JP4609755B2 - マスク保持機構および成膜装置 - Google Patents

マスク保持機構および成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4609755B2
JP4609755B2 JP2005047813A JP2005047813A JP4609755B2 JP 4609755 B2 JP4609755 B2 JP 4609755B2 JP 2005047813 A JP2005047813 A JP 2005047813A JP 2005047813 A JP2005047813 A JP 2005047813A JP 4609755 B2 JP4609755 B2 JP 4609755B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
chuck
substrate
glass substrate
magnet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005047813A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006233257A (ja
Inventor
達哉 片岡
兼次 長尾
謙一 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd
Choshu Industry Co Ltd
Mitsui E&S Holdings Co Ltd
Original Assignee
Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd
Choshu Industry Co Ltd
Mitsui E&S Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd, Choshu Industry Co Ltd, Mitsui E&S Holdings Co Ltd filed Critical Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd
Priority to JP2005047813A priority Critical patent/JP4609755B2/ja
Priority to CN2006800015782A priority patent/CN101090994B/zh
Priority to KR1020077016155A priority patent/KR100884029B1/ko
Priority to PCT/JP2006/303189 priority patent/WO2006090747A1/ja
Priority to TW095105913A priority patent/TW200639592A/zh
Publication of JP2006233257A publication Critical patent/JP2006233257A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4609755B2 publication Critical patent/JP4609755B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、マスク保持機構および成膜装置に関するものである。
有機EL(Electroluminescent)素子を製造する真空蒸着装置には、底部に有機材料を加熱・蒸発(昇華)させる蒸発源(昇華源)が設けられている。また真空蒸着装置には、蒸発源に対面して配置されたチャックと、チャックの上部に複数配設され、基板表面を被うためのマスクを保持する磁石と、チャックの底面に装着保持させるガラス基板とが設けられている。チャックは、ガラス基板を平面に維持するための平板である。さらに真空蒸着装置には、有機EL素子のパターンをガラス基板に形成するためのマスクがチャック(ガラス基板)とるつぼの間に設けられている。なおマスクは、磁性体によって形成されている。
このような真空蒸着装置において、マスクをガラス表面に被せる場合、まずガラス基板をチャックの底面と接触させて装着保持させる。この後、ガラス基板と、このガラス基板の下方に配置されたマスクとを位置合わせし、マスクを上昇させてガラス基板に被せる。そしてマスクは、チャックの上部に配設された磁石の磁力によって保持される。
なおガラス基板の下側に配設されたマスクを、ガラス基板の上側に配設された磁石で保持することについて開示されたものとして、例えば、特許文献1が挙げられる。
特開2002−75638号公報
ところで、マスクをガラス基板の下方に配設する時に、ガラス基板表面との間に隙間が発生する。このため蒸発源で蒸発された有機材料が前記隙間に入り込み、本来遮蔽されるべき部分、すなわち有機EL素子のパターンが形成されない部分にまで付着することがあった。このため微細な有機EL素子のパターンをガラス基板表面に精度よく形成することができなかった。
図4は従来技術に係り、マスク装着時におけるマスクの形状の変化を説明する図である。マスクは、所定の開口パターンが形成されているマスクフィルムと、このマスクフィルムの周縁部を保持する枠型のマスクホルダーとを備えた構成である。そしてマスクをガラス基板に近づけると、磁石の磁力がマスク全面に均等にかかることになる。つまりマスク1をガラス基板2に被せる場合、ガラス基板2の下方から徐々に近づけると(S1)、チャック3の上部に配設された磁石4の磁力によって、マスク1の中央部が上側に急に引っ張られてガラス基板2を被い(S2)、その後その周縁部がガラス基板2を被う(S3)。このためマスクの全面が、ガラス基板を一度に被うことがなく、マスク中央部から周縁部にかけて順に被っていくので、マスクとガラス基板との間に位置ズレが発生し、正確なパターンをガラス基板上に形成することができなかった。
