JP2006235449A - 電気光学装置、駆動方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 i行目の走査線311と、j列目の第1データ線211および第2データ
線212の対との交差に対応して設けられた画素116は、画素電極234と、画素電極
に対向する共通電極111と、i行目の走査線311が選択されたときに導通状態となっ
て第1データ線211を画素電極234に電気的に接続する第1TFT242と、(i−
1)行目の走査線311が選択されたときに導通状態となって第2データ線212を画素
電極234に電気的に接続する第2TFT244とを含む。第1データ線211には、i
行j列の画素の階調に応じた電圧のデータ信号Xjが供給され、第2データ線212には
、データ信号Xjを、電位VCを基準に反転させた反転データ信号/Xjが供給される。
【選択図】 図2
Description
の絶縁的な交差に対応して、画素容量と第1トランジスタとを含む画素が配列する構成と
なっている。このうち、画素容量は、画素毎に個別の画素電極と、上記画素電極に対向し
、時間的に一定の電圧に維持された共通電極とによって電気光学材料を挟持したものであ
り、当該画素容量に書き込まれた電圧実効値に応じてその光学特性(透過率または反射率
)が変化する構成となっている。一方、第1トランジスタは、走査線が選択されると、デ
ータ線と画素電極との間で電気的に導通(オン)状態となる。このため、走査線の選択時
に、データ線に、階調に応じた電圧を供給することによって、画素毎の階調表示が可能と
なる。
る。このため、別の第2トランジスタを設けて、第1トランジスタにより階調に応じた電
圧を書き込む前に、当該書き込みと同極性の電圧を第2トランジスタによって予め書き込
んで、書き込みに要する時間の短縮化を図る技術が提案された(例えば特許文献1参照)
。
ないので、画素容量に書き込まれた電圧が、トランジスタを介してデータ線にリークして
しまう。このリークの程度は、保持期間におけるデータ線の電位に応じて変動し、データ
線の電位は、データ線に対応する縦方向1列分の表示内容に応じて定まる。このため、表
示パターンによっては、画素におけるリークの程度が列毎に著しく相違してしまう。リー
クの程度が列毎に相違する、ということは、目標とする階調からの逸脱量が列毎に相違す
ることを意味するので、同じ階調で表示する場合であっても、列毎に階調が異なってしま
い、表示品位を低下させる。なお、この現象は、データ線に沿って縦方向に発生すること
から、縦クロストークと呼ばれている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、上記縦クロスト
ークを解消して高品位な表示を可能とする電気光学装置、その駆動方法および電子機器を
提供することにある。
線の複数対との交差に対応して設けられた画素と、前記複数行の走査線を所定の順番で選
択する走査線駆動回路と、選択された走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ
信号を、前記第1データ線に供給し、所定の電位を基準として前記データ信号を反転させ
た反転データ信号を、前記第2データ線に供給するデータ線駆動回路と、を有し、前記画
素は、画素毎に個別の画素電極と、前記画素電極と対向する共通電極と、対応する走査線
が選択されたときに導通状態となって、前記第1データ線から前記データ信号を前記画素
電極に供給する第1トランジスタと、当該対応する走査線とは別の走査線が、当該対応す
る走査線よりも先に選択されたときに導通状態となって、前記第2データ線から前記反転
データ信号を前記画素電極に供給する第2トランジスタとを含むことを特徴とする。
この構成によれば、第1データ線に供給されるデータ信号と、第2データ線に供給され
る反転データ信号とは、互いに電圧反転の関係にあるので、保持期間における第1トラン
ジスタのリーク量と、第2トランジスタのリーク量とは相補的な関係となる。このため、
リークの程度は、表示内容に依存することなく、各画素にわたって均一化される。
1補助容量と、前記第2データ線と前記画素電極との間を電気的に容量結合させる第2補
助容量とを、さらに含む構成としても良い。
この構成において、前記画素電極と前記共通電極とは、同一基板上に形成された構成が
好ましい。さらに、この構成において、前記第1補助容量は、前記第1データ線における
