JP2006269412A - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は，発光効率および光透過率の高いプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルは，第１基板１０と，上記第１基板と対向配置される第２基板２０と，上記第１基板側に一方向に伸びて形成されるアドレス電極１１と，上記アドレス電極を上記第１基盤とで覆う第１誘電層１３と，上記第１誘電層上に放電空間を形成する第２誘電層１４と，上記第２誘電層によって区画される放電空間内側に形成される蛍光体層１９と，上記第２誘電層上に上記アドレス電極と交差する方向に伸張形成される第１電極３１と，上記第１電極とアドレス電極伸張方向上に交互に配置される第２電極３２と，上記第１電極および第２電極を各々埋め立てる第３誘電層１５と，上記放電空間の周縁に形成された第１誘電層上に形成された溝と，を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は，発光効率および光透過率を高めるプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法に関する。

一般的なプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の場合，背面板と前面板とが相互封着され，上記背面板と前面板との間に形成された放電空間に不活性ガスが充填され，上記放電空間内でグロー放電が起こる。

より具体的に説明すれば，背面基板にアドレス電極を形成し，上記アドレス電極を誘電層で覆い，上記誘電層上に隔壁を形成し，上記隔壁内に蛍光体層を備えた背面板が形成される。また，背面板に対向する前面基板は，アドレス電極と交差する方向に維持電極および走査電極を対にして備え，この維持電極および走査電極を誘電層と保護膜の積層構造で覆われて形成される。

上記プラズマディスプレイパネルは放電空間内のグロー放電を利用してプラズマを生成する。上記プラズマから真空紫外線が生成され，この真空紫外線によって蛍光体が励起される。そして，上記蛍光体から赤色，緑色，青色の可視光が発生し，画像が表示される。

前記プラズマディスプレイパネルの前面基板には維持電極と走査電極が設けられる。したがって，上記維持電極と走査電極によって可視光が遮断され，光透過率が低くなる。また，上記プラズマディスプレイパネルは面放電構造の維持電極および走査電極を備えるので，維持放電時に高い電圧が要求され，発光効率が低い。このような問題を克服するために，対向放電構造のプラズマディスプレイパネルが要求される。

前記グロー放電は，放電開始電圧以上の高い電圧を二つの電極の間に印加することによって起こる。すなわち，グロー放電が開始されるためには非常に高い電圧が必要である。一度放電が起これば，負極と正極周辺の誘電層に生成される空間電荷効果によって負極と正極との間の電圧分布は歪曲する。すなわち，二つの電極の間にはカソードシース（陰極鞘）領域，アノードシース（陽極鞘）領域，およびポジティブコラム（陽光柱）領域が形成される。負極周辺のカソードシース領域では放電のために二つの電極に印加された電圧のほとんどが消費される。正極周辺のアノードシース領域では電圧の一部が消費される。この二つの領域の間に形成されるポジティブコラム領域では，電圧をほとんど消費しない。

対向放電構造のプラズマディスプレイパネルは面放電構造に比べてグロー放電時にアノードシースとカソードシースとの間に形成されるポジティブコラムが増大し，発光効率の向上を得られることが知られている。

本発明は，上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，維持電極と走査電極の対向放電構造を容易に形成し，発光効率および光透過率の高いプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法を提供することにある。

第１基板と；上記第１基板と対向配置される第２基板と；上記第１基板側に配置され，一方向に伸びて形成されるアドレス電極と；上記アドレス電極を覆う第１誘電層と；上記第１誘電層上に放電空間を形成する第２誘電層と；上記第２誘電層によって区画される放電空間と第２誘電層との境界に形成される蛍光体層と；上記第２誘電層上に上記アドレス電極と交差する方向に伸張形成される第１電極と；上記第１電極とアドレス電極伸張方向上に交互に配置される第２電極と；上記第１電極および第２電極を各々埋め立てる第３誘電層と；
上記放電空間の周縁であり，形成された第１誘電層上に形成された溝と；を含むことを特徴とする，プラズマディスプレイパネルとしてもよい。

上記第１誘電層と上記第２誘電層との間には，さらに第１感光性物質層が配置されるとしてもよい。係る構成により，上記第二誘電層をエッチングする際，アドレス電極をエッチング作用から保護することが可能となる。

