JPH11233010A - 隔壁形成用基板及びその基板を用いた隔壁形成方法 - Google Patents
隔壁形成用基板及びその基板を用いた隔壁形成方法Info
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- JPH11233010A JPH11233010A JP10031608A JP3160898A JPH11233010A JP H11233010 A JPH11233010 A JP H11233010A JP 10031608 A JP10031608 A JP 10031608A JP 3160898 A JP3160898 A JP 3160898A JP H11233010 A JPH11233010 A JP H11233010A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】隔壁形成にサンドブラスト法を使うプラズマデ
ィスプレイパネルの背面板製造において電極，誘電体及
び，隔壁の一括焼成を可能とする製造方法を提供する。 【解決手段】サンドブラスト法では隔壁を形成する際，
電極部上の隔壁形成層を切削するため，電極及びその上
の誘電体層が切削されないように，これらを形成した後
１度焼成を行ってから，その上に隔壁形成層を設け，隔
壁の切削加工をしている。 隔壁形成後に隔壁を焼成する
ため２度目の焼成を行っている。本方式では電極及び誘
電体層面を耐サンドブラスト性レジストで保護してから
隔壁形成層を設け隔壁の切削加工を行うことによって，
電極，誘電体層の焼成を省略，隔壁形成後に電極，誘電
体及び，隔壁を一括焼成することを可能とするものであ
る。
ィスプレイパネルの背面板製造において電極，誘電体及
び，隔壁の一括焼成を可能とする製造方法を提供する。 【解決手段】サンドブラスト法では隔壁を形成する際，
電極部上の隔壁形成層を切削するため，電極及びその上
の誘電体層が切削されないように，これらを形成した後
１度焼成を行ってから，その上に隔壁形成層を設け，隔
壁の切削加工をしている。 隔壁形成後に隔壁を焼成する
ため２度目の焼成を行っている。本方式では電極及び誘
電体層面を耐サンドブラスト性レジストで保護してから
隔壁形成層を設け隔壁の切削加工を行うことによって，
電極，誘電体層の焼成を省略，隔壁形成後に電極，誘電
体及び，隔壁を一括焼成することを可能とするものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】サンドブラスト法で隔壁を形
成する（プラズマディスプレイパネル）背面基板製造工
程で電極，誘電体及び隔壁を一括焼成可能とする基板と
その基板を用いた隔壁形成方法に関する。
成する（プラズマディスプレイパネル）背面基板製造工
程で電極，誘電体及び隔壁を一括焼成可能とする基板と
その基板を用いた隔壁形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在のプラズマディスプレイパネル背面
板の主な製造方法を隔壁形成技術で分けると，印刷法，
サンドブラスト法，リフトオフ法などがあるが，いずれ
も製造工程中に数回の焼成が必要である。焼成の目的
は，ガラス基板の歪み取りを目的とするアニーリングの
ための焼成，電極を導電化し誘電体を固着するための焼
成，低融点ガラス粉末を溶融してガラス状にするための
焼成，その後蛍光体を印刷した後，樹脂分などの不純物
を除去するための焼成が最低必要である。
板の主な製造方法を隔壁形成技術で分けると，印刷法，
サンドブラスト法，リフトオフ法などがあるが，いずれ
も製造工程中に数回の焼成が必要である。焼成の目的
は，ガラス基板の歪み取りを目的とするアニーリングの
ための焼成，電極を導電化し誘電体を固着するための焼
成，低融点ガラス粉末を溶融してガラス状にするための
焼成，その後蛍光体を印刷した後，樹脂分などの不純物
を除去するための焼成が最低必要である。
【０００３】印刷法では電極及び誘電体層を印刷した後
焼成を行い，その後隔壁層を数回繰り返し印刷する。こ
の際隔壁用ペーストの特性を変え印刷ごとに焼成をしな
がら積み上げて行く。このために焼成コストが非常に掛
かる。リフトオフ法は基板に電極形成と誘電体層の塗布
を行いドライフィルムを貼り合わせ隔壁部分を露光現像
によって溶出しその凹部に隔壁ペーストを詰め乾燥後マ
スクを除去して焼成を行う。この後印刷法等によって蛍
光体を塗布した後再度焼成を行い完了する。この方式が
最も焼成回数が少なくて済む。サンドブラスト法は基板
に電極を形成，誘電体層を塗布した後焼成を行う。続い
て隔壁形成層を塗布形成した後，電極が隔壁間に正確に
位置するよう耐サンドブラスト性ドライフィルムマスク
を形成しサンドブラストで切削を行う。隔壁形成後ドラ
イフィルムマスクを剥離し，焼成を行い，更に蛍光体を
印刷法等で塗布し再度焼成を行う。
焼成を行い，その後隔壁層を数回繰り返し印刷する。こ
の際隔壁用ペーストの特性を変え印刷ごとに焼成をしな
がら積み上げて行く。このために焼成コストが非常に掛
かる。リフトオフ法は基板に電極形成と誘電体層の塗布
を行いドライフィルムを貼り合わせ隔壁部分を露光現像
によって溶出しその凹部に隔壁ペーストを詰め乾燥後マ