またマスクとガラス基板との位置合わせをするときにおいても、マスクをガラス基板に近づけて、すなわちマスクが磁石の磁力の影響を受ける範囲において行うと、磁力の影響によってマスクがガラス基板に近づいてしまい、正確に位置合わせすることができなかった。特に、マスクの中央部は、マスクの周縁部と同様の磁力が作用しているので磁力が強すぎ、マスクの中央部が山型に盛り上がってガラス基板にはり付いてしまう。したがって位置合わせするときには、マスクとガラス基板との間に一定量の隙間(磁力の影響を受けない距離)を空けなければならないが、位置合わせ終了後にマスクをガラス基板に近づけると、上述したようにマスクの中央部から周縁部にかけて順にガラス基板に被せられて行くので、マスクとガラス基板との間に位置ズレが発生し、正確なパターンをガラス基板上に形成することができない。
本発明は、マスクを基板に近づけても、マスクと基板との位置関係を維持するマスク保持機構を提供することを目的とする。
またマスク保持機構を備えた成膜装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係るマスク保持機構は、成膜装置のチャックに装着保持されている基板に被せられるマスクのマスク保持機構であって、前記マスクは、磁性体で形成されてなり、前記チャックの前記基板を保持するチャック面と反対側に、磁石を点状に配設した、ことを特徴としている。
また前記磁石は、格子を形成する格子点に配設されたことを特徴としている。
また前記チャックの中央部に配設された前記磁石の磁力は、前記チャックの周縁部に比べて弱いことを特徴としている。
また前記チャックの中央部に配設された磁石の大きさは、前記チャックの周縁部に比べて小さいことを特徴としている。
また本発明に係る成膜装置は、成膜材料の蒸発源と、前記蒸発源に対向して配設され、基板を装着保持するチャックと、前記チャックの前記基板を保持するチャック面と反対側に、格子状の格子点に配設された磁石と、前記基板に被せられるマスクと、を備えたことを特徴としている。この場合において、前記チャックの中央部に配設された前記磁石の磁力は、前記チャックの周縁部に比べて弱くし、あるいは、前記チャックの中央部に配設された磁石の大きさは、前記チャックの周縁部に比べて小さくなるように設定する。
この場合、前記チャックの中央部に配設された前記磁石は、前記チャックの周縁部に配設された前記磁石の磁力に比べて弱いものを配設することができる。また前記チャックの中央部に配設された磁石は、前記チャックの周縁部に配設された磁石の大きさに比べて小さいものを配設することができる。
磁石を点状に配設することにより、マスクの中央部に作用する磁力を周縁部に比べて弱くすることができる。したがってマスクをチャックに近づけたときでも、マスクを水平状態に維持することができる。そしてマスクを基板に近づけて、マスクと基板との位置合わせを行うことができるので、マスクを基板に被せるときの移動距離が短くでき、作業時間を短縮することができる。
また磁石を格子状に配設することにより、マスクの中央部に作用する磁力を周縁部に比べて弱くすることができる。
またチャックの中央部に配設される磁石の磁力と、チャックの周縁部に配設される磁石の磁力とを変えることによって、マスクの中央部に作用する磁力を周縁部に比べて弱くすることができる。
またチャックの中央部に配設される磁石の大きさと、チャックの周縁部に配設される磁石の大きさとを変えることによっても、マスクの中央部に作用する磁力を周縁部に比べて弱くすることができる。
また成膜装置は、マスクを保持する磁石の磁力がマスクの中央部と周縁部とで異なるので、マスクが水平状態を保ったまま基板を被うことができる。したがってマスクと基板との間に位置ズレが発生することなく、正確なパターンを基板上に形成することができる。
以下に、本発明に係るマスク保持機構および成膜装置の最良の実施形態について説明する。なお本実施形態では、成膜装置として真空蒸着装置を用い、この真空蒸着装置で有機EL素子を製造する形態について説明する。図1は真空蒸着装置の説明図である。図2はチャック上に設けられた磁石の配置を説明する図である。真空蒸着装置10は、その底部に有機材料11の蒸発源12(昇華源)を備えるとともに、その上部にチャック14、磁石16、基板クランプ18およびマスククランプ20を備えた構成である。
有機材料11の蒸発源12は、有機材料11が入れられるるつぼ12aを備えており、るつぼ12aの外面に有機材料11を加熱・蒸発(昇華)させるヒーター12bが設けられている。また真空蒸着装置10の上部に設けられたチャック14は、るつぼ12aに対面して配設されており、水平方向に沿って配置された平板である。そしてチャック14は、真空蒸着装置10の外側上部に設けられた回転機構(不図示)によって水平回転可能となっている。
またチャック14の上部、すなわちガラス基板22を保持する面(チャック面)と反対側に磁石16が点状に配設されている。この磁石16は、ガラス基板22を被うマスク24の大きさに対応して配設されている。なお磁石16は、チャック14の中央部に作用する磁石16の磁力が周縁部に比べて弱くなるように配設されればよく、図2(A)に示すように格子が交差する格子点に位置するように配設されればよい。
また磁石16(16a,16b)は、図2(B)に示すように、チャック14の中央部に配設された磁石16aの大きさをチャック14の周縁部に配設された磁石16bに比べて小さくして、チャック14の中央部に作用する磁石16の磁力が周縁部に比べて弱くなるようにすることもできる。さらに磁石16は、図2(C)に示すように、チャック14の中央部における磁石16aの配置パターンと、周縁部における磁石16bの配置パターンとを変えて、チャック14の中央部に作用する磁石16の磁力が周縁部に比べて弱くなるようにすることもできる。
