは、本発明の実施形態による消去特性が改善されたメモリ素子の電気的特性を示すグラフである。
図5Aを参照すれば、情報記録時にバイアス電圧を約13Vないし17Vで印加した場合、記録状態でのVth値が1V以上に増加し、メモリ素子として使用されうるということが分かる。
図5Bを参照すれば、250℃で2時間加熱して、85℃で10年間使用したメモリ素子のVthの変化を推定すれば、−0.3V以上の小さな変化を表すということが分かる。
図5Cを参照すれば、情報記録及び情報消去(P/E)を実施し続けてフラットバンド電圧VFB値を測定した結果、104回のP/Eサイクルを反復したが、情報記録及び消去時のフラットバンド電圧の値をそのまま維持しているということが分かる。
前記説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものではなく、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。すなわち、本発明の特徴は、SONOSメモリ素子を含むチャージトラップ型のメモリ素子に何れも適用可能である。したがって、本発明の範囲は、説明された実施形態によって決定されず、特許請求の範囲に記載された技術的思想によって決定されねばならない。
本発明は、SONOSメモリ素子を含むチャージトラップ型の何れのメモリ素子にも適用可能である。
10,20 半導体基板
11a,21a 第1不純物領域
11b,21b 第2不純物領域
12,22 トンネリング酸化層
13,23 電荷保存層
14,24 ブロッキング酸化層
15,25 ゲート電極層
11a,21a 第1不純物領域
11b,21b 第2不純物領域
12,22 トンネリング酸化層
13,23 電荷保存層
14,24 ブロッキング酸化層
15,25 ゲート電極層
Claims (10)
- (a)半導体基板上にトンネリング酸化層、電荷保存層及びブロッキング酸化層を順次に形成させる工程と、
(b)前記トンネリング酸化層、電荷保存層及びブロッキング酸化層が形成された半導体基板を負電圧の固定酸化膜電荷を含むようにガス雰囲気で熱処理する工程と、
(c)前記ブロッキング酸化層上にゲート電極層を形成させ、前記トンネリング酸化層、電荷保存層、ブロッキング酸化層及びゲート電極層の両側部をエッチングして前記基板の上面を露出させる工程と、
(d)前記露出された基板の上面に不純物をドーピングして第1不純物領域及び第2不純物領域を形成させる工程と、を含むことを特徴とする消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法。 - 前記(b)工程の前記ガスは、N、O、F、Si、P、S、Cl、C、As、Se、Br、Te、IまたはAt元素を含むことを特徴とする請求項1に記載の消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法。
- 前記(b)工程の前記ガスは、O2、RuOまたはNH3であることを特徴とする請求項1に記載の消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法。
- 前記(b)工程は、650℃以上の温度で熱処理することを特徴とする請求項1に記載の消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法。
- 前記(b)工程は、700℃ないし1000℃の温度範囲で熱処理することを特徴とする請求項4に記載の消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法。
- (a)半導体基板上にトンネリング酸化層、電荷保存層、ブロッキング酸化層及びゲート電極層を順次に形成させる工程と、
(b)前記ブロッキング酸化層上にゲート電極層を形成させ、前記トンネリング酸化層、電荷保存層、ブロッキング酸化層及びゲート電極層の両側部をエッチングして前記基板の上面を露出させる工程と、
(c)前記露出された基板の上面に不純物をドーピングして第1不純物領域及び第2不純物領域を形成させ、前記ブロッキング酸化層が負電圧の固定酸化膜電荷を含むようにガス雰囲気で熱処理する工程と、を含むことを特徴とする消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法。 - 前記(c)工程の前記ガスは、N、O、F、Si、P、S、Cl、C、As、Se、Br、Te、IまたはAt元素を含むことを特徴とする請求項6に記載の消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法。
- 前記(c)工程の前記ガスは、O2、RuOまたはNH3であることを特徴とする請求項6に記載の消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法。
- 前記(c)工程は、650℃以上の温度で熱処理することを特徴とする請求項6に記載の消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法。
- 前記(c)工程は、700℃ないし1000℃の温度範囲で熱処理することを特徴とする請求項9に記載の消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050023294A KR100674965B1 (ko) | 2005-03-21 | 2005-03-21 | 지우기 특성이 개선된 메모리 소자의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006270102A true JP2006270102A (ja) | 2006-10-05 |
Family
ID=37010917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006079545A Pending JP2006270102A (ja) | 2005-03-21 | 2006-03-22 | 消去特性が改善されたメモリ素子の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7402492B2 (ja) |
JP (1) | JP2006270102A (ja) |
KR (1) | KR100674965B1 (ja) |
CN (1) | CN100552899C (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7825458B2 (en) | 2007-03-28 | 2010-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100647318B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US7972915B2 (en) * | 2005-11-29 | 2011-07-05 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Monolithic integration of enhancement- and depletion-mode AlGaN/GaN HFETs |
US8044432B2 (en) * | 2005-11-29 | 2011-10-25 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Low density drain HEMTs |
US7932539B2 (en) * | 2005-11-29 | 2011-04-26 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Enhancement-mode III-N devices, circuits, and methods |