電極部分と絶縁層と前記画素電極との積層構造であり、前記第2補助容量は、前記第2デ
ータ線における電極部分と絶縁層と前記画素電極との積層構造が好ましい。
また、前記データ線駆動回路は、前記データ信号の電圧を、所定の期間毎に所定の電位
を基準として高位側の正極性と低位側の負極性とに分けて交互に切り替えて供給し、前記
第1トランジスタが導通状態となったときのデータ信号の電圧と、前記第2トランジスタ
が導通状態となったときの反転データ信号の電圧とを同一極性とする構成が好ましい。画
素電極には、第1トランジスタが導通状態となるときに書き込まれる極性と同じデータ信
号の電圧が、すでに第2トランジスタが導通状態となったときに書き込まれているので、
書き込みに要する充放電時間を短縮化することが可能となる。
なお、本発明は、電気光学装置のみならず、電気光学装置の駆動方法としても、さらに
は、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置10は、液晶パネル100、データ線駆動回路
250、走査線駆動回路350および制御回路400を含む。このうち、液晶パネル10
0では、第1データ線211および第2データ線212が対をなして、240列それぞれ
列(Y)方向に延在する一方、0〜320の321行の走査線311が行(X)方向に延
在するように設けられている。
画素116は、第1データ線211および第2データ線212の対と、最初の0行を除
く1行から320行までの走査線311との各交差に対応して、それぞれ配列している。
したがって、本実施形態では、画素116が縦320行×横240列でマトリクス状に配
列するが、本発明をこれに限定する趣旨ではない。
を示す平面図であり、図2(b)は、画素116の構成を示す等価回路図である。いずれ
も、i行及びこれに隣接する(i+1)行と、j列及びこれに隣接する(j+1)列との
交差に対応する2×2の計4画素分の構成が示されている。
なお、図における(i−1)、i、(i+1)は、走査線311の行を一般的に示す場
合の記号であって、0以上320以下の整数であり、j、(j+1)は、画素116に対
応する列を一般的に示す場合の記号であって、1以上240以下の整数である。
1TFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)242と、nチャネル型の第2T
FT244と、第1補助容量215と、第2補助容量216とを有する。
画素116の構成についてi行j列により代表させて説明する。当該i行j列の画素1
16において、第1TFT242のゲートはi行目の走査線311に接続され、そのソー
スはj列目の第1データ線211に接続されている。一方、同じi行j列の画素116に
おいて、第2TFT244のゲートは、1行前の(i−1)行目の走査線311に接続さ
れ、そのソースはj列目の第2データ線212に接続されている。第1TFT242のド
レインおよび第2TFT244のドレインは、ともに画素容量118の一端に共通接続さ
れている。画素容量118の他端は、時間的に一定の電位LCcomに保たれた共通電極1
11に接続されている。
また、第1データ線211と画素容量118の一端との間には、第1補助容量215が
電気的に介挿される一方、第2データ線212と画素容量118の一端との間には、第2
補助容量216が電気的に介挿されている。
合わせた構成となっており、この間隙に液晶が挟持されている。また、素子基板には、画
素電極および共通電極が形成されて、この電極形成面が対向基板と対向するように貼り合
わせられる。この構成のうち、素子基板の電極形成面を平面的に示したものが図2(a)
である。この図からも判るように、液晶パネル100は、一対の基板のうち、液晶にかか
る電界方向を基板面方向とした、いわゆる面内スイッチング(in plane switching、以下
、適宜IPSと略称する)方式としたものである。
詳細には、図2(a)に示されるように、素子基板に、第1TFT242および第2T
FT244が走査線311とともに形成された後に、絶縁層を介した第1金属層のパター
ニングにより第1データ線211および第2データ線212が形成され、絶縁層を介した
第2金属層のパターニングにより共通電極111が形成され、さらに、絶縁層を介した第
3金属層のパターニングにより画素電極234が形成された構成となっている。
ータ線212に沿って積層された一辺と、両辺を結ぶとともにX方向に沿った一辺とを有
