CN1838363A - 等离子体显示板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种等离子体显示板及其制造方法，所述等离子体显示板包括：彼此相对设置的第一和第二基板；形成于所述第一基板上且沿着第一方向延伸的寻址电极；覆盖寻址电极的第一介质层；所述第一介质层上的第二介质层；交替设置在所述第二介质层上并沿着第二方向延伸的第一电极和第二电极；覆盖所述第一电极和所述第二电极的第三介质层；放电空间，所述放电空间具有由所述放电空间底部的所述第一介质层所界定的底部以及由所述第二和第三介质层所界定的侧壁；以及所述放电空间中的磷光层。

Description

等离子体显示板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种具有相对的放电结构的等离子体显示板(PDP)。更具体地，本发明涉及一种可以容易地形成、具有高透光率和发光效率的PDP及其制造方法。

背景技术

在常规等离子体显示板(PDP)中，后基板和前基板被彼此面对地组装，在后基板和前基板之间的放电空间中填充惰性气体，在放电空间中发生辉光放电。

更具体地，通过以下方式提供后基板：在后基板上形成寻址电极，用介质层覆盖寻址电极，在介质层上形成阻挡肋并在由阻挡肋限定的区域中形成磷光层。此外，通过以下方式提供面对后基板的前基板：在前基板上形成具有维持电极和扫描电极的电极对，该电极对与寻址电极正交，并用包括介质层和保护层的堆叠结构覆盖电极对。

PDP在放电空间中从辉光放电产生等离子体。由等离子体产生真空紫外(VUV)线，磷光体被VUV线所激励。随后利用磷光体产生的红、绿和蓝光显示图像。

形成于PDP前基板上的维持电极和扫描电极一般是不透明的。因此，由磷光体发出的可见光被维持电极和扫描电极阻挡，降低了透光率。当PDP具有表面放电结构时，需要高电压，在维持放电期间的发光效率低。为了克服这些问题，需要一种具有相对的放电结构的PDP，如以下运行说明所示。

辉光放电是通过在两个电极之间施加高于放电启动电压的电压产生的。一旦产生放电，由于产生于阴极和阳极周边的介质层上的空间电荷效应，阴极和阳极之间的电压分布具有变形的形状。即，在两个电极自己形成阴极鞘、阳极鞘和正性柱的区域。大部分施加到两个电极用于放电的电压在阴极周边的阴极鞘区域中被消耗。一部分电压在阳极周边的阳极鞘区域中被消耗。正性柱区域形成阴极鞘区域和阳极鞘区域之间，消耗可忽略的电压。

具有相对的放电结构的PDP增大了在辉光放电期间产生于阳极鞘和阴极鞘之间的正性柱，因此与具有表面放电结构的PDP相比改善了放电效率。

在该背景部分中所公开的上述信息仅用于增加对本发明背景的理解，因此可能包含并非形成本领域技术人员所知的现有技术的信息。

发明内容

本发明涉及一种等离子体显示板(PDP)及其制造方法，其基本克服了因现有技术的局限和缺陷所带来的一个或多个问题。

本发明的实施例的一个特征在于提供一种PDP及其制造方法，其允许容易地形成维持电极和扫描电极的相对放电结构。

本发明的实施例的另一特征在于提供一种具有高发光效率和透光率的PDP及其制造方法。

本发明的至少一个上述和其他特征和优势可以通过提供一种PDP来实现，其包括：第一基板；形成于所述第一基板上且沿着第一方向延伸的寻址电极；覆盖寻址电极的第一介质层；所述第一介质层上的第二介质层；交替设置在所述第二介质层上并沿着第二方向延伸的第一电极和第二电极；覆盖所述第一电极和所述第二电极的第三介质层；放电空间，所述放电空间具有由所述放电空间底部的所述第一介质层所界定的底部以及由所述第二和第三介质层所界定的侧壁；以及所述放电空间中的磷光层。

第一感光材料层可以在第一介质层和第二介质层之间。所述第二方向可以与所述第一方向正交，且所述第一感光材料层可以在所述第二介质层与所述寻址电极交叉处。所述第一感光材料层的宽度可以与所述第二介质层的宽度为基本同延的(substantially coextensive)，所述宽度沿所述第一方向测量。