スクを除去して焼成を行う。この後印刷法等によって蛍
光体を塗布した後再度焼成を行い完了する。この方式が
最も焼成回数が少なくて済む。サンドブラスト法は基板
に電極を形成，誘電体層を塗布した後焼成を行う。続い
て隔壁形成層を塗布形成した後，電極が隔壁間に正確に
位置するよう耐サンドブラスト性ドライフィルムマスク
を形成しサンドブラストで切削を行う。隔壁形成後ドラ
イフィルムマスクを剥離し，焼成を行い，更に蛍光体を
印刷法等で塗布し再度焼成を行う。
【０００４】図１は現状隔壁形成技術として最も注目さ
れているサンドブラスト法で隔壁を形成する場合の従来
基板の層構成を示すものである。サンドブラスト法で
は，電極が隔壁と隔壁の間にあって，隔壁形成の切削時
に電極も切削されてしまうため，電極と誘電体を焼成し
耐サンドブラスト性を高めた後隔壁加工を行っている。
アニーリングしたガラス基板に印刷法或いはフォトリソ
法で電極及び端子部分を形成し更にその表面を誘電体物
質を塗布して覆い，電極及び端子部分と誘電体物質を一
緒に焼成する。この時の焼成温度は５８０℃で焼成工程
の時間は７時間を要す。この後隔壁形成層をスクリーン
印刷などによって塗布し，ドライフィルムで隔壁形成用
の耐サンドブラスト性マスクを形成した後サンドブラス
トによって隔壁の切削加工を行う。隔壁の切削加工後マ
スクを除去して，ピーク温度５６０℃で６時間かけて焼
成する。焼成に長時間を要するのは，ガラス基板が焼成
時に急激に温度を上げ下げすると大きな歪みを生じた
り，時には基板が割れたりするためで，これを防ぐため
焼成温度は，低い温度から時間を掛けて昇温し，決めら
れた焼成温度で数分間保持した後，今度は温度をゆっく
り下げる。これらの時間は数時間から十時間近くを要し
工程上のネックになっている。このため，回数を出来る
だけ少なくすることが品質の安定化と生産コスト低減の
ポイントとなっている。
れているサンドブラスト法で隔壁を形成する場合の従来
基板の層構成を示すものである。サンドブラスト法で
は，電極が隔壁と隔壁の間にあって，隔壁形成の切削時
に電極も切削されてしまうため，電極と誘電体を焼成し
耐サンドブラスト性を高めた後隔壁加工を行っている。
アニーリングしたガラス基板に印刷法或いはフォトリソ
法で電極及び端子部分を形成し更にその表面を誘電体物
質を塗布して覆い，電極及び端子部分と誘電体物質を一
緒に焼成する。この時の焼成温度は５８０℃で焼成工程
の時間は７時間を要す。この後隔壁形成層をスクリーン
印刷などによって塗布し，ドライフィルムで隔壁形成用
の耐サンドブラスト性マスクを形成した後サンドブラス
トによって隔壁の切削加工を行う。隔壁の切削加工後マ
スクを除去して，ピーク温度５６０℃で６時間かけて焼
成する。焼成に長時間を要するのは，ガラス基板が焼成
時に急激に温度を上げ下げすると大きな歪みを生じた
り，時には基板が割れたりするためで，これを防ぐため
焼成温度は，低い温度から時間を掛けて昇温し，決めら
れた焼成温度で数分間保持した後，今度は温度をゆっく
り下げる。これらの時間は数時間から十時間近くを要し
工程上のネックになっている。このため，回数を出来る
だけ少なくすることが品質の安定化と生産コスト低減の
ポイントとなっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】サンドブラスト法で隔
壁を形成する場合，電極と隔壁を一緒に一度で焼成する
所謂一括焼成を行う場合に問題となるのは，隔壁と隔壁
の間にある電極が，隔壁形成層の切削と同時に切削され
てしまうことである。この問題を解決するため電極部分
を耐サンドブラスト性のレジストマスクで覆い，焼成前
の電極や誘電体層が切削除去されるのを防ぐことによっ
て工程の途中で焼成を行わず隔壁形成後に電極，誘電
体，隔壁の焼成を一括して行うことを可能とする隔壁形
成用基板とそれを使った隔壁形成方法を提供する。
壁を形成する場合，電極と隔壁を一緒に一度で焼成する
所謂一括焼成を行う場合に問題となるのは，隔壁と隔壁
の間にある電極が，隔壁形成層の切削と同時に切削され
てしまうことである。この問題を解決するため電極部分
を耐サンドブラスト性のレジストマスクで覆い，焼成前
の電極や誘電体層が切削除去されるのを防ぐことによっ
て工程の途中で焼成を行わず隔壁形成後に電極，誘電
体，隔壁の焼成を一括して行うことを可能とする隔壁形
成用基板とそれを使った隔壁形成方法を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を解決するために，まず請求項１においては、基板と、
基板の上にある電極及び端子部分と、端子部分側を除い
て基板及び電極部分の上を覆う誘電体層と、さらにその
上に電極及び端子部分を覆うように設置された電極及び
端子用耐サンドブラスト性レジストマスクと、さらにそ
の上の隔壁形成層とを有することを特徴とする、隔壁形
成用基板を提供する。電極及び端子部分を電極及び端子
用耐サンドブラスト性レジストマスクで覆った後，隔壁
形成層を低融点ガラスを塗布して形成し，隔壁を切削加
工する際に電極及び端子部分が切削されるのを防ぐ様に
して、この隔壁形成用基板（図２）を作成する。
を解決するために，まず請求項１においては、基板と、
基板の上にある電極及び端子部分と、端子部分側を除い