する略コの字状となっている。このうち、第1データ線211に沿った一辺の延長部分が
第1TFT242のドレインに接続される一方、X方向に沿った一辺が第2TFT244
のドレインに接続されている。
共通電極111は、櫛歯状に形成されるとともに、画素電極234と一定の距離を保っ
て対向するように配置する。したがって、本実施形態において、画素容量118は、画素
電極234と共通電極111とが液晶を介して対向することによって生じる容量で表され
ることになる。本実施形態では、図2(a)に示されるように共通電極111と画素電極
234とは絶縁体を介して交差する部分が存在するので、当該交差部分で容量が形成され
る。このため、当該容量を画素容量に付加したものとして考えても良い。なお、画素電極
234は、画素容量118の一端に相当し、共通電極111は、画素容量118の他端に
相当する。
)において紙面横(X)方向に発生して、液晶の配向状態が変化するので、偏光子(図示
省略)を通過する光量は、当該電圧実効値に応じた値となる。このため、走査線311が
選択されたときのデータ信号の電圧により、画素容量118において保持される電圧を画
素毎に制御して、所定の階調表示を行うことが可能となっている。
なお、本実施形態では説明の便宜上、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が
最小となって黒色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が増加
して、ついには透過率が最大の白色表示になるノーマリーブラックモードとする。
配線の電気的な絶縁が保たれている。ただし、画素電極234は、第1データ線211お
よび第2データ線212に沿って積層されているので、この積層部分では、金属/絶縁体
/金属という構造となり、この積層構造によりそれぞれ容量が形成される。このうち、第
1データ線211と画素電極234との積層部分が第1補助容量215として用いられ、
第2データ線212と画素電極234との積層部分が第2補助容量216として用いられ
る。なお、第1補助容量215および第2補助容量216の容量値は互いにほぼ同一とな
るように設計されている。
図2(b)では、第1TFT242のゲート・ドレイン間の寄生容量がCgd1と、第
2TFT244のゲート・ドレイン間の寄生容量がCgd2と、それぞれ表記されている
。また、第1データ線211および第2データ線212は、それぞれ走査線311および
共通電極と絶縁体を介して交差するので、これらの交差によって、図2(b)の破線で示
されるように容量が寄生する。
チパルスLPや、極性指示信号POL、スタートパルスDY、クロック信号CLY等の各
種制御信号によって液晶パネル100の走査を制御するものである。
されるスタートパルスDYを、1周期が1水平走査期間(1H)のクロック信号CLYの
立ち上がりにて順次取り込んでシフトして、そのシフト信号を、走査信号Y0、Y1、Y
2、Y3、…、Y320として、それぞれ0行目、1行目、2行目、3行目、…、320
行目の走査線311に供給するものである。このため、0〜320行の走査線311は、
1水平走査期間(1H)毎に1行ずつ選択されるとともに、選択されたときにHレベルに
相当する電圧Vddが印加される一方、非選択のときにはLレベルに相当する電圧Vss(=
Gnd)が印加される。
信号供給回路252と各列に対応した反転回路254とを有する。このうち、データ信号
供給回路252は、選択された走査線311に位置する画素116の階調に応じた電圧の
データ信号X1、X2、X3、…、X240を、1、2、3、…、240列目の第1デー
タ線211にそれぞれ供給するものであり、反転回路254は、データ信号X1、X2、
X3、…、X240を、電位VCを基準としてそれぞれ反転した反転データ信号/X1、
/X2、/X3、…、/X240を、1、2、3、…、240列目の第2データ線212
に供給するものである。なお、記号の「/」は反転を表す。
憶領域(図示省略)を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素116の階調値(明
るさ)を指定する階調データDaが記憶される。また、各記憶領域に記憶される階調デー
タDaは、表示内容に変更が生じた場合に、図示しない上位装置によって書き換えられる
。
