JP2006265650A - 成膜装置、成膜方法および有機el素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 成膜装置は、成膜材料の供給源と、前記成膜材料の膜が形成される基板とを備えた成膜装置であって、前記基板の表面に対して接近および離反する方向に移動可能にして、前記基板の表面側に配設されたマスク36と、前記基板の裏面に対して接近および離反する方向に移動可能にして、前記基板の裏面側に配設された磁石22と、前記磁石22の移動を所定範囲内に制限する移動制限手段24と、を備えた構成である。
【選択図】 図1
Description
本発明は、マスク変形の防止および製造時間の短縮を図る成膜装置、成膜方法および有機EL素子の製造方法を提供することを目的とする。
また前記磁石は、磁石配設板に複数設けられたことを特徴としている。この場合、前記磁石は点状に配設されることができる。
また前記基板が装着されて、前記基板を平面状に保持するチャックを備え、前記移動制限手段は、前記チャックに配設された、ことを特徴としている。この場合、前記チャックおよび前記マスクは、水平方向に回転可能にした構成にできる。
また磁石はマスクの平面サイズに対応して設けられているので、マスクの全面に磁石の磁力を作用させることができる。そしてマスクの中央部に作用する磁石の磁力をマスクの周縁部に作用する磁力に比べて弱くしているので、アライメント時など基板とマスクに一定の隙間が必要な場合、磁力をフィルム剛性の強い周辺部、フィルム剛性の弱い中央部に均等に作用させることにより、一定の隙間を基板とマスク間に作ることができる。またフィルムの厚み、チャックの厚み、基板の厚みが異なる場合であっても、周辺部、中央部に対して磁力を調整することにより対応させることが可能となる。さらに磁石を磁石配設板に複数配設することで、マスクの中央部に作用する磁石の磁力をマスクの周縁部に作用する磁力に比べて弱くすることができる。
またマスクを基板に被せるときも、磁石を基板から遠ざかる方向に移動させておけば、磁石の磁力がマスクに影響を及ぼすことがなくなり、マスクと基板との位置がずれることはない。
そして基板クランプ26およびマスククランプ28は、真空蒸着装置10の外側上部に設けられた回転機構(不図示)によって、チャック18および磁石配設板20等とともに回転することが可能になっている。
このようなマスク36の装着工程を経た後、ガラス基板32やマスク36等を回転させるとともに、ヒーター14bによって有機材料12を加熱・蒸発させて、ガラス基板32上に所定のパターンを形成する。これにより有機EL素子が製造される。
またガラス基板32は、チャック面に設置される前に、ガラス基板32の下方にあるマスク36に一度載せられ、そのままマスク36ごとチャック面にクランプされるので、基板クランプ26時の撓みを無くすことができる。すなわち厚さの薄いガラス基板32を用いても、ガラス基板32は水平状態を維持してチャック18に装着保持されるので、ガラス基板32の中央部が自重や重力によって下方に撓むことを防止できる。
また上述した実施形態では、マスク36とガラス基板32との位置合わせに用いられるカメラ44は、図5に示すように、2つ用いた形態であるが、この形態に限定されることはない。すなわちカメラ44は、3つ以上設けてもよい。この場合、アライメントマーク40,42は、ガラス基板32やマスク36の角部に設けておけばよい。
Claims (8)
- 成膜材料の供給源と、前記成膜材料の膜が形成される基板とを備えた成膜装置であって、
前記基板の表面に対して接近および離反する方向に移動可能にしてなるマスクと、
前記基板の裏面に対して接近および離反する方向に移動可能にしてなる磁石と、
前記磁石の移動を所定範囲内に制限する移動制限手段と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記磁石は、前記マスクの平面サイズに対応して設けられ、前記マスクの中央部に作用する磁力を前記マスクの周縁部に作用する磁力に比べて弱くしてなることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記磁石は、磁石配設板に複数設けられたことを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記基板が装着されて、前記基板を平面状に保持するチャックを備え、
前記移動制限手段は、前記チャックに配設された、
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記移動制限手段は、止めネジであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の成膜装置。
- 基板を挟み込む位置にマスクと磁石とを配置して、前記基板に被せられた前記マスクを前記磁石の磁力で固定し、前記マスクに設けられた開口パターンに応じた形状を前記基板の表面に形成する成膜方法であって、
前記磁石を前記基板から離れる方向に移動させて、前記マスクに作用する前記磁石の磁力を弱めた後、前記マスクを前記基板から離すことを特徴とする成膜方法。 - 基板を挟み込む位置にマスクと磁石とを配置し、前記マスクに設けられた開口パターンに応じた形状を前記基板の表面に形成する成膜方法であって、
前記基板と前記マスクとを位置合わせし、前記マスクを前記基板に被せる工程と、
前記基板から離れた位置に配置された前記磁石を前記基板に近づけて、前記磁石の磁力で前記マスクを固定する工程と、
前記基板の表面に膜を形成する工程と、
前記磁石を前記基板から遠ざかる方向へ移動させる工程と、
前記マスクを前記基板から遠ざかる方向へ移動させる工程と、
を備えたことを特徴とする成膜方法。 - 基板を挟み込む位置にマスクと磁石とを配置して、前記基板に被せられた前記マスクを前記磁石の磁力で固定し、前記マスクに設けられた開口パターンに応じた有機EL素子の画素パターンを前記基板の表面に形成する有機EL素子の製造方法であって、
止めネジにより前記磁石の移動量を規制しつつ、前記磁石を前記基板から遠ざかる方向へ移動させる工程と、
前記マスクを前記基板から遠ざかる方向へ移動させる工程と、
を備えたことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009084623A1 (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Canon Anelva Corporation | 処理装置、並びに電子放出素子及び有機elディスプレイの生産方法 |
US8420156B2 (en) | 2010-01-12 | 2013-04-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of forming pattern and manufacturing method of organic light emitting device |