TWI316746B (en) * | 2006-10-03 | 2009-11-01 | Macronix Int Co Ltd | Non-volatile memory and method of manufacturing the same |
US8076200B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-12-13 | Micron Technology, Inc. | Charge trapping dielectric structures with variable band-gaps |
US7732275B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-06-08 | Sandisk Corporation | Methods of forming NAND flash memory with fixed charge |
US7494870B2 (en) * | 2007-01-12 | 2009-02-24 | Sandisk Corporation | Methods of forming NAND memory with virtual channel |
US7619926B2 (en) * | 2007-03-29 | 2009-11-17 | Sandisk Corporation | NAND flash memory with fixed charge |
WO2008088654A1 (en) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Sandisk Corporation | Nand memory with dual control gates having fixed charge layer below control gates |
US8502323B2 (en) * | 2007-08-03 | 2013-08-06 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Reliable normally-off III-nitride active device structures, and related methods and systems |
KR20090017040A (ko) * | 2007-08-13 | 2009-02-18 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
JP2009164260A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
US8076699B2 (en) * | 2008-04-02 | 2011-12-13 | The Hong Kong Univ. Of Science And Technology | Integrated HEMT and lateral field-effect rectifier combinations, methods, and systems |
CN101621007A (zh) * | 2008-07-03 | 2010-01-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Sanos存储单元结构 |
US20100084687A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-08 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors |
US8692310B2 (en) | 2009-02-09 | 2014-04-08 | Spansion Llc | Gate fringing effect based channel formation for semiconductor device |
KR101624980B1 (ko) * | 2009-06-19 | 2016-05-27 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 |
CN111261708B (zh) * | 2020-02-11 | 2022-09-23 | 捷捷微电(上海)科技有限公司 | 一种半导体功率器件结构 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10228768A1 (de) | 2001-06-28 | 2003-01-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Nicht-flüchtige Floating-Trap-Halbleiterspeichervorrichtungen, die Sperrisolationsschichten mit hohen Dielektrizitätskonstanten enthaltend, und Verfahren |
US6642573B1 (en) | 2002-03-13 | 2003-11-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Use of high-K dielectric material in modified ONO structure for semiconductor devices |
KR100437451B1 (ko) | 2002-05-07 | 2004-06-23 | 삼성전자주식회사 | 트랩형 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법 |
KR100481869B1 (ko) | 2002-11-27 | 2005-04-14 | 삼성전자주식회사 | 소노스 기억 셀 형성방법 |
US7479425B2 (en) * | 2005-01-20 | 2009-01-20 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd | Method for forming high-K charge storage device |
-
2005
- 2005-03-21 KR KR1020050023294A patent/KR100674965B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-03-21 CN CNB2006100681304A patent/CN100552899C/zh active Active
- 2006-03-21 US US11/385,642 patent/US7402492B2/en active Active
- 2006-03-22 JP JP2006079545A patent/JP2006270102A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7825458B2 (en) | 2007-03-28 | 2010-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100552899C (zh) | 2009-10-21 |
CN1841683A (zh) | 2006-10-04 |
US20060211205A1 (en) | 2006-09-21 |
KR100674965B1 (ko) | 2007-01-26 |
US7402492B2 (en) | 2008-07-22 |
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