CN107686960B - 一种成膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：掩膜，用于使待蒸镀材料在基板的表面形成预设图案的薄膜；支撑件，用于支撑所述基板；对位机构，用于对所述掩膜和所述基板进行对位；磁体，用于将所述掩膜吸附至所述基板的表面，以使所述掩膜与所述基板贴合；拉伸部件，用于拉伸所述基板，以使所述基板保持平整；其中所述拉伸部件具有夹持面，该夹持面为靠近所述基板侧的表面，所述夹持面与被夹持面之间倾斜，所述被夹持面为未被所述拉伸部件夹持时所述基板所在的平面。本发明的成膜装置，能够提高对位精度，从而提高产品的良率。

Description

一种成膜装置
【技术领域】
本发明涉及显示器技术领域，特别是涉及一种成膜装置。
【背景技术】
随着有源矩阵有机发光二极体面板(AMOLED，Active Matrix/Organic LightEmitting Diode)的分辨率提高以及尺寸的增大，对AMOLED的成膜制程要求不断提高。
由于成膜制程影响AMOLED的产品良率，且成膜制程主要取决于基板和掩膜的对位精度，现有的成膜制程通过成膜装置进行。如图1所示，现有的成膜装置包括掩膜11、支撑件12、磁体13、对位机构14以及拉伸部件15，该拉伸部件15包括上、下拉伸器151、152，支撑件12用于支撑基板10，通常基板10会自然下垂，为了使基板10平整，通过拉伸部件15对其进行拉伸，但是基板还是会存在下垂，因而无法对基板和掩膜进行准确地对位，从而影响了对位精度，进而降低了AMOLED的产品良率。
因此，有必要提供一种成膜装置，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种成膜装置，能够提高对位精度，从而提高产品的良率。
为解决上述技术问题，本发明提供一种成膜装置，其包括：
掩膜，用于使待蒸镀材料在基板的表面形成预设图案的薄膜；
支撑件，用于支撑所述基板；
对位机构，用于对所述掩膜和所述基板进行对位；
磁体，用于将所述掩膜吸附至所述基板的表面，以使所述掩膜与所述基板贴合；
拉伸部件，用于拉伸所述基板，以使所述基板保持平整；其中所述拉伸部件具有夹持面，该夹持面为靠近所述基板侧的表面，所述夹持面与被夹持面之间倾斜，所述被夹持面为未被所述拉伸部件夹持时所述基板所在的平面。
在本发明的成膜装置中，所述夹持面与所述被夹持面之间的夹角的范围为0-10度。
在本发明的成膜装置中，所述拉伸部件包括第一拉伸器和第二拉伸器，所述第一拉伸器和所述第二拉伸器分别夹持所述基板的上表面和下表面，位于所述基板同一侧的第一拉伸器在所述基板上的投影与位于所述基板同一侧的第二拉伸器在所述基板上的投影部分重叠。
在本发明的成膜装置中，所述第一拉伸器具有第一夹持前端和第一夹持末端，所述第二拉伸器具有第二夹持前端和第二夹持末端，所述第二夹持前端与所述基板的下表面的几何中心的距离小于所述第一夹持前端与所述基板的上表面的几何中心的距离。
在本发明的成膜装置中，位于所述基板同一侧的所述第一夹持前端在所述基板上的投影与所述第二夹持前端所述基板上的投影之间的距离范围为1-100纳米。
在本发明的成膜装置中，所述第一拉伸器的截面形状和所述第二拉伸器的截面形状都为梯形。
在本发明的成膜装置中，所述磁体与所述基板的位置相对应，所述磁体沿中间向两侧的磁力逐渐减小。
在本发明的成膜装置中，所述掩膜包括多个沿第一方向排布的掩膜单元，所述磁体的吸附方向与所述第一方向垂直。
在本发明的成膜装置中，所述对位机构设置在所述磁体的外侧。
在本发明的成膜装置中，所述夹持面的摩擦力大于所述拉伸部件其他部分的摩擦力。
本发明的成膜装置，由于将拉伸部件倾斜一定的角度夹持基板，可以使基板向上弯曲，防止基板下垂，从而提高了对位精度，进而提高了产品的良率。
【附图说明】
图1为现有成膜装置的结构示意图；
图2为本发明成膜装置的第一种结构示意图；
图3为本发明掩膜的结构示意图；
图4为本发明拉伸部件的放大结构示意图；
图5为本发明磁体的放大结构示意图；