データ信号供給回路252は、走査線駆動回路350により選択された走査線311に
位置する画素116の階調データDaを記憶領域から読み出すとともに、極性指示信号P
OLで指定された極性であって当該階調値に応じた電圧のデータ信号に変換し、対応する
第1データ線211に供給する。この供給動作を、データ信号供給回路252は、選択さ
れた走査線311に位置する1〜240列のそれぞれについて実行する。
ここで、極性指示信号POLは、Hレベルであれば正極性書込を指定し、Lレベルであ
れば負極性書込を指定する信号であり、図3に示されるように、1水平走査期間(1H)
毎に極性反転するとともに、隣接する1垂直走査期間(1F)同士において同一の走査線
311が選択される水平走査期間に着目しても極性反転の関係にある。このように極性反
転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。また、本実施形
態における書込極性の基準はVCであり、この電圧VCよりも高位側が正極性であり、低
位側が負極性である。
代表させて説明すると、当該j列目の第1データ線211に供給されるデータ信号Xjは
、図3に示される通りとなる。すなわち、データ信号供給回路252は、1行目の走査線
311が選択される水平走査期間において負極性書込の指示であれば、データ信号Xjの
電圧を、電位VCに対して1行j列の画素の階調に応じた電圧だけ低位側とする。1行目
の走査線311が負極性書込であれば、2行目の走査線311が選択される水平走査期間
において負極性書込の指示となるので、データ信号供給回路252は、2行目の走査線3
11が選択される水平走査期間において、データ信号Xjの電圧を、電位VCに対して2
行j列の画素の階調に応じた電圧だけ低位側とする。以下、この動作を繰り返す。
、奇数(1、3、5、…、319)行目の走査線311が選択される水平走査期間におい
て負極性とし、偶数(0、2、4、…、320)行目の走査線311が選択される水平走
査期間において正極性とする。
反転データ信号/Xjは、このようなデータ信号Xjを、図3において破線で示される
ように、電圧VCを基準に反転した波形となる。
極234に印加されると、当該画素を、それぞれ最高階調の白色、最低階調とさせる負極
性電圧である。一方、Vw(+)、Vb(+)は、画素電極234に印加されると、当該画素を、
それぞれ最高階調の白色、最低階調とさせる正極性電圧であり、電圧Vcを基準にしたと
きにVw (-)、Vg(-)と対称関係にある。また、走査信号Y0、Y1、Y2、Y3、…、
Y320については、そのLレベルが電圧Vw(-)よりも低い電位Vss(電源電圧低位側)
であり、走査信号のHレベルが電圧Vw(+)よりも高い電位Vdd(電源電圧高位側)である
。
なお、本実施形態では、0行目に画素116が存在しないので、データ信号供給回路2
52は、0行目の走査線311が選択される水平走査期間において、データ信号X1〜X
240を、書込極性に応じた所定の階調値に相当する電圧とする。例えばデータ信号供給
回路252は、0行目の走査線311が選択される水平走査期間においてデータ信号X1
〜X240を、最高階調の白色と最低階調の黒色とのほぼ中間値、すなわち、正極性書込
であれば電圧Vw(+)およびVb(+)の中間値とし、負極性書込であれば電圧Vw(-)およびV
b(-)の中間値とする。
また、図3においては、走査信号Y0〜Y320等と、データ信号Xj(反転データ信
号/Xj)等との縦方向の電圧スケールを、便宜的に異ならせてある。
図4は、i行j列の画素の書き込みと、これより1行前に隣接する(i−1)行j列の
画素の書き込みとについて、走査信号Yi、Y(i−1)との関係において示す図である
。なお、図4では、(i−1)行j列の画素電極234の電圧と、i行j列の画素電極2
34の電圧とが、それぞれ太実線で示され、走査信号Y(i−1)、Yiについては、細
実線で示されている。
(i−1)行j列の画素を、白色と黒色との間であってやや明るい灰色(便宜的に、灰
色1と称する)とする場合であって、負極性で書き込む場合、(i−1)行目の走査線3
11が選択される1水平走査期間T0において、データ信号Xjは、灰色1とさせる負極
性電圧Vg1(-)となる。
なお、期間T0においては、走査信号Y(i−1)がHレベルとなるので、(i−1)
行目に位置する画素116においては、第1TFT242が導通(オン)状態となり、第
