CN112542324B - 多层陶瓷电子组件 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；以及外电极，设置在所述第三表面和所述第四表面中的一个表面上并且延伸到所述第一表面和所述第二表面上。满足关系式0.9≤A/BW<1.0，其中，“A”表示从所述陶瓷主体的设置有所述外电极的端部到所述外电极的设置在所述第一表面和所述第二表面中的一个表面上的端部的在所述第二方向上的最短距离，并且“BW”表示从所述陶瓷主体的所述端部到所述外电极的所述端部的在所述第二方向上的最长距离。

Description

多层陶瓷电子组件

本申请要求于2019年9月23日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0116581号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种多层陶瓷电子组件，更具体地，涉及一种具有优异可靠性的多层陶瓷电子组件。

背景技术

近来，随着电子产品的小型化、薄型化和多功能化，也要求电子产品的芯片组件小型化，并且电子组件的安装也变得高度集成。

多层陶瓷电容器(一种类型的电子组件)安装在诸如显示装置(例如，液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)等)、计算机、个人数字助理(PDA)、移动电话等的各种电子产品的电路板上以用于充电和放电。

这样的多层陶瓷电容器由于其诸如小尺寸、高电容和易于安装的优点而可用作各种电子装置的组件。

另外，随着近来对电子组件的工业兴趣的增加，还要求多层陶瓷电容器具有高可靠性和高强度特性，以便用于汽车或信息娱乐系统。

特别地，由于多层陶瓷电容器需要高弯曲强度特性，因此需要改进内部结构和外部结构以改善弯曲特性。

发明内容

本公开的一方面在于提供一种多层陶瓷电子组件，更具体地，提供一种具有改善的可靠性的多层陶瓷电子组件。

根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，所述陶瓷主体包括介电层和彼此相对设置的多个内电极，所述介电层介于彼此相对设置的所述多个内电极之间，并且所述陶瓷主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；以及外电极，设置在在所述第二方向上彼此相对的所述第三表面和所述第四表面中的一个表面上并且连接到所述多个内电极之中的从所述第三表面和所述第四表面中的所述一个表面暴露的内电极。所述外电极延伸到所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上。满足关系式0.9≤A/BW<1.0，其中，“A”表示从所述陶瓷主体的设置有所述外电极的端部到所述外电极的设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面中的一个表面上的端部的在所述第二方向上的最短距离，并且“BW”表示从所述陶瓷主体的设置有所述外电极的所述端部到所述外电极的设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面中的所述一个表面上的所述端部的在所述第二方向上的最长距离。

根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，所述陶瓷主体包括介电层和彼此相对设置的多个内电极，所述介电层介于彼此相对设置的所述多个内电极之间，并且所述陶瓷主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；以及外电极，设置在所述第三表面和所述第四表面中的一个表面上并且连接到所述多个内电极之中的从所述第三表面和所述第四表面中的所述一个表面暴露的内电极。所述外电极延伸到所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上。比BW/L满足0.2≤BW/L≤0.3，其中，“BW”表示从所述陶瓷主体的设置有所述外电极的端部到所述外电极的设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面中的一个表面上的端部的在所述第二方向上的最长距离，并且“L”表示所述陶瓷主体的长度。所述外电极的在所述第一表面和所述第二表面中的所述一个表面上的延伸部的在所述第三方向上的中央部分在所述第二方向上的长度小于所述外电极的在所述第一表面和所述第二表面中的所述一个表面上的延伸部的在所述第三方向上的边缘部分在所述第二方向上的长度。

附图说明

通过下面结合附图的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1是示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图；

图2是示出根据示例性实施例的陶瓷主体的示意图；

图3是示意性示出多层陶瓷电子组件的在图1的C方向上的平面图；

图4是沿图1的线I-I'截取的截面图；以及

图5是图4的“B”区域的放大图。

具体实施方式

本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。更确切地，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。因此，在附图中，为了清楚起见，可夸大元件的形状和尺寸，并且相同的附图标记将始终用于指示相同或相似的元件。

