JP2007047349A - 電気光学装置、駆動方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 ドット反転を比較的狭い電圧範囲で実現する。
【解決手段】 奇数行奇数列および偶数行偶数列に第１画素１２１を、偶数行奇数列およ
び奇数行偶数列に第２画素１２２を配列させる。第１画素１２１の画素電極は、第１コモ
ン電極１１１に対向し、第２画素１２２の画素電極は、第２コモン電極１１２に対向する
。第１コモン電極１１１、第２コモン電極１１２には、互いに電圧の異なるランプ信号を
供給する。各列にはスイッチ２６０が設けられ、その一端はデータ線２１１に接続され、
その他端は電圧Ｖcに共通に保たれる。データ側制御回路２５０は、走査線３１１に選択
電圧が印加される期間において、スイッチ２６０を、画素の階調に応じた期間だけオン状
態とし、この後、オフ状態に制御する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶などの電気光学変化を用いた表示を行う際に、表示品位の向上を図る技
術に関する。

例えば電気光学材料として液晶を用いるとともに、当該液晶の電気光学的な変化により
表示を行う電気光学装置では、直流印加による劣化を防止するために交流駆動が原則とな
る。ただし、正極性と負極性とで液晶に印加される電圧がなんらかの理由により異なると
、明るさの差として視認されてしまう。ここで、交流駆動の際に、１画面における各画素
をどのような極性とするかについては、面反転、走査線反転（行反転）、データ線反転（
列反転）、画素反転（ドット反転）などが挙げられる。
このうち、面反転では、極性で電圧が異なることに起因する明るさの差が、フリッカー
として視認されやすい。次に、走査線反転又はデータ線反転では、明るさの差が隣接する
画素行毎に又は画素列毎に分散するので、フリッカーとしては視認されにくくなる。さら
に、画素反転（ドット反転）では、明るさの差がすべて隣接する画素同士で分散するので
、フリッカーが最も目立たなくなる（特許文献１または特許文献２参照）。
特開平１１−３２７５１８号公報 特開２００１−１３４２４５号公報

ところで、各画素にわたって共通のコモン電極に対し、データ線を介して画素電極に階
調に応じた電圧を印加する構成において、ドット反転を採用しようとすると、画素１行分
において正極性と負極性のデータ信号を同時に生成しなければならない。
このため、データ信号を生成する回路にとっては広い電圧範囲に対応する必要があるの
で、回路構成が複雑化する、という問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、ドット
反転を比較的狭い電圧範囲で実現することが可能な電気光学装置、駆動方法および電子機
器を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置は、複数の走査線と複数のデー
タ線との交差に対応して設けられた複数の画素を備えた電気光学装置であって、前記走査
線に対応して設けられた複数のコモン電極を有し、前記複数のコモン電極のうち少なくと
も１つと対向する画素電極と、前記データ線と前記画素電極との間にて前記走査線に選択
電圧が印加されたときに導通状態となるスイッチング素子と、を含む画素と、前記複数の
走査線を所定の順番で選択して前記選択電圧を印加する走査線駆動回路と、前記複数のコ
モン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間において互いに異なる電圧を印加し、前
記選択電圧が印加された走査線に位置する画素の前記画素電極と、前記複数のコモン電極
のうち、当該画素電極に対向するコモン電極との電位差を、当該画素の階調に応じて制御
するデータ線駆動回路と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、おおよそ半分の
電圧範囲でドット反転が可能となる。

本発明において、１つの走査線に第１および第２コモン電極が対応して設けられ、前記
画素は、前記画素電極に前記第１コモン電極が対向する第１画素と、前記画素電極に前記
第２コモン電極が対向する第２画素とに分類され、前記第１および第２画素は、前記走査
線または前記データ線の形成方向に対して交互に配置する構成としても良い。また、本発
明において、前記複数の走査線の各々には、それぞれ第１および第２コモン電極が対応し
て設けられ、前記画素は、前記画素電極と前記第１コモン電極とを含む第１画素容量と、
前記画素電極と前記第２コモン電極とを含む第２画素容量と、を有する構成としても良い
。さらには、本発明において、前記複数の走査線の各々には、それぞれ第１および第２コ
モン電極が対応して設けられ、前記画素電極および前記第１コモン電極を含む第１画素容
量と、前記画素電極および前記第２コモン電極を含む第２画素容量と、を有する画素と、
前記画素電極および前記第２コモン電極を含む第１画素容量と、前記画素電極および前記
第１コモン電極を含む第２画素容量と、を有する画素と、が前記走査線または前記データ
線の形成方向に対して交互に配置する構成としても良い。
これらの構成において、前記第１画素容量は、保持電圧が高くなるにつれて明るくなる
ように設定され、前記第２画素容量は、保持電圧が高くなるにつれて暗くなるように設定
しても良い。このような設定において、前記第１画素容量が透過モード、前記第２画素容
量が反射モードを有するか、または、前記第１画素容量が反射モード、前記第２画素容量
が透過モードを有する構成としても良い。

また、本発明において、前記複数のコモン電極に対し、それぞれ時間的に一様な方向に
電圧が変化するランプ信号を、互いに電圧を異ならせて印加し、前記データ線駆動回路は
、前記複数のデータ線の各々に対応して設けられるとともに、一端が前記データ線に接続
される一方、他端が所定の基準電位に共通に保たれた複数のデータ側スイッチと、前記走
査線に選択電圧が印加された期間において、前記データ側スイッチを、当該選択電圧が印
加された走査線と当該データ側スイッチのデータ線との交差に対応する画素の階調に応じ
た期間だけオン状態とし、この後、当該データ側スイッチをオフ状態に制御するデータ側
制御回路と、を含む構成としても良い。この構成によれば、データ線とコモン電極とで発
生する電界の影響が、データ線同士で均一化する方向に向かう。
一方、本発明において、前記複数のコモン電極に対し、前記選択電圧が印加された走査
線に対応する第１および第２コモン電極に対し、当該選択電圧が印加される期間にわたっ
て互いに異なる電圧を印加し、前記データ線駆動回路は、前記選択電圧が印加された走査
線に位置する画素に対し、前記複数のコモン電極のうち、当該画素の画素電極に対向する
コモン電極の電位を基準として、当該画素の階調に応じた電圧を前記データ線に印加する
構成としても良い。
さらに、本発明において、前記複数のコモン電極のうち、前記選択電圧が印加されない
走査線に対応するコモン電極の一部または全部をハイ・インピーダンス状態とさせるコモ
ン側スイッチを、さらに有する構成としても良い。この構成によれば、コモン電極の寄生
容量で消費される電力を抑えることが可能となる。
なお、本発明は、電気光学装置のみならず、電気光学装置の駆動方法としても、さらに
は、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の基本形である第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実
施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００、データ側制御回路２
５０、走査線駆動回路３５０、走査制御回路４００およびランプ信号生成回路４５０等を
含む。このうち、表示領域１００では３２０行の走査線３１１が行（Ｘ）方向に延在する
一方、２４０列のデータ線２１１が列（Ｙ）方向に延在するように、それぞれ設けられて
いる。さらに、本実施形態において、画素は、３２０行の走査線３１１と２４０列のデー
タ線２１１との交差に対応してそれぞれ配列している。

表示領域１００においては、第１コモン電極１１１が、図１において上から数えて奇数
行であって左から数えて奇数列の画素と、当該奇数行よりも１行上の偶数行であって偶数
列の画素とにおいて対向するようにジグザグ状に形成される。一方、第２コモン電極１１
２は、偶数行であって奇数列の画素と、当該偶数行よりも１行上の奇数行であって偶数列
の画素とにおいて対向するようにジグザグ状に形成されている。
ただし、最初の１行目であって奇数列の画素に対応する第１コモン電極１１１は、それ
よりも１行上に画素が存在しないので、１行目の画素のみに対応し、同様に、最後の３２
０行目であって偶数列の画素に対応する第２コモン電極１１２は、それよりも１行下に画
素が存在しないので、３２０行目の画素のみに対応する。
本実施施形態では、このように第１コモン電極１１１が奇数行奇数列の画素と偶数行偶
数列の画素とに対向し、第２コモン電極１１２が偶数行奇数列の画素と奇数行偶数列の画
素とに対向するので、画素を区別するために、第１コモン電極１１１と対応するものを第
１画素１２１と表記し、第２コモン電極１１２と対応するものを第２画素１２２と表記し
ている。結局、本実施形態では、画素が縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列す
ることなるが、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。

ここで、画素の詳細な構成について説明する。図２（ａ）は、第１画素１２１および第
２画素１２２の構成を示す平面図であり、図２（ｂ）は、これらの電気的な構成を示す図
である。いずれも、ｉ行及びこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに隣接する（
ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以
上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素が配列する列を一般的に示す場合の
記号であって、１以上２４０以下の整数である。さらに便宜的に、ｉ、ｊを奇数とし、（
ｉ＋１）、（ｊ＋１）を偶数としている。

図２（ｂ）に示されるように、第１画素１２１および第２画素１２２の各々は、画素容
量１３０と、スイッチング素子として機能するとともに、ｎチャネルであってアモルファ
ス型の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）２４
１とを有する。
ここで、ｉ行目の第１画素１２１または第２画素１２２におけるＴＦＴ２４１のゲート
は、ｉ行目の走査線３１１に接続される一方、そのソースはｊ列目のデータ線２１１に接
続され、そのドレインは画素容量１３０の一端たる画素電極２３１に接続されている。

奇数ｉ行奇数ｊ列および偶数（ｉ＋１）行偶数（ｊ＋１）列の画素において、画素容量
１３０の他端は、本実施形態では、ランプ信号Ｖcom1が供給される第１コモン電極１１１
に接続されている。また、偶数（ｉ＋１）奇数ｊ列および奇数ｉ行偶数（ｊ＋１）列の画
素において、画素容量１３０の他端は、ランプ信号Ｖcom2が供給される第２コモン電極１
１２に接続されている。

表示領域１００は、素子基板と対向基板との一対の基板が一定の間隙を保って貼り合わ
せた構成となっており、この間隙に液晶が挟持されている。また、素子基板には、走査線
３１１や、データ線２１１、第１コモン電極１１１、第２コモン電極１１２、画素電極２
３１およびＴＦＴ２４１が形成されて、この電極形成面が対向基板と対向するように貼り
合わせられる。この構成のうち、表示領域１００における素子基板の電極形成面を平面的
に示したものが図２（ａ）である。

これらの図からも判るように、表示領域１００は、液晶にかかる電界方向を基板面方向
としたＩＰＳモードの変形であるＦＦＳ（fringe field switching）モードとしたもので
ある。詳細には、素子基板に、同一又は異種金属層のパターニングにより第１コモン電極
１１１、第２コモン電極１１２を、それぞれ図に示されるような形状で形成し、絶縁層を
介したゲート電極層のパターニングにより走査線３１１をＸ方向に平行に形成し、その上
に半導体層と絶縁層（図示省略）とを堆積してＴＦＴ２４１を形成し、さらに、絶縁層を
介した金属層のパターニングによりデータ線２１１および接続電極２３１ａを形成し、こ
の後、金属層のパターニングにより画素電極２３１を形成した構成となっている。

ここで、接続電極２３１ａは、画素電極２３１をＴＦＴ２４１のドレインに接続するた
めのものである。したがって、本実施形態において、画素容量１３０は、画素電極２３１
と第１コモン電極１１１または第２コモン電極１１２のいずれかとが絶縁層を介した積層
構造によって生じ、電界が、画素容量１３０による保持電圧に応じた強さで、画素電極２
３１の櫛歯と直行する縦（Ｙ）方向に、画素電極２３１の端部を跨ぐように発生して、液
晶の配向状態が変化する。このため、偏光子（図示省略）を通過する光量は、当該電圧実
効値に応じた値となる。
本実施形態において、画素容量１３０に保持される電圧の実効値は、画素電極２３１お
よび対応する第１コモン電極１１１（または第２コモン電極１１２）の差電圧で定まるの
で、各画素を目的の階調とするには、対応する走査線３１１に選択電圧を印加してＴＦＴ
２４１を導通（オン）状態とさせるとともに、上記差電圧が、画素の階調に応じた値なる
ように制御すれば良いことになる。
なお、本実施形態では説明の便宜上、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が
最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少
して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードとする。

また、第１コモン電極１１１および第２コモン電極１１２は、それぞれ絶縁層（図示省
略）を介してデータ線２１１と交差するので、図２（ｂ）の破線で示されるように、寄生
容量を介して互いに容量結合することになる。

説明を再び図１に戻すと、走査制御回路４００は、制御信号ＣntXの供給によってデー
タ側制御回路２５０を制御するとともに、制御信号ＣntYの供給によって走査線駆動回路
３５０による表示領域１００の垂直走査を制御する。また、走査制御回路４００は、書込
極性を指定する極性指示信号Ｐolを、ランプ信号生成回路４５０に供給する。
極性指示信号Ｐolは、第１実施形態では、Ｈレベルであれば、奇数行奇数列および偶数
行偶数列の画素容量１３０に対し画素電極２３１を高位側とする正極性書込を指定すると
ともに、偶数行奇数列および奇数行偶数列の画素容量１３０に対し画素電極２３１を低位
側とする負極性書込を指定する一方、Ｌレベルであれば、奇数行奇数列および偶数行偶数
列の画素容量１３０に対し負極性書込を指定するとともに、偶数行奇数列および奇数行偶
数列の画素容量１３０に対し正極性書込を指定する信号であり、図３に示されるように、
１垂直走査期間（１Ｆ）毎に極性反転する。なお、このように極性反転する理由は、液晶
に直流成分が印加されることによる劣化を防止するためである。

走査線駆動回路３５０は、制御信号ＣntYにしたがって、１、２、３、…、３２０行目
の走査線３１１を、それぞれ１水平走査期間（１Ｈ）毎に順番に選択するとともに、選択
した走査線３１１に対応する走査信号を、当該水平走査期間（１Ｈ）にわたってＨレベル
に相当する選択電圧Ｖddとし、それ以外の走査線３１１に対応する走査信号を、Ｌレベル
に相当する非選択電圧Ｖssとするものである。ここで、１、２、３、…、３２０行目の走
査線３１１に供給される走査信号を、それぞれＹ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０と表記し
、走査信号について特に行を特定しないで一般的に説明するときにはＹｉと表記する。な
お、この非選択電圧Ｖssは、実際には電圧基準の接地電位Ｇnd（電圧ゼロ）である。

次に、データ側制御回路２５０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応し
た記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域では、それぞれ対応する画素の階調値（明る
さ）を指定する階調データＤaが記憶される。なお、階調データＤaは、図示しない上位装
置から供給され、表示内容に変更が生じた場合には、対応する記憶領域に記憶された階調
データＤaが書き換えられる構成となっている。
さらに、データ側制御回路２５０は、走査線駆動回路３５０によって、ある１行の走査
線３１１が選択されるとき、制御信号ＣntXにしたがって、当該走査線に位置する画素の
階調データＤaの１行分を事前に読み出し、この階調データＤaの１行分にしたがったスイ
ッチ制御信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を、当該走査線に選択電圧Ｖddが印加され
る期間にわたって、１、２、３、…、２４０列のデータ線２１１にそれぞれ対応して一斉
に出力する。
ここで、スイッチ制御信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０について、特に列を特定し
ないで一般的に説明するときにはＸｊと表記すると、データ側制御回路２５０は、スイッ
チ制御信号Ｘｊを、１水平走査期間（１Ｈ）の開始端から時間軸の後方側に、当該水平走
査期間にて選択される走査線３１１とｊ列目のデータ線２１１との交差に対応する画素の
階調データＤaで指定された階調値に応じた期間だけＨレベルとし、残余の期間でＬレベ
ルする。

スイッチ２６０は、データ側スイッチとして機能するものであり、１、２、３、…、２
４０列目のデータ線２１１に一対一に対応して設けられ、その一端は、対応するデータ線
に接続される一方、その他端は共通接続されて、時間的に一定の基準電圧Ｖcに保たれて
いる。各列のスイッチ２６０は、対応するスイッチ制御信号がＨレベルのときにオンする
ものである。
ここで、スイッチ２６０がオフであるデータ線２１１はハイ・インピーダンス状態とな
り、電圧不確定となる。そこで便宜的に、１、２、３、…、２４０列目のデータ線２１１
の電圧をＳ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ２４０と表記し、特に列を特定しないで一般的に説明
するときにはＳｊと表記することにする。
また、基準電圧Ｖcは、図３に示されるように、Ｈレベルに相当する電圧ＶddとＬレベ
ルに相当する電圧Ｖssとの中間値に相当する。

一方、ランプ信号生成回路４５０は、次のようなランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2を生成する
。すなわち、ランプ信号生成回路４５０は、図３に示されるように、極性指示信号Ｐolが
Ｈレベルであれば、１水平走査期間（１Ｈ）にわたってランプ信号Ｖcom1の電圧をＶcか
らＶminまで直線的に低下させる一方、反対に、極性指示信号ＰolがＬレベルであれば、
１水平走査期間（１Ｈ）にわたってランプ信号Ｖcom1の電圧をＶcからＶmaxまで直線的に
上昇させる。さらに、ランプ信号生成回路４５０は、ランプ信号Ｖcom1を、Ｖcを基準に
反転させてランプ信号Ｖcom2として出力する。
なお、電圧Ｖmin、Ｖmaxは、Ｖmax＞Ｖminであり、基準電圧Ｖcを中心に対称な関係に
ある。また、図３においては、走査信号Ｙ１〜Ｙ３２０等と、ランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2
との縦方向の電圧スケールを、便宜的に異ならせてある（後述する図４等においても同様
）。

次に、このような構成にかかる電気光学装置１０における書き込みについて説明する。
図４は、ｉ行、および、これに１行下で隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列、および、これ
に１列右に隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する画素の書き込みについて、走査信号
Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）と、データ線の電圧Ｓｊ、Ｓ（ｊ＋１）との関係において示す図であ
る。
ｉ行ｊ列の第１画素１２１を、白色と黒色との間の灰色とさせる場合、ｉ行目の走査線
３１１が選択されて、走査信号ＹｉがＨレベルとなる１水平走査期間（１Ｈ）において、
スイッチ制御信号Ｘｊは、当該１水平走査期間（１Ｈ）の開始時から、当該灰色に応じた
期間Ｔ_１だけＨレベルとなる。このため、ｊ列目のスイッチ２６０がオン（導通）状態と
なるので、ｊ列目のデータ線２１１の電圧Ｓｊは基準電圧Ｖcに保たれる。
また、走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｉ行目の走査線３１１に位置する１行分の画
素において、ＴＦＴ２４１がオン状態となる。したがって、ｉ行ｊ列の第１画素１２１で
は、画素電極２３１がｊ列目のデータ線２１１と等しく基準電圧Ｖcとなる。
一方、当該１水平走査期間（１Ｈ）において、極性指示信号ＰolがＨレベルあれば、ラ
ンプ信号Ｖcom1、すなわち、第１コモン電極１１１の電圧は、ＶcからＶminまで直線的に
低下する。このため、ｊ列目のスイッチ２６０のオンと、第１コモン電極１１１による電
圧低下とによって、ｉ行ｊ列における画素容量１３０には、画素電極２３１を高位側とし
た書き込みが開始されることになる。

当該１水平走査期間の開始時から期間Ｔ_１だけ経過すると、データ信号ＸｊはＨレベル
からＬレベルに変化する。このため、スイッチ２６０がオフ（非導通）状態となるので、
ｊ列目のデータ線２１１は、どの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態となる
。
ただし、スイッチ２６０がオフしても、ｉ行目の走査線３１１がＨレベルとなる１水平
走査期間では、ランプ信号Ｖcom1（第１コモン電極１１１）の電圧が低下し続けるととも
に、ＴＦＴ２４１のオン状態が継続しているので、ハイ・インピーダンス状態となったｊ
列目のデータ線２１１は、スイッチ２６０がオフになった瞬間の電圧Ｖcから、ランプ信
号Ｖcom1と同じ変化率で低下する。
このため、ｉ行ｊ列の画素容量１３０に対する書き込み電圧は、走査信号ＹｉがＨレベ
ルとなっている期間において、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間に確定し、極性指
示信号ＰolがＨレベルであれば、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間におけるＶcom1
とＶcとの差電圧が、画素電極２３１を高位側として、スイッチ２６０のオフ後において
も保持されることなる。

一方、ｉ行（ｊ＋１）列の第２画素１２２についても、ｉ行ｊ列の第１画素１２１と同
様に画素容量１３０に電圧が保持されるが、第２画素１２２は、第２コモン電極１１２に
対応しており、この第２コモン電極１１２は、走査信号ＹｉがＨレベルとなる期間におい
てはＶcからＶmaxに上昇する。このため、ｉ行（ｊ＋１）列の第２画素１２２については
、（ｊ＋１）列目のスイッチ２６０がオフした瞬間におけるＶcom2とＶcとの差電圧が、
画素電極２３１を低位側として保持されることなる。
したがって、本実施形態では、極性指示信号ＰolがＨレベルである場合に、ｉ行ｊ列の
第１画素１２１では正極性書込となり、これに右方向に隣接するｉ行（ｊ＋１）列の第２
画素１２２では負極性書込となる。

なお、当該１水平走査期間（１Ｈ）が終了して、走査信号ＹｉがＬレベルに変化すると
、ｉ行目の走査線３１１に位置する１行分の画素のＴＦＴ２４１がオフするので、各画素
電極２３１は、対応するデータ線２１１と電気的に切り離されてフローティング状態とな
る。このため、ｉ行ｊ列の画素電極２３１の電位も、第１コモン電極１１１の電圧変化に
伴って変化し、ｉ行（ｊ＋１）列の画素電極２３１の電位も、第２コモン電極１１２の電
圧変化に伴って変化することになる。ただし、ｉ行ｊ列の第１画素１２１における画素容
量１３０の電圧（ｊ列目のスイッチ２６０がオフ瞬間におけるＶcom1とＶcとの差電圧）
、および、ｉ行（ｊ＋１）列の第２画素１２２における画素容量１３０の電圧（（ｊ＋１
）列目のスイッチ２６０がオフ瞬間におけるＶcom2とＶcとの差電圧）は、それぞれ対応
する列のスイッチ２６０がオフとなっても、さらには走査信号ＹｉがＬレベルに変化して
も、保持され続けることになる。
またここでは、ｉ行目の画素のうち、互いに隣接する奇数ｊ列目の第１画素１２１およ
び偶数（ｊ＋１）列目の第２画素１２２で代表して動作説明したが、走査信号ＹｉがＨレ
ベルとなる期間においては、ｉ行目に位置する１〜２４０列の画素１行分のすべてについ
てｊ、（ｊ＋１）列目のような書き込みが同時並行的に実行される。

次の１水平走査期間（１Ｈ）においては、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなるので
、（ｉ＋１）行目に位置する１行分の画素について書き込みが同様に実行される。ただし
、本実施形態では、（ｉ＋１）行目については、コモン電極の対応関係が逆転して、奇数
列の画素については第２コモン電極１１２が対応し、偶数列の画素については、第１コモ
ン電極１１１が対応する。
このため、（ｉ＋１）行ｊ列の第２画素１２２については、ｊ列目のスイッチ２６０が
オフした瞬間におけるＶcom2とＶcとの差電圧が、画素電極２３１を低位側として保持さ
れる一方、（ｉ＋１）行（ｊ＋１）列の第１画素１２１については、（ｊ＋１）列目のス
イッチ２６０がオフした瞬間におけるＶcom1とＶcとの差電圧が、画素電極２３１を高位
側として保持されることなる。
したがって、本実施形態では、極性指示信号ＰolがＨレベルである場合に、（ｉ＋１）
行ｊ列の第２画素１２２では負極性書込となり、（ｉ＋１）行（ｊ＋１）列の第１画素１
２１では正極性書込となる。

このため、本実施形態によれば、行方向のみならず、列方向においても書込極性が反転
したドット反転となるので、フリッカーが視認されにくくすることが可能となる。
なお、ここでは、互いに隣接するｉおよび（ｉ＋１）行目の書き込みついて説明してい
るが、このような書き込みは、１垂直走査期間（１Ｆ）において、１、２、３、…、３２
０行目の順番で１水平走査期間毎に実行されて、１フレームの画像が表示されることにな
る。また、次の１垂直走査期間（１Ｆ）では、書込極性が反転して同様な書き込みが実行
されることになる。
本実施形態によれば、データ側制御回路２５０は、書込極性とは関係なく、論理レベル
のスイッチ制御信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を生成する構成で良いので、その構
成を簡略化することが可能となる。

また、本実施形態では、１水平走査期間（１Ｈ）の開始時からスイッチ２６０がオンし
ている期間が長いほど、画素容量１３０に高い電圧が保持されることになる。上述したよ
うに、本実施形態では、電圧無印加状態において最も明るい表示状態となるノーマリーホ
ワイトモードであるので、暗い階調値を指定するにつれて、１水平走査期間の開始時から
スイッチ２６０をオンする期間が長くなるように、スイッチ制御信号を生成すれば良いこ
とになる。

ところで、表示ムラは、画素容量１３０の電圧変化に対して階調変化の大きな領域、す
なわち、画素を中間階調である灰色表示とさせる場合に発生しやすい。本実施形態におい
て、多数の画素を灰色表示とさせるような場合、当該灰色領域にかかるデータ線２１１同
士は、１水平走査期間において途中まで基準電圧Ｖcに保たれるので、データ線２１１と
第１コモン電極１１１、第２コモン電極１１２とで発生する電界について、データ線同士
のばらつきを抑えることができる。このため、本実施形態によれば、データ線２１１およ
び第１コモン電極１１１または第２コモン電極１１２で発生する電界が画素容量１３０で
発生させるべき電界に与える影響は、表示パターンに依存することなく各画素にわたって
均一化される方向に向かうので、無駄な電力消費を抑えつつ、上記表示ムラの発生を抑え
ることが可能となる。

上述した第１実施形態では、表示ムラを抑えつつ、回路構成の簡略化を図るために、第
１コモン電極１１１にランプ信号Ｖcom1を、第２コモン電極１１２にランプ信号Ｖcom2を
、それぞれ印加するとともに、走査線３１１の選択時において画素の階調に応じた期間だ
けスイッチ２６０をオンさせて、データ線２１１を電圧Ｖcに確定させ、その後、当該デ
ータ線２１１をハイ・インピーダンス状態にする構成とした。
本発明は、この構成に限られず、走査線３１１の選択時において、第１コモン電極１１
１、第２コモン電極１１２をそれぞれ一定の電圧に保つとともに、階調に応じた電圧をデ
ータ線２１１に印加する構成としても良い。ただし、第１コモン電極１１１、第２コモン
電極１１２を同一電圧に保つと、当該同一電圧に対して高位側（正極性）電圧と低位側（
負極性）電圧とを同時に印加することになるので、電圧範囲が広くなり、回路の簡略化を
図ることができない。

そこで、図５に示されるように、表示領域１００については図１に示した構成から変更
を加えないで、第１コモン電極１１１、第２コモン電極１１２に印加する電圧を変更する
とともに、１〜２４０列のデータ線２１１に対し、階調に応じた電圧を直接データ線２１
１に印加するデータ線駆動回路２３０とした構成としても良い。

詳細には、コモン電圧生成回路４４０は、第１コモン電極１１１に対し、図６に示され
るように、フレーム信号ＦＲがＨレベルであれば電圧Ｖmとなり、フレーム信号ＦＲがＬ
レベルであれば電圧Ｖpとなるコモン信号ＬＣcom1を印加する。ここで、電圧Ｖp、Ｖmは
、Ｖp＞Ｖmであり、電圧Ｖcを基準に互いに対称な関係にある。
また、コモン電圧生成回路４４０は、第２コモン電極１１２に対し、電圧Ｖcを基準に
して、コモン信号ＬＣcom1を反転させたコモン信号ＬＣcom2を印加する。

一方、本実施形態において極性指示信号Ｐolは、図６に示されるように、１垂直走査期
間（１Ｆ）内では、１水平走査期間（１Ｈ）毎に極性反転するとともに、隣接する１垂直
走査期間（１Ｆ）同士において同一の水平走査期間に着目しても極性反転の関係となる。
また、上記フレーム信号ＦＲは、１垂直走査期間（１Ｆ）に論理レベルが反転する信号で
あり、詳細には、１垂直走査期間（１Ｆ）の開始時において極性指示信号ＰolがＨレベル
であれば、当該１垂直走査期間（１Ｆ）にわたってＨレベルとなり、１垂直走査期間（１
Ｆ）の開始時において極性指示信号ＰolがＬレベルであれば、当該１垂直走査期間（１Ｆ
）にわたってＬレベルとなる。

図５において、データ線駆動回路２３０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列
に対応した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域では、それぞれ対応する画素の階調
値（明るさ）を指定する階調データＤaが記憶される点までは、図１におけるデータ側制
御回路２５０と共通である。
ただし、データ線駆動回路２３０は、第１に、走査線駆動回路３５０によって、あるｉ
行の走査線３１１が選択されるとき、制御信号ＣntXにしたがって当該走査線に位置する
画素の階調データＤaの１行分を事前に読み出し、第２に、極性指示信号ＰolがＨレベル
であれば、読み出した１行分のうち、奇数ｊ列のものに対しては、当該奇数ｊ列の階調デ
ータＤaで指定された電圧だけ、電圧Ｖmを基準に高位側のアナログ電圧信号に変換し、偶
数（ｊ＋１）列のものに対しては、当該偶数（ｊ＋１）ｊ列の階調データＤaで指定され
た電圧だけ、電圧Ｖpを基準に低位側のアナログ電圧信号に変換する一方、極性指示信号
ＰolがＬレベルであれば、読み出した１行分のうち、奇数ｊ列のものに対しては、当該奇
数ｊ列の階調データＤaで指定された電圧だけ、電圧Ｖpを基準に低位側のアナログ電圧信
号に変換し、偶数（ｊ＋１）列のものに対しては、当該偶数（ｊ＋１）ｊ列の階調データ
Ｄaで指定された電圧だけ、電圧Ｖmを基準に高位側のアナログ電圧信号に変換して、第３
に、それぞれ走査信号ＹｉがＨレベルとなるのに合わせて、対応するデータ線２１１にデ
ータ信号として一斉に供給するものである。

なお、１、２、３、…、２４０列目のデータ線２１１に供給されるデータ信号を、それ
ぞれＤ１、Ｄ２、Ｄ３、…、Ｄ２４０と表記し、特に列を特定しないで一般的に説明する
場合に、奇数列のデータ信号をＤｊと表記し、偶数列のデータ信号をＤ（ｊ＋１）と表記
する。
図７は、このようなデータ信号Ｄｊ、Ｄ（ｊ＋１）の信号波形を、極性指示信号Ｐolと
の関係において示す図である。図７においては、Ｙ側の走査信号Ｙ１〜Ｙ３２０等と、Ｘ
側のデータ信号Ｄｊ、Ｄ（ｊ＋１）との縦方向の電圧スケールを、便宜的に異ならせてあ
る。

次に、このような構成にかかる電気光学装置１０における書き込みについて説明する。
フレーム信号ＦＲがＨレベルである１垂直走査期間では、第１コモン電極１１１に供給
されるコモン信号ＬＣcom1の電圧はＶmとなり、第２コモン電極１１２に供給されるコモ
ン信号ＬＣcom2の電圧はＶpとなる。
また、この１垂直走査期間（１Ｆ）の最初の水平走査期間（１Ｈ）において、走査線駆
動回路３５０によって走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行目の画素におけるＴＦＴ２
４１がオンする。

