CN105428552B - Oled器件发光层形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种OLED器件发光层形成方法，其包括：提供设有若干第一子像素开口、第二子像素开口及第三子像素开口的玻璃基板；提供设有若干第一磁化部、第二磁化部及第三磁化部的磁板；将磁板与玻璃基板贴合，若干第一至第三子像素开口朝下并分别与若干第一至第三磁化部对应；利用通电充磁头对若干第一磁化部和第二磁化部进行磁化，使得若干第一及第二子像素开口内沉积磁粉；采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板的所有子像素开口内蒸镀与第三子像素开口对应的第三发光层；移除位于第一及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层。上述方法不再需要精细金属掩模作为辅助工具将发光层真空蒸镀至像素开口内上，克服了精细金属掩模制作难度高及成本高的问题。

Description

OLED器件发光层形成方法

技术领域

本发明属于光电显示技术领域，具体涉及一种OLED器件发光层形成方法。

背景技术

OLED器件是一种新型的显示器件，其具有很多优异的显示性能，目前发展很快。OLED的基本结构通常包括玻璃基板及形成于玻璃基板上的ITO即氧化铟锡阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和金属阴极等。同时，外部电源的正极与ITP阳极相连，外部电源的负极与金属阴极相连，当外部电源供应至适当电压时，阳极空穴与阴极电子就会在发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色，构成基本色彩。发光层的厚度很薄，一般为几十纳米左右。

目前OLED器件的发光层普遍采用真空蒸镀技术来制得，发光层可以以红光发射层R、绿光发射层G或蓝光发射层B的形式形成，在发光层的制备过程中，需要使用精细金属掩模(Fine Metal Mask，FMM)分别单独沉积红光发射层R、绿光发射层G或蓝光发射层B。

由于OLED器件对于分辨率的要求越来越高，从而使得像素密度也越来越高，每个像素单元所占面积也越来越小，因此对于精细金属掩模的结构要求越来越大。然而，受到精细金属掩模加工难度大、成本高的限制，使得目前精细金属掩模无法应用于高分辨率OLED器件内发光层的制备。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述问题，提供一种OLED器件发光层形成方法，该方法可以容易实现不同颜色发光层的依次沉积。

为实现上述目的，本发明提供一种OLED器件发光层形成方法，其包括以下步骤：

提供玻璃基板，所述玻璃基板上设有若干第一子像素开口、若干第二子像素开口及若干第三子像素开口；

提供磁板，所述第一磁板内设有与若干第一子像素开口对应的若干第一磁化部、与若干第二子像素开口对应的若干第二磁化部及与若干第三子像素开口对应的若干第三磁化部；

将所述磁板与所述玻璃基板贴合，所述若干第一子像素开口、第二子像素开口及第三子像素开口朝下并分别与若干第一磁化部、第二磁化部及第三磁化部在上下方向上对应；

利用通电的充磁头对所述若干第一磁化部和若干第二磁化部进行磁化，并通过所述若干第一磁化部和若干第二磁化部的磁力吸附磁粉，使得所述若干第一子像素开口和若干第二子像素开口内沉积磁粉；

采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板的所有子像素开口内蒸镀与第三子像素开口对应的第三发光层；

移除位于第一子像素开口及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层。

进一步的，所述方法还包括：

利用通电的充磁头对所述若干第一磁化部和若干第三磁化部进行磁化，并通过所述若干第一磁化部和若干第三磁化部的磁力吸附磁粉，使得所述若干第一子像素开口和若干第三子像素开口内沉积磁粉；

采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板的所有子像素开口内蒸镀与第二子像素开口对应的第二发光层；

移除位于第一子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第三发光层；

进一步的，所述方法还包括：

利用通电的充磁头对所述若干第二磁化部和若干第三磁化部进行磁化，并通过所述若干第二磁化部和若干第二磁化部的磁力吸附磁粉，使得所述若干第一子像素开口和若干第二子像素开口内沉积磁粉；

采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板的所有子像素开口内蒸镀与第三子像素开口对应的第三发光层；