そして磁石16の配置位置や磁力は、マスク24をチャック14に近づけるときに生じるマスク24の中央部の延び、すなわちマスク24に形成されたパターンの開口寸法の延びを所定の値以内にするように設定されている。このような磁石16の配置位置や磁力は、例えばチャック14の厚みや材質、ガラス基板22の厚みや材質、マスク24の厚みや材質等によって変化するので、これらの要因を考慮して実験や計算等を行って決定すればよい。
基板クランプ18は、真空蒸着装置10の上部から下方に向かって延び、先端部18aがチャック14側(蒸着装置の中央側)に向けて折り曲げられた鉤型であり、チャック14の側縁に沿って複数個が配設されている。この基板クランプ18は、その先端部18a(折曲げ部)でガラス基板22の縁部を支えるために、各先端部18aが同じ高さ(同一面内)になるように設定されている。また基板クランプ18は、真空蒸着装置10の外側上部に設けられた昇降機構(不図示)によって、各先端部18aが同一面内にある状態を維持しつつ昇降可能になっている。そして基板クランプ18が上昇することによって、ガラス基板22をチャック14に接触させて、平面状に装着保持させることが可能になっている。
マスククランプ20は、真空蒸着装置10の上部から下方に向かって延び、先端部20aがチャック14側(蒸着装置の中央側)に向けて折り曲げられた鉤型であり、チャック14や基板クランプ18の側縁に沿って複数個が配設されている。このマスククランプ20は、その先端部20a(折曲げ部)でマスク24の縁部を支えるために、各先端部20aが同じ高さ(同一面内)になるように設定されている。またマスククランプ20は、真空蒸着装置10の外側上部に設けられた昇降機構(不図示)によって、各先端部20aが同一面内にある状態を維持しつつ昇降可能になっている。したがってマスク24は、移動可能に配設されている。なおマスク24は、有機EL素子の各画素に対応する開口パターンが複数設けられたマスクフィルム24aと、マスクフィルム24aの周縁部を保持する枠型のマスクフレーム24bとを備えている。
そして基板クランプ18およびマスククランプ20は、真空蒸着装置10の外側上部に設けられた回転機構(不図示)によって、チャック14とともに回転することが可能になっている。
次に、マスク24の装着方法について説明する。図3はマスクの装着工程の説明図である。なおマスククランプ20上には、予めマスク24が配設されている。まずガラス基板22は、基板搬送機構(不図示)によって真空蒸着装置10内に入れられ、チャック14とマスク24との間に挿入される。そしてガラス基板22は、前記基板搬送機構の下降動作とともに下方へ移動されて、基板クランプ18上に載せられる(S100)。
この後、マスククランプ20を上昇させることによりマスク24を上方に移動させ、マスク24上にガラス基板22を載せる(S110)。そしてマスククランプ20は、ガラス基板22がチャック14の底面(チャック面)に接触するまで上昇され続ける(S120)。なおガラス基板22は、マスク24上に載せられるとマスク24に沿って水平になり、この水平状態を維持しつつチャック14に当接される。
この後、基板クランプ18をガラス基板22に接触するまで上昇させる(S130)。これによりガラス基板22は、基板クランプ18により水平状態を維持しつつチャック14に装着保持される。そしてマスククランプ20を下降させて、マスク24を下方に移動させ、マスク24とガラス基板22とを位置合わせする(S140)。
この後、マスク24を上昇させて、ガラス基板22を被う(S150)。なおマスク24の中央部に作用する磁石16の磁力は、周縁部に作用する磁石16の磁力に比べて弱いため、マスク24の開口パターンが所定の寸法よりも大きくなってしまうことがなく、また平面状態を維持してガラス基板22を被うので位置ズレを生じることがない。
このようなマスク24の装着工程を経た後、ガラス基板22やマスク24を回転させるとともに、ヒーター12bによって有機材料11を加熱・蒸発させて、ガラス基板22上に所定のパターンを形成した後、マスク24を下降させる。これにより有機EL素子が製造される。なおマスク24の下降時においても、マスク24の中央部に作用する磁力が周縁部に比べて弱いために、マスク24全体が一度にガラス基板22から離れる。
このようなマスク24保持機構によれば、チャック14の上部に磁石16を点状に配設するとともに、ガラス基板22に被せられたマスク24の中央部に作用する磁石16の磁力を周縁部の磁力に比べて弱くしたので、マスク24をガラス基板22に被せるときは、マスク24の水平状態を保ったまま被せることができる。これによりマスク24とガラス基板22との間に位置ズレが発生することがないので、正確なパターンをガラス基板22上に形成することができる。
またマスク24は、チャック14に近づいたときでも水平状態を維持できるので、マスク24とガラス基板22との位置合わせするときのマスク24とガラス基板22との距離を短くすることができる。したがってマスク24をガラス基板22に被せるときの移動距離が小さくなるので、作業時間を短縮することができ、有機EL素子の製造効率を向上させることができる。
なお本実施形態では、成膜装置として真空蒸着装置10を用い、この真空蒸着装置10で有機EL素子を製造する形態について説明したが、この形態に限定されることはない。
真空蒸着装置の説明図である。 チャック上に設けられた磁石の配置を説明する図である。 マスクの装着工程の説明図である。 従来技術に係り、マスク装着時におけるマスクの形状の変化を説明する図である。
符号の説明
10………真空蒸着装置、14………チャック、16………磁石、18………基板クランプ、20………マスククランプ、22………ガラス基板、24………マスク。