上記第１感光性物質層は，上記第２誘電層と上記アドレス電極が交差する部分に対応して形成されるとしてもよい。

前記アドレス電極伸張方向と平行，かつ前記第１基板および第２基板と垂直に切断した断面において，前記アドレス電極伸張方向で測定される第１感光性物質層の幅は第２誘電層の幅と対応するように形成されるとしてもよい。

前記第２誘電層は，前記アドレス電極の間でこれらと平行に伸張形成される第１部材と；前記第１部材と交差し，前記第１電極および第２電極に対応して形成される第２部材と；を含むとしてもよい。

上記第３誘電層は上記第１部材に対応する第３部材と，上記第３部材と交差しながら上記第２部材に対応する第４部材を含むとしてもよい。

上記第３誘電層は上記第３誘電層の上記放電空間側の表面に保護膜を備えるとしてもよい。係る構成により，プラズマ放電と露出する部分が保護される。

上記第２誘電層と第３誘電層は同一種の誘電体で形成されるとしてもよい。係る構成により，プラズマディスプレイパネルの製造過程の簡略化を図れる。

上記アドレス電極，第１電極および第２電極は金属電極として形成されるとしてもよい。

上記第１電極および第２電極の横断面において，上記第１電極および第２電極の水平方向距離は垂直方向距離より短く形成されるとしてもよい。係る構成により，上記第一電極および第二電極の相互対向面積が増大する。

上記第１基板から上記アドレス電極に対応する第１誘電層までの距離は，上記第１基板から上記アドレス電極に平行な第２誘電層に隣接して形成される第１誘電層までの距離よりさらに長いとしてもよい。

上記溝は上記アドレス電極と平行な方向に形成されるとしてもよい。

第１板を製造する工程，第２板を製造する工程および上記第１板と第２板を合着して排気し放電ガスを注入する工程を含み，上記第１板製造工程は，第１基板にアドレス電極を形成する段階と，上記アドレス電極上に第１誘電層を形成し，この第１誘電層上に上記アドレス電極に対応する第１感光性物質層をパターニングする段階と，上記第１感光性物質層上に第２誘電層を形成し，この第２誘電層上に第１電極および第２電極を形成する段階と，上記第１電極および第２電極を埋立てる第３誘電層上に第２感光性物質層をパターニングする段階と，上記パターニングされる第２感光性物質層を保護膜として第２誘電層および第３誘電層を第１感光性物質層までエッチングして放電空間を形成する段階と，上記段階で露出された第１感光性物質層と第２感光性物質層を除去し，上記放電空間の内側に蛍光体層を形成する段階と，を含むプラズマディスプレイパネル製造方法としてもよい。

上記放電空間を形成する段階はサンドブラスティング法でエッチングする段階を含むとしてもよい。

上記蛍光体層を形成する段階は，上記放電空間を形成する上記第２誘電層の表面と，この第２誘電層で区画される第１誘電層の表面に蛍光体を塗布する段階を含むとしてもよい。

上記第３誘電層の内面に保護膜を形成する段階をさらに含むとしてもよい。

本発明によれば，維持電極と走査電極の対向放電構造を容易に形成し，発光効率および光透過率の高いプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法を提供することができる。

以下，添付した図面を参照して本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし，本発明は多様で相異なる形態に実現することができ，ここで説明する実施形態に限定されない。図面で本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し，明細書全体にわたって同一または類似な構成要素については同一の参照符号を付けた。

図１は本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの部分分離斜視図であり，図２は図１のＩＩ−ＩＩ線による縦断面図であり，図３は図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線による縦断面図であり，図４は図１のＩＶ−ＩＶ線による平断面図である。

上記の各図面に示したように，本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルは基本的に所定の間隔で対向配置される第１基板１０（以下，‘背面基板’と言う）と第２基板２０（以下，‘前面基板’と言う）とを備える。そして，上記背面基板１０と前面基板２０との間に複数の放電空間１７が形成される。この放電空間１７の内壁面には蛍光体層１９が形成され，上記蛍光体層１９は真空紫外線を吸収して可視光を放出する。一方，上記放電空間１７内にはプラズマ放電で真空紫外線を発生させることができるように放電ガス（例えば，ネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）などを含む混合ガス）が充填される。

