JP4277894B2 - 電気光学装置、駆動回路および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶などの電気光学装置における表示むらを抑える技術に関する。

液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容
量）が設けられるが、この画素容量を交流駆動する際にデータ線の電圧振幅を抑えるため
、コモン電極を走査線毎（行毎）に個別化するとともに、走査線が選択されるときに、当
該選択走査線に対応するコモン電極を、書込極性に応じた電圧の給電線にトランジスタを
介して接続する技術が知られている（特許文献１参照）。
特開２００５−３００９４８号公報参照

しかしながら、この技術では、コモン電極を給電線に接続するトランジスタが、自身に
対応する走査線の選択期間ではオンするが、選択されない非選択期間では、オフするので
、当該コモン電極が、電気的に接続されない電圧不確定状態（ハイ・インピーダンス状態
）になる。このため、コモン電極は、寄生容量を介してデータ線の電圧変化が伝搬したり
、ノイズの影響を受けたりするので、電圧変動し、これにより、表示むらが発生してしま
う、という問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、コモン
電極を個別に駆動する構成において、表示むらの発生を抑えることが可能な電気光学装置
、駆動回路および電子機器を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数行の走査線
と、複数列のデータ線と、前記複数行の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と
、前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一
端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択された
ときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端
に接続されるとともに、他端がコモン電極に接続された画素容量と、を含み、当該画素容
量の保持電圧に応じた階調となる画素と、を有する電気光学装置の駆動回路であって、前
記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、前記複数のコモン電極をそれぞれ個
別に駆動するコモン電極駆動回路と、選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素
の階調に応じた電圧のデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、を
具備し、前記コモン電極駆動回路は、奇数行の走査線、または、当該奇数行の走査線から
所定行離間した走査線が選択されたときに、当該奇数行の走査線に対応するコモン電極に
低位側または高位側のいずれか一方の電圧を印加し、当該奇数行の走査線の選択終了後、
または、当該奇数行の走査線から所定行離間した走査線の選択終了後、当該奇数行の走査
線に対応するコモン電極を前記低位側または高位側の電圧に維持し、偶数行の走査線、ま
たは、当該偶数行の走査線から所定行離間した走査線が選択されたときに、当該偶数行の
走査線に対応するコモン電極に低位側または高位側のいずれか他方の電圧を印加し、当該
偶数行の走査線の選択終了後、または、当該偶数行の走査線から所定行離間した走査線の
選択終了後、当該偶数行の走査線に対応するコモン電極を前記低位側または高位側の電圧
に維持することを特徴とする。本発明によれば、コモン電極駆動回路は、走査線の選択、
非選択にかかわらず、各コモン電極を電圧確定状態とするので、コモン電極がノイズ等に
よって電位変動することが防止される。なお、本発明において奇数、偶数とは、交互に配
列する行または列を特定するための相対的な概念に過ぎない。

本発明において、前記コモン電極駆動回路は、前記コモン電極の各々に対応して、第１
乃至第４トランジスタを有し、前記第１トランジスタのゲート電極は、自身に対応する走
査線、または、当該一の走査線から所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が、前
記第３トランジスタをオンまたはオフ状態の一方とさせる電圧が給電される第１給電線に
接続され、前記第２トランジスタのゲート電極は、自身に対応する走査線、または、当該
一の走査線から所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が、前記第４トランジスタ
をオンまたはオフ状態の他方とさせる電圧が給電される第２給電線に接続され、前記第３
トランジスタのゲート電極は、前記第１トランジスタのドレイン電極に接続され、ソース
電極が、低位側または高位側のいずれか一方の電圧が給電される第３給電線に接続され、
前記第４トランジスタのゲート電極は、前記第２トランジスタのドレイン電極に接続され
、ソース電極が、低位側または高位側のいずれか他方の電圧が給電される第４給電線に接
続され、前記第３および第４トランジスタのドレイン電極同士が、前記コモン電極に接続
された構成としても良いし、前記コモン電極の奇数行の各々に対応して、第１および第３
トランジスタを有し、前記コモン電極の偶数行の各々に対応して、第２および第４トラン
ジスタを有し、前記第１トランジスタのゲート電極は、自身に対応する走査線、または、
当該一の走査線から所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が、前記第３トランジ
スタをオンまたはオフ状態の一方とさせる電圧が給電される第１給電線に接続され、前記
第２トランジスタのゲート電極は、自身に対応する走査線、または、当該一の走査線から
所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が、前記第４トランジスタをオンまたはオ
フ状態の他方とさせる電圧が給電される第２給電線に接続され、前記第３トランジスタの
ゲート電極は、前記第１トランジスタのドレイン電極に接続され、ソース電極が、低位側
または高位側のいずれか一方の電圧が給電される第３給電線に接続され、前記第４トラン
ジスタのゲート電極は、前記第２トランジスタのドレイン電極に接続され、ソース電極が
、低位側または高位側のいずれか他方の電圧が給電される第４給電線に接続され、前記第
３トランジスタのドレイン電極が、自身に対応する奇数行のコモン電極に接続され、前記
第４トランジスタのドレイン電極が、自身に対応する偶数行のコモン電極に接続された構
成としても良い。

ここで、前記第１給電線には、前記第３トランジスタをオン状態およびオフ状態とさせ
る電圧が、走査線が選択される毎に反転して供給され、前記第３給電線には、前記低位側
または高位側のいずれかの一方の電圧が少なくとも１フレーム以上の期間にわたって供給
され、前記第４給電線には、前記第３給電線に前記低位側の電圧が供給された場合には、
前記高位側の電圧が供給され、前記第３給電線に前記高位側の電圧が供給された場合には
、前記低位側の電圧が供給される構成としてもよい。
また、前記第１給電線には、前記第３トランジスタをオン状態またはオフ状態とさせる
電圧が、少なくとも１フレーム以上の期間にわたって供給され、前記第３給電線には、前
記低位側および高位側の電圧が、走査線が選択される毎に反転して供給され、前記第４給
電線には、前記第３給電線に前記低位側の電圧が供給された場合には、前記高位側の電圧
が供給され、前記第３給電線に前記高位側の電圧が供給された場合には、前記低位側の電
圧が供給される構成としても良い。
一方、いわゆるドット反転方式とするために、一行の走査線に対応して第１および第２
コモン電極が設けられるとともに、奇数列の画素容量の他端は、前記第１コモン電極に接
続される一方、偶数列の画素容量の他端は、前記第２コモン電極に接続され、前記コモン
電極駆動回路は、一の走査線、または、当該一の走査線から所定行離間した走査線が選択
されたとき、当該一の走査線に対応する第１コモン電極に、低位側または高位側のいずれ
か一方の電圧を印加し、当該一の走査線に対応する第２コモン電極に、低位側または高位
側のいずれか他方の電圧を印加する構成としても良い。

前記コモン電極駆動回路が、前記コモン電極の各々に対応して、第１乃至第４トランジ
スタを有する構成において、さらに第５トランジスタを有し、前記第５トランジスタのゲ
ート電極は、自身に対応する走査線に接続され、ソース電極が、自身に対応するコモン電
極の印加電圧が給電される第５給電線に接続され、ドレイン電極が自身に対応するコモン
電極に接続された構成としても良い。
さらに第６トランジスタを有し、前記第６トランジスタのゲート電極は、自身に対応す
る走査線に接続され、ソース電極が自身に対応するコモン電極に接続され、ドレイン電極
が検出線に接続されて、前記第５給電線には、検出線の電圧が、前記低位側または高位側
のいずれか一方の電圧となるように制御した信号が給電される構成としても良い。
一方、前記コモン電極駆動回路が、前記コモン電極の各々に対応して、第１乃至第４ト
ランジスタを有する構成において、さらに第７および第８トランジスタを有し、前記第７
トランジスタのゲート電極は、自身に対応する走査線に接続され、ソース電極には、前記
第３および第４トランジスタをオフ状態とさせるオフ電圧が給電され、ドレイン電極が第
３トランジスタのゲート電極に接続され、前記第８トランジスタのゲート電極は、自身に
対応する走査線に接続され、ソース電極が、前記オフ電圧が給電され、ドレイン電極が第
４トランジスタのゲート電極に接続された構成としても良い。ここで、前記第７および第
８トランジスタのドレイン電極は、自身に対応するコモン電極に接続されても良い。

なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても概念する
ことが可能である。
このような電気光学装置において、奇数列または偶数列のいずれか一方の画素容量の他
端は、自身に対応するコモン電極に接続され、奇数列または偶数列のいずれか他方の画素
容量の他端は、自身に対応する行に隣接するコモン電極に接続された構成としても良いし
、奇数行奇数列および偶数行偶数列、または、奇数行偶数列および偶数行奇数列のいずれ
か一方の画素容量の他端は、自身に対応するコモン電極に接続され、奇数行奇数列および
偶数行偶数列、または、奇数行偶数列および偶数行奇数列のいずれか他方の画素容量の他
端は、自身に対応する行に隣接するコモン電極に接続された構成としても良い。
また、本発明は、電気光学装置のみならず、当該電気光学装置を有する電子機器として
も概念することが可能である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る
電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００を有し、この表示領域
１００の周辺に、走査線駆動回路１４０、コモン電極駆動回路１７０、データ線駆動回路
１９０が配置した周辺回路内蔵型のパネル構成となっている。また、制御回路２０は、上
記周辺回路内蔵型のパネルとは、例えばＦＰＣ（flexible printed circuit）基板によっ
て接続される。

表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、１行目から３
２０行目までの走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在する一方、２４０列のデータ線１１４
が列（Ｙ）方向に延在するように、それぞれ設けられている。そして、これらの１〜３２
０行目の走査線１１２と１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１
０がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００
において縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの
配列に限定する趣旨ではない。
また、本実施形態では、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して、それぞれコモン電
極１０８がＸ方向に延在して設けられている。このため、コモン電極１０８については、
１〜３２０行目の各走査線１１２に対応してそれぞれ設けられることになる。

ここで、画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す
図であり、ｉ行及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに右方向で隣
接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって
、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的
に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。

図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャ
ネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１
１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０につ
いては互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行
ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続さ
れる一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画
素容量１２０および蓄積容量１３０の一端にそれぞれ接続されている。また、画素容量１
２０の他端および蓄積容量１３０の他端は、それぞれコモン電極１０８に接続されている
。
なお、図２において、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１
１２に供給される走査信号を示し、また、Ｃｉ、Ｃ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１
）行目のコモン電極１０８の電圧を示している。これらの画素容量１２０の光学特性等に
ついては、後述する。