Claims (4)

  1. 成膜装置のチャックに装着保持されている基板に被せられるマスクのマスク保持機構であって、
    前記マスクは、磁性体で形成されてなり、
    前記チャックの前記基板を保持するチャック面と反対側に、磁石を点状に配設し、
    前記チャックの中央部に配設された前記磁石の磁力は、前記チャックの周縁部に比べて弱くしてなる、
    ことを特徴とするマスク保持機構。
  2. 成膜装置のチャックに装着保持されている基板に被せられるマスクのマスク保持機構であって、
    前記マスクは、磁性体で形成されてなり、
    前記チャックの前記基板を保持するチャック面と反対側に、磁石を点状に配設し、
    前記チャックの中央部に配設された磁石の大きさは、前記チャックの周縁部に比べて小さくしてなる、
    ことを特徴とするマスク保持機構。
  3. 成膜材料の蒸発源と、
    前記蒸発源に対向して配設され、基板を装着保持するチャックと、
    前記チャックの前記基板を保持するチャック面と反対側に、格子状の格子点に配設された磁石と、
    前記基板に被せられるマスクと、
    を備え、
    前記チャックの中央部に配設された前記磁石の磁力は、前記チャックの周縁部に比べて弱くしてなる、
    ことを特徴とする成膜装置。
  4. 成膜材料の蒸発源と、
    前記蒸発源に対向して配設され、基板を装着保持するチャックと、
    前記チャックの前記基板を保持するチャック面と反対側に、格子状の格子点に配設された磁石と、
    前記基板に被せられるマスクと、
    を備え、
    前記チャックの中央部に配設された磁石の大きさは、前記チャックの周縁部に比べて小さくしてなる、
    ことを特徴とする成膜装置。
JP2005047813A 2005-02-23 2005-02-23 マスク保持機構および成膜装置 Expired - Fee Related JP4609755B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005047813A JP4609755B2 (ja) 2005-02-23 2005-02-23 マスク保持機構および成膜装置
CN2006800015782A CN101090994B (zh) 2005-02-23 2006-02-22 掩模保持机构以及成膜装置
KR1020077016155A KR100884029B1 (ko) 2005-02-23 2006-02-22 마스크 유지 기구 및 성막 장치
PCT/JP2006/303189 WO2006090747A1 (ja) 2005-02-23 2006-02-22 マスク保持機構および成膜装置
TW095105913A TW200639592A (en) 2005-02-23 2006-02-22 Mask holding mechanism, and film deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005047813A JP4609755B2 (ja) 2005-02-23 2005-02-23 マスク保持機構および成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006233257A JP2006233257A (ja) 2006-09-07
JP4609755B2 true JP4609755B2 (ja) 2011-01-12