また，画像を実現するために前面基板２０と背面基板１０との間には，アドレス電極１１，第１電極３１（以下，‘維持電極’と言う）および第２電極３２（以下，‘走査電極’と言う）が配置される。アドレス電極１１は各放電空間１７に対応形成される。また，維持電極３１および走査電極３２は互いに対向構造を有し，上記アドレス電極１１に交差しながら各放電空間１７に対応して形成される。アドレス電極１１と交差してアドレス放電を起こす電極が別途に設けられる場合，維持電極３１および走査電極３２はアドレス電極１１と平行に形成されても良い。以下では便宜上，維持電極３１と走査電極３２がアドレス電極１１と交差する構造を例として説明する。

アドレス電極１１にはアドレスパルスが印加され，走査電極３２にはスキャンパルスが印加され，アドレス放電が起こる。アドレス放電は点灯される放電空間１７を選択することができる。アドレス放電後，維持電極３１と走査電極３２の各々には交互に維持パルスが印加され，交流型の維持放電が起こる。この維持放電は選択された放電空間１７に画像を実現させる。また，維持放電後，維持電極３１を基準電圧にバイアスさせた状態で，走査電極３２には維持パルスより高い電圧を有するリセットパルスが印加される。上記リセットパルスによって各放電空間１７がリセットされる。上記各電極は印加される信号電圧によってその役割を異とすることができるので，本発明の発光過程が以上に限定される必要はない。

アドレス電極１１は背面基板１０の表面で一方向（図面のｙ軸方向）に沿って伸張形成される。また，上記アドレス電極１１は第１誘電層１３で覆われる。上記第１誘電層１３はアドレス電極１１を含んで背面基板１０の残り部分を覆う構造に形成される。上記アドレス電極１１は隣接した他のアドレス電極１１と放電空間１７に対応する間隔（ｘ軸方向）を維持しながら互いに平行に配置される。

上記第１誘電層１３上には第１感光性物質層１２が形成される。上記第１感光性物質層１２は，図４に示されているように，アドレス電極１１を覆うように複数の帯状膜が所定の間隔に配列された後，最終的には，維持電極および走査電極とアドレス電極との重畳部だけを覆うようにエッチングされる。上記第１感光性物質層１２は第２誘電層１４によって覆われる。上記第１感光性物質層１２はアドレス電極１１をエッチング作用から保護することができる。すなわち，アドレス電極１１に対応する第２誘電層１４をエッチングして放電空間１７を形成する時，第１感光性物質層１２はアドレス電極１１をエッチング作用から保護する。

したがって，上記第１感光性物質層１２はアドレス電極１１全体に対応して第１誘電層１３上に形成される。そして，エッチング作用の後，上記エッチング作用により露出された部分が除去される。しかし，エッチング作用により露出された部分が除去されても，図２に示されているように，アドレス電極１１と第２誘電層１４が交差する部分では第１感光性物質層１２が第２誘電層１４によって覆われるために，第１感光性物質層１２がそのまま残留する。上記第１感光性物質層１２は，アドレス電極１１伸張方向（ｙ軸方向）と平行で，背面基板１０および前面基板２０の垂直方向（ｚ軸方向）に切断する場合，放電空間１７を区画する第２誘電層１４の幅に対応する幅の大きさに形成される（図２参照）。

第２誘電層１４は第１感光性物質層１２および，上記第１感光性物質層１２が設けられていない第１誘電層１３上に形成される。上記第２誘電層１４は放電空間１７を区画する。上記第２誘電層１４は示されているように格子形に放電空間１７を区画しても良く，帯状に放電空間（図示せず）を区画しても良い。

本実施形態では格子形放電空間１７が例示されている。これを参照すれば，第２誘電層１４は第１部材１４ａおよび第２部材１４ｂを含む。第１部材１４ａは，隣接するアドレス電極１１の間でこれらアドレス電極１１と平行に伸張形成される。第２部材１４ｂは，上記第１部材１４ａと交差しながら維持電極３１および走査電極３２に対応して形成される。

帯状に放電空間１７が形成される場合，第２誘電層１４は第１感光性物質層１２と平行な方向に形成される（図示せず）。また，格子形に放電空間１７が形成される場合，第２誘電層１４はｙ軸方向には第１感光性物質層１２と平行な方向に形成され，ｘ軸方向には第１感光性物質層１２と交差して形成される。また，第２誘電層１４は維持電極３１および走査電極３２と対応する部分で第１感光性物質層１２を部分的に覆う構造に形成される。