説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種制御信号を出力して電気光学装置１０
における各部の制御等をするものである。ここで制御信号については、適宜後述すること
にする。

表示領域１００の周辺には、上述したように、走査線駆動回路１４０や、コモン電極駆
動回路１７０、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている。
このうち、走査線駆動回路１４０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレー
ムの期間にわたって走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を、それぞれ１、２、３、
…、３２０行目の走査線１１２に供給するものである。詳細には、走査線駆動回路１４０
は、走査線１１２を１行ずつ図１において上から数えて１、２、３、…、３２０行目とい
う順番で選択して、選択した走査線への走査信号を、電圧Ｖddに相当するＨレベルとし、
それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧（接地電位Ｇnd）に相当するＬレベルとする
。
なお、走査線駆動回路１４０は、図４に示されるように、制御回路２０から供給される
スタートパルスＤyを、クロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすること等によって、
走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０を、この順番でＨレベルとさせる。
また、本実施形態において１フレームの期間には、図４に示されるように、走査信号Ｙ
１がＨレベルになってから走査信号Ｙ３２０がＬレベルになるまでの有効走査期間Ｆaの
ほか、それ以外の帰線期間が含まれるが、帰線期間を設けなくても良い。なお、１行の走
査線１１２が選択される期間が水平走査期間（Ｈ）である。

コモン電極駆動回路１７０は、本実施形態では、１〜３２０行目のコモン電極１０８に
対応して設けられたｎチャネル型のＴＦＴ１７１〜１７４の組から構成される。
ＴＦＴ１７１〜１７４の接続については各行にわたって共通なので、ｉ行目で代表して
説明すると、ｉ行目のＴＦＴ１７１（第１トランジスタ）では、そのゲート電極がｉ行目
の走査線１１２に接続され、そのソース電極が第１給電線１６１に接続され、そのドレイ
ン電極がＴＦＴ１７３のゲート電極に接続されている。同じｉ行目のＴＦＴ１７２（第２
トランジスタ）では、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電
極が第２給電線１６２に接続され、そのドレイン電極がＴＦＴ１７４のゲート電極に接続
されている。
一方、ｉ行目のＴＦＴ１７３（第３トランジスタ）のソース電極は、第３給電線１６３
に接続され、同じｉ行目のＴＦＴ１７４（第４トランジスタ）のソース電極は、第４給電
線１６４に接続されて、ＴＦＴ１７３、１７４のドレイン電極同士が、ｉ行目のコモン電
極１０８に接続されている。

データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０により選択される走査線１１２に位
置する画素１１０の階調に応じた電圧であって、極性指定信号Ｐolで指定された書込極性
に応じた電圧のデータ信号を、データ線１１４に供給するものである。
詳細には、データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列の画素マトリクス配列
に対応した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれに対応する画素１１
０の階調値（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。ここで、データ線駆動回
路１９０は、ある走査線１１２が選択されたとき、当該走査線１１２に位置する画素１１
０の表示データＤaを記憶領域から読み出すとともに、当該読み出した表示データで指定
された階調に応じた電圧であって指定された書込極性に応じた電圧に変換し、データ信号
としてデータ線１１４に供給する。この供給動作を、データ線駆動回路１９０は、選択さ
れる走査線１１２に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
なお、記憶領域に記憶される表示データＤaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御
回路２０からアドレスとともに変更後の表示データＤaが供給されて書き換えられる。

また、制御回路２０は、クロック信号Ｃlyの論理レベルが遷移するタイミングにおいて
ラッチパルスＬpをデータ線駆動回路１９０に供給する。上述したように、走査線駆動回
路１４０は、スタートパルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすること等
によって、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０を出力するので、走査線が選
択される期間の開始タイミングは、クロック信号Ｃlyの論理レベルが遷移するタイミング
となる。したがって、データ線駆動回路１９０は、例えばラッチパルスＬpを１フレーム
の期間開始からカウントし続けることによって何行目の走査線が選択されるのかを知り、
さらに、ラッチパルスＬpの供給タイミングによって、その選択の開始タイミングを知る
ことができる。

極性指定信号Ｐolは、本実施形態では、Ｈレベルであれば、奇数（１、３、５、…、３
１９）行の走査線に対して正極性書込を指定し、偶数（２、４、６、…、３２０）行の走
査線に対して負極性書込を指定する一方、Ｌレベルであれば、奇数行の走査線に対して負
極性書込を指定し、偶数行の走査線に対して正極性書込を指定する信号であり、図４に示
されるように、あるフレーム（「ｎフレーム」と表記）の期間にわたってＨレベルに維持
される。このため、本実施形態では、画素への書き込み極性が１行毎に反転する行反転（
ライン反転、走査線反転ともいう）方式となる。なお、極性指定信号Ｐolは、次のフレー
ム（「（ｎ＋１）フレーム」と表記）では、論理反転してＬレベルになるが、このように
書込極性を反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
なお、本実施形態における書込極性については、画素容量１２０に対して階調に応じた
電圧を保持させる際に、画素電極１１８の電位をコモン電極１０８の電位よりも高位側と
する場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。電圧については、特に説明
のない限り、接地電位Ｇndが論理レベルのＬレベルに相当するとともに、電圧ゼロの基準
としている。

また、第１給電線１６１に供給される信号Ｖg-aは、本実施形態では図４に示されるよ
うに、極性指定信号ＰolがＨレベルとなるフレームでは、奇数行の走査線１１２が選択さ
れる期間においてＨレベルとなり、偶数行の走査線１１２が選択される期間においてＬレ
ベルとなる一方、極性指定信号ＰolがＬレベルとなるフレームでは、奇数行の走査線１１
２が選択される期間においてＬレベルとなり、偶数行の走査線１１２が選択される期間に
おいてＨレベルとなる。
なお、第２給電線１６２に供給される信号Ｖg-bは、信号Ｖg-aの論理レベルを反転した
ものである。このため、フレーム単位でみれば、信号Ｖg-a、Ｖg-bは、互いに入れ替わる
関係にある。
ここで、論理レベルのＨレベルは、上述したように電圧Ｖddであり、この電圧ＶddがＴ
ＦＴ１７３、１７４のゲート電極に印加されると、当該ＴＦＴ１７３、１７４のソース・
ドレイン電極間を導通（オン）状態とさせるオン電圧である。また、Ｌレベルは、接地電
位Ｇndであり、ＴＦＴ１７３、１７４のゲート電極に印加されても、当該ＴＦＴ１７３、
１７４のソース・ドレイン電極間が非導通（オフ）状態となるオフ電圧である。

また、第３給電線１６３に供給されるコモン信号Ｖc-aは、本実施形態では図４に示さ
れるように、電圧Ｖslで一定であり、また、第４給電線１６４に供給されるコモン信号Ｖ
c-bは、電圧Ｖshで一定である。
ここで、電圧Ｖsl、Ｖshは、（Ｇnd≦）Ｖsl＜Ｖsh（≦Ｖdd）という関係にあり、電圧
Ｖslが、電圧Ｖshよりも相対的に低い電圧となっている（電圧Ｖshは、電圧Ｖslよりも相
対的に高い電圧となっている）。

さて、電気光学装置におけるパネルは、素子基板と対向基板との一対の基板が一定の間
隙を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に液晶が封入された構成となっている。
また、素子基板には、上述した走査線１１２や、データ線１１４、コモン電極１０８、画
素電極１１８およびＴＦＴ１１６、１７１〜１７４が形成されて、電極形成面が対向基板
と対向するように貼り合わせられる。この構成のうち、表示領域１００とコモン電極駆動
回路１７０との境界付近を平面的に示したものが図３である。

図３からも判るように、表示領域１００は、液晶にかかる電界方向を基板面方向とした
ＩＰＳモードの変形であるＦＦＳ（fringe field switching）モードとしたものである。
また、本実施形態では、ＴＦＴ１１６、１７１〜１７４は、アモルファスシリコン型であ
って、そのゲート電極が半導体層よりも下側（紙面奥側）に位置するボトムゲート型であ
る。
詳細には、第１導電層となる（第１）ＩＴＯ（indium tin oxide）層のパターニングに
より、矩形形状の電極１０８ｆが形成され、さらに、第２導電層となるゲート電極層のパ
ターニングによって、走査線１１２や、コモン線１０８ｅなどのゲート配線が形成され、
その上にゲート絶縁膜（図示省略）が形成され、さらにＴＦＴの半導体層が島状に形成さ
れている。この半導体層の上には、保護絶縁層を介して第３導電層となる（第２）ＩＴＯ
層のパターニングにより、櫛歯形状の画素電極１１８が形成され、さらに、第４導電層と
なる金属層のパターニングによって、ＴＦＴのソース電極や、ドレイン電極とともに、デ
ータ線１１４、第１給電線１６１、第２給電線１６２、第３給電線１６３および第４給電
線１６４のほか、各種の接続電極が形成されている。

ここで、図１および図２におけるコモン電極１０８は、図３においては、走査線１１２
と平行に延在するコモン線１０８ｅと、保護絶縁層を介して画素電極１１８が積層された
矩形形状の電極１０８ｆとに分かれている。ここで、同一行に位置するコモン線１０８ｅ
および電極１０８ｆ同士は、互いに一部重なり合う部分を有するので、電気的に導通して
いる。このため、同一行に位置するコモン線１０８ｅおよび電極１０８ｆは、電気的には
同一であり、区別する必要がないので、構造的な説明でない限り両者を区別しないで単に
コモン電極１０８としている。

本実施形態において、蓄積容量１３０は、電極１０８ｆと画素電極１１８とが保護絶縁
層を介した積層構造によって生じる容量成分である。また、素子基板と対向基板との間隙
には、液晶も封入されるので、画素電極１１８と電極１０８ｆとの間には、誘電体たる液
晶を介した構造によっても容量成分が生じる。この液晶を介したことによる容量成分を、
本実施形態では、画素容量１２０としている。
この構成においては、画素容量１２０と蓄積容量１３０との並列容量の保持電圧に応じ
た電界が、素子基板面に沿い、かつ、画素電極１１８の櫛歯と直交するＹ方向に発生して
、液晶の配向状態を変化させる。これにより、偏光子（図示省略）を通過する光量は、当
該保持電圧の実効値に応じた値となる。
なお、本実施形態では、ＦＦＳモードとしたが、ＩＰＳモードとしても良いし、電気的
な等価回路が図２で示されるような回路であれば、他のモードであっても良い。

