JP2006245367A - バリスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】静電容量を低減させることができるバリスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】内部電極2,3を有するとともにバリスタ材料により構成される第1の層1と、この第1の層1の両側に配設されるとともに前記内部電極2,3に電気的に接続され、かつ前記バリスタ材料より低い誘電率を有する材料により構成される第2の層4および第3の層5とを備え、前記第2の層4と第3の層5に外部電極6,7を接続したものである。
【選択図】図1
【解決手段】内部電極2,3を有するとともにバリスタ材料により構成される第1の層1と、この第1の層1の両側に配設されるとともに前記内部電極2,3に電気的に接続され、かつ前記バリスタ材料より低い誘電率を有する材料により構成される第2の層4および第3の層5とを備え、前記第2の層4と第3の層5に外部電極6,7を接続したものである。
【選択図】図1
Description
本発明は電子機器を静電気から保護するバリスタおよびその製造方法に関するものである。
近年、携帯電話等の電子機器の小型化、高性能化が急速に進み、それに伴い電子機器に用いられる電子部品の小型化も急速に進んでいる。しかしながら、その反面、この小型化に伴って電子機器や電子部品の耐圧は低下するもので、これにより、人体と電子機器の端子が接触した時に発生する静電気パルスによって機器内部の電気回路が破壊するのが増えてきている。
従来においては、このような静電気パルスへの対策として、バリスタ層と内部電極層とを交互に積層した積層バリスタが用いられていた。
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開平8−162303号公報
データの送受信の高容量化、高速化に伴い、信号は高周波数化が加速され、GHzレベルになってきているため、静電気対策部品は信号の挿入損失を低下させないように、できる限り低静電容量であることが望ましい。しかしながら、バリスタ層と内部電極層とを交互に積層した積層バリスタは、静電容量が最小でも2pFであるため、GHzレベルの高周波帯では信号の伝送特性に悪影響を及ぼすという問題点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、静電容量を低減させることができるバリスタおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
本発明の請求項1に記載の発明は、内部電極を有するとともにバリスタ材料により構成される第1の層と、この第1の層の両側に配設されるとともに前記内部電極に電気的に接続され、かつ前記バリスタ材料より低い誘電率を有する材料により構成される第2の層および第3の層とを備え、前記第2の層と第3の層に外部電極を接続したもので、この構成によれば、第1の層を構成するバリスタ材料より低い誘電率を有する材料により構成される第2の層と第3の層に外部電極を接続しているため、第2の層に接続される外部電極と第3の層に接続される外部電極との間およびこれらの外部電極と第1の層に設けられた内部電極との間に生じる浮遊容量を低減させることができ、これにより、従来のバリスタより静電気吸収効果は維持したまま静電容量を低減させることができるため、高速信号ラインにも適用可能な低容量のバリスタが得られるという作用効果を有するものである。
本発明の請求項2に記載の発明は、特に、外部電極が接続される第2の層と第3の層を構成する材料の誘電率を100以下としたもので、この構成によれば、外部電極が接続される第2の層と第3の層を誘電率が100以下の低い誘電率を有する材料で構成しているため、第2の層に接続される外部電極と第3の層に接続される外部電極間およびこれらの外部電極と第1の層に設けられた内部電極との間に生じる浮遊容量を低減させることができ、これにより、従来のバリスタより静電気吸収効果は維持したまま静電容量を低減させることができるため、高速信号ラインにも適用可能な低容量のバリスタが得られるという作用効果を有するものである。