このとき、極性指示信号ＰolはＨレベルであるので、奇数ｊ列目のデータ線２１１につ
いては、１行ｊ列の画素の階調データＤaで指定された電圧だけ、電圧Ｖmを基準に高位側
としたデータ信号Ｄｊが供給される。したがって、１行ｊ列の画素電極２３１にはデータ
信号Ｄｊが印加され、第１コモン電極１１１にはコモン信号ＬＣcom1の電圧Ｖmが印加さ
れているので、１行ｊ列の画素容量１３０には、画素電極２３１を高位側として、当該画
素の階調値に応じた電圧が印加されることになる。
また、奇数（ｊ＋１）列目のデータ線２１１については、１行（ｊ＋１）列の画素の階
調データＤaで指定された電圧だけ、電圧Ｖpを基準に低位側としたデータ信号Ｄ（ｊ＋１
）が供給される。したがって、１行（ｊ＋１）列の画素電極２３１にはデータ信号Ｄ（ｊ
＋１）が印加され、第２コモン電極１１２には電圧Ｖpが印加されているので、１行ｊ列
の画素容量１３０には、画素電極２３１を低位側として、当該画素の階調値に応じた電圧
が印加されることになる。
ここでは、ｊ列および（ｊ＋１）列の画素で代表して説明したが、１行目に位置する１
〜２４０列のすべてについて、それぞれ、対応する画素の階調データＤaを変換したアナ
ログの電圧が印加されることになる。

次の水平走査期間（１Ｈ）において、走査信号Ｙ２がＨレベルになると、２行目の画素
におけるＴＦＴ２４１がオンする。
このとき、極性指示信号ＰolはＬレベルであるので、奇数ｊ列目のデータ線２１１につ
いては、２行ｊ列の画素の階調データＤaで指定された電圧だけ、電圧Ｖpを基準に低位側
としたデータ信号Ｄｊが供給される。
したがって、２行ｊ列の画素電極２３１にはデータ信号Ｄｊが印加され、また、２行ｊ
列の画素には、コモン信号ＬＣcom2の電圧Ｖpが印加された第２コモン電極１１２が対応
するので、２行ｊ列の画素容量１３０には、画素電極２３１を低位側として、当該画素の
階調値に応じた電圧が印加されることになる。
また、奇数（ｊ＋１）列目のデータ線２１１については、２行（ｊ＋１）列の画素の階
調データＤaで指定された電圧だけ、電圧Ｖmを基準に高位側としたデータ信号Ｄ（ｊ＋１
）が供給される。したがって、２行（ｊ＋１）列の画素電極２３１にはデータ信号Ｄ（ｊ
＋１）が印加され、２行（ｊ＋１）列の画素には、コモン信号ＬＣcom1の電圧Ｖmが印加
された第１コモン電極１１１が対応するので、２行（ｊ＋１）列の画素容量１３０には、
画素電極２３１を高位側として、当該画素の階調値に応じた電圧が印加されることになる
。
ここでは、ｊ列および（ｊ＋１）列の画素で代表して説明したが、２行目に位置する１
〜２４０列のすべてについて、それぞれ、対応する画素の階調データＤaを変換したアナ
ログの電圧が印加されることになる。

以降同様な動作が、走査信号Ｙ３２０がＨレベルとなるまで、繰り返される。さらに、
次の１垂直走査期間においても、各画素では、極性が反転した書き込みが実行される。
このため、図５に示した構成においても、行方向のみならず、列方向においても書込極
性が反転したドット反転となるので、フリッカーが視認されにくくすることが可能となる
。また、この構成では、第１コモン電極１１１および第２コモン電極１１２に印加するコ
モン信号ＬＣcom1、ＬＣcom2の電圧を１垂直走査期間毎に互いに対称となるように反転さ
ながら変化させているので、データ信号Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、…、Ｄ２４０が取り得る電圧
範囲は、ＶmからＶpまでの範囲で済む。
仮に、第１コモン電極１１１および第２コモン電極１１２に印加する電圧をＶcで一定
に保つ構成にすると、データ信号Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、…、Ｄ２４０が取り得る電圧範囲が
ＶssからＶddまで拡大してしまう。このため、図５に示した構成によれば電圧範囲が半分
で済むことになるので、回路構成の簡略化を図ることができるのである。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図８は、第２実施形態に係る電気光学
装置の構成を示すブロック図である。また、図９（ａ）は、第２実施形態における画素の
構成を示す平面図であり、図９（ｂ）は、画素の電気的な構成を示す図である。
この図に示される構成が、図１に示した第１実施形態と相違する点は、第１画素１２１
および第２画素１２２の区別がなく、１つの画素１２０が、第１画素容量１３１と第２画
素容量１３２との２つを有する点にある。
すなわち、図９（ａ）または図９（ｂ）に示されるように、第１画素容量１３１は、第
１コモン電極１１１と絶縁層（図示省略）を介して積層された画素電極２３１とからなり
、第２画素容量１３２は、第２コモン電極１１２と絶縁層を介して積層された画素電極２
３１とからなる。このため、表示領域１００においては、各画素１２０に対し、第１コモ
ン電極１１１および第２コモン電極１１２が配設されている。
なお、ランプ信号生成回路４５０が、第１コモン電極１１１にランプ信号Ｖcom1を供給
し、第２コモン電極１１２にランプ信号Ｖcom2を供給する点については、図１に示した第
１実施形態と同様である。ただし、第２実施形態におけるランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2の電
圧波形は、次のように第１実施形態とは異なる。

すなわち、ランプ信号生成回路４５０は、図１０に示されるように、極性指示信号Ｐol
がＨレベルとなる１水平走査期間（１Ｈ）では、ランプ信号Ｖcom1の電圧をＶcからＶmin
まで直線的に低下させ、ランプ信号Ｖcom2の電圧をＶmaxからＶcまで直線的に低下させる
一方、反対に、極性指示信号ＰolがＬレベルとなる１水平走査期間（１Ｈ）では、ランプ
信号Ｖcom1の電圧をＶcからＶmaxまで直線的に上昇させ、ランプ信号Ｖcom2の電圧をＶmi
nからＶcまで直線的に上昇させる。したがって、ランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2は、電圧Ｖc
を基準に対称ではなく、両者の電位差が常に一定となるように変化する。
なお、第２実施形態において、走査線駆動回路３５０およびデータ側制御回路２５０に
ついての動作自体は第１実施形態と同様であり、それぞれ図３および図４に示した波形と
同じものを出力する。

ここで、図１２は、表示領域１００を、Ｙ方向に沿って、第１画素容量１３１および第
２画素容量１３２を含むように破断した場合の部分断面図である。
この図に示されるように、表示領域１００では、素子基板２０１と対向基板３０１とに
よって液晶１０５を挟持した構成となっている。この液晶１０５は垂直配向型である。

素子基板２０１の対向面には、透明性を有する第１コモン電極１１１が設けられるとと
もに、反射性を有する第２コモン電極１１２が樹脂層２４６を介して設けられる。さらに
、画素電極２３１が、第１コモン電極１１１および第２コモン電極１１２に対し、絶縁層
２５１を介して積層されている。ここで、第２画素容量１３２における液晶層の厚み（セ
ルギャップ）は、第１画素容量１３１の約半分となっている。換言すれば、第１画素容量
１３１のセルギャップは、第２画素容量１３２のセルギャップの約２倍となっている。

素子基板２０１における背面側（透過光の入射側）には偏光子２９１が設けられ、同様
に、対向基板３０１における背面側（観察側）には偏光子３９１が設けられる。
なお、図１２では、偏光子２９１と素子基板２０１とは離間しているが、実際には、偏
光子２９１は、素子基板２０１に貼付される。同様に、偏光子３９１と対向基板３０１と
は離間しているが、実際には、偏光子３９１は、対向基板３０１に貼付される。
また、素子基板２０１の対向面には、画素電極２３１を覆うように、また、対向基板３
０１の側では、対向面を覆うように、それぞれ液晶分子の初期配向を規定する配向膜が設
けられているが、図示省略されている。
なお、図１２は、電圧が印加されていない状態の偏光状態を示している。