Family

ID=36927385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005047813A Expired - Fee Related JP4609755B2 (ja) 2005-02-23 2005-02-23 マスク保持機構および成膜装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP4609755B2 (ja)
KR (1) KR100884029B1 (ja)
CN (1) CN101090994B (ja)
TW (1) TW200639592A (ja)
WO (1) WO2006090747A1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5297046B2 (ja) * 2008-01-16 2013-09-25 キヤノントッキ株式会社 成膜装置
CN101790597A (zh) * 2008-03-28 2010-07-28 佳能安内华股份有限公司 真空处理设备、使用该真空处理设备制造图像显示设备的方法以及由该真空处理设备制造的电子装置
WO2009125802A1 (ja) * 2008-04-09 2009-10-15 株式会社 アルバック 蒸発源及び成膜装置
KR101049804B1 (ko) * 2009-02-19 2011-07-15 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치용 마스크 밀착 수단 및 이를 이용한 증착 장치
JP2011195907A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Tokyo Electron Ltd マスク保持装置及び薄膜形成装置
JP2011233510A (ja) * 2010-04-05 2011-11-17 Canon Inc 蒸着装置
JP4857407B1 (ja) * 2011-02-28 2012-01-18 信越エンジニアリング株式会社 薄板状ワークの粘着保持方法及び薄板状ワークの粘着保持装置並びに製造システム
KR101347546B1 (ko) * 2011-03-14 2014-01-03 엘아이지에이디피 주식회사 기판 척킹장치 및 이를 가지는 박막증착장비
KR102311586B1 (ko) * 2014-12-26 2021-10-12 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 장치 내 기판 정렬 방법
KR102373326B1 (ko) * 2014-12-26 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 장치 내 기판 정렬 방법
JP6298110B2 (ja) * 2016-07-08 2018-03-20 キヤノントッキ株式会社 マスク支持体、成膜装置及び成膜方法
CN106399936B (zh) * 2016-12-09 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀设备及蒸镀方法
JP6448067B2 (ja) * 2017-05-22 2019-01-09 キヤノントッキ株式会社 基板載置方法、基板載置機構、成膜方法、成膜装置及び電子デバイスの製造方法
JP7202168B2 (ja) * 2018-12-13 2023-01-11 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、有機elパネルの製造システム、及び成膜方法
KR102257008B1 (ko) * 2019-01-11 2021-05-26 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스 제조방법
KR20210091557A (ko) * 2020-01-14 2021-07-22 한국알박(주) 트레이용 마그넷 클램프

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0688206A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Dainippon Printing Co Ltd スパッタ用治具
JP2004183044A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3539125B2 (ja) * 1996-04-18 2004-07-07 東レ株式会社 有機電界発光素子の製造方法
JP3891805B2 (ja) * 2001-08-29 2007-03-14 株式会社Hitzハイテクノロジー 真空蒸着装置
KR100422487B1 (ko) * 2001-12-10 2004-03-11 에이엔 에스 주식회사 전자석을 이용한 유기전계발광소자 제작용 증착장치 및그를 이용한 증착방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0688206A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Dainippon Printing Co Ltd スパッタ用治具
JP2004183044A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006090747A1 (ja) 2006-08-31
KR100884029B1 (ko) 2009-02-17
KR20070089856A (ko) 2007-09-03
TWI323291B (ja) 2010-04-11
CN101090994B (zh) 2010-05-19
TW200639592A (en) 2006-11-16
CN101090994A (zh) 2007-12-19
JP2006233257A (ja) 2006-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4609755B2 (ja) マスク保持機構および成膜装置
JP4609759B2 (ja) 成膜装置
KR100884030B1 (ko) 성막 장치의 마스크 위치 맞춤 기구 및 성막 장치
JP4773834B2 (ja) マスク成膜方法およびマスク成膜装置
JP4609757B2 (ja) 成膜装置における基板装着方法
US7771789B2 (en) Method of forming mask and mask
KR102241187B1 (ko) 기판 지지 장치, 기판 재치 장치, 성막 장치, 기판 지지 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP4609754B2 (ja) マスククランプの移動機構および成膜装置
CN107002219A (zh) 用于在处理腔室中掩蔽基板的掩模布置
US11484971B2 (en) Manufacturing device for mask unit
JP2008198500A (ja) 有機elディスプレイの製造方法および製造装置
CN110385527A (zh) 框架一体型掩模的制造装置
KR20140133105A (ko) 하향식 oled 증착기의 파티클의 발생이 방지된 증발원 이송장치와 기판과 마스크의 미세 얼라인 장치
JP5084112B2 (ja) 蒸着膜の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070319

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100527

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100720

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100909

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100930

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141022

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees