CN102148234B - 薄膜沉积装置及制造有机发光显示设备的方法 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种薄膜沉积装置及制造有机发光显示设备的方法。所述薄膜沉积装置可以去除基板与掩膜之间产生的静电，并且所述方法用于利用该薄膜沉积装置制造有机发光显示设备。

Description

薄膜沉积装置及制造有机发光显示设备的方法

技术领域

本公开涉及去除基板与掩膜之间产生的静电的薄膜沉积装置以及使用该薄膜沉积装置制造有机发光显示设备的方法。

背景技术

有机发光显示设备具有比其它显示设备更大的视角、更好的对比度特性以及更快的响应速率，因此作为下一代显示设备已引起关注。

一般而言，有机发光显示设备具有包括阳极、阴极以及插入阳极与阴极之间的发射层的堆叠结构。当分别从阳极和阴极注入的空穴和电子在发射层中复合并发光时，有机发光显示设备显示彩色图像。然而，使用这种结构很难实现高的发光效率。因此，另外在发射层与各电极之间插入包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等等的中间层。

电极和中间层可以通过使用各种方法来形成，其中一种方法是沉积方法。当使用沉积方法制造有机发光显示设备时，与待形成的薄膜具有相同图案的精细金属掩膜(FMM)被布置为紧密接触基板，并且在FMM之上沉积薄膜材料，以便形成具有所期望的图案的薄膜。

发明内容

本公开提供一种去除基板与掩膜之间产生的静电的薄膜沉积装置，使得由于静电而导致的掩膜和基板无法分离的现象不会发生，并且提供一种通过利用该薄膜沉积装置制造有机发光显示设备的方法。

根据本公开的一方面，提供一种薄膜沉积装置，包括：用于支撑基板的支撑体；被布置为面对所述基板的表面的掩膜；以及去除所述基板与所述掩膜之间产生的静电去除的静电去除器。

根据某些方面，所述静电去除器可以通过向所述掩膜供应电流而去除所述基板与所述掩膜之间产生的静电。

根据某些方面，所述静电去除器可以以预定频率向所述掩膜供应电流。

根据某些方面，所述静电去除器可以包括：用于向所述掩膜供应电流的电源；用于调整所述电流的量的电阻器；以及连接至所述电源、所述电阻器和所述掩膜以便构成闭合电路的电线。

根据本公开的另一方面，提供一种制造有机发光显示设备的方法，所述有机发光显示设备包括形成在基板上并且彼此面对的第一电极和第二电极以及布置在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，所述方法包括：将所述基板布置在腔室中；对掩膜进行定位以便面对所述基板的表面；通过所述掩膜在所述基板上沉积所述有机层；去除所述掩膜与所述基板之间产生的静电；并且将所述掩膜与所述基板彼此进行分离。

根据某些方面，去除静电可以包括向所述掩膜供应电流。

根据某些方面，去除静电可以包括以预定频率向所述掩膜供应电流。

根据某些方面，去除静电可以包括向所述掩膜供应电流，其中所述掩膜、用于向所述掩膜供应电流的电源以及用于调整所述电流的量的电阻器构成闭合电路。

本公开的其它方法和/或优点部分地记载在随后的说明书中，部分地从说明书中显而易见，或者可以通过实践本公开而获知。

附图说明

从以下结合附图对示例性实施例的描述中，本公开的这些和/或其它方面以及优点将变得明显并且更加容易理解，附图中：

图1是根据本公开示例性实施例的薄膜沉积装置的示意性截面图；

图2是根据本公开示例性实施例的图1的掩膜和静电去除器的示意性透视图；

图3至图5是用于示出根据本公开示例性实施例的薄膜沉积装置的功能的截面图；以及

图6是根据本公开示例性实施例的利用薄膜沉积装置制造的有机发光显示设备的截面图。

具体实施方式

现在将详细参照本公开的示例性实施例，其示例示出在附图中，其中相同的附图标记始终表示相同的元件。下面参照附图描述示例性实施例，以便说明本公开的各方面。

图1是根据本公开示例性实施例的薄膜沉积装置100的示意性截面图。图2是图1的掩膜103和静电去除器120的示意性透视图。

参见图1和图2，薄膜沉积装置100可以包括腔室101、支撑体102、掩膜103、沉积源104以及静电去除器120。支撑体102、掩膜103、沉积源104以及静电去除器120可以放置在腔室101中，并且可以在腔室101中执行薄膜沉积工艺。腔室101可以在薄膜沉积工艺期间保持真空。

在薄膜沉积工艺期间，支撑体102在腔室101中固定支撑基板110。如图1中示出的，支撑体102可以支撑基板110的边缘部分，使得薄膜108(参见图3)可以沉积在基板110的中央部分。基板110可以是平板显示装置的基板，或者可替代地，可以是大尺寸基板，例如其上可以形成有多个平板显示装置的母玻璃。

沉积源104可以在腔室101中被布置为与基板110相对。沉积源104中可以容纳有沉积材料(未示出)，并且可以对沉积材料进行加热。加热使沉积材料蒸发，而后沉积材料在基板110上沉积为薄膜108。

掩膜103包括多个开口(未示出)，并且布置在基板110与沉积源104之间，以便根据开口对薄膜108进行图案化。也就是说，由沉积源104蒸发的沉积材料穿过掩膜103的开口，沉积在基板110的表面上形成薄膜108。基板110与掩膜103之间的距离越远，越会发生阴影现象。为了防止阴影现象，可以尽可能紧密地将基板110和掩膜103附在一起。掩膜103的开口可以是多个缝隙或点(孔)，但本公开并不限于此。

静电去除器120可以去除来自基板110与掩膜103之间的静电。对掩膜103和基板110进行多次对准，以便将薄膜108沉积在期望的位置。另外，在有机发光显示设备的情况下，由于发射红、绿和蓝光的有机层形成在基板上，因此针对各种颜色使用多种掩膜。无论何时使用不同的掩膜，都要执行对准操作。可以通过调整掩膜103与基板110之间的排列来对基板110和掩膜103进行对准。在这种情况下，可以重复使得掩膜103与基板110彼此接触和不接触。因此，可能会在掩膜103与基板110之间产生静电。基板110和掩膜103会由于静电而彼此粘合。因此，基板110的一部分可能会被粘合损坏。

现在将参照图3和图4描述以上所述的问题。如图3所示，由于掩膜103与基板110之间的对准操作以及各种掩膜的替换，可能会在掩膜103、基板110和薄膜108之间产生静电。因此，掩膜103、基板110和薄膜108彼此接触，并且基板110和掩膜103紧密地附在一起。然后，如图4所示，当基板110在薄膜沉积工艺完成之后被抬起时，基板110的一部分可能无法与掩膜103正确分离。因此，基板110会被损坏，或者沉积在基板110上的薄膜108的一部分可能与基板110分离。

如图5所示，连接至掩膜103的静电去除器120可以将基板110与掩膜103之间产生的静电去除，从而防止在基板110和掩膜103彼此分离时对基板110造成损坏。静电去除器120可以包括例如向掩膜103供应电流的电源105、用于调整电流量的电阻器106以及构成闭合电路的将电源105、电阻器106和掩膜103相连的导线107。可以以预定频率向掩膜103间歇地供应电流。换句话说，虽然并不是在本发明的所有方面中都需要，但以预定频率在预定时间量内向掩膜供应电流，并且可以在另一预定时间量内不向掩膜供应电流。