移除位于第一子像素开口及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层。

进一步的，所述第一发光层、第二发光层及第三发光层为不同颜色的发光层。

进一步的，所述充磁头置于所述第一磁化部、第二磁化部及第三磁化部外，所述磁板为永磁矩阵板。

进一步的，所述充磁头置于所述第一磁化部、第二磁化部及第三磁化部内，所述磁板为电磁矩阵板，所述磁板内还设有连接充磁头的导线。

进一步的，所述移除位于第一子像素开口及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层，具体包括：

充磁头断电或接正负极相反的电源，来移除位于第一子像素开口及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层。

进一步的，所述移除位于第一子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第二发光层，具体包括：

充磁头断电或接正负极相反的电源，来移除位于第一子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第二发光层。

进一步的，所述移除位于第二子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第一发光层，具体包括：

充磁头断电或接正负极相反的电源，来移除位于第二子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第一发光层。

相对于现有技术，本发明实施例中，利用磁板，可以在第一子像素开口及第二子像素开口位置沉积磁粉，然后蒸镀未沉积磁粉的第三子像素开口需要对应沉积的第三发光层，然后移除沉积于第一子像素开口及第二子像素开口位置内的磁粉及发光层，第三发光层则在第三子像素开口内完成沉积。相对于现有技术，该OLED器件内的发光层的形成不再需要精细金属掩模作为辅助工具将发光层真空蒸镀至像素开口内上，克服了精细金属掩模制作难度高及成本高的问题。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为在实现本发明较佳实施例的OLED器件发光层形成方法过程中所使用的第一磁板或第二磁板未与玻璃基板贴合的立体示意图；

图2为第一磁板的剖面示意图；

图3为第一磁板与玻璃基板贴合的的剖面示意图；

图4为图3内所示玻璃基板的两个子像素开口内具有磁粉的示意图；

图5为图4内所示玻璃基板的三个子像素开口内具有发光层的示意图；

图6为图5内所示的玻璃基板的两个子像素开口内不具有磁粉及发光层，一个子像素开口内具有发光层的示意图；

图7为第二磁板的剖面示意图；

图8为第二磁板与玻璃基板贴合的的剖面示意图；

图9为图8内所示玻璃基板的两个子像素开口内具有磁粉的示意图；

图10为图9内所示玻璃基板的三个子像素开口内具有发光层的示意图；

图11为图10内所示的玻璃基板的两个子像素开口内不具有磁粉及发光层，一个子像素开口内具有发光层的示意图；

图12为本发明较佳实施例的一种OLED器件发光层形成方法的流程图；

图13为本发明较佳实施例的另一种OLED器件发光层形成方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

一般形成于OLED器件玻璃基板上的发光层至少包括红光发光层R、绿光发光层G及蓝光发光层B在内的三种发光层，上述三种发光层需要依次蒸镀才能完成。当然，一般形成于OLED器件玻璃基板上的发光层并不仅限于红光发光层R、绿光发光层G及蓝光发光层B三种发光层，还可以包括白光发光层W或其它颜色发光层。

图1为在实现本发明较佳实施例的OLED器件发光层形成方法过程中所使用的第一磁板1a或第二磁板1b，其未与玻璃基板2贴合的立体示意图。

如图1至图6并结合图12所示，本发明较佳实施例提供了一种OLED器件发光层形成方法，具体包括以下步骤：

步骤11：提供玻璃基板2，所述玻璃基板2上设有若干第一子像素开口231、若干第二子像素开口232及若干第三子像素开口233。

具体的，如图4所示，玻璃基板2表面设有若干ITO阳极21及像素限定层22，ITO阳极21暴露于像素限定层22上。像素限定层22上设有若干子像素开口23，ITO阳极21设置于子像素开口23内。若干子像素开口23包括若干第一子像素开口231、若干第二子像素开口232及若干第三子像素开口233。第一子像素开口231、第二子像素开口232及第三子像素开口233分别对应不同颜色的像素开口，用于收容不同颜色的发光层。比如，第一子像素开口231可以为红色像素开口，第二子像素开口232可以为绿色像素开口，第三像素开口233为蓝色像素开口，上述三种子像素开口分别用于沉积红光发光层、绿光发光层及蓝光发光层。

步骤12：提供第一磁板1a，所述第一磁板1a内设有与若干第一子像素开口231对应的若干第一磁化部111a、与若干第二子像素开口232对应的若干第二磁化部及112a与若干第三子像素开口233对应的若干第三磁化部113a。

