JP2014220324A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014220324A JP2014220324A JP2013097545A JP2013097545A JP2014220324A JP 2014220324 A JP2014220324 A JP 2014220324A JP 2013097545 A JP2013097545 A JP 2013097545A JP 2013097545 A JP2013097545 A JP 2013097545A JP 2014220324 A JP2014220324 A JP 2014220324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- layer
- thickness
- inner layer
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Abstract
【課題】構造欠陥が抑制でき、かつ、撓み強度が高い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】セラミック本体10は、複数の内層用セラミック層11と、複数の内層用セラミック層11同士の界面に配設された複数の内部電極12,13と、複数の内層用セラミック層11を挟むように上下に配設された外層用セラミック層15a,15bとで構成された積層体である。内層用セラミック層11の熱膨張係数は11.0〜13.0?10-6/℃である。内部電極12,13の熱膨張係数は11.0〜13.0?10-6/℃である。内層用セラミック層11の厚さAと内部電極12,13の厚さBの比は0.5≦(A/B)≦3.0である。内層用セラミック層11の厚さAはA≦3.0μmである。内層用セラミック層11はチタン酸バリウム系誘電体材料もしくはアルカリニオブ系誘電体材料からなり、内部電極12,13はFeを主成分とする導電体材料からなる。【選択図】図1
Description
本発明は、誘電体セラミックを用いた積層セラミックコンデンサに関する。
特許文献1に記載されているように、一般に、積層セラミックコンデンサは、セラミック本体と外部電極とを備えている。外部電極は、セラミック本体の2つの端面にそれぞれ形成されている。
セラミック本体は、複数の内層用セラミック層と、複数の内層用セラミック層同士の界面に配設された複数の内部電極と、複数の内層用セラミック層を挟むように上下に配設された外層用セラミック層とで構成された積層体である。内部電極は、外部電極に電気的に接続されている。
そして、積層セラミックコンデンサにおいては、価格を下げるために、内部電極の卑金属化が進んでいる。卑金属としては、主にNiやCuが使用されている。特に、内部電極の積層数が多い高容量積層セラミックコンデンサの場合は、内部電極の材料としてNiが使用されている。
一方、内層用セラミック層に用いられる誘電体材料は、一般的に複酸化物で、その多くはチタン酸バリウム(BaTiO3)系の誘電体材料である。チタン酸バリウム系の誘電体材料は、熱膨張係数が11.0〜13.0×10-6/℃(300℃において)である。外層用セラミック層も、通常、内層用セラミック層と同じ誘電体材料が用いられている。
内部電極(例えばNiの内部電極)の熱膨張係数は、内層用セラミック層(例えばチタン酸バリウム系の内層用セラミック層)の熱膨張係数と大きく異なっている。
ここで、セラミック本体の焼成工程で発生する、セラミック本体の内部応力は、セラミック本体の構造欠陥を発生させることが多い。
この内部応力の発生は、以下の2つの場合が組み合わさるときに顕著になる。
(1)内層用セラミック層の熱膨張係数と内部電極の熱膨張係数とが、大きく乖離している場合
(2)セラミック本体において、内部電極の割合が多い場合
(1)内層用セラミック層の熱膨張係数と内部電極の熱膨張係数とが、大きく乖離している場合
(2)セラミック本体において、内部電極の割合が多い場合
前述したように、従来の積層セラミックコンデンサは、内部電極の熱膨張係数と内層用セラミック層の熱膨張係数とが大きく異なっている。そのため、内層用セラミック層の厚さを3μm以下にして、内部電極の積層数が多い高容量積層セラミックコンデンサを製作する場合、「内層用セラミック層と内部電極との熱膨張係数の差」に起因した構造欠陥がセラミック本体に発生し易くなるという不具合があった。
また、内部電極の積層数が多い高容量積層セラミックコンデンサを製作する場合、従来の積層セラミックコンデンサは、内層用セラミック層の厚さAと内部電極の厚さBの比(A/B)が大きく、セラミック本体における内部電極の割合(単位体積当たりの密度)が少ないため、撓み強度が低くなるという不具合もあった。内層用セラミック層のセラミックスは硬くて機械的変形に弱いのに対し、内部電極の金属はセラミックスと比較して機械的変形に強いためである。また、セラミック本体に発生する構造欠陥と同様に、内部応力が大きいと、撓み強度が低くなる傾向もある。
それゆえに、本発明の目的は、構造欠陥が抑制でき、かつ、撓み強度が高い積層セラミックコンデンサを提供することである。
本発明は、セラミック本体と、セラミック本体の両端部にそれぞれ形成された外部電極と、を備え、セラミック本体は、複数の内層用セラミック層と、複数の内層用セラミック層同士の界面に配設された複数の内部電極と、複数の内層用セラミック層を挟むように上下にそれぞれ配設された外層用セラミック層とで構成された積層体であり、内層用セラミック層の熱膨張係数は11.0〜13.0×10-6/℃(300℃において)であり、内部電極の熱膨張係数は11.0〜13.0×10-6/℃(300℃において)であり、内層用セラミック層の厚さAと内部電極の厚さBの比は0.5≦(A/B)≦3.0であり、内層用セラミック層の厚さAはA≦3.0μmであること、を特徴とする、積層セラミックコンデンサである。
本発明では、内層用セラミック層の熱膨張係数と内部電極の熱膨張係数とが略等しいため、セラミック本体の内部応力が低減される。従って、内層用セラミック層の厚さを3μm以下にして、内部電極の積層数が多い高容量積層セラミックコンデンサを製作しても、「内層用セラミック層と内部電極との熱膨張係数の差」に起因した構造欠陥が発生し難くなる。
さらに、内層用セラミック層の厚さAと内部電極の厚さBの比が、0.5≦(A/B)≦3.0と小さいため、セラミック本体における内部電極の割合が多く(つまり、セラミック本体の単位体積当たりの内部電極の密度が高く)なり、セラミック本体の撓み強度が高くなる。
また、本発明は、内層用セラミック層がチタン酸バリウム系誘電体材料もしくはアルカリニオブ系誘電体材料からなり、内部電極がFeを主成分とする導電体材料からなるのが好ましい。
本発明では、内部電極の材料として、安価なFeを用いているため、製造コストが抑えられる。
本発明によれば、内層用セラミック層の熱膨張係数と内部電極の熱膨張係数とが略等しいため、セラミック本体の内部応力を低減できる。さらに、内層用セラミック層の厚さAと内部電極の厚さBの比が、0.5≦(A/B)≦3.0と小さいため、内部電極の割合が多くなり、セラミック本体の撓み強度が高くなる。この結果、構造欠陥が抑制でき、かつ、撓み強度が高い積層セラミックコンデンサが得られる。
この発明の上述の目的,その他の目的,特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
本発明に係る積層セラミックコンデンサの一実施の形態を、その製造方法と共に説明する。
1.積層セラミックコンデンサ
図1は積層セラミックコンデンサ1を示す長さ方向の垂直断面図である。積層セラミックコンデンサ1は、セラミック本体10と、セラミック本体10の左右の端部に形成された外部電極20,22とを備えている。
図1は積層セラミックコンデンサ1を示す長さ方向の垂直断面図である。積層セラミックコンデンサ1は、セラミック本体10と、セラミック本体10の左右の端部に形成された外部電極20,22とを備えている。
セラミック本体10は、複数の内層用セラミック層11と、複数の内層用セラミック層11同士の界面に配設された複数の内部電極12,13と、複数の内層用セラミック層11を挟むように上下に配設された外層用セラミック層15a,15bとで構成された直方体形状の積層体構造を有している。
内部電極12と内部電極13とは、厚み方向において、誘電体材料からなる内層用セラミック層11を介して対向している。この内部電極12と内部電極13とが、内層用セラミック層11を介して対向している部分に静電容量が形成されている。内部電極12,13は、FeまたはFe合金などからなる。特に、内部電極12,13が、Feを主成分とする導電性材料からなる場合は、Feが安価であるため、製造コストを抑えることができる。
内部電極12の左側端部は、セラミック本体10の左側の端面に引き出されて外部電極20に電気的に接続されている。内部電極13の右側端部は、セラミック本体10の右側の端面に引き出されて外部電極22に電気的に接続されている。
内層用セラミック層11は、チタン酸バリウム系誘電体材料またはアルカリニオブ系誘電体材料からなる。上下に配設された外層用セラミック層15a,15bも、それぞれ、内層用セラミック層11と同じ誘電体材料が用いられている。
内層用セラミック層11と外層用セラミック層15a,15bの熱膨張係数は、11.0〜13.0×10-6/℃(300℃において)となるように設定されている。一方、内部電極12の熱膨張係数も、11.0〜13.0×10-6/℃(300℃において)となるように設定されている。
内層用セラミック層11の厚さAと内部電極12の厚さBの比は、0.5≦(A/B)≦3.0となるように設定されている。内層用セラミック層11の厚さAは、A≦3.0μmである。
以上の構成からなる積層セラミックコンデンサ1は、内層用セラミック層11の熱膨張係数と内部電極12,13の熱膨張係数とが略等しいため、セラミック本体10の内部応力を低減することができる。従って、内層用セラミック層11の厚さを3μm以下にして、内部電極12,13の積層数が多い高容量積層セラミックコンデンサ1を製作しても、「内層用セラミック層と内部電極との熱膨張係数の差」に起因した構造欠陥を抑制することができる。
さらに、内層用セラミック層11の厚さAと内部電極12,13の厚さBの比が、0.5≦(A/B)≦3.0と小さいため、セラミック本体10における内部電極12,13の割合が多く(つまり、セラミック本体10の単位体積当たりの内部電極12,13の密度が高く)なり、セラミック本体10の撓み強度を高くすることができる。
この結果、構造欠陥が抑制でき、かつ、撓み強度が高い積層セラミックコンデンサ1が得られる。
2.積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、前述の積層セラミックコンデンサ1の製造方法を説明する。
次に、前述の積層セラミックコンデンサ1の製造方法を説明する。
(誘電体粉末の作製)
チタン酸バリウム系粉末として、BaTiO3粉末(以下、BT粉末と称する)が、BaCO3およびTiO2をBa:Ti=1.01:1となるように一定量秤量した後、ボールミルにより24時間混合し、1000℃で熱処理を行って固相反応させることにより得られる。BT粉末の平均粒径は、例えば100nmである。
チタン酸バリウム系粉末として、BaTiO3粉末(以下、BT粉末と称する)が、BaCO3およびTiO2をBa:Ti=1.01:1となるように一定量秤量した後、ボールミルにより24時間混合し、1000℃で熱処理を行って固相反応させることにより得られる。BT粉末の平均粒径は、例えば100nmである。
また、アルカリニオブ系粉末として、(K,Na)NbO3粉末(以下、KNN粉末と称する)が、KCO3、NaCO3およびNb2O5を(K0.5Na0.5)NbO3となるように一定量秤量した後、ボールミルにより24時間混合し、900℃で熱処理を行って固相反応させることにより得られる。KNN粉末の平均粒径は、例えば300nmである。
(内層もしくは外層用セラミックグリーンシートの作製)
誘電体粉末は、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶媒を加えられて、ボールミルにより所定の時間湿式混合され、セラミックスラリー化される。次に、このセラミックスラリーは、ダイコーターによりシート状に成形され、内層もしくは外層用セラミックグリーンシートとされる。この内層もしくは外層セラミックグリーンシートは、例えば、焼成後の厚さが0.4μm〜3.0μmの内層もしくは外層用セラミック層となる。
誘電体粉末は、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶媒を加えられて、ボールミルにより所定の時間湿式混合され、セラミックスラリー化される。次に、このセラミックスラリーは、ダイコーターによりシート状に成形され、内層もしくは外層用セラミックグリーンシートとされる。この内層もしくは外層セラミックグリーンシートは、例えば、焼成後の厚さが0.4μm〜3.0μmの内層もしくは外層用セラミック層となる。
(積層セラミックコンデンサの作製)
内層用セラミックグリーンシート上に、導電性ペースト(例えば、Feを主成分とする導電性ペースト)がスクリーン印刷され、内部電極12,13となる導電性ペースト膜(導体パターン)が形成される。導電性ペースト膜は、例えば、焼成後の厚さが0.5μm〜1.0μmである。導電性ペースト膜が形成された内層用セラミックグリーンシートは、導電性ペースト膜の端部の引き出し方向が互い違いになるように、例えば300枚積層される。
内層用セラミックグリーンシート上に、導電性ペースト(例えば、Feを主成分とする導電性ペースト)がスクリーン印刷され、内部電極12,13となる導電性ペースト膜(導体パターン)が形成される。導電性ペースト膜は、例えば、焼成後の厚さが0.5μm〜1.0μmである。導電性ペースト膜が形成された内層用セラミックグリーンシートは、導電性ペースト膜の端部の引き出し方向が互い違いになるように、例えば300枚積層される。
次に、外層用セラミックグリーンシート層が、積層された内層用セラミックグリーンシートを挟むように上下に積層される。すなわち、内層用セラミックグリーンシートと同じ材料からなり、かつ、導電性ペースト膜が形成されていない外層用セラミックグリーンシートが、所定の厚みになるように複数枚積層される。こうして、積層セラミックコンデンサ1の本体となるべき未焼成のセラミック本体10が形成される。
この未焼成のセラミック本体10は、所定の製品サイズに切り分けられる。切り分けられた未焼成のセラミック本体10は、N2雰囲気中において、300℃の温度で加熱処理されてバインダが燃焼された後、さらに、700℃の温度で再加熱処理されてバインダが燃焼される。その後、未焼成のセラミック本体10は、N2−H2−H2Oガスからなる還元性雰囲気中において、昇温速度が100℃/分に設定されて、1200℃の温度まで昇温される。未焼成のセラミック本体10は、1200℃の温度で1分間保持されて焼成され、焼結したセラミック本体10とされる。
内層用および外層用セラミックグリーンシートと導電性ペースト膜とは同時焼成され、内層用セラミックグリーンシートは内層用セラミック層11となり、外層用セラミックグリーンシートは外層用セラミック層15a,15bとなり、導電性ペースト膜は内部電極12,13となる。
次に、焼結したセラミック本体10の両端部に、それぞれ、B2O3−Li2O−SiO2−BaOガラスフリットを含有するCuペーストが塗布される。その後、焼結したセラミック本体10は、N2雰囲気中において、Cuペーストが焼き付けられ、内部電極12,13に電気的に接続された外部電極20,22が形成される。さらに、外部電極20,22の表層に、湿式めっきによってNi-Snめっきが形成される。こうして、1.6mm×0.8mm×0.8mmの1608サイズの積層セラミックコンデンサ1が得られる。
1.実施例
実施例の各積層セラミックコンデンサ1が、前記実施の形態の製造方法によって作製され、特性評価が行われた。
実施例の各積層セラミックコンデンサ1が、前記実施の形態の製造方法によって作製され、特性評価が行われた。
ここで、BT粉末を使用した内層用セラミック層11(以下、BT内層用セラミック層11と称する)は、焼成後の厚さが0.4μm、0.5μm、1.0μm、2.0μm、3.0μmになるように設定した。また、KNN粉末を使用した内層用セラミック層11(以下、KNN内層用セラミック層11と称する)は、焼成後の厚さが2.0μm、3.0μmになるように設定した。また、NiまたはFeからなる内部電極12,13(以下、Ni内部電極12,13もしくはFe内部電極12,13と称する)の厚さは、焼成後の厚さが0.5μm、1.0μmになるように設定した。さらに、焼成雰囲気は、導電性ペースト膜のNiおよびFeが酸化しない酸素分圧(Niの場合は1×10-10気圧、Feの場合は1×10-15気圧)で焼成する。
作製された積層セラミックコンデンサ1の各部分の熱膨張係数を測定した結果が、以下に記載されている。
(1)BT内層用セラミック層11の部分
11.1×10-6/℃(300℃において)
(2)KNN内層用セラミック層11の部分
12.9×10-6/℃(300℃において)
(3)Ni内部電極12,13の部分
15.0×10-6/℃(300℃において)
(4)Fe内部電極12,13
12.8×10-6/℃(300℃において)
(1)BT内層用セラミック層11の部分
11.1×10-6/℃(300℃において)
(2)KNN内層用セラミック層11の部分
12.9×10-6/℃(300℃において)
(3)Ni内部電極12,13の部分
15.0×10-6/℃(300℃において)
(4)Fe内部電極12,13
12.8×10-6/℃(300℃において)
2.実施例における特性評価
実施例の各積層セラミックコンデンサ1に対して、構造欠陥発生率および撓み不良率の特性評価が行なわれた。
実施例の各積層セラミックコンデンサ1に対して、構造欠陥発生率および撓み不良率の特性評価が行なわれた。
(構造欠陥発生率)
構造欠陥の評価は、焼成後の直方体形状のセラミック本体10の6面を、金属顕微鏡を使用して外観観察することにより行われた。各試料番号毎に、500個のセラミック本体10が観察された。構造欠陥は、「剥がれ」や「デラミネーション」の発生が認められるか否かでチェックされ、構造欠陥の発生率が算出された。
構造欠陥の評価は、焼成後の直方体形状のセラミック本体10の6面を、金属顕微鏡を使用して外観観察することにより行われた。各試料番号毎に、500個のセラミック本体10が観察された。構造欠陥は、「剥がれ」や「デラミネーション」の発生が認められるか否かでチェックされ、構造欠陥の発生率が算出された。
(撓み不良率)
撓み不良の評価は、構造欠陥が発生していない積層セラミックコンデンサ1を使用して、撓み試験機により行われた。撓み試験機はST−10(鯖江精機製)である。積層セラミックコンデンサ1がはんだ付け実装される試験用基板は、厚さが1.6mmのガラスエポキシ基板(JISランド用)である。積層セラミックコンデンサ1が試験用基板にはんだ付けされてから24時間経過した後に、試験用基板が撓み試験機により撓まされた。はんだは、共晶はんだを使用し、はんだ盛り高さは、積層セラミックコンデンサ1の厚さ以下とした。試験用基板の撓み量は、1.5+0.1mm/−0.0mmに設定し、試験用基板が撓んだ状態を5±0.1秒間保持した。この試験用基板が撓まされた状態で、積層セラミックコンデンサ1の静電容量が測定された。
撓み不良の評価は、構造欠陥が発生していない積層セラミックコンデンサ1を使用して、撓み試験機により行われた。撓み試験機はST−10(鯖江精機製)である。積層セラミックコンデンサ1がはんだ付け実装される試験用基板は、厚さが1.6mmのガラスエポキシ基板(JISランド用)である。積層セラミックコンデンサ1が試験用基板にはんだ付けされてから24時間経過した後に、試験用基板が撓み試験機により撓まされた。はんだは、共晶はんだを使用し、はんだ盛り高さは、積層セラミックコンデンサ1の厚さ以下とした。試験用基板の撓み量は、1.5+0.1mm/−0.0mmに設定し、試験用基板が撓んだ状態を5±0.1秒間保持した。この試験用基板が撓まされた状態で、積層セラミックコンデンサ1の静電容量が測定された。
次に、撓み試験後、試験用基板は、150℃で予熱され、さらに、230℃に保持されたホットプレート上に載置され、試験用基板から積層セラミックコンデンサ1が外された。次に、積層セラミックコンデンサ1は、実装面側から研磨され、実装面から外部電極20,22が除去された。この後、積層セラミックコンデンサ1の研磨面が、拡大倍率が20倍以上の顕微鏡を使用して観察され、「クラック」が認められるか否かがチェックされた。各試料番号毎に、20個の積層セラミックコンデンサ1が観察された。
撓み不良の判定は、静電容量の変化率が±10%を超えたり、クラックがあったりした場合はNGと判定し、撓み不良率が算出された。
3.実施例における特性評価結果
表1は実施例の特性評価の結果を示す。
表1は実施例の特性評価の結果を示す。
表1より、試料番号101〜109は、BT内層用セラミック層11とNi内部電極12,13とを組み合わせた積層セラミックコンデンサ1である。そして、BT内層用セラミック層11の厚さAとNi内部電極12,13の厚さBとが変更されている。
試料番号101〜109は、Ni内部電極12,13の熱膨張係数とBT内層用セラミック層11の熱膨張係数とが大きく異なっているため、「内層用セラミック層と内部電極との熱膨張係数の差」に起因した構造欠陥不良や撓み不良が発生し易い。BT内層用セラミック層11の厚さAとNi内部電極12,13の厚さBの比(A/B)が高くなって、Ni内部電極12,13の割合が少なくなると、撓み不良率が顕著に高くなる傾向があった。また、比(A/B)が低くなって、Ni内部電極12,13の割合が高くなると、「剥がれ」の構造欠陥発生率が顕著に高くなる傾向があった。
一方、試料番号201〜209は、BT内層用セラミック層11とFe内部電極12,13とを組み合わせた積層セラミックコンデンサ1である。そして、BT内層用セラミック層11の厚さAとFe内部電極12,13の厚さBとが変更されている。
試料番号203,204のように、BT内層用セラミック層11の厚さAとFe内部電極12,13の厚さBの比(A/B)が4.0、6.0と高くなって、Fe内部電極12,13の割合が少なくなると、撓み不良が発生した。また、試料番号205のように、比(A/B)が0.4と低くなって、Fe内部電極12,13の割合が高くなると、構造欠陥が僅かに発生した。これは、Fe内部電極12,13の段差の影響だと推量される。これに対して、試料番号201,202,206〜209のように、比(A/B)が0.5〜3.0の範囲内であると、構造欠陥発生率や撓み不良率が低減できることが認められた。
また、試料番号301〜304および試料番号401〜404は、BT内層用セラミック層11の代わりに、KNN内層用セラミック層11とNiもしくはFe内部電極12,13とを組み合わせた積層セラミックコンデンサ1である。これらの積層セラミックコンデンサ1は、BT内層用セラミック層11を使用した積層セラミックコンデンサ1と同様な結果が得られることが認められた。
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。また、積層セラミックコンデンサのセラミック層の層数、対向電極面積および外形寸法は、これに限定されるものではない。
1 積層セラミックコンデンサ
10 セラミック本体
11 内層用セラミック層
12,13 内部電極
15a,15b 外層用セラミック層
20,22 外部電極
A 内層用セラミック層の厚さ
B 内部電極の厚さ
10 セラミック本体
11 内層用セラミック層
12,13 内部電極
15a,15b 外層用セラミック層
20,22 外部電極
A 内層用セラミック層の厚さ
B 内部電極の厚さ
Claims (2)
- セラミック本体と、前記セラミック本体の両端部にそれぞれ形成された外部電極と、を備え、
前記セラミック本体は、複数の内層用セラミック層と、前記複数の内層用セラミック層同士の界面に配設された複数の内部電極と、前記複数の内層用セラミック層を挟むように上下にそれぞれ配設された外層用セラミック層とで構成された積層体であり、
前記内層用セラミック層の熱膨張係数は11.0〜13.0×10-6/℃(300℃において)であり、
前記内部電極の熱膨張係数は11.0〜13.0×10-6/℃(300℃において)であり、
前記内層用セラミック層の厚さAと前記内部電極の厚さBの比は0.5≦(A/B)≦3.0であり、
前記内層用セラミック層の厚さAはA≦3.0μmであること、
を特徴とする、積層セラミックコンデンサ。 - 前記内層用セラミック層がチタン酸バリウム系誘電体材料もしくはアルカリニオブ系誘電体材料からなり、前記内部電極がFeを主成分とする導電体材料からなること、を特徴とする、請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013097545A JP2014220324A (ja) | 2013-05-07 | 2013-05-07 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013097545A JP2014220324A (ja) | 2013-05-07 | 2013-05-07 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014220324A true JP2014220324A (ja) | 2014-11-20 |
Family
ID=51938532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013097545A Pending JP2014220324A (ja) | 2013-05-07 | 2013-05-07 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014220324A (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017204562A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
CN108364790A (zh) * | 2017-01-27 | 2018-08-03 | 太阳诱电株式会社 | 层叠陶瓷电子部件 |
US10354802B1 (en) | 2018-09-18 | 2019-07-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
US10755860B2 (en) | 2018-11-09 | 2020-08-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US10777358B2 (en) | 2018-11-23 | 2020-09-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component |
US10796851B2 (en) | 2018-11-29 | 2020-10-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component |
US10832869B2 (en) | 2018-08-30 | 2020-11-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
US10892096B2 (en) | 2018-10-10 | 2021-01-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US10930434B2 (en) | 2018-12-12 | 2021-02-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multi-layered ceramic electronic component |
US11017944B2 (en) | 2018-10-02 | 2021-05-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US11062849B2 (en) | 2018-10-05 | 2021-07-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing multilayer ceramic electronic component and multilayer ceramic electronic component |
US11081281B2 (en) | 2018-10-02 | 2021-08-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US11101074B2 (en) | 2018-09-21 | 2021-08-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
US11107633B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-08-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ceramic electronic component having external electrode including electrode layer and conductive resin layer |
US11164702B2 (en) | 2018-10-10 | 2021-11-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multi-layered ceramic electronic component having step absorption layer |
US11222748B2 (en) | 2018-10-05 | 2022-01-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multi-layered ceramic electronic component |
US20220020534A1 (en) * | 2020-07-16 | 2022-01-20 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic component and method of manufacturing the same |
US11335506B2 (en) | 2018-10-05 | 2022-05-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
US11527363B2 (en) | 2019-09-23 | 2022-12-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
-
2013
- 2013-05-07 JP JP2013097545A patent/JP2014220324A/ja active Pending
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017204562A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
CN108364790A (zh) * | 2017-01-27 | 2018-08-03 | 太阳诱电株式会社 | 层叠陶瓷电子部件 |
CN108364790B (zh) * | 2017-01-27 | 2022-08-05 | 太阳诱电株式会社 | 层叠陶瓷电子部件 |
US10879006B2 (en) | 2018-08-30 | 2020-12-29 | Samung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US10832869B2 (en) | 2018-08-30 | 2020-11-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
US10354802B1 (en) | 2018-09-18 | 2019-07-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
US11784002B2 (en) | 2018-09-21 | 2023-10-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
US11101074B2 (en) | 2018-09-21 | 2021-08-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
US11017944B2 (en) | 2018-10-02 | 2021-05-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US11081281B2 (en) | 2018-10-02 | 2021-08-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US11062849B2 (en) | 2018-10-05 | 2021-07-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing multilayer ceramic electronic component and multilayer ceramic electronic component |
US11335506B2 (en) | 2018-10-05 | 2022-05-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
US11222748B2 (en) | 2018-10-05 | 2022-01-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multi-layered ceramic electronic component |
US11837412B2 (en) | 2018-10-05 | 2023-12-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
US11784001B2 (en) | 2018-10-10 | 2023-10-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US10892096B2 (en) | 2018-10-10 | 2021-01-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US11164702B2 (en) | 2018-10-10 | 2021-11-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multi-layered ceramic electronic component having step absorption layer |
US11107633B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-08-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ceramic electronic component having external electrode including electrode layer and conductive resin layer |
US11017953B2 (en) | 2018-11-09 | 2021-05-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US10755860B2 (en) | 2018-11-09 | 2020-08-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US11145465B2 (en) | 2018-11-23 | 2021-10-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component |
US10777358B2 (en) | 2018-11-23 | 2020-09-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component |
US11469044B2 (en) | 2018-11-29 | 2022-10-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component |
US10796851B2 (en) | 2018-11-29 | 2020-10-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component |
US10930434B2 (en) | 2018-12-12 | 2021-02-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multi-layered ceramic electronic component |
US11817264B2 (en) | 2018-12-12 | 2023-11-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multi-layered ceramic electronic component |
US11527363B2 (en) | 2019-09-23 | 2022-12-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US11804333B2 (en) | 2019-09-23 | 2023-10-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US20220020534A1 (en) * | 2020-07-16 | 2022-01-20 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic component and method of manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014220324A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP3743406B2 (ja) | 導電性ペースト、積層セラミック電子部品の製造方法および積層セラミック電子部品 | |
KR101577395B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 | |
KR101141372B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품, 및 적층 세라믹 전자부품의 제조방법 | |
JP2018107413A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP2001294481A (ja) | 誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
JP5527404B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP5641139B2 (ja) | 積層セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP5527405B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP2014232850A (ja) | 積層型電子部品 | |
JP5527401B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP5527403B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP5527400B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP6317119B2 (ja) | 積層型電子部品 | |
JP6117557B2 (ja) | 積層型電子部品 | |
JP5924543B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP5429393B2 (ja) | 積層セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP5527402B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP2014183187A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP2002158136A (ja) | セラミックグリーンシートおよびその設計方法、ならびに積層セラミック電子部品 |