此外，在整个说明书中，除非明确描述为相反，否则诸如“包括”或“包含”的词语将被理解为意味着包括所陈述的元件但不排除任何其他元件。

为了本发明的清楚性，将省略与描述无关的部分，并且为了清楚地表示若干层和区域，夸大了厚度，并且在整个说明书中相似的附图标记用于相似的部分。

可通过本公开中描述的方法和/或工具获得用于描述诸如元件的一维(1-D)尺寸(包括但不限于“长度”、“宽度”、“厚度”、“直径”、“距离”、“间隙”和/或“大小”)、元件的二维(2-D)尺寸(包括但不限于“面积”和/或“大小”)、元件的三维(3-D)尺寸(包括但不限于“体积”和/或“大小”)和元件的性质(包括但不限于“粗糙度”、“密度”、“重量”、“重量比”和/或“摩尔比”)的参数的值。然而，本公开不限于此。即使未在本公开中描述，也可使用本领域普通技术人员了解的其他方法和/或工具。

在下文中，将参照附图描述本公开的优选实施例。

图1是示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图。

图2是示出根据示例性实施例的陶瓷主体的示意图。

图3是示意性示出多层陶瓷电子组件的在图1的C方向上的平面图。

图4是沿图1的线I-I'截取的截面图。

基于图1至图4，根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件100包括：陶瓷主体110，包括介电层111和彼此相对设置的多个内电极121和122，并且介电层111介于彼此相对设置的多个内电极121和122之间，并且陶瓷主体110具有在第一方向上彼此相对的第一表面S1和第二表面S2、连接到第一表面S1和第二表面S2并在第二方向上彼此相对的第三表面S3和第四表面S4以及连接到第一表面至第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面S5和第六表面S6；以及第一外电极131和第二外电极132，分别设置在在第二方向上彼此相对的第三表面S3和第四表面S4上，并且电连接到内电极121和122。

在下文中，将描述根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件。特别地，多层陶瓷电子组件将被描述为多层陶瓷电容器，但不限于此。

在根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电容器中，“长度方向”是指“L”方向，“宽度方向”是指“W”方向，并且“厚度方向”是指“T”方向。这里，“厚度方向”可与堆叠介电层的方向相同。

在示例性实施例中，陶瓷主体110的形状没有特别限制，而是可以是如附图中所示的六面体。

陶瓷主体110可包括在第一方向上彼此相对的第一表面S1和第二表面S2、连接到第一表面S1和第二表面S2并在第二方向上彼此相对的第三表面S3和第四表面S4以及连接到第一表面至第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面S5和第六表面S6。

第一表面S1和第二表面S2是在第一方向(陶瓷主体110的厚度方向)上彼此相对的表面。第三表面S3和第四表面S4可被定义为在第二方向(长度方向)上彼此相对的表面，并且第五表面S5和第六表面S6可被定义为在第三方向(宽度方向)上彼此相对的表面。

形成在陶瓷主体110中的多个内电极121和122的端部可暴露于陶瓷主体的第三表面S3和第四表面S4。

内电极121和122可以是具有彼此不同极性的一对第一内电极121和第二内电极122。

第一内电极121的一端可暴露于第三表面S3，并且第二内电极122的一端可暴露于第四表面S4。

第一内电极121的另一端和第二内电极122的另一端形成为与第四表面或第三表面S3相距一定距离。下面将描述其细节。

第一外电极131和第二外电极132形成在陶瓷主体的第三表面S3和第四表面S4上以电连接到内电极。

根据示例性实施例，形成介电层111的原材料没有特别限制，只要可获得足够的电容即可；例如，可使用钛酸钡基材料、铅复合钙钛矿基材料、钛酸锶基材料等。

可根据预期用途通过将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等添加到诸如钛酸钡(BaTiO₃)粉末等的粉末中来形成介电层111。

陶瓷主体110可包括：有效部，作为对于形成电容器的电容有贡献的部分；以及上覆盖部和下覆盖部，分别作为上边缘部分和下边缘部分形成在有效部的上表面和下表面上。

有效部可通过重复地堆叠介电层111介于其间的多个第一内电极121和第二内电极122而形成。

除了内电极不包括在其中之外，上覆盖部和下覆盖部可具有与介电层111的材料和构造相同的材料和构造。

也就是说，上覆盖部和下覆盖部可包含陶瓷材料，例如钛酸钡(BaTiO₃)基陶瓷材料。

上覆盖部和下覆盖部可通过分别在有效部的上表面和下表面上在竖直方向上堆叠单个介电层或两个或更多个介电层来形成。上覆盖部和下覆盖部基本上可用于防止因物理或化学应力引起的内电极的损坏。

用于形成第一内电极121和第二内电极122的材料没有特别限制，但可以是例如包含银(Ag)、铅(Pd)、铂(Pt)、镍(Ni)和铜(Cu)中的至少一种的导电膏。

根据示例性实施例的多层陶瓷电容器可包括电连接到第一内电极121的第一外电极131和电连接到第二内电极122的第二外电极132。

第一外电极131和第二外电极132可分别电连接到第一内电极121和第二内电极122以产生电容，并且第二外电极132可连接到与第一外电极131的电位不同的电位。

第一外电极131和第二外电极132可分别设置在陶瓷主体110的在第二方向(长度方向)上的第三表面S3和第四表面S4上，并且可延伸到在第一方向(厚度方向)上的第一表面S1和第二表面S2。

此外，第一外电极131和第二外电极132可延伸到陶瓷主体110的在第三方向(宽度方向)上的第五表面S5和第六表面S6。

第一外电极131和第二外电极132可利用与内电极的导电材料相同的导电材料形成，但不限于此，并且可利用例如Cu、Ag、Ni等形成。

第一外电极131和第二外电极132可通过涂覆导电膏并烧制该导电膏来形成，该导电膏是通过将玻璃料添加到金属粉末中而制备的。

基于图3，当从陶瓷主体110的在第二方向上的两端到外电极131和132的设置在陶瓷主体的第一表面S1和第二表面S2上的端部的最短距离由“A”表示并且最长距离由“BW”表示时，根据示例性实施例的多层陶瓷电容器满足0.9≤A/BW<1.0。

当从陶瓷主体110的在第二方向上的两端到外电极131和132的设置在陶瓷主体的第一表面S1和第二表面S2上的端部的最短距离由“A”表示并且最长距离由“BW”表示时，通过满足0.9≤A/BW<1.0，可改善弯曲强度，从而还改善可靠性。

尽管图3示出了外电极131和132均满足上述关系式0.9≤A/BW<1.0的情况，但实施例不限于此。在另一示例中，当外电极131和132中的仅一者满足上述关系时，也可实现改善弯曲强度和可靠性的效果。

因为用于外电极的膏在被干燥以形成外电极131和132之前沿着陶瓷主体110部分地流动，导致形成具有不均匀形状的外电极，所以可产生从陶瓷主体110的在第二方向上的两端到外电极131和132的设置在陶瓷主体的第一表面S1和第二表面S2上的端部的最短距离A和最长距离BW。

外电极可具有各种不规则(不整齐)形状。例如，如图3中所示，用于外电极的膏可在长度方向上沿着陶瓷主体110的边缘流动。例如，用于外电极的膏可沿着陶瓷主体110的边缘朝向陶瓷主体110的端部流动，从而使得陶瓷主体110的边缘上的用于外电极的膏的长度变短。

根据示例性实施例的多层陶瓷电容器是电子组件，并且为了显著改善弯曲强度，当从陶瓷主体110的在第二方向上的两端到外电极131和132的设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的端部的最短距离由“A”表示并且最长距离由“BW”表示时，可满足关系表达式0.9≤A/BW<1.0。

当从陶瓷主体110的两端到外电极131和132的端部的最短距离A与最长距离BW的比A/BW小于0.9时，弯曲应力被施加到的表面积减小，从而降低弯曲强度。

另外，当比A/BW等于1.0时，外电极可具有外电极膏未在其上流动的形状，从而使弯曲应力被施加到的表面积最大化并且理想地改善弯曲强度；然而，由于工艺特性，这可能不容易实现。

根据示例性实施例的允许外电极具有均匀形状的方法没有特别限制。例如，可使用可容易去除的有机物涂膜(organic substance coating film)，通过控制外电极显著减小不均匀区域的形成，使得外电极可具有均匀形状。

第一外电极131和第二外电极132可通过涂覆导电膏然后烧制该导电膏来形成，该导电膏是通过将玻璃料添加到金属粉末中而制备的。

上述方法允许在陶瓷主体110中形成第一外电极131和第二外电极132之前在陶瓷主体110的表面上形成容易去除的有机物涂膜。

然后去除陶瓷主体110的其中将形成第一外电极131和第二外电极132的部分上的有机物涂膜。

将用于外电极的导电膏涂覆到陶瓷主体110的表面以形成第一外电极131和第二外电极132。

最后，从其上已经形成有第一外电极131和第二外电极132的陶瓷主体110的表面上去除有机物涂膜，从而去除用于外电极的导电膏的流动并附着在有机物涂膜上的部分。

可在陶瓷主体110的在第三方向上的边缘区域处测量从陶瓷主体110的在第二方向上的两端到外电极131和132的设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的端部的最短距离A。