具体的，如图2所示，第一磁板1a为永磁矩阵板，其内设有若干呈矩阵排列的磁化部11a，该磁化部11a从第一磁板1a的上表面延伸至第一磁板1a的下表面。若干磁化部11a分别与若干子像素开口23一一对应。根据对应的子像素开口23种类的不同，若干磁化部11a也包括三个部分，与若干第一子像素开口231对应的若干第一磁化部111a、与若干第二子像素开口232对应的若干第二磁化部112a及与若干第三子像素开口233对应的若干第三磁化部113a。

步骤13：将第一磁板1a与玻璃基板2贴合，第一子像素开口231、第二子像素开口231及第三子像素开口231朝下并分别与第一磁化部111a、第二磁化部112b及第三磁化部113a在上下方向上对应。

具体的，如图3所示，第一磁板1a位于玻璃基板2的上方且贴合于玻璃基板2，且玻璃基板2上具有像素开口23的一侧朝下，以便后续发光层的制备。当将第一磁板1a与玻璃基板2贴合后，第一子像素开口231、第二子像素开口232及第三子像素开口233并分别与第一磁化部111a、第二磁化部112a及第三磁化部113a在上下方向上对应。

步骤14：利用通电的充磁头3对若干第一磁化部111a和若干第二磁化部112a进行磁化，并通过若干第一磁化部111a和若干第二磁化部112a的磁力吸附磁粉5，使得若干第一子像素开口231和若干第二子像素开口232内沉积磁粉5，如图4所示。

具体的，在本步骤中，当第一磁板1a与玻璃基板2贴合后，通电后的充磁头3置于第一磁板1a上的与玻璃基板2相对的另一侧，并置于第一磁化部111a及第二磁化部112a的上方。当然，在玻璃基板2的下方需预先放置磁粉5。利用通电的充磁头3对第一磁板1a上的第一磁化部111a及第二磁化部112a进行磁化。由于磁化后的第一磁化部111a及第二磁化部112a具有磁力，因此通过第一磁化部111a及第二磁化部112a的磁力可以吸附玻璃基板2下方的磁粉5，并使得磁粉5沉积于第一磁化部111a及第二磁化部112a对应的第一子像素开口231及第二子像素开口232内。通电后的充磁头3需要在第一磁化部111a及第二磁化部112a的附近停留一段时间，使得第一磁化部111a及第二磁化部112a能够在一定时间内保持磁性。

步骤15：采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板2的所有子像素开口23内蒸镀发光层，该发光层是未受通电的充磁头3影响的第三磁化部113a对应的第三子像素开口233内对应需要蒸镀的第三发光层4，如图5所示。

具体的，第三发光层4可以为红光发光层、绿光发光层及蓝光发光层中的任意一种。沉积于若干第一子像素开口231及第二子像素开口232内第三发光层4位于磁粉5的下方。

步骤16：移除位于第一子像素开口231及第二子像素开口232内的磁粉5及第三发光层4。

如图6所示，在本步骤中，在移除位于第一子像素开口231及第二子像素开口232内的磁粉5的同时，沉积于第一子像素开口231及第二子像素开口232磁粉5上的第三发光层4也一并被移除。上述磁粉5可以被回收装置回收并再次利用。

需要说明的是，当充磁头3停止充电或移开第一磁化部111a及第二磁化部112a后，第一磁化部111a及第二磁化部112a会逐渐自动消磁，而不具有磁力，此时，沉积于第一子像素开口231及第二子像素开口232磁粉5会由于重力的影响，自动脱离第一子像素开口231及第二子像素开口232。与此同时，第三发光层4也会随磁粉5一同脱离第一子像素开口231及第二子像素开口232。

具体的，移除位于第一子像素开口231及第二子像素开口232内的磁粉5及第三发光层4，具体还包括：

当充磁头3外接正负极相反的电源后，使充磁头3充电并靠近第一磁化部111a及第二磁化部112a，使得第一磁化部111a及第二磁化部112a被磁化，并且第一磁化部111a及第二磁化部112a的极性与原来相反。由异性相斥的原理可知，原本沉积于第一子像素开口231及第二子像素开口232内磁粉，被第一磁化部111a及第二磁化部112a排斥而脱离第一子像素开口231及第二子像素开口232。同时，第三发光层4也会随磁粉5一同脱离第一子像素开口231及第二子像素开口232。

通过上述步骤，OLED器件内第三像素开口233内第三发光层4沉积完成。

步骤17：利用通电的充磁头3对若干第一磁化部111a和若干第三磁化部113a进行磁化，通过若干第一磁化部111a和若干第三磁化部113a的磁力吸附磁粉(未图示)，使得若干第一子像素开口231和若干第三子像素开口232内沉积磁粉。

步骤18：采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板2的所有子像素开口23内蒸镀发光层，该发光层是未受充电的充磁头3影响的第二磁化部112a对应的第二子像素开口232内对应需要蒸镀的第二发光层(未图示)。

步骤19：移除位于第一子像素开口231及第三子像素开口233内的磁粉5及第二发光层。

通过步骤17至19，OLED器件内第二像素开口232内第二发光层沉积完成。需要说明的是，步骤17至19与步骤14至16基本相同，此处不再详细赘述。

步骤20：利用通电的充磁头3对若干第二磁化部112a和若干第三磁化部113a进行磁化，通过若干第二磁化部112a和若干第三磁化部113a的磁力吸附磁粉(未图示)，使得若干第二子像素开口232和若干第三子像素开口232内沉积磁粉。

步骤21：采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板2的所有子像素开口23内蒸镀发光层，该发光层是未受通电的充磁头3影响的第一磁化部111a对应的第一子像素开口231内对应需要蒸镀的第一发光层。具体的，第一发光层不同于第二发光层及第三发光层4。

步骤22：移除位于第二子像素开口232及第三子像素开口233内的磁粉5及第一发光层。

通过步骤20至22，OLED器件内第三像素开口233内的第三发光层沉积完成。需要说明的，步骤20至22与步骤14至16基本相同，此处不再详细赘述。

通过上述方法内的步骤11至22，OLED的子像素开口23内发光层均沉积完成。至此，第一磁板1a可以与玻璃基板2分离。

如图1、图7至11及图13所示，本发明较佳实施例还提供了一种OLED器件发光层形成方法，具体包括以下步骤：

步骤31：提供玻璃基板2，所述玻璃基板2上设有若干第一子像素开口231、若干第二子像素开口231及若干第三子像素开口233。

具体的，如图8所示，玻璃基板2表面设有若干ITO阳极21及像素限定层22，ITO阳极21暴露于像素限定层22上。像素限定层22上设有若干子像素开口23，ITO阳极21设置于像素开口23内。若干子像素开口23包括若干第一子像素开口231、若干第二子像素开口232及若干第三子像素开口233。第一子像素开口231、第二子像素开口232及第三子像素开口233分别对应不同颜色的像素开口，用于收容不同颜色的发光层。比如，第一子像素开口231可以为红色像素开口，第二子像素开口232可以为绿色像素开口，第三像素开口233为蓝色像素开口，上述三种子像素开口231，232，233分别用于沉积红光发光层、绿光发光层及蓝光发光层。

步骤32：提供第二磁板1b，所述第二磁板1b内设有与若干第一子像素开口231对应的若干第一磁化部111b、与若干第二子像素开口232对应的若干第二磁化部112b及与若干第三子像素开口233对应的若干第三磁化部113b。

具体的，如图7所示，第二磁板1b为电磁矩阵板，其内设有若干呈矩阵排列的磁化部11b，该磁化部11b从第二磁板1b的下表面向上延伸一段距离。若干磁化部11b分别与若干子像素开口23一一对应。根据对应的子像素开口23种类的不同，若干磁化部11b也包括三个部分，与若干第一子像素开口231对应的若干第一磁化部111b、与若干第二子像素开口232对应的若干第二磁化部112b及与若干第三子像素开口233对应的若干第三磁化部113b。第二磁板1b内还设有位于磁化部11b内的充磁头12b及连接充磁头12b的导线13b，导线13b的一端延伸出第二磁板1b并与外部电源连接。

步骤33：将第二磁板1b与玻璃基板2贴合，玻璃基板2的若干第一子像素开口、第二子像素开口及第三子像素开口朝下并分别与若干第一磁化部、第二磁化部及第三磁化部在上下方向上对应。

具体的，如图8所示，第二磁板1b位于玻璃基板2的上方且贴合于玻璃基板2，且玻璃基板2上具有像素开口23的一侧朝下，以便后续发光层的制备。当将第二磁板1b与玻璃基板2贴合后，第一子像素开口231、第二子像素开口232及第三子像素开口233并分别与第一磁化部111b、第二磁化部112b及第三磁化部113b在上下方向上对应。

步骤34：利用通电的充磁头12b对若干第一磁化部111b和若干第二磁化部112b进行磁化，通过若干第一磁化部111b和若干第二磁化部1112b的磁力吸附磁粉，使得若干第一子像素开口231和若干第二子像素开口232内沉积磁粉。

具体的，如图9所示，将设置于第二磁板1b内第一磁化部111b及第二磁化部112b内的充磁头12b连接外部电源，利用通电的充磁头12b对第一磁化部111b和第二磁化部112b进行磁化，通过若干第一磁化部111b和若干第二磁化部112b的磁力吸附磁粉，使得第一及第二磁化部111b，112b对应的第一子像素开口231及第二子像素开口232内沉积磁粉5。

步骤35：采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板2的所有子像素开口23内蒸镀发光层，该发光层是未受通电的充磁头12b影响的第三磁化部113b对应的第三子像素开口233内对应需要蒸镀的第三发光层4，如图10所示。

第三发光层4可以为红光发光层、绿光发光层及蓝光发光层中的任意一种。沉积于若干第一子像素开口231及第二子像素开口232内第三发光层4位于磁粉5的下方。

步骤36：移除位于第一子像素开口231及第二子像素开口232内的磁粉5及第三发光层4。

如图11所示，在本步骤中，在移除位于第一子像素开口231及第二子像素开口232内的磁粉5的同时，沉积于第一子像素开口231及第二子像素开口232磁粉5上的第三发光层4也一并被移除。上述磁粉5可以被回收装置回收并再次利用。

需要说明的是，当断开设置于第一磁化部111b及第二磁化部112b的充磁头12b连接的外部电源时，第一磁化部111b及第二磁化部112b会逐渐自动消磁，而不具有磁力。此时，沉积于第一子像素开口231及第二子像素开口232磁粉5会由于重力的影响，自动脱离第一子像素开口231及第二子像素开口232。与此同时，第三发光层4也会随磁粉5一同脱离第一子像素开口231及第二子像素开口232。

具体的，移除位于第一子像素开口231及第二子像素开口232内的磁粉5及第三发光层4，还具体包括：

将充磁头12b连接的外部电源正负极接反，使得第一磁化部111b及第二磁化部112b再次被磁化，并且第一磁化部111b及第二磁化部112b的极性与原来相反。由异性相斥的原理可知，原本沉积于第一子像素开口231及第二子像素开口232内磁粉，被第一磁化部111b及第二磁化部112b排斥而脱离第一子像素开口231及第二子像素开口232。同时，第三发光层4也会随磁粉5一同脱离第一子像素开口231及第二子像素开口232。

通过上述步骤，OLED器件内第三像素开口233内第三发光层4沉积完成。

步骤37：利用通电的充磁头12b对若干第一磁化部111b和若干第三磁化部113b进行磁化，通过若干第一磁化部111b和若干第三磁化部113b的磁力吸附磁粉5，使得若干第一子像素开口231和若干第三子像素开口233内沉积磁粉。

步骤38：采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板2的所有子像素开口23内蒸镀发光层，该发光层是未受充电的充磁头12b影响的第二磁化部112b对应的第二子像素开口232内对应需要蒸镀的第二发光层(未图示)。

步骤39：移除位于第一子像素开口231及第三子像素开口233内的磁粉5及第二发光层。

通过步骤37至39，OLED器件内第二像素开口232内第二发光层沉积完成。需要说明的是，步骤37至39与步骤34至36基本相同，此处不再详细赘述。

步骤40：利用通电的充磁头12b对若干第二磁化部112b和若干第三磁化部113b进行磁化，通过若干第二磁化部112b和若干第三磁化部113b的磁力吸附磁粉(未图示)，使得若干第二子像素开口232和若干第三子像素开口232内沉积磁粉。

步骤41：采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板2的所有子像素开口23内蒸镀发光层，该发光层是未受通电的充磁头12b影响的第一磁化部111b对应的第一子像素开口231内对应需要蒸镀的第一发光层。具体的，第一发光层不同于第二发光层及第三发光层4。