なお、上記並列容量の保持電圧は、画素電極１１８およびコモン電極１０８（電極１０
ｆ）の差電圧であるから、ｉ行ｊ列の画素を目的の階調とするには、ｉ行目の走査線１１
２にＨレベルの電圧Ｖddを印加してＴＦＴ１１６を導通（オン）状態とさせるとともに、
上記差電圧が画素の階調に応じた値なるような電圧のデータ信号Ｘｊを、ｊ列目のデータ
線１１４とｉ行ｊ列でオンしたＴＦＴ１１６とを介して画素電極１１８に供給すれば良い
ことになる。
なお、本実施形態では説明の便宜上、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が
最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少
して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードとする。

一方、各行の走査線１１２は、表示領域１００においては上述したようにＸ方向に延在
して設けられる。ここで、例えばｉ行目の走査線１１２は、コモン電極駆動回路１７０に
おいてＹ（下）方向に分岐する部分を有し、この分岐部分が、ＴＦＴ１７１、１７２の共
通ゲート電極となっている。
ＴＦＴ１７１のドレイン電極１７１ｄは、上記第４導電層をパターニングしたものであ
るが、第２導電層をパターニングしたＴＦＴ１７３のゲート電極との間には保護絶縁層等
が介在するので、両者電極同士は、当該絶縁層を貫通するコンタクトホール（図において
×印で表記）によって接続される。同様な理由により、ＴＦＴ１７２のドレイン電極１７
２ｄはＴＦＴ１７４のゲート電極に、ＴＦＴ１７３、１７４の共通ドレイン電極１７ｄは
コモン電極１０８に、それぞれコンタクトホールを介して接続される。
一方、接続配線１７１ａは、第２導電層パターニングしたものであり、ＴＦＴ１７１の
ソース電極１７１ｓを、第２給電線１６２にアンダークロスして第１給電線１６１に接続
するためのものである。接続電極１２２は、第４導電層をパターニングしたものであり、
画素電極１１８をＴＦＴ１１６のドレイン電極に接続するためのものである。
なお、各行のコモン電極１０８は、１〜２４０列目のデータ線１１４とはゲート絶縁膜
等を介して交差するので、図２において破線で示されるように、寄生容量を介して互いに
容量結合することになる。

図３に示した構成は、あくまでも一例であり、ＴＦＴの型については他の構造、例えば
ゲート電極の配置でいえばトップゲート型としても良いし、プロセスでいえばポリシリコ
ン型としても良い。また、コモン電極駆動回路１７０の素子を表示領域１００と同じプロ
セスで基板上に造り込むのではなく、ＩＣチップを素子基板に実装する構成としても良い
。
ＩＣチップを素子基板に実装する場合、走査線駆動回路１４０、コモン電極駆動回路１
７０を、データ線駆動回路１９０とともに半導体チップとしてまとめても良いし、それぞ
れ別々のチップとしても良い。一方で、制御回路２０については、素子基板に造り込む構
成としても良い。
また、本実施形態については、透過型や、反射型、さらには、透過型および反射型の両
者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。このため、反射層等について
は特に言及しない。

次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
上述したように本実施形態において、制御回路２０は、図４に示されるように、ｎフレ
ームの期間にわたって、極性指定信号ＰolをＨレベルにするとともに、奇数行の走査線を
選択するときに信号Ｖg-aをＨレベル（信号Ｖg-bをＬレベル）とし、偶数行の走査線を選
択するときに信号Ｖg-aをＬレベル（信号Ｖg-bをＨレベル）とする。なお、本例では、コ
モン信号Ｖc-aを電圧Ｖslとし、コモン信号Ｖc-bを電圧Ｖshとして一定化する。
ｎフレームにおいては、走査線駆動回路１４０によって最初に１行目の走査線１１２が
選択されて、走査信号Ｙ１がＨレベルになる。走査信号Ｙ１がＨレベルになるタイミング
においてラッチパルスＬpが出力されると、データ線駆動回路１９０は、１行目であって
１、２、３、…、２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、当該表示デー
タＤaで指定された電圧だけ、電圧Ｖslを基準に高位側とした電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ
２、Ｘ３、…、Ｘ２４０に変換し、それぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４
に供給する。これにより例えば、ｊ列目のデータ線１１４には、１行ｊ列の画素１１０の
表示データＤaで指定された電圧だけ電圧Ｖslよりも高位側とした電圧がデータ信号Ｘｊ
として印加される。
走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１
６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ
２４０が印加される。

一方、走査信号Ｙ１がＨレベルになる期間において、コモン電極駆動回路１７０では、
１行目のＴＦＴ１７１、１７２がオンする。ここで、走査信号Ｙ１がＨレベルになる期間
において、第１給電線１６１に供給される信号Ｖg-aはＨレベルであり、第２給電線１６
２に供給される信号Ｖg-bはＬレベルであるので、１行目のＴＦＴ１７１、１７２のオン
によって、１行目のＴＦＴ１７３、ＴＦＴ１７４がそれぞれオン、オフする。このため、
１行目のコモン電極１０８は、第３給電線１６３に接続されることにより電圧Ｖslとなる
。
したがって、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容
量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。

次に、１行目の走査線１１２の選択が終了して走査信号Ｙ１がＬレベルになる一方、２
行目の走査線１１２が選択されるので、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。
ここで、走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴ
ＦＴ１１６がオフする。このため、１行１列〜１行２４０列の各画素１１０にあっては、
それぞれ画素電極１１８が、電気的にどの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状
態になる。
一方、コモン電極駆動回路１７０にあっては、１行目のＴＦＴ１７１、１７２もオフす
るので、ＴＦＴ１７３、１７４のゲート電極は、ハイ・インピーダンス状態になる。しか
しながら、ＴＦＴ１７３、１７４のゲート電極は、その寄生容量によってハイ・インピー
ダンス状態になる直前状態、すなわち、それぞれＨ、Ｌレベルに保持されるので、ＴＦＴ
１７３、１７４は、引き続きオン、オフ状態を維持する。このため、１行目のコモン電極
１０８は、１行目の走査線の選択が終了して、走査信号Ｙ１がＬレベルとなっても、引き
続き第３給電線１６３に接続されるので、電圧Ｖslを維持することになる。したがって、
１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量の他端が電圧
Ｖslに維持されるので、書き込まれた電圧状態は、変更されることはなく継続することに
なる。

また、走査信号Ｙ２がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力され
ると、データ線駆動回路１９０は、２行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の
表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定された電圧だけ、電圧Ｖsh
を基準に低位側とした電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０に変換し、それ
ぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給する。これにより例えば、ｊ列目
のデータ線１１４には、２行ｊ列の画素１１０の表示データＤaで指定された電圧だけ電
圧Ｖshよりも低位側とした電圧がデータ信号Ｘｊとして印加される。
走査信号Ｙ２がＨレベルになると、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１
６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ
２４０が印加される。
一方、走査信号Ｙ２がＨレベルになる期間において、コモン電極駆動回路１７０では、
２行目のＴＦＴ１７１、１７２がオンする。ここで、走査信号Ｙ２がＨレベルになる期間
において、第１給電線１６１に供給される信号Ｖg-aはＬレベルであり、第２給電線１６
２に供給される信号Ｖg-bはＨレベルであるので、２行目のＴＦＴ１７１、１７２のオン
によって、２行目のＴＦＴ１７３、ＴＦＴ１７４がそれぞれオフ、オンする。このため、
２行目のコモン電極１０８は、第４給電線１６４に接続されることにより電圧Ｖshとなる
。
したがって、２行１列〜２行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容
量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。

続いて、２行目の走査線１１２の選択が終了して走査信号Ｙ２がＬレベルになる一方、
３行目の走査線１１２が選択されるので、走査信号Ｙ３がＨレベルになる。
ここで、走査信号Ｙ２がＬレベルになると、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴ
ＦＴ１１６がオフするので、当該２行１列〜２行２４０列の各画素１１０にあっては、そ
れぞれ画素電極１１８がハイ・インピーダンス状態になる。
一方、コモン電極駆動回路１７０にあっては、２行目のＴＦＴ１７１、１７２もオフす
るので、ＴＦＴ１７３、１７４のゲート電極は、ハイ・インピーダンス状態になるが、そ
の寄生容量によって、それぞれＬ、Ｈレベルに保持されるので、２行目のＴＦＴ１７３、
１７４は、引き続きオフ、オン状態を維持する。このため、２行目のコモン電極１０８は
、２行目の走査線の選択が終了して、走査信号Ｙ２がＬレベルになっても、引き続き第４
給電線１６４に接続されるので、電圧Ｖshを維持することになる。
したがって、２行１列〜２行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容
量の他端が電圧Ｖshに維持されるので、書き込まれた電圧状態は、変更されることはなく
継続することになる。

また、走査信号Ｙ３がＨレベルになると、３行目の画素容量１２０および蓄積容量１３
０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになり、次に
、走査信号Ｙ４がＨレベルになると、４行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並
列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。
以下同様な動作が３２０行目まで繰り返され、これにより、ｎフレームにあっては、奇
数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正
極性の電圧が書き込まれ、偶数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に
は、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれる。このように、すべての画素にお
ける並列容量には、それぞれ階調に応じた電圧が書き込まれるので、表示領域１００にお
いては１枚（フレーム）の画像が表示されることになる。

次の（ｎ＋１）フレームにおいて、信号Ｖg-a、Ｖg-bは、前のｎフレームと入れ替わっ
た関係になるので、奇数行の走査線１１２が選択されたとき、当該選択された奇数行の走
査線に対応するコモン電極１０８は、第４給電線１６４に接続されて電圧Ｖshになるとと
もに、当該走査線が非選択（走査信号がＬレベル）となっても、その接続状態が維持され
る一方、偶数行の走査線１１２が選択されたとき、当該選択された偶数行の走査線に対応
するコモン電極１０８は、第３給電線１６３に接続されて電圧Ｖslになるとともに、当該
走査線が非選択となっても、その接続状態が維持される。
このため、（ｎ＋１）フレームにおいて、奇数行目の画素容量１２０および蓄積容量１
３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれ、偶数行目の並列
容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれて、それぞれ書き込まれた電
圧状態が維持されることなる。