WO2016167358A1 (ja) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着パターンの形成方法、押さえ板一体型の押し込み部材、蒸着装置及び有機半導体素子の製造方法 |
JP2017154304A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 富士ゼロックス株式会社 | 光学装置の製造方法、基板装置、光学装置及び光学装置の製造装置 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101107181B1 (ko) * | 2010-01-04 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 마스크 흡착용 자석 조립체 |
TWI475736B (zh) * | 2011-07-26 | 2015-03-01 | Innolux Corp | 電激發光顯示裝置的製作方法以及鍍膜機台 |
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KR101951029B1 (ko) * | 2012-06-13 | 2019-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법 |
KR102000718B1 (ko) * | 2012-11-15 | 2019-07-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 조립체 및 이의 제조 방법 |
KR102081282B1 (ko) * | 2013-05-27 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 기판이동부, 이를 포함하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102270080B1 (ko) * | 2013-10-30 | 2021-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR102273050B1 (ko) | 2014-09-17 | 2021-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 어셈블를 포함하는 증착 장치 및 증착 방법 |
KR102250047B1 (ko) | 2014-10-31 | 2021-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102280269B1 (ko) | 2014-11-05 | 2021-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체 및 그 제조 방법 |
KR102404576B1 (ko) | 2015-04-24 | 2022-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP6298138B2 (ja) * | 2015-11-25 | 2018-03-20 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜システム、磁性体部及び膜の製造方法 |
CN105428552B (zh) * | 2015-12-31 | 2017-06-09 | 昆山国显光电有限公司 | Oled器件发光层形成方法 |
CN105568224B (zh) * | 2016-01-28 | 2018-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀用遮挡装置以及蒸镀设备 |
KR102505877B1 (ko) | 2016-01-29 | 2023-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 |
CN110527972B (zh) * | 2016-05-18 | 2021-12-28 | 应用材料公司 | 用于沉积源的非接触输送的装置和方法 |
CN106048536A (zh) * | 2016-06-06 | 2016-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀装置及待蒸镀基板加工方法 |
JP6309048B2 (ja) * | 2016-07-01 | 2018-04-11 | キヤノントッキ株式会社 | マスク吸着装置 |
KR102544244B1 (ko) | 2016-07-19 | 2023-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체 |
CN106399936B (zh) * | 2016-12-09 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀设备及蒸镀方法 |
CN106978585A (zh) * | 2017-04-25 | 2017-07-25 | 昆山国显光电有限公司 | 固定装置以及蒸镀装置 |
CN107686960B (zh) * | 2017-07-25 | 2019-12-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种成膜装置 |
KR101952521B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2019-02-26 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법 |
KR101993532B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2019-06-26 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법 |
KR101953038B1 (ko) * | 2017-12-13 | 2019-02-27 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 정전척 장치, 마스크 부착장치, 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
JP7188973B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2022-12-13 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、製造システム、有機elパネルの製造システム、成膜方法、及び有機el素子の製造方法 |
JP7118864B2 (ja) * | 2018-11-07 | 2022-08-16 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、製造システム、有機elパネルの製造システム |