步骤42：移除位于第二子像素开口232及第三子像素开口233内的磁粉5及第一发光层。

通过步骤40至42，OLED器件内第三像素开口233内的第一发光层沉积完成。需要说明的，步骤20至22与步骤14至16基本相同，此处不再详细赘述。

通过上述方法，OLED器件的子像素开口23内发光层均沉积完成。至此，第二磁板1b可以与玻璃基板2分离。

本发明实施例中，利用磁板，可以在第一子像素开口及第二子像素开口位置沉积磁粉，然后蒸镀未沉积磁粉的第三子像素开口需要对应沉积的第三发光层，然后移除沉积于第一子像素开口及第二子像素开口位置内的磁粉及发光层，第三发光层则在第三子像素开口内完成沉积。通过上述相同的步骤，也就可以完成第一发光层及第二发光层在第一及第二子像素开口内的沉积。相对于现有技术，该OLED器件内的第一至第三发光层的形成不再需要精细金属掩模作为辅助工具将发光层真空蒸镀至像素开口内上，克服了精细金属掩模制作难度高及成本高的问题。

以上所述的具体实例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种OLED器件发光层形成方法，其包括以下步骤：

提供玻璃基板，所述玻璃基板上设有若干第一子像素开口、若干第二子像素开口及若干第三子像素开口；

提供磁板，所述第一磁板内设有与若干第一子像素开口对应的若干第一磁化部、与若干第二子像素开口对应的若干第二磁化部及与若干第三子像素开口对应的若干第三磁化部；

将所述磁板与所述玻璃基板贴合，所述若干第一子像素开口、第二子像素开口及第三子像素开口朝下并分别与若干第一磁化部、第二磁化部及第三磁化部在上下方向上对应；

利用通电的充磁头对所述若干第一磁化部和若干第二磁化部进行磁化，并通过所述若干第一磁化部和若干第二磁化部的磁力吸附磁粉，使得所述若干第一子像素开口和若干第二子像素开口内沉积磁粉；

采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板的所有子像素开口内蒸镀与第三子像素开口对应的第三发光层；

移除位于第一子像素开口及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层。

2.如权利要求1所述的OLED器件发光层形成方法，其特征在于，所述方法还包括：

利用通电的充磁头对所述若干第一磁化部和若干第三磁化部进行磁化，并通过所述若干第一磁化部和若干第三磁化部的磁力吸附磁粉，使得所述若干第一子像素开口和若干第三子像素开口内沉积磁粉；

采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板的所有子像素开口内蒸镀与第二子像素开口对应的第二发光层；

移除位于第一子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第二发光层。

3.如权利要求2所述的OLED器件发光层形成方法，其特征在于，所述方法还包括：

利用通电的充磁头对所述若干第二磁化部和若干第三磁化部进行磁化，并通过所述若干第二磁化部和若干第三磁化部的磁力吸附磁粉，使得所述若干第二子像素开口和若干第三子像素开口内沉积磁粉；

采用真空蒸镀的方式，在玻璃基板的所有子像素开口内蒸镀与第一子像素开口对应的第一发光层；

移除位于第二子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第一发光层。

4.如权利要求3所述的OLED器件发光层形成方法，其特征在于，所述第一发光层、第二发光层及第三发光层为不同颜色的发光层。

5.如权利要求1至3中任意一项所述的OLED器件发光层形成方法，其特征在于，所述充磁头置于所述第一磁化部、第二磁化部及第三磁化部外，所述磁板为永磁矩阵板。

6.如权利要求1至3中任意一项所述的OLED器件发光层形成方法，其特征在于，所述充磁头置于所述第一磁化部、第二磁化部及第三磁化部内，所述磁板为电磁矩阵板，所述磁板内还设有连接充磁头的导线。

7.如权利要求1所述的OLED器件发光层形成方法，其特征在于，所述移除位于第一子像素开口及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层，具体包括：

充磁头断电或接正负极相反的电源，来移除位于第一子像素开口及第二子像素开口内的磁粉及第三发光层。

8.如权利要求2所述的OLED器件发光层形成方法，其特征在于，所述移除位于第一子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第二发光层，具体包括：

充磁头断电或接正负极相反的电源，来移除位于第一子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第二发光层。

9.如权利要求3所述的OLED器件发光层形成方法，其特征在于，所述移除位于第二子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第一发光层，具体包括：

充磁头断电或接正负极相反的电源，来移除位于第二子像素开口及第三子像素开口内的磁粉及第一发光层。