次に、本実施形態における電圧の書き込みについて図５を参照して説明する。図５は、
ｉ行ｊ列の画素電極１１８における電圧Ｐix（i,j）と、（ｉ＋１）行ｊ列の画素電極１
１８における電圧Ｐix（i+1,j）とを、それぞれ走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）との関係に
おいて示す図である。なお、図５において電圧を示す縦スケールは、便宜的に図４におけ
る縦スケールよりも拡大してある。
極性指定信号ＰolがＨレベルであるｎフレームの期間では、奇数ｉ行目の画素に対して
正極性書込が指定されるので、走査信号ＹｉがＨレベルになる期間にわたって、ｊ列目の
データ線１１４には、当該電圧Ｖslよりも、ｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ高位
側の電圧（図５において↑で示される）のデータ信号Ｘｊが供給される。これにより、ｉ
行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量においては、データ信号Ｘｊの
電圧とコモン電極１０８の電圧Ｖslとの差電圧、すなわち、階調に応じた正極性電圧が書
き込まれることになる。

ここで、走査信号ＹｉがＬレベルになると、ｉ行ｊ列の画素電極１１８はハイ・インピ
ーダンス状態になるが、奇数ｉ行目のコモン電極１０８は、ｎフレームにおいて走査信号
ＹｉがＨレベルとなったときに第３給電線１６３に接続されるので電圧Ｖslとなり、この
接続状態が、次の（ｎ＋１）フレームにおいて再び走査信号ＹｉがＨレベルになるまで継
続する。このため、ｉ行ｊ列の画素電極１１８の電圧Ｐix（i,j）は、走査信号ＹｉがＨ
レベルになったときの電圧（データ信号Ｘｊの電圧）から変動しないことになり、画素容
量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に保持された電圧実効値（ハッチング部分）に
影響を与えることはない。

なお、極性指定信号ＰolがＬレベルである（ｎ＋１）フレームの期間では、奇数ｉ行目
の画素に対して負極性書込が指定されるので、走査信号ＹｉがＨレベルになる期間にわた
って、ｊ列目のデータ線１１４には、当該電圧Ｖshよりも、ｉ行ｊ列の画素の階調に応じ
た電圧だけ低位側の電圧（図において↓で示される）のデータ信号Ｘｊが供給される。こ
れにより、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量においては、デー
タ信号Ｘｊの電圧とコモン電極１０８の電圧Ｖshとの差電圧、すなわち、階調に応じた負
極性電圧が書き込まれることになる。走査信号ＹｉがＬレベルになると、ｉ行ｊ列の画素
電極１１８はハイ・インピーダンス状態になるが、奇数ｉ行目のコモン電極１０８は、（
ｎ＋１）フレームにおいて走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに第４給電線１６４に接
続されて電圧Ｖshとなり、この接続状態が、次のフレームにおいて再び走査信号ＹｉがＨ
レベルになるまで継続するので、画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に保持
された電圧実効値（ハッチング部分）に影響を与えることはない。

ｉ行目に対して正極性書込が指定されるｎフレームにおいては、（ｉ＋１）行目に対し
負極性書込が指定され、ｉ行目に対して負極性書込が指定される（ｎ＋１）フレームにお
いては、（ｉ＋１）行目に対し正極性書込が指定される。このため、本実施形態において
書込極性は、走査線毎に反転することになる。

このような実施形態によれば、正極性書込が指定された行のコモン電極１０８は、当該
行の走査線１１２が選択されたときに相対的に低い電圧Ｖslとなって、この電圧よりも階
調に応じた電圧だけ高位側の電圧がデータ信号として供給される一方、負極性書込が指定
された行のコモン電極１０８は、当該行の走査線１１２が選択されたときに相対的に高い
電圧Ｖshとなって、この電圧よりも階調に応じた電圧だけ低位側の電圧がデータ信号とし
て供給される。
したがって、データ信号の電圧振幅は、コモン電極１０８の電圧を一定とした場合と比
較して狭くなるので、データ線駆動回路１９０の構成素子に要求される耐圧性が低く抑え
られて、その分構成の簡易化を図ることができるとともに、電圧変化によって無駄に消費
される電力を抑えることも可能となる。

ところで、各行のコモン電極１０８（コモン線１０８ｅ）は、上述したように１〜２４
０列のデータ線１１４とゲート絶縁膜等を介して交差しているので、これらのデータ線１
１４の電圧変化、すなわち、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０の変化が、寄生容量を介してコモ
ン電極１０８に伝搬する。
このため、コモン電極１０８が、電気的にどの部分に接続されない状態となる期間が存
在すると、各データ線の電圧変化（データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０の電圧変化）による影響を
受けて、コモン電極１０８は、電圧ＶslまたはＶshからシフトしまう。コモン電極１０８
が電圧シフトしても、画素電極１１８が完全にハイ・インピーダンス状態であれば、画素
容量１２０および蓄積容量１３０により保持された電圧が変動することはないが、ＴＦＴ
１１６には少なからずオフリークがある。ここで、ＴＦＴ１１６には、画素同士にわたっ
て均一性があるので、オフリークがあっても表示への影響は少ないが、コモン電極１０８
の電圧シフト量は行毎に異なる。したがって、コモン電極１０８が電圧ＶslまたはＶshか
らシフトしてしまうと、当該コモン電極に他端が接続された画素容量１２０および蓄積容
量１３０により保持された電圧が変動して、表示品位に悪影響を与える可能性がある。

これに対して、本実施形態では、奇数ｉ行目でいえば、例えばｎフレームにおいてｉ行
目の走査線１１２が選択されて走査信号ＹｉがＨレベルになったときに、ｉ行目のＴＦＴ
１７１、１７２がオンすることによって、ＴＦＴ１７３、１７４をオン、オフさせるとと
もに、ＴＦＴ１７３、１７４のゲート電極に寄生する容量に対し、それぞれＨ、Ｌレベル
を書き込み、これにより、ｉ行目の走査線１１２の選択が終了して走査信号ＹｉがＬレベ
ルになっても、ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４のオン、オフ状態を維持して、結局、奇数
ｉ行目のコモン電極１０８は、第３給電線１６３に接続された状態が継続される。一方、
偶数（ｉ＋１）行目のコモン電極は、第４給電線１６４に接続された状態が継続される。
したがって、本実施形態では、各行のコモン電極１０８は、常に電圧ＶslまたはＶshが印
加される状態にあり、ハイ・インピーダンス状態になることはないので、コモン電極の電
圧変動に起因する表示品位の低下を未然に防止することができる。

また、奇数ｉ行目のコモン電極１０８は、ｎフレームにおいて走査信号ＹｉがＨレベル
となってから、第３給電線１６３に接続された状態になるので電圧Ｖslとなるが、（ｎ＋
１）フレームにおいて再び走査信号ＹｉがＨレベルになると、今度は、第４給電線１６４
に接続された状態になるので電圧Ｖshとなる。また、偶数（ｉ＋１）行目のコモン電極１
０８は、ｎフレームにおいて走査信号ＹｉがＨレベルとなってから、第４給電線１６４に
接続された状態になるので電圧Ｖshとなるが、（ｎ＋１）フレームにおいて再び走査信号
ＹｉがＨレベルになると、今度は、第３給電線１６３に接続された状態になるので電圧Ｖ
slとなる。
このため、各行のコモン電極１０８は、自身に対応する走査線が選択されるタイミング
で順番に切り替わるので（図５参照）、フレームの開始（終了）タイミングで一斉に電圧
が切り替わる（後述する図７参照）ことがなくなる上に、コモン信号Ｖc-a、Ｖc-bが電圧
一定であるので、第３給電線１６３及び第４給電線１６４に寄生する容量によって消費さ
れる電力を抑えることも可能となる。

＜第１実施形態の変形＞
上述した説明においてコモン信号Ｖc-a、Ｖc-bについては、極性指定信号Ｐolの論理レ
ベルにかかわらず、それぞれ電圧Ｖsl、Ｖshで一定とする構成としたが、図６に示される
ように、極性指定信号Ｐolの論理レベルに応じて、電圧Ｖsl、Ｖshで切り替える構成とし
ても良い。ただし、コモン信号Ｖc-a、Ｖc-bを極性指定信号Ｐolに応じて電圧を切り替え
る場合、（ｎ＋１）フレームにおける信号Ｖg-a、Ｖg-bについては、同図に示されるよう
に、ｎフレームと同一波形とする必要がある。
このように、信号Ｖg-a、Ｖg-b、コモン信号Ｖc-aおよびＶc-bについて図６に示される
ような波形とした場合、奇数ｉ行目のコモン電極１０８は、第３給電線１６３に接続され
る一方、偶数（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８は、第４給電線１６４に接続された状態
となる。
このため、図７に示されるように、奇数ｉ行目のコモン電極１０８は、極性指定信号Ｐ
olがＨレベルとなる１フレームの期間にわたって電圧Ｖslとなり、極性指定信号ＰolがＬ
レベルとなる１フレームの期間にわたって電圧Ｖshとなる。一方、偶数（ｉ＋１）行目の
コモン電極１０８は、極性指定信号ＰolがＨレベルとなる１フレームの期間にわたって電
圧Ｖshとなり、極性指定信号ＰolがＬレベルとなる１フレームの期間にわたって電圧Ｖsl
となる。

ここで、ｉ行目の画素に対して正極性書込が指定される場合、ｉ行目のコモン電極１０
８は電圧Ｖslであり、走査信号ＹｉがＨレベルになる期間にわたって、ｊ列目のデータ線
１１４には、当該電圧Ｖslよりも、ｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ高位側の電圧
（図において↑で示される）のデータ信号Ｘｊが供給される。これにより、ｉ行ｊ列の画
素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量においては、データ信号Ｘｊの電圧とコモ
ン電極１０８の電圧Ｖslとの差電圧、すなわち、階調に応じた正極性電圧が書き込まれる
ことになる。
上述したように、第３給電線１６３に供給されるコモン信号Ｖc-a、および、第４給電
線１６４に供給されるコモン信号Ｖc-bは、各フレームの開始（終了）タイミングで電圧
が切り替わるので、このタイミングにおいてはコモン電極１０８の電圧も切り替わる。
ただし、このタイミングでは、走査信号ＹｉがＬレベルであるので、ｉ行ｊ列の画素電
極１１８はハイ・インピーダンス状態にあり、ｉ行ｊ列の画素電極の電圧Ｐix（i,j）は
、同図に示されるように、コモン電極１０８の電圧が切り替わると、同時に同量だけ同一
方向に変化するので、画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に保持された電圧
実効値（ハッチング部分）に影響を与えることはない。

