CN110993333B - 多层陶瓷电子组件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层和多个内电极，所述多个内电极设置为彼此面对并且所述介电层介于所述内电极之间；以及外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上并且电连接到所述内电极。所述外电极包括电连接到所述内电极的电极层和设置在所述电极层上的导电树脂层，并且所述外电极设置为延伸到所述陶瓷主体的第一表面和第二表面。当从设置在第一表面或第二表面上的外电极的外边缘到其内边缘的距离被定义为BW并且所述陶瓷主体的表面粗糙度被定义为Ra时，表面粗糙度Ra的100倍与距离BW的比(Ra×100/BW)满足(Ra×100/BW)≤1.0。

Description

多层陶瓷电子组件
本申请要求于2018年10月2日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0117400号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层陶瓷电子组件，并且更具体地，涉及一种具有优异可靠性的多层陶瓷电子组件。
背景技术
随着近来电子产品的小型化、薄型化和多功能化的趋势，也已经要求多层陶瓷电容器小型化，并且多层陶瓷电容器的安装也已经高度集成。
多层陶瓷电容器(一种电子组件)安装在包括诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)等的显示装置、计算机、个人数字助理(PDA)、移动电话等的各种类型的电子产品的印刷电路板上，以用于充电或放电。
由于其诸如紧凑性、高电容和易于安装的优点，这种多层陶瓷电容器可用作各种类型的电子装置的组件。
近来，随着对电子组件的工业兴趣的增加，已经要求多层陶瓷电容器具有高可靠性和高强度特性以用于汽车或信息娱乐系统。
详细地，要求多层陶瓷电容器具有高弯曲强度特性。因此，需要改进用于改善弯曲特性的内部和外部结构。
发明内容
本公开的一方面可提供一种具有优异可靠性的多层陶瓷电子组件。
根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层和多个内电极，所述多个内电极设置为彼此面对并且所述介电层介于所述内电极之间，所述陶瓷主体具有设置为在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且设置为彼此相对的第三表面和第四表面、以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并且设置为彼此相对的第五表面和第六表面；以及外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上并且电连接到所述内电极。所述外电极包括电连接到所述内电极的电极层和设置在所述电极层上的导电树脂层，并且所述外电极设置为延伸到所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面。当从设置在所述第一表面或所述第二表面上的所述外电极的外边缘到其内边缘的距离被定义为BW并且所述陶瓷主体的表面粗糙度被定义为Ra时，所述表面粗糙度Ra的100倍与所述距离BW的比(Ra×100/BW)满足(Ra×100/BW)≤1.0。
附图说明
通过以下结合附图的具体实施方式，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，其中：
图1是根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电容器的透视图；
图2是根据本公开的示例性实施例的陶瓷主体的示意图；
图3是沿图1中的线I-I’截取的截面图；以及
图4是图3中区域“B”的放大图。
具体实施方式
在下文中，将如下参照附图描述本公开的实施例。
图1是根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电容器的透视图。图2是根据本公开的示例性实施例的陶瓷主体的示意图。图3是沿图1中的线I-I’截取的截面图，并且图4是图3中的区域“B”的放大图。
参照图1至图4，根据示例性实施例的多层陶瓷电容器100可包括陶瓷主体110以及外电极131和132。陶瓷主体110包括介电层111以及多个内电极121和122，多个内电极121和122设置为彼此面对并且介电层介于内电极121与内电极122之间。陶瓷主体110具有设置为在第一方向上彼此相对的第一表面S1和第二表面S2、连接到第一表面S1和第二表面S2并且设置为在第二方向上彼此相对的第三表面S3和第四表面S4以及连接到第一表面S1、第二表面S2、第三表面S3和第四表面S4并且设置为在第三方向上彼此相对的第五表面S5和第六表面S6。外电极131和132设置在陶瓷主体110的外表面上并且电连接到多个内电极121和122。陶瓷主体110包括有效部A以及覆盖部C1和C2，在有效部A中通过包括设置为彼此面对的多个内电极121和122并且介电层111介于内电极121和122之间来形成电容，覆盖部C1和C2分别设置在有效部A的上方和下方。作为示例，在每对内电极121和122之间可设置有一个介电层111。