一方，図３に示したように，背面基板１０からアドレス電極１１に対応する第１誘電層１３の厚みｈ_１は，背面基板１０から放電空間１７の両側周縁に形成された第１誘電層１３までの距離ｈ_２より長く形成することができる。

すなわち，アドレス電極１１に対応する部分で背面基板１０から放電空間１７の底面までの距離は，背面基板１０から第２部材１４ｂに隣接する放電空間１７の底面までの距離よりさらに長く形成される。

より具体的に説明すれば，放電空間１７を区画するために第２誘電層１４はサンドブラスティング法によってエッチングされる。この場合，エッチストッパーとして第１感光性物質層１２が設けられる第１誘電層１３部分，すなわち，アドレス電極１１に対応する第１誘電層１３部分はサンドブラスティングによって影響を受けない。しかし，第１感光性物質層１２が設けられない部分，すなわち，放電空間１７の両側周縁部はサンドブラスティングによって影響を受け，図３拡大図のように，深く削られて溝になる。

したがって，第１感光性物質層１２を除去した後，放電空間１７の両側周縁底面には溝を形成することができる。上記溝を第２部材１４ｂに平行に形成し，第２部材１４ｂに隣接して形成してもよい。

一方，第２誘電層１４上には維持電極３１と走査電極３２が相互対向構造に配置される。上記維持電極３１と走査電極３２は第２誘電層１４の第２部材１４ｂ上でアドレス電極１１と交差する方向（ｘ軸方向）に伸びて形成される。また，維持電極３１と走査電極３２はアドレス電極１１伸張方向（ｙ軸方向）に第２部材１４ｂ上で交互に配置される。

維持電極３１および走査電極３２の横断面において，基板に水平な方向の距離Ｌ_ｈが基板に垂直な方向の距離Ｌｖより短い構造に形成される。

上記構造によって，維持電極３１と走査電極３２の相互対向面積が増大し，陽光柱が広がって輝度が向上する。その結果，面放電構造と比し低い電圧で対向放電が起こるようになり，同じ電圧で比較すると，強い放電が起こることになる。すなわち，上記対向放電構造によって発光効率が向上することになる。また，維持電極３１および走査電極３２が放電空間１７の両側に設けられるために，背面基板１０側の蛍光体で発生し，前面基板２０へ放射される可視光の光透過率が向上する。

上記維持電極３１および走査電極３２は放電空間１７の側部に備えられ，アドレス電極１１は背面基板１０に備えられるので，可視光がこれらの電極によって遮蔽されない。したがって，上記電極を通電性に優れた金属電極で形成することができる。

上記維持電極３１および走査電極３２は第３誘電層１５によって各々埋立てられる。そして，維持電極３１および走査電極３２に対応する第３誘電層１５上に第２感光性物質層１６がエッチングマスクとしてサンドブラスト工程のために設けられる。図２および図３には説明の便宜のために第２感光性物質層１６が破線で示されているが，上記第２感光性物質層１６は実際には最終製品で除去される部分である。

上記第２感光性物質層１６は維持電極３１および走査電極３２をエッチング作用から保護するための層である。すなわち，第１感光性物質層１２のように，第３誘電層１５および第２誘電層１４をエッチングして維持電極３１と走査電極３２との間に放電空間１７を形成する時，第２感光性物質層１６が維持電極３１および走査電極３２を覆っている第３誘電層１５および第２誘電層１４をエッチング作用から保護する。したがって，上記第２感光性物質層１６は製造工程中に使用された後，維持電極３１および走査電極３２に対応する第３誘電層１５および第２誘電層１４をエッチングした後に除去される。

上記第２感光性物質層１６は，維持電極３１と走査電極３２に各々対応する帯状にパターニングされて使用された後，除去されるとしてもよく，また，図１に示すように，放電空間１７に対応する格子形に形成され使用された後，除去されるとしてもよい。

本実施形態では第３誘電層１５が格子形に形成され，第２感光性物質層１６が格子形に形成された後，上記第２感光性物質層１６が除去される構造が例示されている。すなわち，第３誘電層１５は第２誘電層１４の第１部材１４ａに対応する第３部材１５ａと，上記第３部材１５ａと交差しながら第２部材１４ｂに対応する第４部材１５ｂを含む。