所述第二介质层可以包括设置在相邻的寻址电极之间且沿着所述第一方向延伸的第一构件以及与所述寻址电极正交且交叉的第二构件。所述第三介质层可以包括对应于所述第一构件的第三构件以及与所述第三构件交叉且对应于所述第二构件的第四构件。

所述第三介质层可以在所述放电空间中具有形成于其上的保护层。所述保护层可以是不透明的。所述第二介质层和所述第三介质层可以由相同的材料形成。所述寻址电极、所述第一电极和所述第二电极可以由导电的不透明材料形成。在所述第一电极和所述第二电极的截面中，所述第一电极和所述第二电极沿水平方向的尺寸可以小于沿垂直方向的尺寸。从所述第一基板到对应于所述寻址电极的所述第一介质层的距离可以大于从所述第一基板到邻近平行于所述寻址电极的所述第二介质层设置的第一介质层的距离。与所述放电空间的侧壁相邻的凹槽可以在所述第一介质层中。所述凹槽可以平行于所述寻址电极。

本发明的至少一个上述和其他特征和优势可以通过提供一种制造PDP的方法来实现，其包括：在第一基板上形成寻址电极；在所述寻址电极上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成第一感光材料层；在所述第一感光材料层上形成第二介质膜；在所述第二介质层上形成交替的第一和第二电极；在所述第一和第二电极上形成第三介质膜；在第三介质层上形成第二感光材料层；所述第二感光材料被构图以覆盖所述第一电极和所述第二电极；使用已构图的第二感光材料层作为掩模将所述第二介质层和所述第三介质层蚀刻至所述第一感光材料层，从而形成放电空间，以及在所述放电空间内部形成磷光层。

形成所述放电空间可以包括喷砂。形成所述磷光层还可以包括：将磷光体涂布到形成所述放电空间的所述第二介质层的内表面以及被所述第二介质层分隔的所述第一介质层的表面。所述方法还可以包括在所述第三介质层的侧壁上形成保护层。在形成所述磷光层之前且在形成所述放电空间之后，可以除去所述第一感光材料层和所述第二感光材料层。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明的示范性实施例，本发明的上述和其他特征和优势对于本领域的普通技术人员将变得更加明显，附图中：

图1示出了根据本发明示范性实施例的PDP的局部分解透视图；

图2示出了沿图1的线II-II截取的垂直截面图；

图3示出了沿图1的线III-III截取的垂直截面图；

图4示出了沿图1的线IV-IV截取的水平截面图；

图5示出了根据本发明实施例的PDP的制造工艺的流程图；

图6到图11示出了制造根据本发明实施例的PDP的后基板的方法的阶段截面图。

具体实施方式

现在将在下文中参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的示范性实施例。不过，本发明可以用不同形式实现，不应被理解为受限于这里所述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开彻底和完整，并将本发明的范围完整地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了说明清晰夸大了层和区域的尺寸。还要理解的是，当称一层在另一层或基板“上”时，它可以直接在另一层或基板上，或者也可能存在中间层。此外，还要理解的是，当称一层在另一层“下”时，它可以直接在其下，或者也可以存在一个或多个中间层。此外，还要理解，当称一层在两层“之间”时，它可能是该两层之间的唯一一层，或者也可能存在一个或多个中间层。通篇中类似的参考数字指示类似的元件。

图1示出了根据本发明实施例的PDP的局部分解透视图，图2示出了沿图1的线II-II截取的垂直截面图，图3示出了沿图1的线III-III截取的垂直截面图，而图4示出了沿图1的线IV-IV截取的水平截面图。

参考图1-4，根据本发明实施例的PDP可以包括彼此相对且其间具有预定空间而设置的第一基板10(以下称为“后基板”)和第二基板20(以下称为“前基板”)。此外，多个放电空间17可以形成于后基板10和前基板20之间。磷光层19可以形成于放电空间17中。放电气体，例如包括氖(Ne)和氙(Xe)的气体混合物可以填充放电空间17。磷光层19在吸收由放电气体中的等离子体放电产生的真空紫外(VUV)线之后发出可见光。

寻址电极11、第一电极31(以下，“维持电极”)和第二电极32(以下，“扫描电极”)可以设置于前基板20和后基板10之间以显示图像。寻址电极11可以对应于每个放电空间17形成。维持电极31和扫描电极32可以对应于每个放电空间17沿着与寻址电极11交叉的方向彼此面对地设置。当额外地形成与寻址电极11交叉并产生寻址放电的电极时，维持电极31和扫描电极32可以沿着平行于寻址电极11的方向形成。在下文中，为了便于解释，将作为范例描述与寻址电极11交叉的维持电极31和扫描电极32的结构。