在下文中，将描述根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件，具体地，将描述一种多层陶瓷电容器。然而，多层陶瓷电子组件不限于此。
在根据示例性实施例的多层陶瓷电容器100中，“长度方向”将被定义为图1的“L”方向，“宽度方向”将被定义为图1的“W”方向，并且“厚度方向”将被定义为图1的“T”方向。“厚度方向”将与介电层层叠的方向(例如，“层叠方向”)相同。
陶瓷主体110的形状不受限制，但可以是如示出的长方体形状。
陶瓷主体110可具有设置为在第一方向上彼此相对的第一表面S1和第二表面S2、连接到第一表面S1和第二表面S2并且设置为在第二方向上彼此相对的第三表面S3和第四表面S4以及连接到第一表面S1、第二表面S2、第三表面S3和第四表面S4并且设置为在第三方向上彼此相对的第五表面S5和第六表面S6。
第一表面S1和第二表面S2可被定义为在陶瓷主体110的厚度方向(即，第一方向)上彼此相对设置的表面。第三表面S3和第四表面S4可被定义为在陶瓷主体110的长度方向(即，第二方向)上彼此相对设置的表面。第五表面S5和第六表面S6可被定义为在陶瓷主体110的宽度方向(即，第三方向)上彼此相对设置的表面。
设置在陶瓷主体110中的多个内电极121和122的一端暴露于陶瓷主体110的第三表面S3或第四表面S4。
内电极121和122可包括一对具有彼此不同的极性的第一内电极121和第二内电极122。
第一内电极121的一端可暴露于第三表面S3，并且第二内电极122的一端可暴露于第四表面S4。
第一内电极121的另一端以规则间隔与第四表面S4间隔开，第二内电极122的另一端以规则间隔与第三表面S3间隔开，这将在后面详细描述。
第一外电极131和第二外电极132可分别设置在陶瓷主体110的第三表面S3和第四表面S4上，并且可电连接到内电极。
在示例性实施例中，用于形成介电层111的原材料不受限制，只要可获得足够的电容即可。例如，用于形成介电层111的原材料可以是钛酸钡基材料、铅基复合钙钛矿材料、钛酸锶基材料等。
根据本公开的目的，用于形成介电层111的原材料可通过将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、塑化剂、粘合剂、分散剂等添加到诸如钛酸钡(BaTiO3)粉末颗粒等的粉末颗粒中来制备。
陶瓷主体110可包括：有效部A，作为电容器的对电容形成有贡献的部分；以及顶覆盖部C1和底覆盖部C2，作为边缘部分，分别设置在有效部A的上方和下方。
有效部A可通过将多个第一内电极121和第二内电极122重复地层叠并且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间来形成。
除了其中不包括内电极之外，顶覆盖部C1和底覆盖部C2可具有与介电层111相同的材料和构造。
例如，顶覆盖部C1和底覆盖部C2可包括诸如钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷材料的陶瓷材料。
顶覆盖部C1和底覆盖部C2可通过在有效部A的顶表面和底表面上竖直地层叠单个介电层或者两个或更多个介电层来形成，并且可基本上用于防止内电极121和122被物理或化学应力损坏。
用于形成第一内电极121和第二内电极122的材料不受限制，但可以是包括银(Ag)、铅(Pb)、铂(Pt)、镍(Ni)和铜(Cu)中的一种或更多种的导电膏。
根据示例性实施例的多层陶瓷电容器可包括电连接到第一内电极121的第一外电极131和电连接到第二内电极122的第二外电极132。
第一外电极131和第二外电极132可电连接到第一内电极121和第二内电极122以形成电容，并且第二外电极132可连接到与第一外电极131连接的电位不同的电位。
第一外电极131和第二外电极132可分别设置在陶瓷主体110的长度方向(即，第二方向)上的第三表面S3和第四表面S4上，并且可设置为延伸到陶瓷主体110的厚度方向(即，第一方向)上的第一表面S1和第二表面S2。
外电极131和132设置在陶瓷主体110的外表面上，并且外电极可包括电连接到内电极121和122的电极层131a和132a以及设置在电极层131a和132a上的导电树脂层131b和132b。
电极层131a和132a可包括导电金属和玻璃。
在电极层131a和132a中使用的导电金属不受限制，只要其材料可电连接到内电极以形成电容即可，但可以是例如从由铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)以及它们的合金构成的组中选择的至少一种。