图6为本发明成膜装置的第二种结构示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图2，图2为本发明成膜装置的第一种结构示意图。
如图2所示，图2给出磁体吸附前的示意图。本发明的成膜装置包括掩膜11、支撑件13、拉伸部件21、磁体22以及对位机构23，其中该掩膜11用于使待蒸镀材料在基板10的表面形成预设图案的薄膜。具体通过掩膜11将待蒸镀材料进行蒸镀，以在基板10上形成预设图案的薄膜。如图3所示，该掩膜11包括多个掩膜单元111和框架112，该框架112设置在多个掩膜单元111的外围，以固定掩膜单元111。
该支撑件13用于支撑所述基板10。该支撑件13还用于固定该磁体22。对位机构23用于对所述掩膜11和所述基板10进行对位。在一实施方式中，该对位机构为图像传感器CCD。
该磁体22用于将所述掩膜11吸附至所述基板10的表面，以使所述掩膜11与所述基板10贴合。
该拉伸部件21，用于拉伸所述基板10，以使所述基板10保持平整；其中所述拉伸部件21具有夹持面，该夹持面为靠近所述基板侧的表面。结合图4，所述拉伸部件21包括第一拉伸器212和第二拉伸器211，所述第一拉伸器212和所述第二拉伸器211分别夹持所述基板10的上表面和下表面。所述第一拉伸器212具有第一夹持面31，也即第一夹持面31为第一拉伸器212最下方的表面。所述第二拉伸器211具有第二夹持面32。也即第二夹持面32为第二拉伸器211最上方的表面。
所述夹持面与被夹持面之间倾斜，所述被夹持面为未被所述拉伸部件21夹持时所述基板10所在的平面，图中该被夹持面为水平面，图中虚线所示为未被所述拉伸部件21夹持时基板10所在的位置。具体地，所述第一夹持面31与被夹持面之间倾斜，所述第二夹持面32与被夹持面之间倾斜。由于所述夹持面与被夹持面之间倾斜，从而可以使基板适当往上弯曲，减少基板的下垂量，从而提高对位精度。
所述夹持面与所述被夹持面之间的夹角的范围为0-10度。具体地，所述第一夹持面31与被夹持面之间的角度a的范围为0-10度，所述第二夹持面32与被夹持面之间的角度的范围也为0-10度。由于角度位于此范围内，能够进一步减小基板的下垂量，从而进一步提高对位精度。
在一实施方式中，为了增大拉伸部件21与基板10之间的夹持力度，所述夹持面设置有防滑部。在一实施方式中，该防滑部比如为凸起或者凹陷等。具体地，所述第一夹持面31设置有防滑部(图中未示出)，所述第二夹持面32也设置有防滑部(图中未示出)。
在一实施方式中，所述夹持面的摩擦力大于所述拉伸部件其他部分的摩擦力。具体地，所述第一夹持面31的摩擦力大于第一拉伸器212其他部分的摩擦力，所述第二夹持面32的摩擦力大于第二拉伸器211其他部分的摩擦力。其中所述夹持面的材料与所述拉伸部件其他部分的材料不同。其中，第一夹持面31和第二夹持面32可采用较大摩擦力的材料制成，以更好地夹持基板10。
在一实施方式中，以位于基板左侧的第一拉伸器和第二拉伸器为例，如图4所示，所述第一拉伸器212在所述基板10上的投影与所述第二拉伸器211在所述基板10上的投影部分重叠。也即，位于所述基板10同一侧的第一拉伸器212和第二拉伸器211错位设置，从而可以使得基板适当往上弯曲，减少基板的下垂量，从而提高对位精度。可以理解的，位于基板10右侧的第一拉伸器和第二拉伸器也错位设置。
其中，所述第一拉伸器212具有第一夹持前端41和第一夹持末端42，所述第二拉伸器211具有第二夹持前端43和第二夹持末端44，第二夹持前端43与所述基板10的下表面的几何中心的距离小于所述第一夹持前端41与所述基板10的上表面的几何中心的距离。也即，第二夹持前端43较第一夹持前端41靠右。从而可以使得基板适当往上弯曲，减少基板的下垂量，从而提高对位精度。
所述第二夹持前端43在所述基板10上的投影与第一夹持前端41所述基板10上的投影之间的距离范围为1-100纳米。当两者错位距离位于此范围内时，可以进一步减少基板的下垂量，从而进一步提高对位精度。
结合图4，为了更好地减小基板的下垂量，所述第一拉伸器212的截面形状为梯形，所述第二拉伸器211的截面形状也为梯形，从而便于基板向上翘。