１フレームの期間が経過して、再び走査信号ＹｉがＨレベルになったときに、負極性書
込が指定されるので、ｊ列目のデータ線１１４には、当該電圧Ｖshよりも、ｉ行ｊ列の画
素の階調に応じた電圧だけ低位側の電圧（図において↓で示される）のデータ信号Ｘｊが
供給される。このとき、ｉ行目のコモン電極１０８は電圧Ｖshであるので、これにより、
ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、階調に応じた電圧が極
性反転されて書き込まれることになる。
なお、ｉ行目に対して正極性書込が指定されるフレームにおいては、（ｉ＋１）行目に
対し負極性書込が指定され、ｉ行目に対して負極性書込が指定されるフレームにおいては
、（ｉ＋１）行目に対し正極性書込が指定されるので、この例においても、書込極性は、
走査線毎に反転することになる。

ところで、信号Ｖg-a、Ｖg-b、コモン信号Ｖc-aおよびＶc-bについて図６に示されるよ
うな波形とした場合、奇数ｉ行目のコモン電極１０８は、第３給電線１６３に接続され、
偶数（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８は、第４給電線１６４に接続された状態となるの
で、奇数ｉ行目のコモン電極１０８が第４給電線１６４に接続されることはないし、偶数
（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８が第３給電線１６３に接続されることもなくなる。
このため、図８に示されるように、コモン電極駆動回路１７０において、奇数行目のＴ
ＦＴ１７２、１７４および偶数行目のＴＦＴ１７１、１７３が不要となり、構成の簡易化
の点でいえば有利である。ただし、この構成では、奇数行目と偶数行目とにおいてコモン
電極１０８の接続先（第３または第４給電線）が固定化される上に、奇数行目のＴＦＴ１
７３と偶数行目のＴＦＴ１７４とにおいて特性差が生じると、同じ階調に応じた電圧を同
一書込極性で書き込もうとしても、画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に実
際に保持される電圧が異なってしまう可能性がある。
このため、図１に示す構成に図４に示した波形を適用して、同一行に着目したときに、
１フレームの期間毎に、ＴＦＴ１７３、１７４を交互にオン・オフさせる構成の方が、画
素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に保持される電圧の均一性の観点から言え
ば有利である。

なお、後述する図１６や図１７に示すように、例えば１フレームの期間にわたって信号
Ｖg-a、Ｖg-bをＨ、Ｌレベルでそれぞれ一定とする一方で、コモン信号Ｖc-a、Ｖc-bを水
平走査期間（Ｈ）に切り替えるなど、信号Ｖg-a、Ｖg-b、コモン信号Ｖc-aおよびＶc-bに
ついては、図４、図６に示される以外にも様々な波形が考えられる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置について説明する。上述した第１実施
形態では、画素への書き込み極性を１行毎に反転させる行反転方式としたが、この第２実
施形態では、行毎のみならず、列毎にも反転させたドット反転方式としたものである。

図９は、この第２実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示すブロック図であり、図
１０は、電気光学装置１０における画素１１０の構成を示す図であり、図１１は、素子基
板のうち、表示領域１００とコモン電極駆動回路１７０との境界付近を示す平面図である
。
これらの図に示されるように、第２実施形態において表示領域１００にあっては、走査
線１１２の１行に対して、第１コモン電極１０８ａと第２コモン電極１０８ｂとが設けら
れ、このうち、奇数（１、３、５、…、２３９）列の画素１１０では、画素容量１２０お
よび蓄積容量１３０の他端が、第１コモン電極１０８ａに接続される一方、偶数（２、４
、６、…、２４０）列の画素１１０では、画素容量１２０および蓄積容量１３０の他端が
、第２コモン電極１０８ｂに接続されている。

また、第２実施形態において、コモン電極駆動回路１７０にあっては、走査線１１２の
１行に対して設けられた第１コモン電極１０８ａおよび第２コモン電極１０８ｂを駆動す
るために、第１実施形態（図１参照）におけるＴＦＴ１７３がＴＦＴ１７３ａ、１７３ｂ
の２つに、同様にＴＦＴ１７４がＴＦＴ１７４ａ、１７４ｂの２つに、それぞれ分かれて
いる。詳細には、ＴＦＴ１７１のドレイン電極は、ＴＦＴ１７３ａのゲート電極およびＴ
ＦＴ１７４ｂのゲート電極にそれぞれ接続され、ＴＦＴ１７２のドレイン電極は、ＴＦＴ
１７３ｂのゲート電極およびＴＦＴ１７４ａのゲート電極にそれぞれ接続されている。
そして、ＴＦＴ１７３ａのソース電極は第３給電線１６３に接続され、ＴＦＴ１７４ａ
のソース電極は第４給電線１６４に接続されて、ＴＦＴ１７３ａ、１７４ａのドレイン電
極同士が第１コモン電極１０８ａに共通接続されている。一方、ＴＦＴ１７３ｂのソース
電極は第３給電線１６３に接続され、ＴＦＴ１７４ｂのソース電極は第４給電線１６４に
接続されて、ＴＦＴ１７３ｂ、１７４ｂのドレイン電極同士が第２コモン電極１０８ｂに
共通接続されている。
したがって、ＴＦＴ１７３ａがオンしている場合には、ＴＦＴ１７４ｂもオンするので
、第１コモン電極１０８ａが第３給電線１６３に接続されている場合には、第２コモン電
極１０８ｂが第４給電線１６４に接続される一方、ＴＦＴ１７４ａがオンしている場合に
は、ＴＦＴ１７３ｂもオンするので、第１コモン電極１０８ａが第４給電線１６４に接続
されている場合には、第２コモン電極１０８ｂが第３給電線１６３に接続される、という
関係となる。

ドット反転方式の第２実施形態において極性指定信号Ｐolは、次のように書込極性を指
定する。すなわち、本実施形態において、極性指定信号Ｐolは、Ｈレベルであれば、奇数
行奇数列および偶数行偶数列の画素に対して正極性書込を、奇数行偶数列および偶数行奇
数列の画素に対して負極性書込を、それぞれ指定する一方、Ｌレベルであれば、奇数行奇
数列および偶数行偶数列の画素に対して負極性書込を、奇数行偶数列および偶数行奇数列
の画素に対して正極性書込を、それぞれ指定する。

第２実施形態において、極性指定信号Ｐol、信号Ｖg-a、Ｖg-b、コモン信号Ｖc-aおよ
びＶc-bについては、第１実施形態と同様に、図４または図６に示した波形となる。
図４に示した波形とした場合に、ｎフレームにおいて奇数ｉ行目の走査線１１２が選択
されて、走査信号ＹｉがＨレベルになる期間では、信号Ｖg-a、Ｖg-bがそれぞれＨ、Ｌレ
ベルであるから、コモン電極駆動回路１７０では、ｉ行目にあっては、ＴＦＴ１７１、１
７２のオンによって、ＴＦＴ１７３ａ、ＴＦＴ１７４ｂがそれぞれオンし、ＴＦＴ１７３
ｂ、ＴＦＴ１７４ａがそれぞれオフする。このため、ｉ行目の第１コモン電極１０８ａは
、第３給電線１６３に接続されて電圧Ｖslとなり、ｉ行目の第２コモン電極１０８ｂは、
第４給電線１６４に接続されて電圧Ｖshとなる。
一方、ｎフレームにおいて極性指定信号ＰolはＨレベルであるから、ｉ行目の走査線１
１２が選択されている期間において、データ線駆動回路１９０は、奇数列の画素に対して
は電圧Ｖslに対して階調に応じた電圧だけ高位側とした電圧のデータ信号を、偶数列の画
素に対しては電圧Ｖshに対して階調に応じた電圧だけ低位側とした電圧のデータ信号を、
それぞれ出力する。
これにより、奇数ｉ行目において、奇数列の画素１１０においては正極性書込が実行さ
れる一方、偶数列の画素１１０においては負極性書込が実行されるとともに、各行の第１
コモン電極１０８ａおよび第２コモン電極１０８ｂの電圧が維持されることになる。

また、ｎフレームにおいて偶数（ｉ＋１）行目の走査線１１２が選択されて、走査信号
Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになる期間では、信号Ｖg-a、Ｖg-bがそれぞれ反転してＬ、Ｈレ
ベルとなるから、コモン電極駆動回路１７０では、（ｉ＋１）行目にあっては、ＴＦＴ１
７１、１７２のオンによって、ＴＦＴ１７３ａ、ＴＦＴ１７４ｂがそれぞれオフし、ＴＦ
Ｔ１７３ｂ、ＴＦＴ１７４ａがそれぞれオンする。このため、（ｉ＋１）行目の第１コモ
ン電極１０８ａは電圧Ｖshとなり、第２コモン電極１０８ｂは電圧Ｖslとなる。
一方、偶数（ｉ＋１）行目の走査線１１２が選択されている期間において、データ線駆
動回路１９０は、奇数列の画素に対しては電圧Ｖshに対して階調に応じた電圧だけ低位側
とした電圧のデータ信号を、偶数列の画素に対しては電圧Ｖslに対して階調に応じた電圧
だけ高位側とした電圧のデータ信号を、それぞれ出力する。
これにより、偶数（ｉ＋１）行目において、奇数列の画素１１０においては負極性書込
が実行される一方、偶数列の画素１１０においては正極性書込が実行されることになる。