2TFT244は非導通(オフ)状態となる。このため、(i−1)行j列の画素電極2
34は、第1データ線211に供給された電圧Vg1(-)となる。
号/Xjは、灰色1とさせる正極性電圧Vg1(+)になる。期間T0において走査信号Y(
i−1)がHレベルになると、i行目に位置する画素116においては、第2TFT24
4が導通状態となり、第1TFT242が非導通状態となる。このため、i行j列の画素
電極234は、第2データ線212に供給された反転データ信号/Xjの電圧Vg1(+)と
なる。
ては正極性の書き込みとなる。ここで、i行j列の画素を、白色と黒色との間であってや
や暗い灰色(便宜的に、灰色2と称する)とする場合、i行目の走査線311が選択され
る1水平走査期間T1において、データ信号Xjは、灰色2とさせる正極性電圧Vg2(+)
となる。
期間T1において走査信号YiがHレベルになると、i行目に位置する画素116にお
いては、第1TFT242が導通状態に、第2TFT244が非導通状態にそれぞれ転じ
るので、i行j列の画素電極234は、電圧Vg1(+)からVg2(+)へと変化する。
i行目の走査線311の選択が完了して、走査信号YiがLレベルになると、i行目に
位置する画素116においては、第1TFT242が非導通状態となるので、i行j列の
画素電極234は、リークによって電圧Vg2(+)から電圧LCcomに向かう。
ベルになると、データ信号Xjは前回の書込極性から反転されて、正極性電圧Vg1(+)と
なるので、(i−1)行j列の画素電極234は、電圧Vg1(+)となる。一方、データ信
号Xjが正極性電圧Vg1(+)になると、反転データ信号/Xjは負極性電圧Vg1(-)になる
ので、i行j列の画素電極234は、反転データ信号/Xjの電圧Vg1(-)となる。
次に、期間T3において走査信号YiがHレベルになると、i行j列の画素電極234
は、電圧Vg1(-)からVg2(-)へと変化する。走査信号YiがLレベルになると、i行j列
の画素電極234は、リークによって電圧Vg2(-)から電圧LCcomに向かう。
以下、i行j列の画素については、このような書き込みの繰り返しとなる。ここでは、
j列の画素について代表して説明しているが、1〜240列のすべてについて同様な書き
込みとなる。
なお、図4におけるハッチングは、画素電極234と共通電極111との電位差、すな
わち、画素容量118における電圧実効値の成分を示している。
11が選択されて、目標とする階調に応じた電圧を書き込む前であって、1行前の(i−
1)行の走査線311が選択されたときに、i行の画素電極234については、それぞれ
予め目標とする階調に応じた電圧と同極性の電圧にプリチャージされることになる。この
ため、目標とする階調に応じた電圧を書き込むのに要する時間を短縮化することができる
。
される一方、第2TFT244のソースが第2データ線212に接続されて、両TFTの
ドレインが画素電極234に共通接続されるとともに、第1データ線211に供給される
データ信号と、第2データ線212に供給される反転データ信号とを、電圧VCを基準に
反転した関係としているので、保持期間におけるTFTを介したリークの程度は、表示内
容(データ信号がとる電圧)に依存しないで一定となる。このため、本実施形態では、リ
ークの程度が、画素同士にわたって均一化されるので、リークの程度差による表示品位の
低下を防止することが可能となる。
すなわち、データ線が1本の従来構成では、表示内容によっては、保持期間におけるデ
ータ信号の電圧に偏りが生じるので、列毎にリークの程度が異なってしまい、これにより
、縦方向の表示ムラ(縦クロストーク)が発生するが、本実施形態では、リークの程度の
均一化によって、縦クロストークによる表示品位の低下を抑えることが可能となる。
2に対し、それぞれ絶縁体を介して交差するので、両データ線とそれぞれ容量結合する。
ただし、本実施形態では、第1データ線211に供給されるデータ信号の電圧変化と、第
2データ線212に供給される反転データ信号の電圧変化とは、互いに逆方向であって、
ほぼ同一の大きさであるので、容量結合する走査線311では、データ信号の電圧変化に
よる影響と反転データ信号の電圧変化による影響とが互いに相殺し合う。したがって、本
実施形態では、データ信号の電圧変化による走査線311の波形歪みが防止されることと
なる。
一方、共通電極111も、第1データ線211および第2データ線212と容量結合す