ここで例えば、素子基板２０１側の初期配向方向が図１２において紙面鉛直方向（Ｘ方
向）となるように、素子基板２０１側の配向膜がラビング処理されるとともに、偏光子２
９１の透過軸が同Ｘ方向に設定される一方、対向基板３０１側の初期配向方向が紙面鉛直
方向（Ｘ方向）となるように、素子基板２０１側の配向膜がラビング処理されるとともに
、偏光子３９１の透過軸が紙面横方向（Ｙ方向）に設定される。

この設定により、第１画素容量１３１において、電圧無印加状態では、素子基板２０１
の側から入射した自然光は、偏光子２９１によってＸ方向の偏光成分のみが透過する。こ
の透過光は、複屈折効果を受けないので、偏光子３９１を通過することができない。一方
、第１画素容量１３１において保持される電圧が高まるにつれて、液晶分子の長軸方向が
電界方向（図１２においてＹ方向）と直交する方向にむかって平面回転するので、素子基
板２０１の背面側からの入射光は、液晶分子の回転角に応じた量だけ、偏光子３９１を透
過する。すなわち、第１画素容量１３１は、保持電圧がゼロでは透過光量が最も少なく、
保持電圧が高くなるにつれて、透過光量が多くなって明るくなる（ノーマリーブラックモ
ード）。

一方、第２画素容量１３２では、対向基板３０１の側から入射した自然光は、偏光子３
９１によってＹ方向の偏光成分のみが透過する。ここで、第２画素容量１３２のセルギャ
ップは、第１画素容量１３１のセルギャップの約半分であるので、第２コモン電極１１２
で反射して、再び偏光子３９１に到達した光は、第２画素容量１３２に保持された電圧が
ゼロであれば、その偏光方向が偏光子３９１の透過軸に対して平行なＹ方向であり、偏光
子３９１を透過する。一方、第２画素容量１３２において保持される電圧が高まるにつれ
て、複屈折効果により、偏光子３９１を通過する光量が少なくなる。すなわち、第２画素
容量１３２は、保持電圧がゼロでは反射光量が最も多く、保持電圧が高くなるにつれて、
反射光量が少なくなって暗くなる（ノーマリーホワイトモード）。

このように、第２施形態における画素１２０は、ノーマリーブラックモードであって透
過型の第１画素容量１３１と、ノーマリーホワイトモードであって反射型の第２画素容量
１３２とが併存する構成となっている。

第２実施形態において、極性指示信号Ｐolは、Ｈレベルであれば、第１画素容量１３１
に対しては画素電極２３１を高位側とする正極性書込を指定し、第２画素容量１３２に対
しては画素電極２３１を低位側とする負極性書込を指定する一方、Ｌレベルであれば、第
１画素容量１３１に対しては極性書込を指定し、第２画素容量１３２に対しては正極性書
込を指定するが、波形自体は、図６（図７）と同様である。
ここで、図１１に示されるように、極性指示信号ＰolがＨレベルである場合に、走査信
号ＹｉがＨレベルとなっている１水平走査期間（１Ｈ）において、ｉ行ｊ列の画素１２０
のうち、第１画素容量１３１には、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間におけるラン
プ信号Ｖcom1とＶcとの差電圧が、画素電極２３１を高位側として書き込まれる一方、第
２画素容量１３２には、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間におけるランプ信号Ｖco
m2とＶcとの差電圧が、画素電極２３１を低位側として書き込まれる。

第１画素容量１３１は、ノーマリーブラックモードであるので、保持されるランプ信号
Ｖcom1とＶcとの差電圧は、当該第１画素容量１３１での透過量を多くさせる成分である
。一方、第２画素容量１３２は、ノーマリーホワイトモードであるので、保持されるラン
プ信号Ｖcom2とＶcとの差電圧は、当該第２画素容量１３２での反射量を少なくさせる成
分である。
ここで、ランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2は、その電圧差が常に一定となるように変化するの
で、第１画素容量１３１で保持される差電圧と、第２画素容量１３２で保持される差電圧
とは、いわゆるトレードオフの関係、すなわち、一方が大きくなると他方が小さくなり、
一方が小さくなると他方が大きくなる関係にある。
このため、第２実施形態では、スイッチ２６０がオフした瞬間に、第１画素容量１３１
および第２画素容量１３２でそれぞれ差電圧が保持されたとき、当該第１画素容量１３１
および第２画素容量１３２とは、互いに透過率・反射率がほぼ同じとなる、すなわち互い
にほぼ同じ階調となる。
なお、このように極性指示信号ＰolがＨレベルであれば、第１画素容量１３１では画素
電極２３１側が高位となり、第２画素容量１３２では画素電極２３１側が低位となる書き
込みとなるが、極性指示信号ＰolがＬレベルであれば、第１画素容量１３１では画素電極
２３１側が低位となり、第２画素容量１３２では画素電極２３１側が高位となる書き込み
になる。

第２実施形態によれば、ランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2は、両者の電位差が一定となるよう
に電圧が変化するので、第１コモン電極１１１および第２コモン電極１１２同士において
容量が寄生しても、両電極が電圧変化に伴って当該寄生容量で電力が消費されることはな
い。
さらに、第２実施形態によれば、１つの画素１２０において透過型と反射型とが併存す
るので、暗所では透過型によって、明所では反射型によって、それぞれ良好な視認性を有
する画像表示が可能となる。

さらに、第２実施形態によれば、第１画素容量１３１をノーマリーブラックモードの透
過型とし、第２画素容量１３２をノーマリーホワイトモードの反射型としているので、素
子基板２０１と偏光子２９１との間、および、対向基板３０１と偏光子３９１との間にそ
れぞれ１／４波長板を介挿しなくても良い。
すなわち、透過型と反射型とを併存した構成において、透過型および反射型の画素容量
を、ノーマリーブラックモードまたはノーマリーホワイトモードのいずれか一方で統一し
た構成では、図１８に示されるように、素子基板２０１と偏光子２９１との間に、当該偏
光子２９１を通過した直線偏光を円偏光に変換する１／４波長板２９３を介挿し、さらに
、対向基板３０１と偏光子３９１との間に、当該偏光子３９１を通過した直線偏光を円偏
光に変換する一方、第２コモン電極１１２で反射して液晶１０５を通過した円偏光を直線
偏光に変換する１／４波長板３９３を介挿する必要があるが、本実施形態では、１／４波
長板２９３、３９３が不要となり、その分、構成の簡易化を図ることができる。

なお、上述した第２実施形態では、第１画素容量１３１を透過型とし、第２画素容量１
３２を反射型としたが、これを入れ替えて、第１画素容量１３１を反射型とし、第２画素
容量１３２を透過型としても良い。同様に、第１画素容量１３１をノーマリーブラックモ
ードとし、第２画素容量１３２をノーマリーホワイトモードとしたが、これを入れ替えて
、第１画素容量１３１をノーマリーブラックモードとし、第２画素容量１３２をノーマリ
ーホワイトモードとしても良い。

ところで、第２実施形態においては、一行分の画素１２０では、第１画素容量１３１が
第１コモン電極１１１に対応し、第２画素容量１３２が第２コモン電極１１２に対応する
構成としたが、図１３および図１４に示されるように、１列毎に、対応するコモン電極の
関係を交互に入れ替える構成としても良い。
すなわち、これらの図に示されるように、例えばｉ行ｊ列の画素１２０において、第１
画素容量１３１が第１コモン電極１１１に対応し、第２画素容量１３２が第２コモン電極
１１２に対応する構成であるならば、同一のｉ行であって列方向に隣接するｉ行（ｊ＋１
）列の画素１２０については、第１画素容量１３１が第２コモン電極１１２に対応し、第
２画素容量１３２が第１コモン電極１１１に対応する構成となり、また、同一列であって
行方向に隣接する（ｉ＋１）行ｊ列の画素１２０についても、第１画素容量１３１が第２
コモン電極１１２に対応し、第２画素容量１３２が第１コモン電極１１１に対応する構成
となる。
なお、第１画素容量１３１がノーマリーブラックモードの透過型とし、第２画素容量１
３２がノーマリーホワイトモードの反射型である点については、第２実施形態と共通であ
る。