（ｎ＋１）フレームでは、極性指定信号ＰolがＬレベルに反転するとともに、信号Ｖg-
a、Ｖg-bの論理レベルが入れ替わるので、奇数ｉ行目ではＴＦＴ１７３ｂ、ＴＦＴ１７４
ａがそれぞれオン（ＴＦＴ１７３ａ、ＴＦＴ１７４ｂがそれぞれオフ）する一方、偶数（
ｉ＋１）行目ではＴＦＴ１７３ａ、ＴＦＴ１７４ｂがそれぞれオン（ＴＦＴ１７３ｂ、Ｔ
ＦＴ１７４ａがそれぞれオフ）する。このため、奇数ｉ行目の第１コモン電極１０８ａは
第４給電線１６４に接続されて電圧Ｖshとなり、第２コモン電極１０８ｂは第３給電線１
６３に接続されて電圧Ｖslとなる一方、偶数（ｉ＋１）行目の第１コモン電極１０８ａは
第３給電線１６３に接続されて電圧Ｖslとなり、第２コモン電極１０８ｂは第４給電線１
６４に接続されて電圧Ｖshとなる。
したがって、（ｎ＋１）フレームでは、奇数ｉ行目において、奇数列の画素１１０にお
いては負極性書込が実行され、偶数列の画素１１０においては正極性書込が実行される一
方、偶数（ｉ＋１）行目において、奇数列の画素１１０においては正極性書込が実行され
、偶数列の画素１１０においては負極性書込が実行されることになる。
ここでは、極性指定信号Ｐol、信号Ｖg-a、Ｖg-b、コモン信号Ｖc-aおよびＶc-bについ
ては図４に示した波形とした場合で説明したが、図６に示した波形としても良い。

このような第２実施形態によれば、第１コモン電極１０８ａ、第２コモン電極１０８ｂ
の電圧変動に起因する表示品位の低下を防止した上で、さらに、画素の書込極性が行およ
び列毎に交互に反転するドット反転方式となるので、高コントラスト比であって、フリッ
カを抑えた高品位の表示が可能となる。
なお、ここでは、奇数列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の他端を第１コモン電
極１０８ａに接続し、偶数列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の他端を第２コモン
電極１０８ｂに接続したが、極性指定信号Ｐolの意味が反転することに注意すれば、奇数
列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の他端を第２コモン電極１０８ｂに接続し、偶
数列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の他端を第１コモン電極１０８ａに接続した
構成としても良い。

なお、図９および図１０における第１コモン電極１０８ａは、図１１においては、走査
線１１２と平行に延在する第１コモン線１０８ａ−ｅと、保護絶縁層を介して画素電極１
１８が積層された矩形形状の電極１０８ａ−ｆとに分かれ、同様に、図９および図１０に
おける第２コモン電極１０８ｂは、図１１においては、走査線１１２と平行に延在する第
２コモン線１０８ｂ−ｅと、保護絶縁層を介して画素電極１１８が積層された矩形形状の
電極１０８ｂ−ｆとに分かれている。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る電気光学装置について説明する。上述した第２実施
形態では、ドット反転方式とするために、１行の走査線１１２に２つのコモン電極を設け
た構成としたが、この第３実施形態は、１行の走査線１１２に１つのコモン電極で済ませ
たものである。

図１２は、この第３実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示すブロック図であり、
図１３は、素子基板のうち、表示領域１００とコモン電極駆動回路１７０との境界付近を
示す平面図である。
これらの図に示されるように、表示領域１００にあっては、例えばｉ行目において、奇
数列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の他端は、自身に対応するｉ行目のコモン電
極１０８に接続されているが、偶数列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の他端は、
自身に対応する行の１つ上の行である（ｉ−１）行目のコモン電極１０８に接続されてい
る。
詳細には、図１３に示されるように、偶数列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の
他端は、自身に対応する行の走査線１１２を、第４導電層をパターニングした接続電極１
８によりオーバークロスして、１つ上の行のコモン線１０８ｅに接続されている。

ここで、第１および第２実施形態では、１行目の走査線１１２の上には走査線が存在し
なかったので、第３実施形態では、０行目のコモン電極１０８とともに、０行目の走査線
１１２がダミー走査線としても設けられている。このため、第３実施形態における走査線
駆動回路１４０は、図１４に示されるように、走査信号Ｙ０、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ
３２０を、それぞれ０、１、２、３、…、３２０行目の走査線１１２に供給するとともに
、１フレームの期間にわたって走査線１１２を１行ずつ、０、１、２、３、…、３２０行
目という順番で選択し、選択した走査線への走査信号をＨレベルとし、それ以外の走査線
への走査信号をＬレベルとする。
コモン電極駆動回路１７０においては、０行目の走査線１１２に対応してＴＦＴ１７１
〜１７４が設けられるが、表示領域１００においては、０行目の走査線１１２に対応して
画素１１０は設けられていない。なお、図１２において０行目の走査線１１２は、表示領
域１００にわたって延設されているが、この走査線に対応する画素１１０は設けられてい
ないので、コモン電極駆動回路１７０におけるＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極まで接
続されていれば、表示領域１００において省略しても良い。

第３実施形態において極性指定信号Ｐolは、第２実施形態と同様に書込極性を指定する
。また、図１４に示したコモン信号Ｖc-aおよびＶc-bについては、第１実施形態における
図４と同様であるが、信号Ｖg-a、Ｖg-bは、走査信号Ｙ０がある分だけ、スタートパルス
Ｄyおよびクロック信号Ｃlyに対して移相が１８０度シフトしているが、Ｈレベルとなる
走査信号Ｙ１〜Ｙ３２０との関係は同一である。
第１実施形態で説明したように、奇数（１、３、５、…、３１９）行目のコモン電極１
０８は、極性指定信号ＰolがＨレベルとなるｎフレームにおいて、自身に対応する走査線
１１２が選択されると、第３給電線１６３に接続されて電圧Ｖslになるとともに、対応す
る走査線１１２が非選択になっても、その接続状態が維持される。そして、１フレームの
期間が経過して、極性指定信号ＰolがＬレベルとなる（ｎ＋１）フレームにおいて、奇数
行目のコモン電極１０８は、自身に対応する走査線１１２が選択されると、第４給電線１
６４に接続されて電圧Ｖshになるとともに、対応する走査線１１２が非選択になっても、
その接続状態が維持される。
一方、偶数（０、２、４、…、３２０）行目のコモン電極１０８は、極性指定信号Ｐol
がＨレベルとなるｎフレームにおいて、自身に対応する走査線１１２が選択されると、第
４給電線１６４に接続されて電圧Ｖshになるとともに、対応する走査線１１２が非選択に
なっても、その接続状態が維持される。そして、１フレームの期間が経過して、極性指定
信号ＰolがＬレベルとなる（ｎ＋１）フレームにおいて、偶数行目のコモン電極１０８は
、自身に対応する走査線１１２が選択されると、第３給電線１６３に接続されて電圧Ｖsl
になるとともに、対応する走査線１１２が非選択になっても、その接続状態が維持される
。

一方、ｎフレームにおいて、奇数ｉ行目の走査線１１２が選択されている期間にデータ
線駆動回路１９０は、奇数列の画素に対しては電圧Ｖslに対して階調に応じた電圧だけ高
位側とした電圧のデータ信号を、偶数列の画素に対しては電圧Ｖshに対して階調に応じた
電圧だけ低位側とした電圧のデータ信号を、それぞれ出力する。ｎフレームにおいて奇数
ｉ行目の走査線１１２が選択されている期間に、ｉ行目のコモン電極１０８は電圧Ｖslで
あり、１つ上の（ｉ−１）行目のコモン電極１０８は電圧Ｖshであるから、奇数ｉ行目に
おいて、奇数列の画素１１０においては正極性書込が実行される一方、偶数列の画素１１
０においては負極性書込が実行されることになる。
また、ｎフレームにおいて、偶数（ｉ＋１）行目の走査線１１２が選択されている期間
にデータ線駆動回路１９０は、奇数列の画素に対しては電圧Ｖshに対して階調に応じた電
圧だけ低位側とした電圧のデータ信号を、偶数列の画素に対しては電圧Ｖslに対して階調
に応じた電圧だけ高位側とした電圧のデータ信号を、それぞれ出力する。ｎフレームにお
いて偶数（ｉ＋１）行目の走査線１１２が選択されている期間に、（ｉ＋１）行目のコモ
ン電極１０８は電圧Ｖshであり、１つ上のｉ行目のコモン電極１０８は電圧Ｖslであるか
ら、偶数（ｉ＋１）行目において、奇数列の画素１１０においては負極性書込が実行され
る一方、偶数列の画素１１０においては正極性書込が実行されることになる。

なお、次の（ｎ＋１）フレームでは、極性指定信号ＰolがＬレベルに反転するとともに
、信号Ｖg-a、Ｖg-bの論理レベルが入れ替わるので、奇数ｉ行目であって奇数列の画素１
１０においては負極性書込が実行され、偶数列の画素１１０においては正極性書込が実行
される一方、偶数（ｉ＋１）行目であって奇数列の画素１１０においては正極性書込が実
行され、偶数列の画素１１０においては負極性書込が実行されることになる。
ここでは、極性指定信号Ｐol、信号Ｖg-a、Ｖg-b、コモン信号Ｖc-aおよびＶc-bについ
ては図４に示した波形とした場合で説明したが、図６に示した波形（走査信号Ｙ０の追加
は必要である）としても良い。
このような第３実施形態によれば、ドット反転方式とする場合に、１行につき１本のコ
モン電極１０８で済むとともに、第２実施形態と比較して、ＴＦＴ１７３、１７４をそれ
ぞれ２つずつに分けないで済むので、その分だけ構成の簡易化を図ることが可能となる。

第３実施形態では、偶数列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の他端を、自身に対
応する行よりも１つ上の行のコモン電極１０８に接続したが、これは、互いに隣接する行
のコモン電極同士の電圧が異なることを利用したためである。このため、第３実施形態で
は、極性指定信号Ｐol、信号Ｖg-a、Ｖg-b、コモン信号Ｖc-aおよびＶc-bについて図６に
示した波形とすれば、偶数列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の他端を、１つ下の
行のコモン電極１０８に接続しても良い。偶数列の画素容量１２０および蓄積容量１３０
の他端を、１つ下の行のコモン電極１０８に接続する場合、３２１行目のコモン電極とと
もに、３２１行目のダミ−走査線が設けられる。
また、第３実施形態では、偶数列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の他端を、自
身に対応する行に隣接するいずれかの行のコモン電極１０８に接続したが、極性指定信号
Ｐolで指定される書込極性が反転する点に注意すれば、奇数列の画素容量１２０および蓄
積容量１３０の他端を、隣接するいずれかの行のコモン電極１０８に接続する構成として
も良い。