本発明の請求項3に記載の発明は、バリスタ材料からなるセラミックシートに内部電極を設けるとともにビアホールを設け、かつこのビアホールに金属ペーストを充填して前記内部電極と電気的に接続されるビア導体を設けてなる第1の層を構成する工程と、前記バリスタ材料より低い誘電率を有する材料からなるセラミックシートにビアホールを設け、かつこのビアホールに金属ペーストを充填してビア導体を設けてなる第2の層および第3の層を構成する工程と、前記第1の層、第2の層および第3の層を少なくとも第2の層、第1の層、第3の層の順に素子の長手方向に積層して焼成することによりバリスタ本体を構成する工程と、前記バリスタ本体における両側の第2の層および第3の層に外部電極を設けてこの外部電極と前記両側の第2の層および第3の層におけるビア導体とを電気的に接続する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、第1の層、第2の層および第3の層を少なくとも第2の層、第1の層、第3の層の順に素子の長手方向に積層して焼成することによりバリスタ本体を構成するようにしているため、バリスタ本体における両側の第2の層および第3の層に設けられる外部電極とバリスタ材料からなる第1の層とが接続されるということはなく、これにより、バリスタ材料とこのバリスタ材料より低い誘電率を有する材料の異種材料による積層を容易に行うことができ、また、前記バリスタ本体における両側の第2の層および第3の層に外部電極を設けてこの外部電極と前記両側の第2の層および第3の層におけるビア導体とを電気的に接続する工程とを備えているため、素子の内部電極と外部電極の接続も前記ビア導体で行うことができ、これにより、素子の長手方向での積層において内部電極と外部電極の電気的接続が可能となるため、高速信号ラインにも適用可能な低容量のバリスタが得られるという作用効果を有するものである。
以上のように本発明のバリスタは、内部電極を有するとともにバリスタ材料により構成される第1の層と、この第1の層の両側に配設されるとともに前記内部電極に電気的に接続され、かつ前記バリスタ材料より低い誘電率を有する材料により構成される第2の層および第3の層とを備え、前記第2の層と第3の層に外部電極を接続しているため、第2の層に接続される外部電極と第3の層に接続される外部電極間およびこれらの外部電極と第1の層に設けられた内部電極との間に生じる浮遊容量を低減させることができ、これにより、従来のバリスタより静電気吸収効果は維持したまま静電容量を低減させることができるため、高速信号ラインにも適用可能な低容量のバリスタが得られるという優れた効果を奏するものである。
(実施の形態1)
以下、実施の形態1を用いて、本発明の特に請求項1,2,3に記載の発明について説明する。
以下、実施の形態1を用いて、本発明の特に請求項1,2,3に記載の発明について説明する。
図1は本発明の実施の形態1におけるバリスタの断面図、図2は同バリスタの外部電極設置前の状態を示す分解斜視図、図3は同バリスタの外部電極設置後の状態を示す斜視図である。
図1〜図3において、1は内部電極2,3を有するとともにバリスタ材料により構成される第1の層で、この第1の層1の上下方向の両側には前記バリスタ材料より低い誘電率を有する材料により構成される第2の層4と第3の層5が配設されている。6,7は前記第2の層4と第3の層5に接続される外部電極である。
図4は同バリスタの製造方法を説明するための模式分解斜視図を示したもので、図1〜図3で説明した第1の層1は、図4に示すように、バリスタ材料により構成される第1のセラミックシート1aと、この第1のセラミックシート1aの上下に配設され、かつ内部電極2,3を有するとともに、バリスタ材料により構成される第2、第3のセラミックシート1b,1cと、前記第2のセラミックシート1bの上に配設され、かつバリスタ材料により構成される第4のセラミックシート1dと、前記第3のセラミックシート1cの下に配設され、かつバリスタ材料により構成される第5のセラミックシート1eと、この第5のセラミックシート1eの下に配設され、かつバリスタ材料により構成される第6のセラミックシート1fとを備えている。そして前記第2、第3、第4、第5、第6のセラミックシート1b,1c,1d,1e,1fは、略中央部にそれぞれビアホール8b,8c,8d,8e,8fを設けるとともに、これらのビアホール8b,8c,8d,8e,8fにそれぞれ金属ペーストを充填して前記内部電極2,3と電気的に接続されるビア導体9b,9c,9d,9e,9fを設けている。