如图2所示，由于从沉积源104发射的沉积材料穿过掩膜103的上下表面以沉积在基板110上，因此静电去除器120可以邻近掩膜103布置。

图6是根据本公开示例性实施例的利用薄膜沉积装置制造的有机发光显示设备。图6中，示出有源矩阵(AM)型有机发光显示设备的单个子像素。参见图6，单个子像素包括至少一个薄膜晶体管(TFT)和作为自发射器件的电致发光(EL)器件(例如有机发光二极管)。然而，由于TFT可以包括多种结构，因此TFT并不限于图6的结构。现在将更详细地描述AM型有机发光显示设备。

如图6所示，缓冲层330形成在基板320上，并且TFT形成在缓冲层330上。TFT包括半导体有源层331、形成为覆盖半导体有源层331和缓冲层330的栅绝缘层332以及形成在栅绝缘层332上的栅电极333。层间绝缘层334被形成为覆盖栅电极333，并且源和漏电极335形成在层间绝缘层334上。源和漏电极335经由形成为通过栅绝缘层332和层间绝缘层334的接触孔而分别接触半导体有源层331的源区和漏区。作为OLED的阳极而工作的第一电极层321连接至源和漏电极335之一。第一电极层321形成在平坦化层337上，其中平坦化层337形成在绝缘层336上。像素限定层338被形成为覆盖第一电极层321。在像素限定层338中形成开口，并且OLED的有机层326形成在开口中。作为公共电极而工作的第二电极层327被形成为覆盖像素限定层338和有机层326。

OLED的有机层326可以包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)有机发射层，从而实现全彩色显示。R、G和B有机发射层可以通过薄膜沉积装置形成。R、G和B有机发射层可以利用各自的掩膜形成。在沉积R、G和B有机发射层进行之后，通过薄膜沉积装置的静电去除器去除基板与掩膜之间产生的静电，然后将基板和掩膜彼此分离。

对有机发光显示设备进行密封以便防止外部氧气和湿气渗入有机发光显示设备中。有机发光显示设备仅仅是为了示意性的目的，并且可以对有机发光显示设备的结构进行各种改变。

根据本公开的各种实施例，可以将掩膜与基板之间产生的静电去除，从而防止由于静电而导致掩膜和基板无法分离的现象发生。

虽然已示出并描述了本公开的若干示例性实施例，但本领域技术人员将会理解，可以对这些示例性实施例进行改变，而不背离权利要求书及其等同物中限定的本公开的原理和精神。

Claims (9)

1.一种薄膜沉积装置，包括：

用于支撑基板的支撑体；

面对所述基板的表面布置的掩膜；以及

去除所述基板与所述掩膜之间产生的静电的静电去除器，

其中所述静电去除器通过向所述掩膜供应电流而去除静电。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中所述静电去除器以预定频率向所述掩膜供应所述电流。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中所述静电去除器包括：

用于向所述掩膜供应电流的电源；

用于调整所述电流的量的电阻器；以及

连接至所述电源、所述电阻器和所述掩膜以形成闭合电路的电线。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中所述静电去除器在预定时间量内向所述掩膜供应所述电流。

5.一种制造有机发光显示设备的方法，所述有机发光显示设备包括形成在基板上的彼此面对的第一电极和第二电极以及布置在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，所述方法包括：

将所述基板布置在腔室中；

对掩膜进行定位以便面对所述基板的表面；

通过所述掩膜在所述基板上沉积所述有机层；

去除所述掩膜与所述基板之间产生的静电；并且

将所述掩膜与所述基板分离，

其中去除静电包括向所述掩膜供应电流。

6.根据权利要求5所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述电流以预定频率被供应给所述掩膜。

7.根据权利要求5所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述电流通过在所述掩膜、用于向所述掩膜供应所述电流的电源以及用于调整所述电流的量的电阻器之间形成的闭合电路被供应给所述掩膜。

8.根据权利要求5所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述电流在预定时间量内被供应给所述掩膜。

9.根据权利要求5所述的制造有机发光显示设备的方法，其中向所述掩膜供应电流包括交替地在第一预定时间量内向所述掩膜供应所述电流，并且在第二预定时间量内不向所述掩膜供应所述电流。