奇数列または偶数列の一方を隣接するいずれかの行のコモン電極１０８に接続する構成
のほかにも、図１５に示されるように、表示領域１００にあっては、例えばｉ行目におい
て、奇数列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の他端を、自身に対応するｉ行目のコ
モン電極１０８に接続するとともに、偶数列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の他
端を、自身に対応する行の１つ上の行である（ｉ−１）行目のコモン電極１０８に接続す
る一方、隣接する（ｉ＋１）行目において、奇数列の画素容量１２０および蓄積容量１３
０の他端を、自身に対応する行の１つ上の行であるｉ行目のコモン電極１０８に接続する
とともに、偶数列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の他端を、自身に対応する（ｉ
＋１）行目のコモン電極１０８に接続する構成として、画素容量１２０および蓄積容量１
３０の他端の接続先となるコモン電極を、行および列毎に交互に入れ替えても良い。
なお、この構成においては、図１６または図１７に示されるように、例えば信号Ｖg-a
、Ｖg-bを少なくとも１フレームの期間にわたって固定化するとともに、コモン信号Ｖc-a
、Ｖc-bを、電圧Ｖsl、Ｖshの一方から他方へ水平走査期間（Ｈ）毎に切り替える必要が
ある。

ここで、例えば図１６に示される波形とした場合、信号Ｖg-aがＬレベルである期間に
おいてはコモン信号Ｖc-aが動作的には不要であり、信号Ｖg-bがＬレベルである期間にお
いてはコモン信号Ｖc-bが不要である。同様に、図１７に示される波形とした場合、コモ
ン信号Ｖc-bが動作的には不要である。このため、動作的に不要な期間に、コモン信号Ｖc
-a、Ｖc-bを出力させないような構成としても良いが、動作的に不要な期間であっても、
敢えてコモン信号Ｖc-a、Ｖc-bとして互いに排他的に電圧Ｖsl、Ｖshを選択して出力する
構成にすると、第３給電線１６３および第４給電線１６４における電圧切り替えが、同時
、かつ、反対方向に発生するので、電圧切り替えに伴うノイズを低減することができると
ともに、両給電線の寄生容量で消費される電力を少なくすることも可能となる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る電気光学装置について説明する。
上述した第１実施形態において、第３給電線１６３または第４給電線１６４をコモン電
極１０８に接続するＴＦＴ１７３、１７４のオン抵抗（インピーダンス）が大きいと、例
えばｉ行目のコモン電極１０８が電圧Ｖsl、Ｖshのいずれかに正しく保つことができなく
なる。
特に、信号Ｖg-a、Ｖg-b、コモン信号Ｖc-aおよびＶc-bとして図４に示される波形を採
用した場合、図５に示されるように、ｉ行目のコモン電極１０８は、ｉ行目の走査線１１
２が選択されて、走査信号ＹｉがＨレベルになった瞬間に電圧が切り替わる。このため、
ｉ行目のコモン電極１０８は、走査信号ＹｉがＨレベルである期間内に、ノイズ等の影響
によって電圧Ｖsl、Ｖshのいずれかに収束しない可能性が高くなる。

ｉ行目の走査線１１２の選択が終了する（走査信号ＹｉがＨからＬレベルに変化する）
タイミングにおいて、ｉ行目のコモン電極１０８が電圧ＶslまたはＶshから変動している
と、ｉ行目における１〜２４０列の画素容量１２０は、階調に応じた電圧から変動分だけ
シフトした電圧を保持してしまう。このため、横方向に表示むらが発生して、表示品位の
低下を招く。
これを防止するためには、オン抵抗を下げるべく、ＴＦＴ１７３、１７４のトランジス
タサイズを大きくする必要がある。ＴＦＴ１７３、１７４のトランジスタサイズを大きく
すると、素子基板にＴＦＴを造り込む構成においては、表示領域１００よりも外側の、い
わゆる額縁領域が余計に必要となるが、この額縁領域は、表示に寄与しないので、表示装
置としてみた場合にデッドスペースとなり、１枚のマザー基板からの取り数を低下させて
、コストアップを招くことになる。
そこで、この第４実施形態では、このような表示品位の低下を防止した上で、額縁領域
を大きくとらないで済むようにしたものである。

図１８は、この第４実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、本実施形態では、各行のそれぞれｎチャネル型のＴＦＴ１７
５（第５トランジスタ）が設けられる。詳細には、ｉ行目のＴＦＴ１７５のゲート電極は
、ｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極は第５給電線１６５に接続され、そ
のドレイン電極は、ｉ行目のコモン電極１０８に接続されている。
ここで、第５給電線１６５は、各行のＴＦＴ１７５にわたって共通であり、制御回路２
０からコモン信号Ｖcが供給される。このコモン信号Ｖcは、図２０に示されるように、極
性指定信号Ｐolによって奇数行の画素１１０に正極性書込が指定され、偶数行の画素１１
０に負極性書込が指定される場合に、奇数行の走査線が選択される水平走査期間（Ｈ）に
おいて電圧Ｖslとなり、偶数行の走査線が選択される水平走査期間（Ｈ）において電圧Ｖ
shとなる一方、奇数行の画素１１０に負極性書込が指定され、偶数行の画素１１０に正極
性書込が指定される場合に、奇数行の走査線が選択される水平走査期間（Ｈ）において電
圧Ｖshとなり、偶数行の走査線が選択される水平走査期間（Ｈ）において電圧Ｖslとなる
。

この第４実施形態にあっては、データ線駆動回路は、各行のＴＦＴ１７１〜１７４から
なる回路１７０ａと、各行の１７５からなる回路１７０ｂとの双方を含むものとなる。こ
のうち、回路１７０ａが走査線１１２の一端側に設けられ、回路１７０ｂが走査線１１２
の他端側に設けられる。
図１９は、第４実施形態における素子基板のうち、表示領域１００と回路１７０ｂとの
境界付近を示す平面図であるが、特段の説明は要しないであろう。なお、回路１７０ｂに
ついては、回路１７０ａと同じように、走査線１１２の一端側に設けても良い。

この第４実施形態では、例えばｉ行目の走査線１１２が選択されて、走査信号ＹｉがＨ
レベルとなったときに、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２のオンにより、ＴＦＴ１７３、１
７４のいずれか一方がオンするとともに、ｉ行目のＴＦＴ１７５もオンする。ｉ行目の走
査線１１２の選択が終了して、走査信号ＹｉがＬレベルになっても、引き続きｉ行目のＴ
ＦＴ１７３、１７４のいずれか一方のオン状態が継続する。
したがって、走査信号ＹｉがＨレベルである期間にｉ行目のコモン電極１０８の電圧を
決定する機能については、ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４とともに、ｉ行目のＴＦＴ１７
５が負うことになる。
一方、走査信号ＹｉがＬレベルである期間（非選択期間）にわたってｉ行目のコモン電
極１０８における電圧を確定させる機能は、ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４だけが負うこ
とになる。

そこで、第４実施形態では、走査信号ＹｉがＨレベルである期間にｉ行目のコモン電極
１０８の電圧を決定する機能について、ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４から、ＴＦＴ１７
５に対して重点的に負担させることにより、必要なトランジスタサイズの合計が縮小され
る。この点について説明する。
ＴＦＴ１７５が存在しない場合において、充分に低いオン抵抗となるためのＴＦＴ１７
３、１７４のトランジスタサイズをそれぞれ「１．０」と仮定すると、ＴＦＴ１７１、１
７２については、ＴＦＴ１７３、１７４のオン・オフ状態を制御するだけの機能があれば
良いので、そのトランジスタサイズは、例えば「０．１」程度で足りる。したがって、Ｔ
ＦＴ１７５が存在しない場合において、ＴＦＴ１７３、１７４が充分に低いオン抵抗とな
る構成では、１行分でみると、ＴＦＴ１７１、１７２、１７３、１７４について、それぞ
れ「０．１」、「０．１」、「１．０」、「１．０」のトランジスタサイズが必要となり
、計「２．２」となる。

これに対して、ＴＦＴ１７５を設けた第４実施形態では、ＴＦＴ１７３、１７４につい
ては、上述したように非選択期間にわたってコモン電極１０８における電圧を確定する機
能だけを負うだけで済むので、「０．１」程度で足りる。充分に低いオン抵抗となるため
のトランジスタサイズである「１．０」から「０．１」を差し引いた「０．９」が、ＴＦ
Ｔ１７５に必要なトランジスタサイズとなる。
このため、本実施形態では、１行分でみると、ＴＦＴ１７１、１７２、１７３、１７４
、１７５について、それぞれ「０．１」、「０．１」、「０．１」、「０．１」、「０．
９」のトランジスタサイズが必要となり、計「１．３」で済む。

したがって、第４実施形態では、コモン電極駆動回路１７０の１行についてＴＦＴが５
個となるので、個数は「１」だけ増えるものの、必要なトランジスタサイズは、大幅に削
減することが可能となる。このため、表示品位の低下を防止した上で、額縁領域を大きく
とらないで済ませることができるのである。

＜第５実施形態＞
第４実施形態では、ｉ行目の走査線１１２が選択されたときに、ｉ行目のコモン電極１
０８に対し、おもに第５給電線１６５およびｉ行目のＴＦＴ１７５を介して電圧Ｖslまた
はＶshを印加する構成としたが、この構成においても、ＴＦＴ１７５のトランジスタサイ
ズは、他のＴＦＴ１７１〜１７４と比較して大きくする必要がある。また、コモン電極１
０８は、それ自体で寄生容量を有するほか、様々な部分と容量結合するので、ｉ行目の走
査線１１２の選択が終了するタイミングにおいてｉ行目のコモン電極１０８は、依然とし
て電圧ＶslまたはＶshから変動している可能性がある。
そこで、ＴＦＴ１７５のトランジスタサイズ縮小化と、コモン電極の電圧変動をさらに
抑えることとを企図したものが、次に説明する第５実施形態である。

図２１は、この第５実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示すブロック図であり、
図２２は、第５実施形態における素子基板のうち、表示領域１００と回路１７０ｂとの境
界付近を示す平面図である。
この図に示されるように、第５実施形態では、各行のそれぞれＴＦＴ１７５にくわえて
、ｎチャネル型のＴＦＴ１７６（第６トランジスタ）が設けられる。詳細には、ｉ行目の
ＴＦＴ１７６のゲート電極は、ｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極はｉ行
目のコモン電極１０８に接続され、そのドレイン電極は、検出線１６６に接続されている
。
検出線１６６は、各行のＴＦＴ１７６にわたって共通であり、オペアンプ４０の負入力
端（−）に接続されている。一方、オペアンプ４０の正入力端（＋）には、制御回路２０
からのコモン信号Ｖc（図２０参照）が供給され、また、オペアンプ４０の出力端が、第
５給電線１６５に接続されるとともに、抵抗素子４２を介して負入力端（−）に帰還され
ている。
なお、抵抗素子４２の抵抗値は、帰還量を規定するものであり、実際には各種の配線抵
抗を考慮する必要があるが、これらを考慮しなければ、回路的にはゼロであると考えて良
い。このため、オペアンプ４０は、負入力端（−）に接続された検出線１６６の電圧が、
正入力端（＋）に供給されるコモン信号Ｖcの電圧となるように、第５給電線１６５の電
圧を制御することになる。