根据示例性实施例，由于外电极131和132的形状可具有外电极131和132在长度方向上沿着陶瓷主体110的边缘流动的形状，因此可在陶瓷主体110的在第三方向上的边缘区域处测量从陶瓷主体110的在第二方向上的两端到外电极131和132的设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的端部的最短距离A。

另外，可在陶瓷主体110在第三方向上的中央区域中测量从陶瓷主体110的在第二方向上的两端到外电极131和132的设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的端部的最长距离BW。

如上所述，由于外电极131和132的形状可具有外电极131和132在长度方向上沿着陶瓷主体110的边缘流动的形状，所以可在陶瓷主体110在第三方向上的中央区域中测量从陶瓷主体110的在第二方向上的两端到外电极131和132的设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的端部的最长距离BW。

根据示例性实施例，从陶瓷主体110的在第二方向上的两端到外电极131和132的设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的端部的最长距离BW与陶瓷主体110的长度L的比BW/L可满足0.2≤BW/L≤0.3。

通过将从陶瓷主体110的在第二方向上的两端到外电极131和132的设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的端部的最长距离BW与陶瓷主体110的长度L的比BW/L调节为满足0.2≤BW/L≤0.3，可在抑制电弧产生的同时改善弯曲强度。

尽管图3示出了外电极131和132均满足上述关系式0.2≤BW/L≤0.3的情况，但实施例不限于此。在另一示例中，当外电极131和132中的仅一者满足上述关系时，也可实现改善弯曲强度和可靠性的效果。

电弧产生是指当外电极彼此紧密设置时在1KV至5KV范围内的高电压下由于电场集中而产生电弧，这使多层陶瓷电子组件的可靠性降低。

根据示例性实施例，可通过调节从陶瓷主体110的在第二方向上的两端到外电极131和132的设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的端部的最长距离BW与陶瓷主体110的长度L的比BW/L来改善弯曲强度和可靠性。

当从陶瓷主体110的在第二方向上的两端到外电极131和132的设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的端部的最长距离BW与陶瓷主体110的长度L的比BW/L大于0.3时，可能由于电场集中而产生电弧。当该比小于0.2时，电镀溶液可能渗透到陶瓷体中，或者外电极的粘合强度可能降低，从而导致弯曲强度降低。另外，陶瓷主体110的宽度为W。

可在外电极131和132的上部设置另外的镀层，并且该镀层可以是镍(Ni)镀层和锡(Sn)镀层按顺序布置的形式。

图5是图4的“B”区域的放大图。

基于图5，关于根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件，介电层111的厚度td与内电极121和122的厚度te可满足td>2×te。

也就是，根据示例性实施例，介电层111的厚度td比内电极121和122的厚度te的两倍大。

通常，高电压电子组件在高电压环境中根据介电击穿电压的降低而涉及临界可靠性问题。

根据示例性实施例的多层陶瓷电容器的介电层111的厚度td比内电极121和122的厚度te的两倍大，以防止在高电压环境中介电击穿电压降低。这将通过增大介电层的厚度(其为内电极之间的距离)而获得改善的击穿电压特性。

当介电层111的厚度td小于或等于内电极121和122的厚度te的两倍时，作为内电极121和122之间的距离的介电层111的厚度薄，并且介电击穿电压可能降低。

内电极121和122的厚度te小于1μm，并且介电层111的厚度td小于2.8μm，但不限于此。介电层111的厚度td可指设置在第一内电极121和第二内电极122之间的介电层111的平均厚度。内电极121和122中的每个的厚度te可指内电极121和122的平均厚度。

在下文中，将描述用于制造根据示例性实施例的多层陶瓷电容器的方法，但不限于此。

用于制造根据示例性实施例的多层陶瓷电容器的方法包括：将形成为包含粉末(诸如，BaTiO₃粉末等)的浆料涂覆到载体膜上并干燥该浆料以制备多个陶瓷生片，从而形成介电层。