て基板及び電極部分の上を覆う誘電体層と、さらにその
上に電極及び端子部分を覆うように設置された電極及び
端子用耐サンドブラスト性レジストマスクと、さらにそ
の上の隔壁形成層とを有することを特徴とする、隔壁形
成用基板を提供する。電極及び端子部分を電極及び端子
用耐サンドブラスト性レジストマスクで覆った後，隔壁
形成層を低融点ガラスを塗布して形成し，隔壁を切削加
工する際に電極及び端子部分が切削されるのを防ぐ様に
して、この隔壁形成用基板（図２）を作成する。
【０００７】請求項２においては、請求項１記載の隔壁
形成用基板上に隔壁形成用耐サンドブラスト性レジスト
マスクを形成したあとサンドブラスト法で隔壁を形成
し，隔壁形成用耐サンドブラスト性レジストマスクと電
極及び端子用耐サンドブラスト性レジストマスクを剥膜
した後，電極，誘電体及び隔壁を同時に焼成を行うこと
を特徴とする隔壁形成方法を提供する。この方法は、隔
壁を同時に焼成することによって焼成回数を減らすこと
ができる。
形成用基板上に隔壁形成用耐サンドブラスト性レジスト
マスクを形成したあとサンドブラスト法で隔壁を形成
し，隔壁形成用耐サンドブラスト性レジストマスクと電
極及び端子用耐サンドブラスト性レジストマスクを剥膜
した後，電極，誘電体及び隔壁を同時に焼成を行うこと
を特徴とする隔壁形成方法を提供する。この方法は、隔
壁を同時に焼成することによって焼成回数を減らすこと
ができる。
【０００８】請求項３においては、電極及び端子部分を
覆うように設置された電極及び端子用耐サンドブラスト
性レジストマスクが易焼成性レジストであることを特徴
とする請求項１記載の隔壁形成用基板を提供する。電極
及び端子部分を覆う電極及び端子用耐サンドブラスト性
レジストマスクを易焼成レジストとすることによって凹
部の剥離しにくいレジストを焼成によって完全に取り除
くことが出来る。この隔壁形成用基板は、基板に電極を
形成し，その上に誘電体層を塗布，易焼成レジストで電
極及び端子部分を覆った後，隔壁形成層を塗布したもの
である。
覆うように設置された電極及び端子用耐サンドブラスト
性レジストマスクが易焼成性レジストであることを特徴
とする請求項１記載の隔壁形成用基板を提供する。電極
及び端子部分を覆う電極及び端子用耐サンドブラスト性
レジストマスクを易焼成レジストとすることによって凹
部の剥離しにくいレジストを焼成によって完全に取り除
くことが出来る。この隔壁形成用基板は、基板に電極を
形成し，その上に誘電体層を塗布，易焼成レジストで電
極及び端子部分を覆った後，隔壁形成層を塗布したもの
である。
【０００９】請求項４においては、請求項３記載の隔壁
形成用基板上に隔壁形成用耐サンドブラスト性レジスト
マスクを形成したあとサンドブラスト法で隔壁を形成
し，隔壁形成用耐サンドブラスト性レジストマスクを剥
膜した後，電極，誘電体及び隔壁を同時に焼成を行うこ
とを特徴とする隔壁形成方法を提供する。電極及び端子
部分を覆う電極及び端子用耐サンドブラスト性レジスト
マスクが剥膜作業で十分除去されていない場合でも，焼
成によって完全に除去が可能となる。特に高精細な隔壁
を形成する場合など，隔壁間が狭くなり剥離液でレジス
トマスクを完全に剥離出来ない場合には有効である。
形成用基板上に隔壁形成用耐サンドブラスト性レジスト
マスクを形成したあとサンドブラスト法で隔壁を形成
し，隔壁形成用耐サンドブラスト性レジストマスクを剥
膜した後，電極，誘電体及び隔壁を同時に焼成を行うこ
とを特徴とする隔壁形成方法を提供する。電極及び端子
部分を覆う電極及び端子用耐サンドブラスト性レジスト
マスクが剥膜作業で十分除去されていない場合でも，焼
成によって完全に除去が可能となる。特に高精細な隔壁
を形成する場合など，隔壁間が狭くなり剥離液でレジス
トマスクを完全に剥離出来ない場合には有効である。
【００１０】請求項５においては、請求項１または請求
項３記載の隔壁形成用基板において、後に形成する隔壁
形成用耐サンドブラスト性レジストマスクより電極及び
端子部分を覆う電極及び端子用耐サンドブラスト性レジ
ストマスクが薄いことを特徴とする隔壁形成用基板を提
供する。電極及び端子部分を覆う電極及び端子用耐サン
ドブラスト性レジストマスクは、隔壁形成層を形成する
際に支障が生じないよう薄くする方が有利である。電極
及び端子用耐サンドブラスト性レジストマスクが厚い
と、サンドブラストで切削する際に、電極及び端子用耐
サンドブラスト性レジストマスクに邪魔されて、サンド
ブラスト工程が充分になされない。従って、電極及び端
子用耐サンドブラスト性レジストマスクは薄いものが望
ましい。請求項５において、電極及び端子用耐サンドブ
ラスト性レジストマスクの厚さを規定してはいるが、実
際は電極及び端子用耐サンドブラスト性レジストマスク
に市販品のドライフィルムを使用するのが一般的であ
り、電極及び端子用耐サンドブラスト性レジストマスク
の厚さは市販品のドライフィルムの厚さで決まることが
多い。市販品のドライフィルムの厚さには、１５〜５０
μｍのものがある。但し、電極及び端子用耐サンドプラ
スト性レジストマスクの厚さはこれらに限るわけではな
いのはもちろんである。
項３記載の隔壁形成用基板において、後に形成する隔壁
形成用耐サンドブラスト性レジストマスクより電極及び