电极层131a和132a可通过涂覆导电膏并烧结导电膏来形成，导电膏通过向导电金属粉末颗粒中添加玻璃料来制备。
导电树脂层131b和132b设置在电极层131a和132a上，并且可设置为完全覆盖电极层131a和132a。
包含在导电树脂层131b和132b中的基体树脂不受限制，只要其材料可与导电金属粉末颗粒混合以制备膏即可，并且可包括例如环氧类树脂。
包含在导电树脂层131b和132b中的导电金属不受限制，只要其材料可电连接到电极层131a和132a即可，并可包括例如从铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)以及它们的合金构成的组中选择的至少一种。
根据示例性实施例，导电树脂层131b和132b设置为延伸到陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2。当设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132(即，第一外电极131和第二外电极132中的一个)的外边缘到其内边缘的距离被定义为BW并且陶瓷主体110的表面粗糙度被定义为Ra，表面粗糙度Ra的100倍与距离BW的比满足(Ra×100/BW)≤1.0。
根据示例性实施例，陶瓷主体110的表面粗糙度Ra的100倍与从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW的比(Ra×100/BW)满足(Ra×100/BW)≤1.0，以改善多层陶瓷电容器的弯曲强度。
在陶瓷主体110的表面粗糙度Ra的100倍与从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW的比(Ra×100/BW)大于1.0的情况下，会增加发生弯曲裂纹的频率。在这种情况下，无法确保5毫米(mm)或更大的弯曲强度。
术语“表面粗糙度”是指当加工金属表面时在金属表面上形成的细微不平坦的程度。
表面粗糙度由于用于加工的工具、加工方法是否合适、因表面被刮擦形成的凹槽或者生锈等而产生。在确定粗糙的程度时，沿与要切割的表面垂直的方向切割表面，并检查其具有特定曲率的横截面。获取从曲线的最低点到最高点的高度，并将其确定为由Ra表示的中心线平均粗糙度。
在本实施例中，定义陶瓷主体110的表面粗糙度为Ra，如图4所示。
通过在压缩工艺时将砂纸放置在陶瓷主体110的表面上，可将砂纸的表面粗糙度转印到陶瓷主体110的表面，从而在陶瓷主体110的表面上产生表面粗糙度。砂纸可具有从100至3000范围内的P值。
砂纸的“P”是欧洲磨料生产者联合会(FEPA，Federation of European Producersof Abrasives)“P”级的颗粒尺寸标准的符号。
陶瓷主体110的中心线平均粗糙度(Ra)是通过计算陶瓷主体110的其上产生粗糙度的表面的粗糙度而获得的值，并且可指基于粗糙度的虚拟中心线通过计算平均值而获得的陶瓷主体110的粗糙度。
具体地，参照图4，在计算陶瓷主体110的中心线平均粗糙度Ra的方法中，可相对于在陶瓷主体110的一个表面上形成的粗糙度绘制虚拟中心线。
在测量基于粗糙度的虚拟中心线的各个距离(例如，r1、r2、r3、……和rn)之后，根据以下等式计算各个距离的平均值。通过该平均值，可计算陶瓷主体110的中心线平均粗糙度(Ra)。
Figure BDA0001984214760000061
在特定数值范围内调节陶瓷主体110的中心线平均粗糙度Ra。详细地，可调节陶瓷主体110的表面粗糙度Ra的100倍与从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW的比(Ra×100/BW)以满足(Ra×100/BW)≤1.0，从而改善多层陶瓷电容器的弯曲强度。
陶瓷主体110的表面粗糙度Ra可以是1.0微米(μm)或更大。
根据示例性实施例，陶瓷主体110的表面粗糙度Ra可被调整为1.0μm或更大，以改善弯曲强度(详细地，以改善外电极131和132与陶瓷主体110的界面粘合性)。
在陶瓷主体110的表面粗糙度Ra小于1.0μm的情况下，由于粗糙度低，外电极131和132与陶瓷主体110的界面粘合性可能降低。
在这种情况下，陶瓷主体110可能会分层，从而降低多层陶瓷电子组件的可靠性。
根据示例性实施例，在多层陶瓷电子组件100的尺寸小于3216尺寸(长度：3.2±0.05mm，宽度：1.6±0.05mm)的情况下，从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW可大于0.2mm。