通过以下步骤制造陶瓷生片：通过混合陶瓷粉末、粘合剂和溶剂来制备浆料，并使用刮刀法将浆料制备为具有几微米(μm)厚度的片状。

用于内电极的导电膏制备成包含40重量份至50重量份的平均粒径为0.1μm至0.2μm的镍颗粒。

使用丝网印刷法将用于内电极的导电膏涂覆到陶瓷生片上以形成内电极，并且堆叠其上设置有内电极图案的陶瓷生片以形成陶瓷主体110。

随后，可在陶瓷主体的外侧上形成包含玻璃以及从由铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)及它们的合金组成的组中选择的至少一种导电金属的外电极。

尽管玻璃没有特别限制，但可使用具有与用于制造一般多层陶瓷电容器的外电极的玻璃的组分相同的组分的材料。

形成在陶瓷主体的上表面和下表面上以及端部处的外电极可电连接到第一内电极和第二内电极。

电极层可包含基于导电金属的至少5vol％的玻璃。

为了测量弯曲裂纹发生的频率，将多层陶瓷电容器的样品安装在基板上，并且将在中央部分弯曲受压的距离设定为6mm，并且分别测量20个样本并观察弯曲强度是否得到保证。

多层陶瓷电容器被制造成具有3225尺寸(长×宽，3.2mm×2.5mm)。

[表1]

样品	BW(mm)	A(mm)	A/BW	6mm弯曲强度缺陷计数
					1	0.75	0.72	0.96	0/20
2	0.75	0.71	0.95	0/20
					3	0.75	0.70	0.93	0/20
4	0.75	0.69	0.92	0/20
					5	0.75	0.68	0.91	0/20
*6	0.75	0.67	0.89	1/20
					*7	0.75	0.66	0.88	1/20
*8	0.75	0.65	0.87	2/20
					*9	0.75	0.63	0.84	4/20
*10	0.75	0.60	0.80	3/20
					*11	0.75	0.57	0.76	5/20
*12	0.75	0.55	0.73	7/20
					*13	0.75	0.50	0.67	7/20

*比较例

参照上表1，可理解的是，样品1至样品5(从陶瓷主体110的两端到外电极131和132的端部的最短距离A与最长距离BW的比A/BW满足0.9≤A/BW<1.0的范围)在6mm距离处满足弯曲强度特性。

相比之下，样品6至13(比较例，超出本公开的所述范围)在6mm距离处不满足弯曲强度特性。

如上所述，根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件可通过调节从陶瓷主体的两端到外电极的端部的最长距离与最短距离的比而具有改善的弯曲强度并因此具有改善的可靠性。

虽然上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可进行修改和变化。

Claims (19)

1.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，所述陶瓷主体包括介电层和彼此相对设置的多个内电极，所述介电层介于彼此相对设置的所述多个内电极之间，并且所述陶瓷主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；以及

外电极，设置在所述第三表面和所述第四表面中的一个表面上并且连接到所述多个内电极之中的暴露于所述第三表面和所述第四表面中的所述一个表面的内电极，

其中，所述外电极延伸到所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上以具有设置在所述第一表面和所述第二表面上的延伸部，

其中，设置在所述第一表面或所述第二表面上的所述延伸部满足关系式0.9≤A/BW<1.0和0.68mm≤A≤0.72mm，其中，A表示在所述第二方向上从所述陶瓷主体的所述一个表面到所述延伸部的端部的最短距离，并且BW表示在所述第二方向上从所述陶瓷主体的所述一个表面到所述延伸部的所述端部的最长距离，并且

其中，所述内电极包含银、铅、铂、镍和铜中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述最短距离A是在所述陶瓷主体的在所述第三方向上的边缘区域处测量的。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述最长距离BW是在所述陶瓷主体的在所述第三方向上的中央区域处测量的。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的多层陶瓷电子组件，其中，比BW/L满足0.2≤BW/L≤0.3，其中，L是所述陶瓷主体的长度。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述多个内电极中的每个的厚度te小于1μm。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的厚度td小于2.8μm。

7.根据权利要求1-3、5和6中任一项所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的厚度td和所述多个内电极中的每个的厚度te满足td＞2×te。