端子部分を覆う電極及び端子用耐サンドブラスト性レジ
ストマスクが薄いことを特徴とする隔壁形成用基板を提
供する。電極及び端子部分を覆う電極及び端子用耐サン
ドブラスト性レジストマスクは、隔壁形成層を形成する
際に支障が生じないよう薄くする方が有利である。電極
及び端子用耐サンドブラスト性レジストマスクが厚い
と、サンドブラストで切削する際に、電極及び端子用耐
サンドブラスト性レジストマスクに邪魔されて、サンド
ブラスト工程が充分になされない。従って、電極及び端
子用耐サンドブラスト性レジストマスクは薄いものが望
ましい。請求項５において、電極及び端子用耐サンドブ
ラスト性レジストマスクの厚さを規定してはいるが、実
際は電極及び端子用耐サンドブラスト性レジストマスク
に市販品のドライフィルムを使用するのが一般的であ
り、電極及び端子用耐サンドブラスト性レジストマスク
の厚さは市販品のドライフィルムの厚さで決まることが
多い。市販品のドライフィルムの厚さには、１５〜５０
μｍのものがある。但し、電極及び端子用耐サンドプラ
スト性レジストマスクの厚さはこれらに限るわけではな
いのはもちろんである。
【００１１】請求項６においては、請求項１記載の隔壁
形成用基板において隔壁を形成する部分に隔壁幅より広
く低融点ガラスをパターン状に所望の膜厚に塗布し，そ
の塗膜上に隔壁形成用耐サンドブラスト性レジストマス
クを形成しサンドブラスト加工によって隔壁を形成する
ことを特徴とする隔壁形成方法を提供する。請求項６は
電極及び端子部分を覆うドライフィルムが厚い場合で，
ドライフィルムを含め全面に隔壁ペーストを塗布しよう
とすると基板の面が平らでないため均一な塗布がし難い
ような場合，隔壁部分に隔壁幅より少し広く隔壁ペース
トを塗布することで一定の膜厚が得られ段差が緩やかに
なり，隔壁形成用耐サンドブラスト性レジストマスクの
形成で良好な結果が得られる。
形成用基板において隔壁を形成する部分に隔壁幅より広
く低融点ガラスをパターン状に所望の膜厚に塗布し，そ
の塗膜上に隔壁形成用耐サンドブラスト性レジストマス
クを形成しサンドブラスト加工によって隔壁を形成する
ことを特徴とする隔壁形成方法を提供する。請求項６は
電極及び端子部分を覆うドライフィルムが厚い場合で，
ドライフィルムを含め全面に隔壁ペーストを塗布しよう
とすると基板の面が平らでないため均一な塗布がし難い
ような場合，隔壁部分に隔壁幅より少し広く隔壁ペース
トを塗布することで一定の膜厚が得られ段差が緩やかに
なり，隔壁形成用耐サンドブラスト性レジストマスクの
形成で良好な結果が得られる。
【００１２】このように電極及び端子部分を電極及び端
子用耐サンドブラスト性レジストマスクで覆うことによ
って焼成前の電極及び端子部分及びその表面を覆う誘電
体層が焼成されていなくてもサンドブラスト時に切削さ
れず，電極及び誘電体，隔壁を同時に焼成する事が出来
るため，焼成回数を減らすことが出来る。
子用耐サンドブラスト性レジストマスクで覆うことによ
って焼成前の電極及び端子部分及びその表面を覆う誘電
体層が焼成されていなくてもサンドブラスト時に切削さ
れず，電極及び誘電体，隔壁を同時に焼成する事が出来
るため，焼成回数を減らすことが出来る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態について説
明する。請求項１において、基板の上にある電極及び端
子部分とについて説明する。基板の上にある電極とは、
基板の上に形成された導電性の電極のことで、端子と
は、該電極の先端の部分のことをいう。端子部分側を除
いて基板及び電極部分の上を覆う誘電体層とは、前記端
子部分側ではなく、前記電極側の基板全面上に形成され
る誘電体層のことである。電極及び端子部分を覆うよう
に設置された電極及び端子用耐サンドブラスト性レジス
トマスクとは、電極及び端子上に形成された耐サンドブ
ラスト性レジストマスクである。但し該レジストマスク
は、端子の上には直接接するように形成されているが、
電極の上には直接接するように形成されていない。即
ち、電極の直接上は誘電体層であり、その上に該レジス
トマスクを形成する。該レジストマスクの幅は、電極及
び端子と同じ幅であるかそれ以上の長さであることが望
ましい。それは、サンドブラストによって電極及び端子
が削られるのを防ぐためである。尚、電極上の該レジス
トマスクの幅は、隔壁と隔壁の間の幅より狭いことが望
ましい。これは、サンドブラスト後、該レジストマスク
が、隔壁下に残ることを避けるためであり、即ち、該レ
ジストマスクをサンドブラスト後に剥離しやすくするた
めである。
明する。請求項１において、基板の上にある電極及び端
子部分とについて説明する。基板の上にある電極とは、
基板の上に形成された導電性の電極のことで、端子と
は、該電極の先端の部分のことをいう。端子部分側を除
いて基板及び電極部分の上を覆う誘電体層とは、前記端
子部分側ではなく、前記電極側の基板全面上に形成され
る誘電体層のことである。電極及び端子部分を覆うよう
に設置された電極及び端子用耐サンドブラスト性レジス
トマスクとは、電極及び端子上に形成された耐サンドブ
ラスト性レジストマスクである。但し該レジストマスク
は、端子の上には直接接するように形成されているが、
電極の上には直接接するように形成されていない。即