第２誘電層１４と第３誘電層１５は同一誘電体で形成されるとしてもよい。上記の場合，材料を共用化することで製造工程を簡単にすることができる。

一方，蛍光体層１９は第２誘電層１４の第１部材１４ａおよび第２部材１４ｂの内側面と，放電空間１７に限定される第１誘電層１３の表面に塗布され，赤色，緑色，青色の可視光を発生させる。上記蛍光体層１９は，放電空間１７を形成する第３誘電層１５の第３部材１５ａおよび第４部材１５ｂの内側面に塗布して形成することもできる（図示せず）。

本実施形態では第３誘電層１５の内側面に保護膜３６が設けられている。上記保護膜３６は放電空間１７で起こるプラズマ放電と露出する部分に形成することができる。上記保護膜３６は第３誘電層１５を保護する役割を有する。上記保護膜３６は高い二次電子放出係数が要求されるが，可視光の透過性を有する必要はない。

すなわち，維持電極３１および走査電極３２が前面基板２０に形成されることではなく，両基板１０，２０の間に備えられ，これら維持電極３１および走査電極３２を埋立てている第３誘電層１５に保護膜３６が塗布される。したがって，保護膜３６を可視光非透過性の特性を有する物質から形成することができる。上記保護膜３６の一例として，可視光非透過性ＭｇＯを使用することができる。上記可視光非透過性ＭｇＯは可視光透過性ＭｇＯに比べて非常に高い二次電子放出係数値を有するため，放電開始電圧をさらに下げることができる。

図５は本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネル製造方法の工程図であり，図６〜図１１は本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの背面板を製造する工程図である。

これらの図面を参照して，上記のように構成されるプラズマディスプレイパネル製造方法を説明する。プラズマディスプレイ製造方法は，まず，背面基板に電極，誘電層，および可視光物質層などを形成して第１板（以下，「背面板」と言う。）を製造する段階（ＳＴ１０），およびこれと別途に第２板（以下，「前面板」と言う。）を製造する段階（ＳＴ２０）を含む。

次いで，前面板と背面板を向かい合わせに組立てて合着する段階（ＳＴ３０），および放電空間１７内部を排気させ，上記放電空間１７内部に放電ガス（主にＮｅ−Ｘｅ混合ガス）を充填する段階（ＳＴ４０）をさらに含む。上記段階を経てプラズマディスプレイパネルが完成する。

上記で背面板製造段階（ＳＴ１０）はアドレス電極１１形成段階（図６参照）および以下に記載される段階を含む。

上記アドレス電極１１形成段階では背面基板１０の表面にアドレス電極１１が形成される。上記段階（図６）ではアドレス電極１１をパターン印刷する方法または感光性ペーストを使用して露光現像する方法など，公知の方法を適用することができる。

次に，第１誘電層１３上に第１感光性物質層１２を形成する段階が進められる（図７参照）。上記第１誘電層１３は公知の印刷法で形成することができる。第１感光性物質層１２の形成段階では第１誘電層１３上にラミネートフィルムが形成される。その後，露光工程を利用してアドレス電極１１に対応する部分に第１感光性物質層１２が残るようにパターニング工程が行われる。

引き続き，第１感光性物質層１２および第１誘電層１３上に維持電極３１および走査電極３２を形成する段階が進められる（図８Ａおよび図８Ｂ参照）。まず，第１感光性物質層１２および第１誘電層１３上に第２誘電層１４が形成される。上記第２誘電層１４は上記のように公知の印刷法で形成されるとしてもよい。その後，維持電極３１および走査電極３２が第２誘電層１４上に形成される。係る構成により，第１感光性物質層１２は維持電極３１および走査電極３２と離隔される。

上記維持電極３１および走査電極３２はパターン印刷を利用して形成し，または感光性金属電極材料を利用して所定の電極パターンに形成することができる。このとき，図２の断面寸法Ｌｖ，Ｌｈを考慮すると，パターニング後の変形がなく，精度の高い形成方法が必要な場合も予想される。これに対しては，まず，第３誘電層１５を厚さＬｖに形成し，これに幅Ｌｈ，深さＬｖの溝を掘って，上記溝に銅粉と亜鉛粉（または錫亜鉛合金粉）などの低融点混合物を主材料とする電極材料を埋め込み，加熱溶融して表面を研磨・清掃し，この上に第３誘電層１５と同じ材料を適当な厚さに形成することが便利であると考えられる。もちろん，半導体技術として広く使われているダマシン技術を使っても良く，また，特開平５−１７４６１５に開示された，金属亜鉛と酸化銅とホウ珪酸ガラスとエチルセルロースなどを混練し，粘度を調整した配線電極ペーストを埋め込んで焼成してもよい。