在多层陶瓷电子组件100的尺寸小于3216尺寸(长度：3.2±0.05mm，宽度：1.6±0.05mm)的情况下，当从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW小于或等于0.2mm时，由于镀液的渗透，防潮可靠性可能降低，并且由于距离BW短，施加到陶瓷主体上的应力可能集中在陶瓷主体的角部上从而降低弯曲强度。因此，可能增大缺陷率。
根据示例性实施例，在多层陶瓷电子组件100的尺寸小于3216尺寸(长度：3.2±0.05mm，宽度：1.6±0.05mm)的情况下，从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW可大于0.2mm，并且陶瓷主体110的表面粗糙度Ra的100倍与从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW的比(Ra×100/BW)可满足(Ra×100/BW)≤1.0。
可满足条件，使得根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件100确保5mm或更大的弯曲强度。
另一方面，在多层陶瓷电子组件100的尺寸大于或等于3216尺寸(长度：3.2±0.05mm，宽度：1.6±0.05mm)的情况下，从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW可大于0.6mm。
在多层陶瓷电子组件100的尺寸大于或等于3216尺寸(长度：3.2±0.05mm，宽度：1.6±0.05mm)的情况下，当从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW小于或等于0.6mm时，由于镀液的渗透，防潮可靠性可能降低，并且由于距离BW短，施加到陶瓷主体上的应力可能集中在陶瓷主体的角部上，从而降低弯曲强度。因此，可能增大缺陷率。
根据示例性实施例，在多层陶瓷电子组件100的尺寸大于或等于3216尺寸(长度：3.2±0.05mm，宽度：1.6±0.05mm)的情况下，从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW可大于0.6mm，并且陶瓷主体110的表面粗糙度Ra的100倍与从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW的比(Ra×100/BW)可满足(Ra×100)/BW)≤1.0。
可满足条件，使得根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件100确保5mm或更大的弯曲强度。
参照图4，在根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件中，介电层111的厚度(td)以及内电极121和122中的每个的厚度(te)可满足td>2×te。
例如，根据示例性实施例，介电层111的厚度(td)大于内电极121和122中的每个的厚度(te)的两倍。
通常，用于高电压电气组件的电子组件的主要问题是由于在高电压环境下的介电击穿电压的降低而导致的可靠性问题。
为了防止介电击穿电压在高电压环境下降低，介电层111可形成为具有大于内电极121和122中的每个的厚度te两倍的厚度td。因此，通过增加介电层111的厚度(即，内电极121和122之间的距离)可改善介电击穿电压特性。
当介电层111的厚度(td)不大于内电极121和122中的每个的厚度(te)的两倍时，介电层111的厚度(即，内电极121和122之间的距离)小，并且因此会降低介电击穿电压。
内电极121和122中的每个可具有1μm或更小的厚度te，并且介电层111可具有2.8μm或更小的厚度td，但它们的厚度不限于此。
在下文中，将描述根据示例性实施例的制造多层陶瓷电子组件的方法，但不限于此。
在根据示例性实施例的制造多层陶瓷电子组件的方法中，可首先将包括诸如钛酸钡(BaTiO3)粉末颗粒等的粉末颗粒的浆料涂覆到载体膜上并使其干燥以制备多个陶瓷生片，从而形成介电层。
可通过以下过程来制造陶瓷生片：通过将陶瓷粉末颗粒、粘合剂和溶剂彼此混合来制备浆料，并通过刮刀法制造具有几μm厚度的片状的浆料。
接下来，可制备用于内电极的导电膏，所述导电膏包括40至50重量份具有0.1μm至0.2μm的平均颗粒尺寸(例如，平均粒径)的镍粉末颗粒。
通过丝网印刷法将用于内电极的导电膏涂覆到陶瓷生片上以形成内电极，并且将其上设置有内电极图案的陶瓷生片层叠以形成陶瓷主体110。
包括导电金属和玻璃的外电极层可形成在陶瓷主体110的外表面上。导电金属可以是从铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)及它们的合金构成的组中选择的至少一种。
玻璃不受限制，但可以是具有与用于制造典型多层陶瓷电容器的外电极的玻璃相同的成分的材料。
外电极层可形成在陶瓷主体的顶表面和底表面以及端部上，以分别电连接到第一内电极和第二内电极。