ち、電極の直接上は誘電体層であり、その上に該レジス
トマスクを形成する。該レジストマスクの幅は、電極及
び端子と同じ幅であるかそれ以上の長さであることが望
ましい。それは、サンドブラストによって電極及び端子
が削られるのを防ぐためである。尚、電極上の該レジス
トマスクの幅は、隔壁と隔壁の間の幅より狭いことが望
ましい。これは、サンドブラスト後、該レジストマスク
が、隔壁下に残ることを避けるためであり、即ち、該レ
ジストマスクをサンドブラスト後に剥離しやすくするた
めである。
【００１４】請求項２において、隔壁形成用耐サンドブ
ラスト性レジストマスクとは、隔壁形成層の上に形成す
る耐サンドブラスト性レジストマスクのことであり、隔
壁部分に相当するパターン状に形成する。
ラスト性レジストマスクとは、隔壁形成層の上に形成す
る耐サンドブラスト性レジストマスクのことであり、隔
壁部分に相当するパターン状に形成する。
【００１５】ＡＣ型ＰＤＰの背面基板の本方式による製
造について説明する。ガラス基板にストライプ状電極を
導電ペーストを用いスクリーン印刷法で形成する。充分
乾燥後この上に誘電体を端子部を除いて全面塗布し、乾
燥する。通常この後焼成を行うが，ここではドライフィ
ルムをラミネート，電極パターンのマスクを露光し，そ
の後現像して電極及び端子部をドライフィルムで覆う。
充分乾燥した後，その基板全面に隔壁形成ペーストを端
子部近傍まで塗布し, 乾燥する。その上にドライフィル
ムをラミネート，隔壁パターンマスクを露光後，現像し
てサンドブラストマスクを形成する。この基板をサンド
ブラスト装置で切削する。 この後剥離液に漬けドライフ
ィルムレジストを膨潤剥離した。隔壁間に比べ電極を覆
ったマスクが細かったため容易に剥離できた。 この後バ
ッチ炉で焼成を行った。
造について説明する。ガラス基板にストライプ状電極を
導電ペーストを用いスクリーン印刷法で形成する。充分
乾燥後この上に誘電体を端子部を除いて全面塗布し、乾
燥する。通常この後焼成を行うが，ここではドライフィ
ルムをラミネート，電極パターンのマスクを露光し，そ
の後現像して電極及び端子部をドライフィルムで覆う。
充分乾燥した後，その基板全面に隔壁形成ペーストを端
子部近傍まで塗布し, 乾燥する。その上にドライフィル
ムをラミネート，隔壁パターンマスクを露光後，現像し
てサンドブラストマスクを形成する。この基板をサンド
ブラスト装置で切削する。 この後剥離液に漬けドライフ
ィルムレジストを膨潤剥離した。隔壁間に比べ電極を覆
ったマスクが細かったため容易に剥離できた。 この後バ
ッチ炉で焼成を行った。
【００１６】高精細なＡＣ型背面基板の場合について説
明する。ガラス基板上に導電ペーストを使ってスクリー
ン印刷で電極を形成する。十分乾燥した後その表面を端
子部を除いて全面誘電体を塗布し, 乾燥する。 その上に
易焼成ドライフィルムをラミネートした後，電極及び端
子部を覆うパターンを露光し，現像することによって電
極部及び端子部を保護する電極及び端子用耐サンドブラ
スト性レジストマスクを作製する。この後基板全面にス
クリーン印刷で隔壁ペーストを塗布して隔壁形成層とす
る。充分乾燥後ドライフィルムをラミネートし，隔壁パ
ターンマスクを使って露光し，現像してサンドブラスト
マスクを形成する。その基板をサンドブラスト装置で切
削を行った。 その後隔壁パターンマスクを剥離液で除
去，充分乾燥した。 この後バッチ炉で焼成を行った。隔
壁のピッチが狭いものは隔壁間の電極を覆うマスクを剥
離液で剥離するのが難いが，焼成によって完全に除去す
ることが出来た。
明する。ガラス基板上に導電ペーストを使ってスクリー
ン印刷で電極を形成する。十分乾燥した後その表面を端
子部を除いて全面誘電体を塗布し, 乾燥する。 その上に
易焼成ドライフィルムをラミネートした後，電極及び端
子部を覆うパターンを露光し，現像することによって電
極部及び端子部を保護する電極及び端子用耐サンドブラ
スト性レジストマスクを作製する。この後基板全面にス
クリーン印刷で隔壁ペーストを塗布して隔壁形成層とす
る。充分乾燥後ドライフィルムをラミネートし，隔壁パ
ターンマスクを使って露光し，現像してサンドブラスト
マスクを形成する。その基板をサンドブラスト装置で切
削を行った。 その後隔壁パターンマスクを剥離液で除
去，充分乾燥した。 この後バッチ炉で焼成を行った。隔
壁のピッチが狭いものは隔壁間の電極を覆うマスクを剥
離液で剥離するのが難いが，焼成によって完全に除去す
ることが出来た。
【００１７】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００１８】＜実施例１＞ＡＣ型ＰＤＰの背面基板の本
方式による製造について説明する。ガラス基板にＡｇ−
ＰｄペーストをＳＵＳ３２０メッシュのスクリーン版で
ウェット２回刷りで膜厚１０−１２μｍのストライプ状
電極を形成する。充分乾燥後この上に誘電体（日本電気
硝子／ＰＬＳ−３２３２）を端子部を除いて全面塗布す
る。 版はテトロン２００メッシュでウェット２回刷りと
し膜厚２５μｍ塗布，乾燥する。通常この後焼成を行う
が，ここでは３０μｍ厚のドライフィルム（東京応化工
業／ＢＦ６０３）をラミネート，電極パターンのマスク
を露光し，その後現像して電極及び端子部をドライフィ