このように１列毎に、対応するコモン電極の関係を入れ替えた構成において、図１０に
示されるようなランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2をそれぞれ第１コモン電極１１１、第２コモン
電極１１２に供給するとともに、図１１に示されるようなスイッチ制御信号を出力させる
と、行および列方向に隣接する画素１２０において、第１画素容量１３１および第２画素
容量１３２の書込極性が反転した関係となる。例えばｉ行ｊ列の画素１２０において、第
１画素容量１３１が正極性書込であり、第２画素容量１３２が負極性書込であるとすると
、行方向に隣接する（ｉ＋１）行ｊ列の画素、および、列方向に隣接するｉ行（ｊ＋１）
列の画素では、第１画素容量１３１が負極性書込となり、第２画素容量１３２が正極性書
込となる。このため、第２実施形態において、さらにフリッカーの発生を抑えることも可
能となる。
なお、フリッカーの発生を抑えることが可能である、ということは、換言すれば、垂直
走査（フレーム）周波数を高く設定しないで済む、ということになるので、低消費電力化
を図ることも可能となる。

＜第３実施形態＞
上述した第１実施形態（図１）および第２実施形態（図８）では第１コモン電極１１１
、第２コモン電極１１２に、それぞれランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2を常時供給する構成とし
た。各列のデータ線は、１水平走査期間の開始時から階調値に応じた期間だけ一定の電圧
に保たれるが、コモン電極に供給されるランプ信号の電圧は時間的に変化するので、コモ
ン電極とデータ線２１１とに寄生する容量によって電力が無駄に消費されてしまう。そこ
で、この寄生容量で消費されてしまう点を改善した第３実施形態について説明する。

図１５は、本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図であり、
ある走査線３１１に選択電圧Ｖddが印加された期間において、当該走査線３１１に対応す
る第１コモン電極１１１および第２コモン電極１１２だけにランプ信号を印加し、他のコ
モン電極についてはハイ・インピーダンス状態とさせるようとするものである。
この図に示される構成が、図１に示した第１実施形態と相違する点は、おもに、各行で
共通であった第１コモン電極１１１、第２コモン電極１１２が行毎に独立している点と、
これらの独立したコモン電極の各々に、コモン側スイッチとして機能させるＴＦＴ３６０
が設けられている点とにある。
ここで、ＴＦＴ３６０は、ｎチャネル型であり、画素におけるＴＦＴ２４１と共通プロ
セスによって形成される。さらに、奇数行に対応するＴＦＴ３６０のドレインは、対応す
る第１コモン電極１１１に接続され、そのソースは、ランプ信号Ｖcom1が出力される信号
線に接続される一方、偶数行に対応するＴＦＴ３６０のドレインは、対応する第２コモン
電極１１２に接続され、そのソースは、ランプ信号Ｖcom2が出力される信号線に接続され
ている。

奇数ｉ行目に対応する第１コモン電極１１１は、１行前の偶数（ｉ−１）行目にも対応
し、偶数（ｉ＋１）行目に対応する第２コモン電極１１２は、１行前の奇数ｉ行目にも対
応する。このため、各行には、ＯＲ回路３７０も設けられ、このうち、奇数ｉ行目に対応
するＯＲ回路３７０は、走査信号Ｙｉと１行前の走査信号Ｙ（ｉ−１）との論理和信号を
求めて、当該ｉ行目に対応するＴＦＴ３６０のゲートに供給し、偶数（ｉ＋１）行目に対
応するＯＲ回路３７０は、走査信号Ｙ（ｉ＋１）と１行前の走査信号Ｙｉとの論理和信号
を求めて、当該（ｉ＋１）行目に対応するＴＦＴ３６０のゲートに供給する。
ただし、最初の１行目の前には走査線が存在しないので、１行目のＴＦＴ３６０のゲー
トには、走査信号Ｙ１だけが供給される。また、最終の３２０行目の後にも走査線が存在
しないので、３２０行偶数列の画素に対応する第１コモン電極１１１をオンオフさせるＴ
ＦＴ３６０のゲートには、走査信号Ｙ３２０だけが供給される。

この構成によれば、ある１行の走査線３１１に選択電圧Ｖddが印加されると、当該走査
線に対応する１または２個のＴＦＴ３６０だけがオン状態になり、他のＴＦＴ３６０はオ
フ状態となる。
このため選択電圧Ｖddが印加されて、書き込みが実行される走査線３１１に対応するコ
モン電極（第１コモン電極１１１または／および第２コモン電極１１２）だけがランプ信
号の電圧に確定し、書き込みが実行されない他のコモン電極は、ハイ・インピーダンス状
態となる。
ハイ・インピーダンス状態のコモン電極では、データ線２１１が電圧変化しても寄生容
量によって同一方向に同量だけ電圧変化するので、第３実施形態によれば、第１コモン電
極１１１、第２コモン電極１１２とデータ線２１１との寄生容量によって電力が無駄に消
費されてしまうことを防止することが可能となる。
なお、非選択時においては、ＴＦＴ２４１もオフであるので、画素電極２３１の電位も
、当該画素電極２３１に対応する第１コモン電極１１１または第２コモン電極１１２の一
方の電位変化に伴って同様に変化する。このため、保持された差電圧が変動してしまうこ
とはない。

また、走査線３１１が、ＴＦＴ２４１をオンさせるＨレベルからオフさせるＬレベルに
変化するとき、当該ＴＦＴ２４１のゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して、オフする
瞬間にドレイン（画素電極２３１）の電位が変化する現象（プッシュダウン、突き抜け、
フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する場合がある。
液晶の劣化を防止するため、画素容量では交流駆動が原則であるので、高位側（正極性
）と低位側（負極性）とで交互書き込みをするが、プッシュダウンによる電圧変化は、負
極性書込の方が正極性書込よりも大きいので、同一階調で正極性・負極性書込をしても画
素容量１３０の電圧実効値が互いに等しくならず、このままでは、直流成分が印加されて
しまうようにみえる。
しかしながら、第３実施形態では、第１コモン電極１１１、第２コモン電極１１２をそ
れぞれＴＦＴ２４１と同じ型のＴＦＴ３６０によって同時にオン／オフさせるので、ＴＦ
Ｔ２４１がオフしたときに現れる画素電極２３１の電圧変化と同時に同一方向に同量だけ
、第１コモン電極１１１、第２コモン電極１１２の電位も変化する。このため、ＴＦＴ２
４１がオフする瞬間における画素電極２３１の電位変動による影響は、ＴＦＴ３６０がオ
フする瞬間におけるコモン電極の電位変動によって相殺されるので、第１画素容量１３１
、第２画素容量１３２に直流成分が印加されるのを防止することが可能となる。

図１５は、第１実施形態（図１参照）に対し、非選択の走査線３１１に対応する第１コ
モン電極１１１、第２コモン電極１１２をハイ・インピーダンス状態とするための構成で
あるが、第２実施形態（図８参照）においても、非選択の走査線３１１に対応する第１コ
モン電極１１１および第２コモン電極１１２をハイ・インピーダンス状態とする構成とし
ても良い。
第２実施形態では、各行の走査線３１１に対応して、第１コモン電極１１１および第２
コモン電極１１２が設けられるので、図１６に示されるように、各行においては、対応す
る走査信号がＨレベルとなったときにオンして、第１コモン電極１１１にランプ信号Ｖco
m1を供給するＴＦＴ３６１と、対応する走査信号がＨレベルとなったときにオンして、第
２コモン電極１１２にランプ信号Ｖcom2を供給するＴＦＴ３６２とが設けられる。