るが、その影響は同様に相殺し合うので、共通電極111の電位変動も防止される。この
ため、共通電極111の電位変動による表示品位の低下についても防止することが可能と
なる。
15を介して容量結合する一方、第2データ線212とは第2補助容量216を介して容
量結合した構成となっている。このため、データ信号の電圧変化が画素電極234に及ぼ
す影響は、反転データ信号が画素電極234に及ぼす影響によって相殺される。
このため、画素電極234の電位は、データ信号の電圧変化の影響を受けにくくなるの
で、画素容量118の電圧実効値をゼロに近づけることが容易となる。例えば、ノーマリ
ーブラックモードでは、画素容量118に印加される電圧実効値が特にゼロ近傍である場
合に、透過率が大きく変化する。このため、画素容量118の電圧実効値をゼロに近づけ
ることができれば、表示可能な明るさの範囲が暗い方向に拡大するので、コントラスト比
をそれだけ高くすることが可能となるのである。
では、図2(a)に示されるように、画素電極234と第1データ線211または第2デ
ータ線212とを重ねることができるので、開口率の低下はそれほど問題にはならない。
イン間の寄生容量に起因して、オンからオフ時にドレイン(画素電極234)の電位が低
下する現象(プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる)が発生する
。液晶の劣化を防止するために、画素容量118では交流駆動が原則であるので、共通電
極111に対して高位側(正極性)と低位側(負極性)とで同一階調の交互書き込みをす
るが、電位LCcomを電位VCに一致させた状態で、交互書き込みをすると、プッシュダ
ウンのために、画素容量118の電圧実効値は、負極性書込の方が正極性書込よりも大き
くなってしまう。このため、同一階調で正極性・負極性書込をしても画素容量118の電
圧実効値が互いに等しくなるように、共通電極111の電位LCcomは、データ信号の振
幅基準である電位VCよりも若干低めに設定されている。
型としたが、pチャネル型としても良いのはもちろんである。
また、実施形態では、書込極性の変更周期を1フレームとしたが、その理由は、画素容
量118において直流成分の印加を防止するためなので、その反転については2以上のフ
レーム周期としても良い。
実施形態では、i行の画素における第2TFT244のゲートを、1行手前の(i−1
)行目の走査線311に接続したが、3、5、…の奇数行手前の走査線311に接続する
構成としても良い。
さらに、実施形態では、電圧無印加状態において黒色を表示するノーマリーブラックモ
ードとしたが、電圧無印加状態において白色を表示するノーマリーホワイトモードとして
も良い。なお、ノーマリーホワイトモードであれば、画素容量118に印加される電圧実
効値が高いほど、画素が暗くなる。
また、階調表示数は特に限られないし、さらに、R(赤)、G(緑)、B(青)の3画
素で1ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良い。
液晶パネル100は透過型に限られず、反射型や、両者の中間的な半透過半反射型であ
っても良い。さらに、IPS方式に限られず、TN型や、STN型など、分子の長軸方向
と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料(ゲスト)を一定の分子配列の液晶(
ホスト)に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたゲストホスト型などの液晶
を用いても良い。くわえて、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列
する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配
向(ホメオトロピック配向)の構成としても良い。
いて説明する。図5は、実施形態に係る電気光学装置10を用いた携帯電話1200の構
成を示す斜視部である。
この図に示されるように、携帯電話1200は、複数の操作ボタン1202のほか、受
話口1204、送話口1206とともに、上述した液晶パネル100を備えるものである
。なお、電気光学装置10のうち、液晶パネル100以外の構成要素については電話器に
内蔵されるので、外観としては現れない。
にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型(ま