また、図1〜図3で説明した第2の層4は、図4に示すように、前記第4のセラミックシート1dの上に配設され、かつ前記バリスタ材料より低い誘電率を有する材料により構成される第7のセラミックシート4aと、この第7のセラミックシート4aの上に配設され、かつ前記バリスタ材料より低い誘電率を有する材料により構成される第8のセラミックシート4bとを備え、そしてこれらの第7、第8のセラミックシート4a,4bも、略中央部にそれぞれビアホール8g,8hを設けるとともに、これらのビアホール8g,8hにそれぞれ金属ペーストを充填して前記内部電極2と電気的に接続されるビア導体9g,9hを設けている。
そしてまた、図1〜図3で説明した第3の層5は、図4に示すように、前記第6のセラミックシート1fの下に配設され、かつ前記バリスタ材料より低い誘電率を有する材料により構成される第9のセラミックシート5aと、この第9のセラミックシート5aの下に配設され、かつ前記バリスタ材料より低い誘電率を有する材料により構成される第10のセラミックシート5bとを備え、そしてこれらの第9、第10のセラミックシート5a,5bも、略中央部にそれぞれビアホール8i,8jを設けるとともに、これらのビアホール8i,8jにそれぞれ金属ペーストを充填して前記内部電極3と電気的に接続されるビア導体9i,9jを設けている。
次に、本発明の実施の形態1におけるバリスタの製造方法について説明する。
まず、第1の層1として使う第1〜第6のセラミックシート1a,1b,1c,1d,1e,1fは以下のようにして作製した。すなわち、これらのセラミックシート1a,1b,1c,1d,1e,1fは、ZnOを主成分とし、かつ添加物として少なくともBi2O3を0.01〜5mol%、Co3O4を0.01〜5mol%加えたセラミック粉末にブチラール樹脂等のバインダ、フタル酸ジブチル等の可塑剤、酢酸ブチル等の溶剤を適量加え、そしてこれをボールミルで混合、分散させてスラリーを作製し、そしてこのスラリーをドクターブレード法等によりシート状に成形し、15〜50μmの厚みのセラミック生シートを作製した。
次に、第2、第3の層4,5として使う第7〜第10のセラミックシート4a,4b,5a,5bは以下のようにして作製した。すなわち、これらのセラミックシート4a,4b,5a,5bは、Al2O3、ガラスフリットを主成分とする混合粉末にブチラール樹脂等のバインダ、フタル酸ジブチル等の可塑剤、酢酸ブチル等の溶剤を適量加え、そしてこれをボールミルで混合、分散させてスラリーを作製し、そしてこのスラリーをドクターブレード法等によりシート状に成形し、15〜50μmの厚みのセラミック生シートを作製した。
次に、図4における第1、第2、第3の層1,4,5を構成するセラミックシートはそれぞれ次のようにして準備した。第1の層1の一部を構成する第1のセラミックシート1aは上記したセラミック生シートをそのまま用いた。そして上記第1のセラミックシート1a以外の第2〜第10のセラミックシート1b,1c,1d,1e,1f,4a,4b,5a,5bには、略中央部にそれぞれ50〜300μmの穴径でビアホール8b,8c,8d,8e,8f,8g,8h,8i,8jを設け、そしてこのビアホール8b,8c,8d,8e,8f,8g,8h,8i,8jにAg、Ag−Pd、Pt等の金属粉末と有機ビヒクル、有機溶剤とからなる金属ペーストを充填してビア導体9b,9c,9d,9e,9f,9g,9h,9i,9jを設けている。そしてまた、前記第1の層1の一部を構成する第2のセラミックシート1bの下面および第3のセラミックシート1cの上面には、前記ビア導体9b,9cと同様の金属ペーストを用いて、内部電極2,3となる円形パターンを印刷により形成した。なお、この内部電極2,3は第1のセラミックシート1aに直接接する第2、第3のセラミックシート1b,1cに設けたビア導体9b,9cの表面を内部電極2,3と見立ててもよく、その場合、内部電極2,3の円形パターン印刷は不要となるものである。