可以将寻址脉冲施加到寻址电极11，可以将扫描脉冲施加到扫描电极32，产生寻址放电。将要被开启的放电空间17可以由寻址放电选定。在寻址放电之后，可以相对地(reciprocally)将维持脉冲施加到维持电极31和扫描电极32，产生维持放电。维持放电在选定的放电空间17中显示图像。此外，在维持放电之后，可以将电压高于维持脉冲的复位脉冲施加到扫描电极32，使得维持电极31可以被偏置具有基准电压。每个放电空间17都可以被复位脉冲复位。本发明不局限于以上描述，因为每个电极可以根据施加到其上的电压操作不同。

寻址电极11可以形成于后基板10的内表面上，且可以沿着一个方向，例如沿着图1-4所示的y轴方向延伸。此外，寻址电极11可以被第一介质层13覆盖。第一介质层13还可以覆盖后基板10的剩余部分。寻址电极11可以设置为与其他相邻的寻址电极11平行，沿着如图1-4所示的x轴方向在其间保持空间，并对应于放电空间17。

第一感光材料层12可以形成于第一介质层13上。如图4所示，第一感光材料层12可以设置有预定间距，且对应于寻址电极11。第一感光材料层12可以被第二介质层14覆盖。第一感光材料层12可以保护寻址电极11免受蚀刻。亦即，当通过蚀刻对应于寻址电极11的第二介质层14来形成放电空间17时，第一感光材料层12保护寻址电极11不被蚀刻。因此，第一感光材料层12可以形成于对应于整个寻址电极11的第一介质层13上。此外，暴露于蚀刻的一部分第一感光材料层12可能在蚀刻后被除去。

即使当暴露于蚀刻的该部分被除去时，第一感光材料层12仍保留在寻址电极11和第二介质层14交叉的地方，因为第一感光材料层12是被第二介质层14覆盖的，如图2所示。如图2所示，在平行于寻址电极11(即，y轴方向)且垂直于后基板10和前基板20(即，z轴方向)的平面中的截面中，可以将第一感光材料层12的宽度形成为类似于分隔放电空间17的第二介质层14的宽度。

第二介质层14可以形成于第一感光材料层12和第一感光材料层12未形成的第一介质层13上。第二介质层14可以分隔放电空间17。第二介质层14可以如图1-4所示以网格形式分隔放电空间17，或者以条形式分隔放电空间(未示出)。当放电空间17形成为条时，第二介质层14可以仅形成于平行于第一感光材料层12的方向(未示出)。

当放电空间17如图1-4所示形成网格形式时，第二介质层14可以包括第一构件14a和第二构件14b。第一构件14a可以设置于相邻的寻址电极11之间且可以平行于它延伸。第二构件14b可以与第一构件14a交叉地形成，并对应于维持电极31和扫描电极32。当放电空间17形成为网格时，第二介质层14可以沿平行于第一感光材料层12的y轴方向形成，且沿与第一感光材料层12交叉的x轴方向形成。此外，第二介质层14可以通过在对应于维持电极31和扫描电极32的部分局部地覆盖第一感光材料层12来形成。

参考图3，从后基板10到对应于寻址电极11的第一介质层13的距离(h₁)可以大于从后基板10到形成于放电空间17两个边缘处的第一介质层13的距离(h₂)。换言之，在对应于寻址电极11的部分，从后基板10到放电空间17的底表面的距离可以大于从后基板10到放电空间17邻接第一构件14a的底表面的距离。

更详细地讲，可以通过例如喷砂法蚀刻第二介质层14，以形成放电空间17。因为第一感光材料层12，对应于寻址电极11的一部分的第一介质层13未受到蚀刻的影响。不过，在未形成第一感光材料层12的地方，即，在放电空间17的两个边缘，第一介质层13可能会受到喷砂影响。因此，在除去第一感光材料层12之后，可能会在第一介质层13中在放电空间17的两个边缘的底表面上形成凹槽13a。凹槽可以平行于并邻接第一构件14a。当磷光层19提供于放电空间中时，它可以填充凹槽13a。