ルムで覆う。充分乾燥した後，その基板全面に隔壁形成
ペースト（日本電気硝子／ＰＬＳ−３５５０）を端子部
近傍まで膜厚１８０μｍ塗布し, 乾燥する。その上にド
ライフィルム（東京応化工業／ＢＦ６０３）をラミネー
ト，隔壁パターンマスクを露光後，現像してサンドブラ
ストマスクを形成する。この基板を不二製作所のサンド
ブラスト装置でＳ−４サンドを使用して切削する。 サン
ド噴射圧は０. ２５ＭＰａ，サンド噴射量は２００ｇ／
ｍｉｎ，基板送り速度は６０ｍｍ／ｍｉｎで切削した。
ここではピッチ２２０μｍ，隔壁幅６０μｍ，高さ１８
０μｍの隔壁を形成した。 この後４０℃の剥離液に３分
間漬けドライフィルムレジストを膨潤剥離した。隔壁間
に比べ電極を覆ったマスクが細かったため容易に剥離で
きた。 この後バッチ炉で焼成を行った。温度は室温２５
℃から＋５℃／ｍｉｎで昇温し３５０℃で１時間保持，
その後＋２℃／ｍｉｎで５５０℃まで昇温し，１０分間
保持した後電源を切り５時間放置，約１８０℃で炉扉を
１／３開放して放置，４０℃以下の温度になったところ
で基板を取り出した。
方式による製造について説明する。ガラス基板にＡｇ−
ＰｄペーストをＳＵＳ３２０メッシュのスクリーン版で
ウェット２回刷りで膜厚１０−１２μｍのストライプ状
電極を形成する。充分乾燥後この上に誘電体（日本電気
硝子／ＰＬＳ−３２３２）を端子部を除いて全面塗布す
る。 版はテトロン２００メッシュでウェット２回刷りと
し膜厚２５μｍ塗布，乾燥する。通常この後焼成を行う
が，ここでは３０μｍ厚のドライフィルム（東京応化工
業／ＢＦ６０３）をラミネート，電極パターンのマスク
を露光し，その後現像して電極及び端子部をドライフィ
ルムで覆う。充分乾燥した後，その基板全面に隔壁形成
ペースト（日本電気硝子／ＰＬＳ−３５５０）を端子部
近傍まで膜厚１８０μｍ塗布し, 乾燥する。その上にド
ライフィルム（東京応化工業／ＢＦ６０３）をラミネー
ト，隔壁パターンマスクを露光後，現像してサンドブラ
ストマスクを形成する。この基板を不二製作所のサンド
ブラスト装置でＳ−４サンドを使用して切削する。 サン
ド噴射圧は０. ２５ＭＰａ，サンド噴射量は２００ｇ／
ｍｉｎ，基板送り速度は６０ｍｍ／ｍｉｎで切削した。
ここではピッチ２２０μｍ，隔壁幅６０μｍ，高さ１８
０μｍの隔壁を形成した。 この後４０℃の剥離液に３分
間漬けドライフィルムレジストを膨潤剥離した。隔壁間
に比べ電極を覆ったマスクが細かったため容易に剥離で
きた。 この後バッチ炉で焼成を行った。温度は室温２５
℃から＋５℃／ｍｉｎで昇温し３５０℃で１時間保持，
その後＋２℃／ｍｉｎで５５０℃まで昇温し，１０分間
保持した後電源を切り５時間放置，約１８０℃で炉扉を
１／３開放して放置，４０℃以下の温度になったところ
で基板を取り出した。
【００１９】＜実施例２＞高精細なＡＣ型背面基板でピ
ッチ１５０μｍ，隔壁幅５０μｍの場合について説明す
る。ガラス基板上にＡｇ−Ｐｄペーストを使ってＳＵＳ
３２５メッシュのスクリーン版で，ウェット２回刷りで
７０μｍ幅の電極を形成する。十分乾燥した後その表面
を端子部を除いて全面誘電体を塗布し, 乾燥する。 その
上に易焼成ドライフィルムをラミネートした後，電極及
び端子部を覆うパターンを露光し，現像することによっ
て電極部及び端子部を保護する電極及び端子用耐サンド
ブラスト性レジストマスクを作製する。易焼成ドライフ
ィルムとして日本合成化学ＮＩＴ２００を使用した。こ
の後基板全面にスクリーン印刷で隔壁ペーストを膜厚１
８０μｍ塗布して隔壁形成層とする。充分乾燥後ドライ
フィルム（東京応化工業／ＢＦ６０３）をラミネート
し，隔壁パターンマスクを使って露光し，現像してサン
ドブラストマスクを形成する。その基板を不二製作所の
サンドブラストマシーンでＳ−４サンドを吹き付け切削
を行った。 その後隔壁パターンマスクのドライフィルム
を剥離液で除去，充分乾燥した。 この後バッチ炉で焼成
を行った。温度は室温２５℃から＋５℃／ｍｉｎで昇温
し３５０℃で１時間保持，その後＋２℃／ｍｉｎで５５
０℃まで昇温し，１０分間保持した後電源を切り５時間
放置，約１８０℃で炉扉を１／３開放して放置，４０℃
以下の温度になったところで基板を取り出した。このよ
うにピッチの狭いものは隔壁間の電極を覆うマスクを剥
離液で剥離するのが難いが，焼成によって完全に除去す
ることが出来た。
ッチ１５０μｍ，隔壁幅５０μｍの場合について説明す
る。ガラス基板上にＡｇ−Ｐｄペーストを使ってＳＵＳ
３２５メッシュのスクリーン版で，ウェット２回刷りで
７０μｍ幅の電極を形成する。十分乾燥した後その表面
を端子部を除いて全面誘電体を塗布し, 乾燥する。 その
上に易焼成ドライフィルムをラミネートした後，電極及
び端子部を覆うパターンを露光し，現像することによっ
て電極部及び端子部を保護する電極及び端子用耐サンド
ブラスト性レジストマスクを作製する。易焼成ドライフ
ィルムとして日本合成化学ＮＩＴ２００を使用した。こ
の後基板全面にスクリーン印刷で隔壁ペーストを膜厚１
８０μｍ塗布して隔壁形成層とする。充分乾燥後ドライ
フィルム（東京応化工業／ＢＦ６０３）をラミネート
し，隔壁パターンマスクを使って露光し，現像してサン
ドブラストマスクを形成する。その基板を不二製作所の