次に、上記したそれぞれのセラミックシートを用いて大判の積層体ブロックを得る場合は、図4に示すように、まず、下の第3の層5を構成する第10のセラミックシート5bと第9のセラミックシート5aを積層した後、第1の層1の一部を構成する第6、第5、第3のセラミックシート1f,1e,1cを第3のセラミックシート1cの内部電極3が上面になるように積層し、その後、この第3のセラミックシート1cの上にバリスタ材料により構成される第1のセラミックシート1aを積層し、さらにその後、第1のセラミックシート1aの上に内部電極2を有するセラミックシート1bと第4のセラミックシート1dを第2のセラミックシート1bの内部電極2が下面になるように積層し、その後、第4のセラミックシート1dの上に第2の層4を構成する第7のセラミックシート4aと第8のセラミックシート4bを積層し、そしてこれらを500kg/cm2で加圧して大判の積層体ブロックを得た。
なお、図4は本発明の実施の形態1におけるバリスタの製造方法を説明するための模式分解斜視図を示したものであるが、これは大判のセラミックシートを所望の寸法に切断分離して個片化した後の状態を示したものであり、そしてこの個片化する前の状態は、印刷形成した内部電極2,3となる円形パターンおよびビア導体9b,9c,9d,9e,9f,9g,9h,9i,9jが、所望の寸法に切断分離した際に図4に示した形状となるように、図4に示した形状を多数個縦横に配列したパターン形状の大判のセラミックシートを複数用い、そしてこれらを積層し、その後、この積層した複数の大判のセラミックシートを500kg/cm2で加圧して大判の積層体ブロックを得ているものである。
次に、上記大判の積層体ブロックを所望の寸法に切断分離して、個片化された積層体を得た。そしてこの個片化された積層体を、200〜700℃で熱処理しバインダを除去した後、900〜1200℃で0.5〜5時間焼成し、図2に示すようなバリスタ本体10を得た。
そして最後に、このバリスタ本体10の両端面にAg、Ag−Pd、Pt等の金属粉末と有機ビヒクル、適量のガラスフリットからなるペーストを塗布し、かつ乾燥させ、さらに500〜900℃で焼き付けを行うことにより外部電極6,7を形成し、図3に示すような本発明の実施の形態1におけるバリスタの完成品(完成品寸法L:1.0mm、W:0.5mm、T:0.5mm)を作製した。
(表1)は本発明の実施の形態1におけるバリスタと従来例におけるバリスタとの特性比較を示したものである。
(表1)におけるバリスタ電圧はバリスタに1mAの電流が流れたときにバリスタにかかる電圧(V1mA)を示し、また、制限電圧比(V1A/V1mA)は同様にバリスタに1Aの電流が流れたときにバリスタにかかる電圧(V1A)と前記バリスタ電圧との比で表されるもので、この制限電圧比の値が小さければ小さいほど電流−電圧非直線性は大きくなり、バリスタとしての性能(静電気吸収効果)が優れているといえる。(表1)の試料は、図1に示すバリスタ材料からなる第1の層1の一部を構成する第6、第5、第3のセラミックシート1f,1e,1cの厚み(距離A)を変えて作製した。一方、従来例におけるバリスタは第1の層1、第2の層4、第3の層5をすべてバリスタ材料で構成し、そしてこの部分以外の構造は本発明の実施の形態1と同じ構造にしているものである。また今回使用したバリスタ材料の誘電率は400であり、一方、バリスタ材料より低い誘電率を有する材料の誘電率は20である。
(表1)から明らかなように、本発明の実施の形態1におけるバリスタは、従来例のバリスタに比べて、バリスタ電圧がほとんど変化していないにも関わらず静電容量は低下しており、また、図1に示す距離Aは小さくした方が静電容量は小さくなっていることがわかる。これは、浮遊容量が、図5に示したように低誘電率材料と高誘電率材料の直列構造で発現するため、低誘電率材料の寄与率が大きい(すなわち距離Aが小さい)程、静電容量は小さくなる。また距離Aを0にした時には、静電容量は最小値となるが、バリスタ電圧がやや上昇して制限電圧比は悪化するものである。これは低誘電率材料に含まれるバリスタ特性を悪化させる成分がバリスタ材料からなる高誘電率材料に拡散するためと考えられる。したがって、低誘電率材料はバリスタ特性を悪化させる元素を含まない方が望ましい。また、バリスタ特性の悪化(悪化元素の拡散)を防ぐためにも距離Aは設けた方がよく、この場合、距離Aは25μm程度以上確保するのが望ましい。
(表2)は低誘電率材料により構成された第2の層4を構成する第7のセラミックシート4aと第8のセラミックシート4bおよび第3の層5を構成する第9のセラミックシート5aと第10のセラミックシート5bの誘電率を変えて試作した特性結果を示す。なお、図1に示す距離Aは50μmに固定し、かつバリスタ材料からなる高誘電率材料の誘電率は400にして試作した。
(表2)から明らかなように、低誘電率材料により構成された第2の層4を構成する第7のセラミックシート4aと第8のセラミックシート4bおよび第3の層5を構成する第9のセラミックシート5aと第10のセラミックシート5bの誘電率を変えた場合、誘電率が小さくなるにつれて、静電容量は小さくなっていることがわかる。これも上記したように低誘電率材料を高誘電率材料と直列構造に配しているためで、低誘電率材料の誘電率は下がれば下がるほど静電容量は低下するものである。なお、この静電気容量が低下してもバリスタ電圧・制限電圧比はほとんど変化してないため、静電吸収効果は従来例のバリスタと変わらないことがわかる。そして、この(表2)からも明らかなように、低誘電率材料の誘電率が200程度では従来例のバリスタに比べて静電容量を低下させる効果が見られないため、低誘電率材料の誘電率は100以下であることが望ましい。また、静電気は最大値で数十アンペア程度は流れているため、単位面積当たりの電流量を小さくするためにはビアホールの穴径は大きい方が望ましい。
本発明にかかるバリスタは、第1の層を構成するバリスタ材料より低い誘電率を有する材料により構成される第2の層と第3の層に外部電極を接続しているため、第2の層に接続される外部電極と第3の層に接続される外部電極との間およびこれらの外部電極と第1の層に設けられた内部電極との間に生じる浮遊容量を低減させることができ、これにより、従来のバリスタより静電気吸収効果は維持したまま静電容量を低減させることができるという効果を有し、携帯電話やパソコン等の高速信号ラインの静電気対策に適用できるものである。
1 第1の層
1a〜1f 第1〜第6のセラミックシート
2,3 内部電極
4 第2の層
4a 第7のセラミックシート
4b 第8のセラミックシート
5 第3の層
5a 第9のセラミックシート
5b 第10のセラミックシート
6,7 外部電極
8b〜8j ビアホール
9b〜9j ビア導体
10 バリスタ本体
1a〜1f 第1〜第6のセラミックシート
2,3 内部電極
4 第2の層
4a 第7のセラミックシート
4b 第8のセラミックシート
5 第3の層
5a 第9のセラミックシート
5b 第10のセラミックシート
6,7 外部電極
8b〜8j ビアホール
9b〜9j ビア導体
10 バリスタ本体
Claims (3)
- 内部電極を有するとともにバリスタ材料により構成される第1の層と、この第1の層の両側に配設されるとともに前記内部電極に電気的に接続され、かつ前記バリスタ材料より低い誘電率を有する材料により構成される第2の層および第3の層とを備え、前記第2の層と第3の層に外部電極を接続したバリスタ。
- 外部電極が接続される第2の層と第3の層を構成する材料の誘電率を100以下とした請求項1記載のバリスタ。
- バリスタ材料からなるセラミックシートに内部電極を設けるとともにビアホールを設け、かつこのビアホールに金属ペーストを充填して前記内部電極と電気的に接続されるビア導体を設けてなる第1の層を構成する工程と、前記バリスタ材料より低い誘電率を有する材料からなるセラミックシートにビアホールを設け、かつこのビアホールに金属ペーストを充填してビア導体を設けてなる第2の層および第3の層を構成する工程と、前記第1の層、第2の層および第3の層を少なくとも第2の層、第1の層、第3の層の順に素子の長手方向に積層して焼成することによりバリスタ本体を構成する工程と、前記バリスタ本体における両側の第2の層および第3の層に外部電極を設けてこの外部電極と前記両側の第2の層および第3の層におけるビア導体とを電気的に接続する工程とを備えたバリスタの製造方法。
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