次に，維持電極３１と走査電極３２を第３誘電層１５で埋立て，第２感光性物質層１６を形成する段階が進められる（図９Ａおよび図９Ｂ参照）。第３誘電層１５は維持電極３１および走査電極３２を埋立てながら，放電空間１７を区画する隔壁に該当する部分に形成される。上記第３誘電層１５は第２誘電層１４のように放電空間１７を形成するので，隔壁材料の代りに誘電体によって放電空間１７が形成される。上記第３誘電層１５は第２誘電層１４上に誘電体をコーティングして形成されるとしてもよい。第２感光性物質層１６は上記第３誘電層１５上に形成される。第２感光性物質層１６の形成段階では第３誘電層１５上にラミネートフィルムが形成される。その後，露光工程を利用して維持電極３１および走査電極３２に対応する部分に第２感光性物質層１６が残るようにパターニング工程が行われる。

本実施形態では第２誘電層１４および第３誘電層１５をエッチングすることによって，上記第２誘電層１４および第３誘電層１５の残留部分によって放電空間１７が区画される。すなわち，第２感光性物質層１６および第１感光性物質層１２を利用して第２誘電層１４および第３誘電層１５の残留部分が既存の隔壁を形成する。上記第２感光性物質層１６および第１感光性物質層１２は公知の隔壁用ラミネートフィルムで形成されるとしてもよい。

次に，放電空間１７を形成するエッチング段階が進められる（図１０参照）。上記エッチング段階はサンドブラスティング法で行われる。上記サンドブラスティング法によって，第２感光性物質層１６が設けられていない部分の第２誘電層１４および第３誘電層１５がエッチングされる。上記エッチング作用によって第１感光性物質層１２まで第２誘電層１４および第３誘電層１５がエッチングされ，放電空間１７が形成される。上記第１感光性物質層１２はサンドブラスティング時に第１誘電層１３およびアドレス電極１１がエッチングされることを防止する。

上述のように維持電極３１および走査電極３２が放電空間１７の区画位置に備えられ，上記維持電極３１および走査電極３２を埋立てている第２誘電層１４および第３誘電層１５をエッチングし，放電空間１７が形成される。これによって，維持電極３１と走査電極３２の対向放電構造を容易に形成することができる。

次に，エッチング工程に露出された第１感光性物質層１２および第２感光性物質層１６部分が除去され，放電空間１７の内側に蛍光体層１９が形成される（図１１参照）。上記蛍光体層１９形成の段階では蛍光体をコーティング，露光および現像する方法を利用して蛍光体層１９が形成される。上記蛍光体層１９形成段階では放電空間１７を区画する第２誘電層１４の内面に蛍光体を塗布することができる。また，第２誘電層１４の内面と第３誘電層１５の内面に共に蛍光体を塗布することもできる。

また，本実施形態によるプラズマディスプレイ製造方法は第３誘電層１５の内面に保護膜３６を形成する段階をさらに含むことができる（図１１参照）。すなわち，蛍光体層１９が第２誘電層１４内面に形成される場合，放電空間１７の第３誘電層１５内面には保護膜３６が形成されるとしてもよい。上記保護膜３６は上記のように構成および作用するので，ここではその詳細な説明を省略する。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの部分分離斜視図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線による縦断面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線による縦断面図である。 図１のＩＶ−ＩＶ線による平断面図である。 本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネル製造方法の工程図である。 本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの背面板を製造する工程図である。 本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの背面板を製造する工程図である。 本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの背面板を製造する工程図である。 本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの背面板を製造する工程図である。 本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの背面板を製造する工程図である。 本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの背面板を製造する工程図である。 本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの背面板を製造する工程図である。 本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの背面板を製造する工程図である。