サンドブラストマシーンでＳ−４サンドを吹き付け切削
を行った。 その後隔壁パターンマスクのドライフィルム
を剥離液で除去，充分乾燥した。 この後バッチ炉で焼成
を行った。温度は室温２５℃から＋５℃／ｍｉｎで昇温
し３５０℃で１時間保持，その後＋２℃／ｍｉｎで５５
０℃まで昇温し，１０分間保持した後電源を切り５時間
放置，約１８０℃で炉扉を１／３開放して放置，４０℃
以下の温度になったところで基板を取り出した。このよ
うにピッチの狭いものは隔壁間の電極を覆うマスクを剥
離液で剥離するのが難いが，焼成によって完全に除去す
ることが出来た。
【００２０】
【発明の効果】プラズマディスプレイパネルの製造にお
いて，従来はサンドブラスト法で隔壁を形成する背面板
の加工で一括焼成が出来なかったが、本発明は一括焼成
を可能とするものであり、従って、省エネ，品質向上，
コストダウンに寄与する。
いて，従来はサンドブラスト法で隔壁を形成する背面板
の加工で一括焼成が出来なかったが、本発明は一括焼成
を可能とするものであり、従って、省エネ，品質向上，
コストダウンに寄与する。
【図１】基板に電極を形成しその上に誘電体層を設け一
度焼成を行う。その上に隔壁形成層を設けサンドブラス
トで切削加工を行う従来の層構成を示す。
度焼成を行う。その上に隔壁形成層を設けサンドブラス
トで切削加工を行う従来の層構成を示す。
【図２】基板に電極を形成し，更にその上を誘電体層で
覆う。その後電極及び端子用耐サンドブラスト性レジス
トマスクで電極及び端子部分のみを覆う。その上に隔壁
形成層を設け更に隔壁マスクを形成してサンドブラスト
で切削する基板の構成を示すもの。
覆う。その後電極及び端子用耐サンドブラスト性レジス
トマスクで電極及び端子部分のみを覆う。その上に隔壁
形成層を設け更に隔壁マスクを形成してサンドブラスト
で切削する基板の構成を示すもの。
【図３】電極及び誘電体層に電極及び端子用耐サンドブ
ラスト性レジストマスクを形成した状態を示す。
ラスト性レジストマスクを形成した状態を示す。
【図４】一括焼成基板全層形成状態を示す。
Ａ・・・隔壁形成用耐サンドブラスト性レジストマスク Ｂ・・・隔壁形成層 Ｃ・・・電極及び端子用耐サンドブラスト性レジストマ
スク Ｄ・・・誘電体層 Ｅ・・・電極 Ｆ・・・端子部 Ｇ・・・ガラス基板 Ｈ・・・ガラス基板の上に、電極及び端子用耐サンドブ
ラスト性レジストマスクが形成された部分 Ｉ・・・ガラス基板の上に、誘電体層が形成された部分 Ｊ・・・ガラス基板の上に電極が、さらにその上に誘電
体層が、さらにその上に電極及び端子用耐サンドブラス
ト性レジストマスクが形成された部分 Ｋ・・・ガラス基板の上に誘電体層が、さらにその上に
電極及び端子用耐サンド ブラスト性レジストマスクが形成された部分Ｌ・・・ガ
ラス基板の上に端子が、さらにその上に電極及び端子用
耐サンドブラスト性レジストマスクが形成された部分 Ｍ・・・ガラス基板の上に電極が、さらにその上に誘電
体層が、さらにその上に電極及び端子用耐サンドブラス
ト性レジストマスクが、さらにその上に隔壁形成層が形
成された部分 Ｎ・・・ガラス基板の上に誘電体層が、さらにその上に
隔壁形成層が形成された部分 Ｏ・・・ガラス基板の上に電極が、さらにその上に誘電
体層が、さらにその上に電極及び端子用耐サンドブラス
ト性レジストマスクが、さらにその上に隔壁形成層が、
さらにその上に隔壁形成用耐サンドブラスト性レジスト
マスクが形成された部分
スク Ｄ・・・誘電体層 Ｅ・・・電極 Ｆ・・・端子部 Ｇ・・・ガラス基板 Ｈ・・・ガラス基板の上に、電極及び端子用耐サンドブ
ラスト性レジストマスクが形成された部分 Ｉ・・・ガラス基板の上に、誘電体層が形成された部分 Ｊ・・・ガラス基板の上に電極が、さらにその上に誘電
体層が、さらにその上に電極及び端子用耐サンドブラス
ト性レジストマスクが形成された部分 Ｋ・・・ガラス基板の上に誘電体層が、さらにその上に
電極及び端子用耐サンド ブラスト性レジストマスクが形成された部分Ｌ・・・ガ
ラス基板の上に端子が、さらにその上に電極及び端子用
耐サンドブラスト性レジストマスクが形成された部分 Ｍ・・・ガラス基板の上に電極が、さらにその上に誘電
体層が、さらにその上に電極及び端子用耐サンドブラス
ト性レジストマスクが、さらにその上に隔壁形成層が形
成された部分 Ｎ・・・ガラス基板の上に誘電体層が、さらにその上に
隔壁形成層が形成された部分 Ｏ・・・ガラス基板の上に電極が、さらにその上に誘電
体層が、さらにその上に電極及び端子用耐サンドブラス
ト性レジストマスクが、さらにその上に隔壁形成層が、
さらにその上に隔壁形成用耐サンドブラスト性レジスト
マスクが形成された部分
Claims (6)
- 【請求項１】基板と、基板の上にある電極及び端子部分
と、端子部分側を除いて基板及び電極部分の上を覆う誘
電体層と、さらにその上に電極及び端子部分を覆うよう
に設置された電極及び端子用耐サンドブラスト性レジス
トマスクと、さらにその上の隔壁形成層とを有すること
を特徴とする、隔壁形成用基板。 - 【請求項２】請求項１記載の隔壁形成用基板上に隔壁形
成用耐サンドブラスト性レジストマスクを形成したあと
サンドブラスト法で隔壁を形成し，該隔壁形成用耐サン
ドブラスト性レジストマスクと電極及び端子用耐サンド
ブラスト性レジストマスクを剥膜した後，電極，誘電体