结合图5和2，所述磁体22位于所述支撑件13的上方，且所述磁体22与所述基板10的位置相对应，所述磁体22沿中间向两侧的磁力逐渐减小。也即，所述磁体22越靠近所述基板的中间位置的磁力较大，越靠近所述基板10的两侧的磁力越小。由于现有的磁体的磁力大小均匀，这样容易造成吸附掩膜的时候中间产生鼓起，从而无法使掩膜与基板充分贴附在一起。而将中间到两边的磁力逐步减少，使得在吸附掩膜过程中从磁力最大的中间部位开始吸附，避免中间鼓起，从而使得掩膜和基板可以充分贴合，提高对位精度。
结合图2和3，所述掩膜11包括多个沿第一方向排布的掩膜单元111，所述磁体22的吸附方向与所述第一方向垂直。比如掩膜单元111沿水平方向排布，磁体22的吸附方向为竖直方向，两者垂直，从而有利于掩膜单元延展释放，避免贴合后内部翘起，从而防止镀膜不均。
为了提高对位的精度，如图6所示，所述对位机构23设置在所述磁体22的外侧。
可以理解的，图2和图6为夹持过程中成膜装置的结构示意图。
本发明的成膜装置，由于拉伸部件倾斜一定的角度夹持基板，可以使基板向上弯曲，防止基板下垂，从而提高了对位精度，进而提高了产品的良率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种成膜装置，其特征在于，包括
掩膜，用于使待蒸镀材料在基板的表面形成预设图案的薄膜；
支撑件，用于支撑所述基板；
对位机构，用于对所述掩膜和所述基板进行对位；
磁体，用于将所述掩膜吸附至所述基板的表面，以使所述掩膜与所述基板贴合；
拉伸部件，用于拉伸所述基板，以使所述基板保持平整；其中所述拉伸部件具有夹持面，该夹持面为靠近所述基板侧的表面，所述夹持面与被夹持面之间倾斜，所述被夹持面为未被所述拉伸部件夹持时所述基板所在的平面。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述夹持面与所述被夹持面之间的夹角的范围为0-10度。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述拉伸部件包括第一拉伸器和第二拉伸器，所述第一拉伸器和所述第二拉伸器分别夹持所述基板的上表面和下表面，位于所述基板同一侧的第一拉伸器在所述基板上的投影与位于所述基板同一侧的第二拉伸器在所述基板上的投影部分重叠。
4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一拉伸器具有第一夹持前端和第一夹持末端，所述第二拉伸器具有第二夹持前端和第二夹持末端，所述第二夹持前端与所述基板的下表面的几何中心的距离小于所述第一夹持前端与所述基板的上表面的几何中心的距离。
5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，
位于所述基板同一侧的所述第一夹持前端在所述基板上的投影与所述第二夹持前端所述基板上的投影之间的距离范围为1-100纳米。
6.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一拉伸器的截面形状和所述第二拉伸器的截面形状都为梯形。
7.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述磁体与所述基板的位置相对应，所述磁体沿中间向两侧的磁力逐渐减小。
8.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述掩膜包括多个沿第一方向排布的掩膜单元，所述磁体的吸附方向与所述第一方向垂直。
9.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述对位机构设置在所述磁体的外侧。
10.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述夹持面的摩擦力大于所述拉伸部件其他部分的摩擦力。
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