维持电极31和扫描电极32可以在第二介质层14上彼此相对设置。维持电极31和扫描电极32可以形成于第二构件14b上并在与寻址电极11交叉的方向，即x轴方向上延伸。或者，虽然未示出，当采用了另一个与寻址电极交叉的电极时，维持电极31和扫描电极32可以在第一构件14a上沿着平行于寻址电极11的方向，即y轴方向交替地设置。

如图2所示，在维持电极31和扫描电极32的截面中，在平行于基板的方向中的尺寸(Lh)可以小于垂直于基板的尺寸(Lv)。利用这种结构，增大了维持电极31和扫描电极32相对的面积。因此，可以利用远为低的电压产生相对放电，或者可以利用同样的电压产生更强的放电。亦即，可以通过相对的放电结构改善发光效率。此外，由于维持电极31和扫描电极32形成于放电空间17的两侧，因此可以改善前基板20的透光率。

由于维持电极31和扫描电极32形成于放电空间17的两侧且寻址电极11形成于后基板10，因此可见光不被电极所阻挡。因此，电极可以由具有极好电导率的不透明材料形成，例如金属。

维持电极31和扫描电极32可以被第三介质层15覆盖。此外，第二感光材料层16可以形成于第三介质层15上。在图2和图3中，为了解释方便，第二感光材料层16被画成虚线。不过，第二感光材料层16可以在完成最终产品之前被除去。

第二感光材料层16可以保护维持电极31和扫描电极32不被蚀刻。亦即，与第一感光材料层12类似，在通过蚀刻第二介质层14和第三介质层15以在维持电极31和扫描电极32之间形成放电空间17的时候，第二感光材料层16保护维持电极31和扫描电极32不被蚀刻。因此，可以将第二感光材料层16在制造工艺期间使用，并在蚀刻第二介质层14和第三介质层15之后除去。

第二感光材料层16可以形成为对应于维持电极31和扫描电极32的条(未示出)，并可以在用后除去。或者，如图2和3所示，第二感光材料层16可以形成为对应于放电空间17的网格，且可以在用后除去。

在本实施例中，作为例子，示出了这样的结构，其具有形成为网格的第三介质层15、形成为网格的第二感光材料层16，且第二感光材料层16被除去。亦即，第三介质层15可以包括对应于第二介质层14的第一构件14a的第三构件15a以及与第三构件15a交叉且对应于第二构件14b的第四构件15b。第二介质层14和第三介质层15可以由同样的绝缘材料形成。在这种情况下，可以使用同样的材料简化制造工艺。

磷光层19可以形成于第二介质层14的第一构件14a和第二构件14b的内表面上以及对应于放电空间17的第一介质层13的内表面上。磷光层19也可以形成于形成放电空间17的第三介质层15的第三构件15a和第四构件15b的内表面上(未示出)。如上所述，磷光层19可以填充凹槽13a。

当磷光层19未形成在第三介质层15的内表面上时，可以在第三介质层15的内侧表面上形成保护层36。保护层36可以形成在暴露于放电空间17中所产生的等离子体放电的部分处。保护层36可以保护第三介质层15。保护层36需要有高的二次电子发射系数，但是不需要透射可见光。

这样，在本实施例中，维持电极31和扫描电极32可以不形成于前基板20上，而是可以形成于基板10和20之间，且保护层36形成于覆盖维持电极31和扫描电极32的第三介质层15上。因此，保护层36可以由对可见光不透明的材料形成，例如，不透明的MgO。不透明MgO有着比对可见光透明的MgO远为高的二次电子发射系数，因此允许进一步降低放电启动电压。

图5示出了根据本发明示范性实施例的PDP的制造工艺的流程图，而图6到图11示出了制造根据本发明示范性实施例的PDP的后基板的方法的阶段截面图。

参考图5-11，将要解释具有上述构造的PDP的制造方法。首先，在步骤ST10，制造后基板10，然后，在步骤ST20，独立地制造前基板20。电极、介质层和磷光层可以形成于后基板10上。根据本发明实施例在后基板上形成元件的详情如图6-11所示。

在步骤ST30，可以将前基板和后基板组合并固定到一起。在步骤ST40，可以从放电空间17中抽空空气，且放电气体，例如Ne和Xe的混合气体填充放电空间17以制成PDP。