8.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，所述陶瓷主体包括介电层和彼此相对设置的多个内电极，所述介电层介于彼此相对设置的所述多个内电极之间，所述陶瓷主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，并且所述陶瓷主体在所述第二方向上的长度大于所述陶瓷主体在所述第三方向上的长度；以及

外电极，设置在所述第三表面和所述第四表面中的一个表面上并且连接到所述多个内电极之中的暴露于所述第三表面和所述第四表面中的所述一个表面的内电极，

其中，所述外电极延伸到所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上以具有设置在所述第一表面和所述第二表面上的延伸部，

其中，设置在所述第一表面或所述第二表面上的所述延伸部满足0.2≤BW/L≤0.3，其中，BW表示在所述第二方向上从所述陶瓷主体的所述一个表面到所述延伸部的端部的最长距离，并且L表示所述陶瓷主体在所述第二方向上的长度，

其中，设置在所述第一表面或所述第二表面上的所述延伸部在所述第三方向上的中央部分在所述第二方向上的长度小于在所述第三方向上的边缘部分在所述第二方向上的长度，

其中，所述内电极包含银、铅、铂、镍和铜中的至少一种，并且

其中，所述介电层的厚度td小于2.8μm。

9.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述最长距离BW是所述延伸部在所述第三方向上的所述中央部分在所述第二方向上的长度。

10.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述多个内电极中的每个的厚度te小于1μm。

11.根据权利要求8-10中任一项所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的厚度td和所述多个内电极中的每个的厚度te满足td＞2×te。

12.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，所述陶瓷主体包括介电层和彼此相对设置的多个内电极，所述介电层介于彼此相对设置的所述多个内电极之间，所述陶瓷主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，并且所述陶瓷主体在所述第二方向上的长度大于所述陶瓷主体在所述第三方向上的长度；以及

外电极，设置在所述第三表面和所述第四表面中的一个表面上并且连接到所述多个内电极之中的暴露于所述第三表面和所述第四表面中的所述一个表面的内电极，

其中，所述外电极延伸到所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上以具有设置在所述第一表面和所述第二表面上的延伸部，

其中，设置在所述第一表面或所述第二表面上的所述延伸部满足0.2≤BW/L≤0.3，其中，BW表示在所述第二方向上从所述陶瓷主体的所述一个表面到所述延伸部的端部的最长距离，并且L表示所述陶瓷主体在所述第二方向上的长度，

其中，设置在所述第一表面或所述第二表面上的所述延伸部在所述第三方向上的中央部分在所述第二方向上的长度小于在所述第三方向上的边缘部分在所述第二方向上的长度，

其中，所述内电极包含银、铅、铂、镍和铜中的至少一种，并且

其中，所述介电层的厚度td和所述多个内电极中的每个的厚度te满足td＞2×te。

13.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，所述陶瓷主体包括介电层和彼此相对设置的多个内电极，所述介电层介于彼此相对设置的所述多个内电极之间，并且所述陶瓷主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；以及

外电极，设置在所述第三表面和所述第四表面中的一个表面上并且连接到所述多个内电极之中的暴露于所述第三表面和所述第四表面中的所述一个表面的内电极，

其中，所述外电极延伸到所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上，以具有设置在所述第一表面和所述第二表面上的延伸部，

其中，设置在所述第一表面或所述第二表面上的所述延伸部满足关系式0.9≤A/BW<1.0和0.68mm≤A≤0.72mm，其中，A表示在所述第二方向上从所述陶瓷主体的所述一个表面到所述延伸部的端部的最短距离，并且BW表示在所述第二方向上从所述陶瓷主体的所述一个表面到所述延伸部的所述端部的最长距离，并且

其中，所述最短距离A是在所述陶瓷主体的在所述第三方向上的边缘区域处测量的，所述最长距离BW是在所述陶瓷主体的在所述第三方向上的中央区域处测量的。

14.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的厚度td和所述多个内电极中的每个的厚度te满足td＞2×te。

15.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，其中，比BW/L满足0.2≤BW/L≤0.3，其中，L是所述陶瓷主体的长度。

16.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述多个内电极中的每个的厚度te小于1μm。

17.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的厚度td小于2.8μm。

18.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述多个内电极中的每个的厚度te小于1μm，所述介电层的厚度td小于2.8μm。

19.根据权利要求18所述的多层陶瓷电子组件，其中，比BW/L满足0.2≤BW/L≤0.3，其中，L是所述陶瓷主体的长度。

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