电极层可包含相对于导电金属体积百分比(vol％)为5或更多的玻璃。
可将导电树脂复合材料涂覆到电极层131a和132a上，并且然后可使导电树脂复合材料固化以形成导电树脂层131b和132b。
导电树脂层131b和132b可包括基体树脂和从铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)及它们的合金构成的组中选择的至少一种导电金属。基体树脂可以是环氧树脂。
根据示例性实施例，导电树脂层131b和132b设置为延伸到陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2，并且陶瓷主体110的表面粗糙度Ra的100倍与从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW的比(Ra×100/BW)满足(Ra×100/BW)≤1.0。
在下文中，表(1)示出了根据陶瓷主体110的表面粗糙度Ra的100倍与从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW的比(Ra×100/BW)的测量的弯曲裂纹的发生频率。
在表(1)中，多层陶瓷电子组件的每个样品具有小于3216尺寸(长度：3.2±0.05mm，宽度：1.6±0.05mm)的尺寸并且制造为具有1608尺寸(长度：1.6±0.05mm，宽度：0.8±0.05mm)。
测量弯曲裂纹的发生频率。当多层陶瓷电子组件的样品在安装在板上之后弯曲时，将距受压的中央部分的距离设置为6mm，并且在相应60个样品上测量所述频率，以观察在6mm距离处是否确保了弯曲强度。
即使当在相应60个样品中仅发生一个缺陷时，6mm距离处的弯曲强度也被确定为有缺陷的。
表(1)
样品 Ra(μm) BW(mm) Ra×100/BW 缺陷频率
*1 1.5 0.2 0.8 1/60
2 1.5 0.3 0.5 0/60
3 1.5 0.5 0.3 0/60
4 1.5 0.7 0.2 0/60
*5 3.0 0.2 1.5 2/60
6 3.0 0.3 1.0 0/60
7 3.0 0.5 0.6 0/60
8 3.0 0.7 0.4 0/60
*9 5.0 0.2 2.5 4/60
*10 5.0 0.3 1.7 1/60
11 5.0 0.5 1.0 0/60
12 5.0 0.7 0.7 0/60
*13 7.0 0.2 3.5 7/60
*14 7.0 0.3 2.3 3/60
15 7.0 0.7 1.0 0/60
*：对比示例
参照表(1)，在多层陶瓷电子组件的每个样品具有1608尺寸(长度：1.6±0.05mm，宽度：0.8±0.05mm)的情况下，在6mm距离处的弯曲强度特性仅在样品2至样品4、样品6至样品8、样品11和样品12以及样品15中是符合要求的，其中，从设置在第一表面S1和第二表面S2上的导电树脂层131b和132b的一端到其另一端的距离BW大于0.2mm并且陶瓷主体110的表面粗糙度Ra的100倍与从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW的比(Ra×100/BW)满足(Ra×100/BW)≤1.0。
表(2)示出了根据陶瓷主体110的表面粗糙度Ra的100倍与从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW的比(Ra×100/BW)的测量的弯曲裂纹的发生频率。
在表(2)中，多层陶瓷电子组件的每个样品被制造为具有3216尺寸(长度：3.2±0.05mm，宽度：1.6±0.05mm)。
测量弯曲裂纹的发生频率。当多层陶瓷电子组件的样品在安装在板上之后弯曲时，将距受压的中央部分的距离设置为6mm，并且在相应60个样品上测量所述频率，以观察在6mm距离处是否确保了弯曲强度。
即使当在相应60个样品中仅发生一个缺陷时，6mm距离处的弯曲强度也被确定为有缺陷的。
表(2)
样品 Ra(μm) BW(mm) Ra×100/BW 缺陷频率
*1 1.5 0.4 0.4 2/60
*2 1.5 0.6 0.3 1/60
3 1.5 0.8 0.2 0/60
4 1.5 0.9 0.2 0/60
*5 3.0 0.4 0.8 3/60
*6 3.0 0.6 0.5 1/60
7 3.0 0.8 0.4 0/60
8 3.0 0.9 0.3 0/60
*9 5.0 0.4 1.3 4/60
*10 5.0 0.6 0.8 2/60
11 5.0 0.8 0.6 0/60
12 5.0 0.9 0.6 0/60
*13 7.0 0.4 1.8 5/60
*14 7.0 0.6 1.2 2/60
15 7.0 0.8 0.9 0/60
16 7.0 0.9 0.8 0/60
*：对比示例