なお、図１３および図１４に示されるように第１コモン電極１１１および第２コモン電
極１１２を形成した構成においても、特に図示はしないが、ある行の走査線３１１に選択
電圧が印加されたときに、当該選択走査線に対応する第１コモン電極１１１および第２コ
モン電極１１２がオンするように、図１６に示したようなＯＲ回路３７０を設けて、その
論理和信号を当該行に対応するＴＦＴ３６１、３６２のゲートに供給しても良い。
なお、図１５および図１６に示される構成では、走査線に対応するコモン電極（第１コ
モン電極、第２コモン電極）は、対応する走査線が選択された場合だけオンさせる構成と
したが、非選択の期間であっても、ノイズ等による電位変動を抑えるべく、一定の間隔で
オンさせても良い。

上述した第１乃至第３実施形態において、ランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2の電圧は、１行の
走査線３１１に選択電圧が印加される１水平走査期間（１Ｈ）において、直線的に下降ま
たは上昇する構成であったが、これに限らず、例えばステップ（階段）状や、弓状、指数
または対数関数的に、下降または上昇するような特性であっても良い。要は、ランプ信号
の電圧変化特性については、液晶の電圧−透過（反射）率に合わせて、１行の走査線３１
１に選択電圧が印加される１水平走査期間の少なくとも一部の期間にわたって電圧の減少
率または増加率が０以上となるような特性であれば良い。１水平走査期間の残りの他の期
間、例えば１水平走査期間の開始前後の一方または両方の短い期間は、ランプ信号を安定
させる等の目的で所定の一定電圧にしても良い。

また、各実施形態では、第１コモン電極または第２コモン電極の上に絶縁層を介して画
素電極２３１を積層する構成としたが、コモン電極についても、画素電極２３１と対向す
るような櫛歯形状としても良い。
また、上述した実施形態では、同一画素についての書込極性の変更周期を１垂直走査期
間（１フレーム）としたが、その理由は、画素容量に対して直流成分の印加を防止するた
めなので、その反転については２以上のフレーム周期としても良い。
また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行
うとしても良い。

次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器につ
いて説明する。図１７は、実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の
構成を示す斜視部である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである
。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００以外の構成要素については電話器に内
蔵されるので、外観としては現れない。

電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１７に示される携帯電話の他にも
、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（または
モニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓
、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備
えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述し
た電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。そして、いずれの電子機器
においても、構成を簡略化して、表示ムラを抑えた品位の高い表示が実現されることにな
る。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。 同電気光学装置における走査信号、ランプ信号を示す図である。 同電気光学装置におけるスイッチ制御信号等を示す図である。 第１実施形態に係る電気光学装置の別構成を示す図である。 同別構成におけるコモン信号等を示す図である。 同別構成におけるデータ信号等を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。 同電気光学装置におけるランプ信号を示す図である。 同電気光学装置におけるスイッチ制御信号等を示す図である。 同電気光学装置における光路を示す図である。 第２実施形態に係る画素の別構成を示す図である。 同別構成における画素の配置を示す図である。 本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 第３実施形態に係る電気光学装置の別構成を示す図である。 実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話の構成を示す図である。 比較例に係る画素の光路を示す図である。

符号の説明

１０…電気光学装置、１００…表示領域、１１１…第１コモン電極、１１２…第２コモ
ン電極、１２０…画素、１２１…第１画素、１２２…第２画素、１３０…画素容量、１３
１…第１画素容量、１３２…第２画素容量、２１１…データ線、２３１…画素電極、２４
１…ＴＦＴ、２３０…データ線駆動回路、２５０…データ側制御回路、３１１…走査線、
３５０…走査線駆動回路、３６０、３６１、３６２…ＴＦＴ、４００…走査制御回路、４
５０…ランプ信号生成回路、１２００…携帯電話

Claims (11)

1. 複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素を備えた電気
   光学装置であって、
   前記走査線に対応して設けられた複数のコモン電極を有し、
   前記複数のコモン電極のうち少なくとも１つと対向する画素電極と、
   前記データ線と前記画素電極との間にて前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通
   状態となるスイッチング素子と、
   を含む画素と、
   前記複数の走査線を所定の順番で選択して前記選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
   前記複数のコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間において互いに異なる電
   圧を印加し、
   前記選択電圧が印加された走査線に位置する画素の前記画素電極と、前記複数のコモン
   電極のうち、当該画素電極に対向するコモン電極との電位差を、当該画素の階調に応じて
   制御するデータ線駆動回路と、
   を備えることを特徴とする電気光学装置。
2. １つの走査線に第１および第２コモン電極が対応して設けられ、
   前記画素は、
   前記画素電極に前記第１コモン電極が対向する第１画素と、前記画素電極に前記第２コ
   モン電極が対向する第２画素とに分類され、
   前記第１および第２画素は、前記走査線または前記データ線の形成方向に対して交互に
   配置する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記複数の走査線の各々には、それぞれ第１および第２コモン電極が対応して設けられ
   、
   前記画素は、
   前記画素電極と前記第１コモン電極とを含む第１画素容量と、
   前記画素電極と前記第２コモン電極とを含む第２画素容量と、
   を有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記複数の走査線の各々には、それぞれ第１および第２コモン電極が対応して設けられ
   、
   前記画素電極および前記第１コモン電極を含む第１画素容量と、前記画素電極および前
   記第２コモン電極を含む第２画素容量と、を有する画素と、
   前記画素電極および前記第２コモン電極を含む第１画素容量と、前記画素電極および前
   記第１コモン電極を含む第２画素容量と、を有する画素と、
   が前記走査線または前記データ線の形成方向に対して交互に配置する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
5. 前記第１画素容量は、保持電圧が高くなるにつれて明るくなるように設定され、
   前記第２画素容量は、保持電圧が高くなるにつれて暗くなるように設定された
   ことを特徴とする請求項３または４に電気光学装置。
6. 前記第１画素容量が透過モード、前記第２画素容量が反射モードを有するか、または、
   前記第１画素容量が反射モード、前記第２画素容量が透過モードを有する
   ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記複数のコモン電極に対し、それぞれ時間的に一様な方向に電圧が変化するランプ信
   号を、互いに電圧を異ならせて印加し、
   前記データ線駆動回路は、
   前記複数のデータ線の各々に対応して設けられるとともに、一端が前記データ線に接続
   される一方、他端が所定の基準電位に共通に保たれた複数のデータ側スイッチと、
   前記走査線に選択電圧が印加された期間において、前記データ側スイッチを、当該選択
   電圧が印加された走査線と当該データ側スイッチのデータ線との交差に対応する画素の階
   調に応じた期間だけオン状態とし、この後、当該データ側スイッチをオフ状態に制御する
   データ側制御回路と、
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
8. 前記複数のコモン電極に対し、前記選択電圧が印加された走査線に対応する第１および
   第２コモン電極に対し、当該選択電圧が印加される期間にわたって互いに異なる電圧を印
   加し、
   前記データ線駆動回路は、
   前記選択電圧が印加された走査線に位置する画素に対し、前記複数のコモン電極のうち
   、当該画素の画素電極に対向するコモン電極の電位を基準として、当該画素の階調に応じ
   た電圧を前記データ線に印加する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
9. 前記複数のコモン電極のうち、前記選択電圧が印加されない走査線に対応するコモン電
   極の一部または全部をハイ・インピーダンス状態とさせるコモン側スイッチを、
   さらに有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
10. 複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素を備えた電気
    光学装置の駆動方法であって、
    前記走査線に対応して設けられた複数のコモン電極を有し、
    前記複数のコモン電極のうち少なくとも１つと対向する画素電極と、
    前記データ線と前記画素電極との間にて前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通
    状態となるスイッチング素子と、
    を含む画素と、
    を有する電気光学装置の駆動方法であって、
    前記複数の走査線を所定の順番で選択して前記選択電圧を印加し、
    前記複数のコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間において互いに異なる電
    圧を印加し、
    前記選択電圧が印加された走査線に位置する画素の前記画素電極と、前記複数のコモン
    電極のうち、当該画素電極に対向するコモン電極との電位差を、当該画素の階調に応じて
    制御する
    ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
11. 請求項１乃至９のいずれかに記載の電気光学装置を備える
    ことを特徴とする電子機器。
    

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