符号の説明

１０ 第１基板（背面基板）
１１ アドレス電極
１２ 第１感光性物質層
１３ 第１誘電層
１４ 第２誘電層
１４ａ 第１部材
１４ｂ 第２部材
１５ 第３誘電層
１５ａ 第３部材
１５ｂ 第４部材
１６ 第２感光性物質層
１７ 放電空間
１９ 蛍光体層
２０ 第２基板（前面基板）
３１ 維持電極
３２ 第２電極（走査電極）
３６ 保護膜

Claims (16)

1. 第１基板と；
   前記第１基板と対向配置される第２基板と；
   前記第１基板側に配置され，一方向に伸びて形成されるアドレス電極と；
   前記アドレス電極を覆う第１誘電層と；
   前記第１誘電層上に放電空間を形成する第２誘電層と；
   前記第２誘電層によって区画される放電空間と第２誘電層との境界に形成される蛍光体層と；
   前記第２誘電層上に前記アドレス電極と交差する方向に伸張形成される第１電極と；
   前記第１電極とアドレス電極伸張方向上に交互に配置される第２電極と；
   前記第１電極および第２電極を各々埋め立てる第３誘電層と；
   前記放電空間の周縁であり，第１誘電層上に形成された溝と；
   を含むことを特徴とする，プラズマディスプレイパネル。
2. 第１誘電層と第２誘電層との間には，さらに第１感光性物質層が配置されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 前記第１感光性物質層は，前記第２誘電層と前記アドレス電極とが交差する部分に対応して形成されることを特徴とする，請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
4. 前記アドレス電極伸張方向と平行，かつ前記第１基板および第２基板と垂直に切断した断面において，
   前記アドレス電極伸張方向で測定される第１感光性物質層の幅は第２誘電層の幅と対応するように形成されることを特徴とする，請求項２または３に記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 前記第２誘電層は，
   前記アドレス電極の間でこれらと平行に伸張形成される第１部材と；
   前記第１部材と交差し，前記第１電極および第２電極に対応して形成される第２部材と；
   を含むことを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
6. 前記第３誘電層は，
   前記第１部材に対応する第３部材と；
   前記第３部材と交差しながら前記第２部材に対応する第４部材と；
   を含むことを特徴とする，請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 前記第３誘電層は，前記第３誘電層の前記放電空間側の表面に保護膜を備えることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
8. 前記第２誘電層と第３誘電層とは同一種の誘電体で形成されることを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
9. 前記アドレス電極，第１電極および第２電極は金属電極として形成されることを特徴とする，請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
10. 前記第１電極および第２電極の横断面において，
    前記第１電極および第２電極の水平方向距離は垂直方向距離より短く形成されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
11. 前記第１基板から前記アドレス電極に対応する第１誘電層の厚みは，前記第１基板から前記アドレス電極に平行な第２誘電層に隣接して形成される第１誘電層までの距離よりさらに長いことを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
12. 前記溝は前記アドレス電極と平行に形成されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
13. 第１板を製造する工程，第２板を製造する工程および前記第１板と第２板を合着して排気し放電ガスを注入する工程を含み，
    前記第１板製造工程は，
    第１基板にアドレス電極を形成する段階と；
    前記アドレス電極上に第１誘電層を形成し，前記第１誘電層上に前記アドレス電極に対応する第１感光性物質層をパターニングする段階と；
    前記第１感光性物質層上に第２誘電層を形成し，前記第２誘電層上に第１電極および第２電極を形成する段階と；
    前記第１電極および第２電極を埋立てる第３誘電層上に第２感光性物質層をパターニングする段階と；
    前記パターニングされる第２感光性物質層を保護膜として，第２誘電層および第３誘電層を第１感光性物質層までエッチングし放電空間を形成する段階と；
    前記段階で露出された第１感光性物質層と第２感光性物質層を除去し，前記放電空間の内側に蛍光体層を形成する段階と；
    を含むことを特徴とする，プラズマディスプレイパネル製造方法。
14. 前記放電空間を形成する段階はサンドブラスティング法でエッチングする段階を含むことを特徴とする，請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル製造方法。
15. 前記蛍光体層を形成する段階は，前記放電空間を形成する前記第２誘電層の表面と，前記第２誘電層で区画される第１誘電層の表面とに蛍光体を塗布する段階を含むことを特徴とする，請求項１３または１４に記載のプラズマディスプレイパネル製造方法。
16. 前記第３誘電層の内面に保護膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする，請求項１３〜１５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル製造方法。
    
    

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