及び隔壁を同時に焼成を行うことを特徴とする隔壁形成
方法。 - 【請求項３】電極及び端子部分を覆うように設置された
電極及び端子用耐サンドブラスト性レジストマスクが易
焼成性レジストであることを特徴とする請求項１記載の
隔壁形成用基板。 - 【請求項４】請求項３記載の隔壁形成用基板上に隔壁形
成用耐サンドブラスト性レジストマスクを形成したあと
サンドブラスト法で隔壁を形成し，該隔壁形成用耐サン
ドブラスト性レジストマスクを剥膜した後，電極，誘電
体及び隔壁を同時に焼成を行うことを特徴とする隔壁形
成方法。 - 【請求項５】請求項１または請求項３記載の隔壁形成用
基板において、それぞれ請求項２または請求項４による
隔壁形成方法によって隔壁を形成する際に用いる隔壁形
成用耐サンドブラスト性レジストマスクより、電極及び
端子部分を覆う電極及び端子用耐サンドブラスト性レジ
ストマスクが薄いことを特徴とする隔壁形成用基板。 - 【請求項６】請求項１または請求項３または請求項５記
載の隔壁形成用基板において隔壁を形成する部分に隔壁
幅より広く低融点ガラスをパターン状に所望の膜厚に塗
布し，その塗膜上に隔壁形成用耐サンドブラスト性レジ
ストマスクを形成しサンドブラスト加工によって隔壁を
形成することを特徴とする隔壁形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10031608A JPH11233010A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 隔壁形成用基板及びその基板を用いた隔壁形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10031608A JPH11233010A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 隔壁形成用基板及びその基板を用いた隔壁形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233010A true JPH11233010A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12335929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10031608A Pending JPH11233010A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 隔壁形成用基板及びその基板を用いた隔壁形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233010A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7060411B2 (en) | 2001-10-23 | 2006-06-13 | Toray Industries, Inc. | Dielectric paste and manufacturing method of plasma display |
| US7567032B2 (en) | 2005-03-24 | 2009-07-28 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display panel and manufacturing method of the same |
-
1998
- 1998-02-13 JP JP10031608A patent/JPH11233010A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7060411B2 (en) | 2001-10-23 | 2006-06-13 | Toray Industries, Inc. | Dielectric paste and manufacturing method of plasma display |
| US7470737B2 (en) | 2001-10-23 | 2008-12-30 | Toray Industries, Inc. | Dielectric paste and manufacturing method of plasma display |
| US7567032B2 (en) | 2005-03-24 | 2009-07-28 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display panel and manufacturing method of the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070703 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070829 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071130 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080129 |