たはモニタ直視型)のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、
電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネル
を備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上
述した電気光学装置10が適用可能であることは言うまでもない。そして、いずれの電子
機器においても、表示品位の低下を抑えて高品位の表示が簡易な構成によって実現される
ことになる。
2…第2データ線、215…第1補助容量、216…第2補助容量、234…画素電極、
242…第1TFT、244…第2TFT、250…データ線駆動回路、311…走査線
、350…走査線駆動回路、400…制御回路、1200…携帯電話
Claims (7)
- 複数行の走査線と、第1および第2データ線の複数対との交差に対応して設けられた画
素と、
前記複数行の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
選択された走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、前記第1データ
線に供給し、所定の電位を基準として前記データ信号を反転させた反転データ信号を、前
記第2データ線に供給するデータ線駆動回路と、
を有し、
前記画素は、
画素毎に個別の画素電極と、
前記画素電極と対向する共通電極と、
対応する走査線が選択されたときに導通状態となって、前記第1データ線から前記デー
タ信号を前記画素電極に供給する第1トランジスタと、
当該対応する走査線とは別の走査線が、当該対応する走査線よりも先に選択されたとき
に導通状態となって、前記第2データ線から前記反転データ信号を前記画素電極に供給す
る第2トランジスタと
を含むことを特徴とする電気光学装置。 - 前記第1データ線と前記画素電極との間を容量結合させる第1補助容量と、
前記第2データ線と前記画素電極との間を容量結合させる第2補助容量と、
を、さらに含むことを特徴する請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記画素電極と前記共通電極とは、同一基板上に形成された
ことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 - 前記第1補助容量は、前記第1データ線における電極部分と絶縁層と前記画素電極との
積層構造であり、
前記第2補助容量は、前記第2データ線における電極部分と絶縁層と前記画素電極との
積層構造である
ことを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。 - 前記データ線駆動回路は、前記データ信号の電圧を、所定の期間毎に所定の電位を基準
として高位側の正極性と低位側の負極性とに分けて交互に切り替えて供給し、
前記第1トランジスタが導通状態となったときのデータ信号の電圧と、前記第2トラン
ジスタが導通状態となったときの反転データ信号の電圧とを同一極性とする
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 複数行の走査線と、第1および第2データ線の複数対との交差に対応して設けられた画
素であって、
画素毎に個別の画素電極と、
前記画素電極と対向する共通電極と、
対応する走査線が選択されたときに導通状態となって、前記第1データ線を前記画素電
極に電気的に接続する第1トランジスタと、
当該対応する走査線とは別の走査線が、当該対応する走査線よりも先に選択されたとき
に導通状態となって、前記第2データ線を前記画素電極に電気的に接続する第2トランジ
スタと、
を含む画素を有する電気光学装置の駆動方法であって、
前記複数行の走査線を所定の順番で選択し、
選択された走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、前記第1データ
線に供給し、所定の電位を基準として前記データ信号を反転させた反転データ信号を、前
記第2データ線に供給する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。
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