参照表(2)，在多层陶瓷电子组件的每个样品具有3216尺寸(长度：3.2±0.05mm，宽度：1.6±0.05mm)的情况下，在6mm距离处的弯曲强度特性仅在样品3和样品4、样品7和样品8、样品11和样品12以及样品15和样品16中是符合要求的，在样品3和样品4、样品7和样品8、样品11和样品12以及样品15和样品16中，从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW大于0.6mm，并且陶瓷主体110的表面粗糙度Ra的100倍与从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW的比(Ra×100/BW)满足(Ra×100/BW)≤1.0。
如上所述，根据示例性实施例，可调整陶瓷主体的表面粗糙度Ra的100倍与从设置在第一表面S1或第二表面S2上的外电极131或132的外边缘到其内边缘的距离BW的比以改善弯曲强度。因此，可提高可靠性。
此外，陶瓷主体的表面粗糙度可被确保为预定值或更大。因此，可改善外电极与陶瓷主体的界面粘合性。
虽然以上已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员来说将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可进行修改和变化。

Claims (11)

1.一种多层陶瓷电子组件，包括：
陶瓷主体，包括介电层和多个内电极，所述多个内电极设置为彼此面对并且所述介电层介于所述内电极之间，所述陶瓷主体具有设置为在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且设置为彼此相对的第三表面和第四表面、以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并且设置为彼此相对的第五表面和第六表面；以及
外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上并且电连接到所述内电极，
其中，所述外电极包括电连接到所述内电极的电极层和设置在所述电极层上的导电树脂层，并且所述外电极延伸到所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面，
(Ra×100/BW)≤1.0，其中，Ra是所述陶瓷主体的表面粗糙度，并且BW是从设置在所述第一表面或所述第二表面上的所述外电极的外边缘到其内边缘的距离，并且
所述陶瓷主体的所述表面粗糙度大于或等于1.0微米。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷主体的所述表面粗糙度大于1.5微米。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述多层陶瓷电子组件的尺寸小于3216尺寸，并且从设置在所述第一表面或所述第二表面上的所述外电极的外边缘到其内边缘的所述距离BW大于0.2毫米。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述多层陶瓷电子组件的尺寸大于或等于3216尺寸，并且从设置在所述第一表面或所述第二表面上的所述外电极的外边缘到其内边缘的所述距离BW大于0.6毫米。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述电极层包括从铜、银、镍及它们的合金构成的组中选择的至少一种导电金属。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述导电树脂层包括基体树脂和从铜、银、镍及它们的合金构成的组中选择的至少一种导电金属。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述内电极中的每个具有小于1微米的厚度。
8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层中的每个具有小于2.8微米的厚度。
9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，td>2×te，其中，td是所述介电层中的每个的厚度，并且te是所述内电极中的每个的厚度。
10.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述电极层包含玻璃和导电金属。
11.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述电极层和所述导电树脂层延伸到所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面，并且所述导电树脂层延伸超过所述电极层以与所述陶瓷主体直接接触。
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