KR20200104969A (ko) * | 2019-02-27 | 2020-09-07 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법 |
CN109837509B (zh) * | 2019-04-04 | 2024-03-01 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | 一种基片样品架、镀膜设备及控制方法 |
JP7420496B2 (ja) * | 2019-07-05 | 2024-01-23 | キヤノントッキ株式会社 | マスク保持機構、蒸着装置、および電子デバイスの製造装置 |
KR20210081700A (ko) * | 2019-12-24 | 2021-07-02 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막장치 및 이를 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 방법 |
KR20200005516A (ko) * | 2019-12-26 | 2020-01-15 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자를 이용한 디스플레이의 제조 장치 및 그 제조 방법 |
KR102464025B1 (ko) * | 2021-02-03 | 2022-11-07 | 파인원 주식회사 | 마그넷 플레이트 조립체 |
CN116083856A (zh) * | 2023-01-07 | 2023-05-09 | 唐山斯腾光电科技有限公司 | 一种红外窗片加工用蒸发镀膜装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002033283A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Japan Science & Technology Corp | コンビナトリアルデバイス作製装置 |
JP2003187973A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-07-04 | Ans Inc | 電磁石を用いた有機電界発光素子製作用蒸着装置及びこれを用いた蒸着方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3516346B2 (ja) * | 1992-09-08 | 2004-04-05 | 大日本印刷株式会社 | スパッタ用治具 |
JP3539125B2 (ja) | 1996-04-18 | 2004-07-07 | 東レ株式会社 | 有機電界発光素子の製造方法 |
JP2001049422A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-02-20 | Hitachi Ltd | メタルマスクの基板への保持固定構造、保持固定治具、その補助具、及びトレイ |
JP2002075638A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Nec Corp | マスク蒸着方法及び蒸着装置 |
JP2004183044A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Seiko Epson Corp | マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器 |
JP2005187874A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Seiko Epson Corp | 蒸着装置、蒸着方法、有機el装置、および電子機器 |
-
2005
- 2005-03-24 JP JP2005086687A patent/JP4609759B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002033283A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Japan Science & Technology Corp | コンビナトリアルデバイス作製装置 |
JP2003187973A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-07-04 | Ans Inc | 電磁石を用いた有機電界発光素子製作用蒸着装置及びこれを用いた蒸着方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009084623A1 (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Canon Anelva Corporation | 処理装置、並びに電子放出素子及び有機elディスプレイの生産方法 |
US8420156B2 (en) | 2010-01-12 | 2013-04-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of forming pattern and manufacturing method of organic light emitting device |
WO2016167358A1 (ja) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着パターンの形成方法、押さえ板一体型の押し込み部材、蒸着装置及び有機半導体素子の製造方法 |
US10947616B2 (en) | 2015-04-17 | 2021-03-16 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for forming vapor deposition pattern, pressing-plate-integrated type pressing member, vapor deposition apparatus, and method for producing organic semiconductor element |
JP2017154304A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 富士ゼロックス株式会社 | 光学装置の製造方法、基板装置、光学装置及び光学装置の製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006100867A1 (ja) | 2006-09-28 |
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