如上所述，制造后基板的步骤ST10可以包括形成寻址电极11，如图6所示。可以使用常规方法，例如构图印刷方法或利用感光浆料的曝光显影方法来制造寻址电极11。

参考图7，第一介质层13可以用常规印刷方法形成。第一感光材料层12可以形成通过在第一介质层13上提供层压膜来形成。随后，可以通过曝光工艺执行构图工艺，使得对应于寻址电极11的第一感光材料层12保留下来。

参考图8A和8B，第二绝缘膜14’可以形成于第一感光材料层12和第一介质层13上。第二绝缘膜14’可以通过常规印刷方法形成。随后，维持电极31和扫描电极32可以形成于第二绝缘膜14’上。因此，第一感光材料层12可以与维持电极31和扫描电极32隔开。可以使用图案印刷或用于金属电极的感光材料把维持电极31和扫描电极32形成为预定的电极图案。

随后，可以用第三介质膜15’覆盖维持电极31和扫描电极32，第二感光材料层16可以形成于其上，如图9A和9B所示。第三介质膜15’可以覆盖维持电极31和扫描电极32，且可以形成于对应于分隔放电空间17的阻挡肋的部分上。可以构图第三介质膜15’和第二介质膜14’以形成放电空间17。这样，放电空间17就可以由介质材料界定，而不是由用于阻挡肋的常规材料界定。第三介质膜15’可以通过涂布介电材料形成于第二介质膜14’上。在形成第二感光材料层16期间，可以在第三介质膜15’上层压第二感光材料膜。随后，可以利用曝光工艺执行构图工艺，使得第二感光材料层16保留在第三介质膜15’对应于维持电极31和扫描电极32的区域，如图9B所示。

参考图10，在本发明的一实施例中，通过除去部分的第二介质膜14’和第三介质膜15’，由保留的一部分第二介质膜14’和第三介质膜15’，即第二介质层14和第三介质层15分隔出放电空间17。利用第二感光材料层16作为掩模且用第一感光材料层12作为蚀刻停止物，可以除去第二介质膜14’和第三介质膜15’，以形成放电空间17。第二感光材料层16和第一感光材料层12可以由用于阻挡肋的常规层压膜形成。

这样，就可以通过蚀刻，例如，对第二介质膜14’和第三介质膜15’喷砂来形成放电空间17。如此蚀刻之后，可以除去未被第二感光材料层16覆盖的一部分的第二介质膜14’和第三介质膜15’，即，第二感光材料层16充当着掩模。通过这样除去，第一感光材料层12可以暴露于第二介质层14和第三介质层15之间，且可以形成放电空间17。第一感光材料层12可以在蚀刻期间保护第一介质层13和寻址电极11不被蚀刻，即，第一感光材料层12充当着蚀刻停止物。

如上所述，维持电极31和扫描电极32可以形成于放电空间17的分隔的位置上，而放电空间17可以通过蚀刻覆盖维持电极31和扫描电极32的第二介质层14和第三介质层15形成。因此，可以容易地形成维持电极31和扫描电极32的相对的放电结构。

随后，可以除去被蚀刻暴露的任何的第一感光材料层12和第二感光材料层16，且可以在放电空间17之内形成磷光层19，如图11所示。可以通过涂布磷光体、曝光并显影磷光体来形成磷光层19。磷光体可以涂布到分隔放电空间17的第二介质层14的内表面。此外，磷光体可以涂布到第二介质层14的内表面和第三介质层15的内表面。

根据本发明的示范性实施例的PDP的制造方法还可以包括在第三介质层15的内表面上形成保护层36，如图11所示。亦即，当磷光层19未形成于第三介质层15的内表面上时，保护层36可以形成于其上。

如上所述，根据本发明的示范性实施例，寻址电极可以形成于后基板上，第一感光材料成可以形成于覆盖寻址电极的第一介质层上。此外，第二介质层可以形成于第一介质层和第一感光材料层上，第一电极和第二电极可以以相对的放电结构形成于第二介质层上，且第二感光材料层可以形成于覆盖第一电极和第二电极的第三介质层上。因此，其上未形成第二感光材料层的第二介质层和第三介质层的区域被蚀刻至第一感光材料层，由此形成放电空间。此外，由于可以除去暴露于蚀刻的第一感光材料层和第二感光材料层，因此可以容易地形成第一电极和第二电极的相对放电结构。此外，发光效率可以通过相对放电结构而改善，可以通过在放电空间侧面形成第一电极和第二电极而改善透光率。

这里已经公开了本发明的示范性实施例，虽然使用了特定的术语，但是它们是在一般性的和描述性的意义上来使用的并且应如此理解它们，而并非是用于限制的目的。例如，尽管所公开的第一感光层为图案化层，但是第一感光层可以完全地覆盖第一介质层。因此，本领域的普通技术人员将理解，在不背离权利要求所述的本发明的精神和范围的情况下可以做出很多形式和细节上的变化。

Claims (20)

1.一种等离子体显示板，包括：

第一基板；

形成于所述第一基板上且沿着第一方向延伸的寻址电极；

覆盖所述寻址电极的第一介质层；

所述第一介质层上的第二介质层；

交替设置在所述第二介质层上并沿着第二方向延伸的第一电极和第二电极；

覆盖所述第一电极和所述第二电极的第三介质层；

放电空间，所述放电空间具有由所述放电空间底部的所述第一介质层所界定的底部以及由所述第二和第三介质层所界定的侧壁；以及

所述放电空间中的磷光层。

2.如权利要求1所述的等离子体显示板，还包括所述第一介质层和所述第二介质层之间的第一感光材料层。

3.如权利要求2所述的等离子体显示板，其中所述第二方向与所述第一方向正交，且所述第一感光材料层在所述第二介质层与所述寻址电极交叉处。

4.如权利要求2所述的等离子体显示板，其中所述第一感光材料层的宽度与所述第二介质层的宽度基本上同延，所述宽度沿所述第一方向测量。

5.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述第二介质层包括设置在相邻的寻址电极之间且沿着所述第一方向延伸的第一构件以及与所述寻址电极正交且交叉的第二构件。

6.如权利要求5所述的等离子体显示板，其中所述第三介质层包括对应于所述第一构件的第三构件以及与所述第三构件交叉且对应于所述第二构件的第四构件。

7.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述第三介质层在所述放电空间中具有形成于其上的保护层。

8.如权利要求7所述的等离子体显示板，其中所述保护层是不透明的。

9.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述第二介质层和所述第三介质层由相同的介质材料形成。

10.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述寻址电极、所述第一电极和所述第二电极由导电的不透明材料形成。

11.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中，在所述第一电极和所述第二电极的截面中，所述第一电极和所述第二电极沿水平方向的尺寸小于沿垂直方向的尺寸。

12.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中从所述第一基板到对应于所述寻址电极的所述第一介质层的距离大于从所述第一基板到邻近平行于所述寻址电极的所述第二介质层设置的第一介质层的距离。

13.如权利要求1所述的等离子体显示板，还包括所述第一介质层中的凹槽，所述凹槽与所述放电空间的侧壁相邻。

14.如权利要求13所述的等离子体显示板，其中所述凹槽平行于所述寻址电极。

15.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述第一方向正交于所述第二方向，且所述第二介质层与所述寻址电极交叉。

16.一种制造等离子体显示板的方法，包括：

在第一基板上形成寻址电极；

在所述寻址电极上形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成第一感光材料层；

在所述第一感光材料层上形成第二介质膜；

在所述第二介质膜上形成交替的第一和第二电极；

在所述第一和第二电极上形成第三介质膜；

在所述第三介质膜上形成第二感光材料层，所述第二感光材料被构图以覆盖所述第一电极和所述第二电极；

使用已构图的第二感光材料层作为掩模将所述第二介质膜和所述第三介质膜蚀刻至所述第一感光材料层，从而形成放电空间，所述放电空间具有由第二介质层和第三介质层界定的侧壁；以及

在所述放电空间内部形成磷光层。

17.如权利要求16所述的方法，其中形成所述放电空间还包括喷砂。

18.如权利要求16所述的方法，其中形成所述磷光层还包括：将磷光体涂布到形成所述放电空间的所述第二介质层的内表面以及被所述第二介质层分隔的所述第一介质层的表面。

19.如权利要求16所述的方法，还包括在所述第三介质层的侧壁上形成保护层。

20.如权利要求16所述的方法，还包括：在形成所述磷光层之前，除去在形成所述放电空间之后所暴露的所述第一感光材料层和所述第二感光材料层。

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