この第５実施形態では、例えばｉ行目の走査線１１２が選択されて、走査信号ＹｉがＨ
レベルとなったときに、ｉ行目のＴＦＴ１７５とともにＴＦＴ１７６もオンするので、ｉ
行目のコモン電極１０８が検出線１６６に接続される。このため、ｉ行目のコモン電極１
０８における実際の電圧が電圧ＶslまたはＶshから変動していれば、オペアンプ４０は、
その変動を相殺するように制御した電圧を、第５給電線１６５およびｉ行目のＴＦＴ１７
５を介して、ｉ行目のコモン電極１０８に印加することになる。
したがって、本実施形態では、例えばｉ行目のＴＦＴ１７５のオン抵抗が低くなくても
、ｉ行目のコモン電極１０８は、走査信号ＹｉがＨレベルである期間内に電圧Ｖslまたは
Ｖshとなるように制御される。このため、本実施形態によれば、ＴＦＴ１７５のトランジ
スタサイズ縮小化と、コモン電極の電圧変動を抑えることとを両立することが可能となる
のである。

＜応用・変形例＞
上述した実施形態では、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２については、ｉ行目の走査線が
選択されて、走査信号ＹｉがＨレベルになったときにオン状態とさせた。ここで、ＴＦＴ
１７１、１７２のオンは、第１給電線１６１、第２給電線１６２をＴＦＴ１７３、１７４
のゲート電極に接続して、ＴＦＴ１７３、１７４のどちらか一方をオン状態とさせ、どち
らか他方をオフ状態とさせることを決定する点が重要であり、いつＴＦＴ１７１、１７２
をオンさせるかについては、それほど重要ではない。
このため、図２３に示される応用・変形例（その１）のように、コモン電極駆動回路１
７０の各行においてＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極を、自身に対応する行の走査線で
はなく、次（１つ下）行の走査線１１２に接続した構成としても良い。この構成では、３
２０行目の走査線の次に、３２１行目の走査線１１２がダミーとして設けられる。このた
め、走査線駆動回路１４０は、３２１行目の走査線に走査信号Ｙ３２１を供給するととも
に、走査線を１、２、３、…、３２０、３２１行目という順番で選択することになる。こ
のような構成によれば、素子レイアウトの関係で、コモン電極駆動回路１７０の形成に要
する額縁領域の面積を小さくできる可能性がある。
なお、特に図示しないが前（１つ上）の行の走査線１１２に接続した構成としても良い
し、また、２、３、…、行離間した行の走査線に接続しても良い。ただし、ＴＦＴ１７１
、１７２のゲート電極を、自身に対応する行から離れた行の走査線に接続する構成は、間
に存在する多くの走査線を跨ぐ必要があり、配線が複雑化する上、コンタクトホールも多
数形成する必要がある。このため、ＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極は、自身に対応す
る行から、あまりに離れた行の走査線に接続する構成は、実際には望ましくはない。

ここで、コモン電極駆動回路１７０の各行においてＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極
を、自身に対応する行の走査線ではなく、他の走査線１１２に接続する場合、自身に対応
する走査線が選択される期間におけるコモン電極１０８が、電圧ＶslまたはＶshから変動
することは望ましくないので、図２３に示されるように、コモン電極駆動回路１７０の各
行にＴＦＴ１７５を設けて、回路１７０ａ、１７０ｂに分けた構成が好ましい。なお、図
２３に示した構成の回路１７０ｂは、図１８に示した構成に相当する。

さらに、図２４に示される応用・変形例（その２）のように、コモン電極駆動回路１７
０の各行にＴＦＴ１７５とともにＴＦＴ１７６を設けて、ＴＦＴ１７５のトランジスタサ
イズ縮小化と、コモン電極の電圧変動を抑えることとの両立を図った構成としても良い。
なお、図２４に示した構成の回路１７０ｂは、図２１に示した構成に相当する。

ここで、ＴＦＴ１７５（１７６）を設けた構成では、上述したように走査信号ＹｉがＨ
レベルである期間にｉ行目のコモン電極１０８の電圧を決定する機能については、ｉ行目
のＴＦＴ１７５が負うことになる。このため、走査信号ＹｉがＨレベルである期間におい
て、ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４をオフさせる構成としても良い。
一例として、図２５に示される応用・変形例（その３）のように、コモン電極駆動回路
１７０における回路１７０ａの各行につき、ＴＦＴ１７１〜１７４に、さらにｎチャネル
型のＴＦＴ１７７、１７８を加えた構成としても良い。
詳細には、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極が、次行である（ｉ＋１）行目
の走査線１１２に接続され、さらにｉ行目のＴＦＴ１７７（第７トランジスタ）のゲート
電極は、ｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極は給電線１６７（オフ電圧給
電線）に接続され、そのドレイン電極は、ｉ行目のＴＦＴ１７３のゲート電極に接続され
ている。同様にｉ行目のＴＦＴ１７８（第８トランジスタ）のゲート電極は、ｉ行目の走
査線１１２に接続され、そのソース電極は給電線１６７に接続され、そのドレイン電極は
、ｉ行目のＴＦＴ１７４のゲート電極に接続されている。ここで、給電線１６７には、信
号Ｖoffとして、論理レベルのＬレベルが供給されている。

このような構成において、コモン電極駆動回路１７０のｉ行目について着目すると、ｉ
行目の走査線１１２が選択されて、走査信号ＹｉがＨレベルになったとき、ｉ行目のＴＦ
Ｔ１７７、１７８がオンするので、ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４のゲート電極は給電線
１６７に接続される。このため、ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４は、いずれもオフ状態に
なるとともに、ゲート電極の寄生容量に充電された電圧がゼロにリセットされる。
次行である（ｉ＋１）行目の走査線が選択されて、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルに
なったとき、コモン電極駆動回路１７０では、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２がオンする
ので、ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４のゲート電極に、ＨまたはＬレベルが排他的に印加
されて、その寄生容量に保持される。
したがって、ＴＦＴ１７３、１７４のオン・オフ状態は、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレ
ベルになっても、再びｉ行目の走査線１１２が選択されて走査信号ＹｉがＨレベルになる
まで維持される。

このように、コモン電極駆動回路１７０のうち、回路１７０ａでは、ｉ行目でみれば、
走査信号ＹｉがＨレベルである期間のときにＴＦＴ１７３、１７４がともにオフしている
ので、ｉ行目のコモン電極１０８は、第３給電線１６３および第４給電線１６４のいずれ
にも接続されないことになる。ただし、コモン電極駆動回路１７０のうち、回路１７０ｂ
では、ｉ行目でみれば、走査信号ＹｉがＨレベルである期間にＴＦＴ１７５（１７６）が
オンして、ｉ行目のコモン電極１０８に対して書込極性に応じて電圧Ｖsl、Ｖshのいずれ
か一方が印加される。このため、結局のところ、ｉ行目のコモン電極１０８が電圧不確定
状態になることはない。

この応用・変形例（その３）では、コモン電極駆動回路１７０のうち、回路１７０ａに
おいて例えば走査信号ＹｉがＨレベルである期間のときに、ｉ行目のコモン電極１０８の
電圧を確定させる動作をしていない。このため、ｉ行目の走査線１１２が選択されたとき
の電圧変化が他行に廻り込みにくくなって、各コモン電極１０８に与える影響が少なくな
り、その分、表示の高品位化が図られる。
なお、図２５に示した応用・変形例（その３）では、各行に対応するＴＦＴ１７６を設
けるとともに、選択期間において、選択行に対応するコモン電極１０８の電圧を、オペア
ンプ４０により帰還制御する構成としたが、帰還制御しない構成（図１８における回路１
７０ｂ）としても良い。

また、図２５に示した応用・変形例（その３）では、各行におけるＴＦＴ１７３、１７
４のオフ電圧を、給電線１６７を介して供給する構成としたが、図２６に示される応用・
変形例（その４）のように、例えばｉ行目のＴＦＴ１７７、１７８のソース電極を、それ
ぞれｉ行目のコモン電極１０８に接続する構成としても良い。
ここで、ｉ行目のコモン電極１０８には、電圧Ｖslまたは電圧Ｖshのいずれか一方が書
込極性に応じて印加されるが、ＴＦＴ１７３、１７４がオンする電圧をＶonと表記した場
合に、電圧Ｖsl、Ｖshに、（Ｇnd≦）Ｖsl＜Ｖsh＜Ｖon（≦Ｖdd）という関係にあれば、
当該電圧Ｖsl、Ｖshをオフ電圧として代用することができる。
このため、図２６に示される応用・変形例（その４）によれば、給電線１６７を設ける
必要がないので、その分、構成の簡略化を図ることが可能となる。なお、図２６に示した
応用・変形例（その４）においても、オペアンプ４０により帰還制御しない構成（図１８
における回路１７０ｂ）としても良い。

なお、上述した走査線駆動回路１４０においては、走査線１１２を（０）、１、２、３
、…、３２０、（３２１）行目という順番で選択したが、これとは反対方向で（３２１）
、３２０、３１９、３１８、…、１、（０）行目という順番で選択しても良い。また、垂
直帰線期間においては書込極性を指定することは無意味であるので、極性指定信号Ｐolや
コモン信号Ｖc-a、Ｖc-bなどの論理信号を一定のレベルに固定しても良い。
また、実施形態では、画素容量１２０をノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印
加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、Ｒ（赤）
、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし
、さらに、別の１色（例えばシアン（Ｃ））を追加し、これらの４色の画素で１ドットを
構成して、色再現性を向上させる構成としても良い。

＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器の例
について説明する。
図２７は、実施形態のいずれかに係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の構
成を示す図である。この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１
２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を
備える。

なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図２７に示した携帯電話の他
にも、デジタルスチルカメラ、ノートパソコン、液晶テレビ、ビデオレコーダ、カーナビ
ゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、
テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等などの機器が挙げられる。そして、これらの各
種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うま
でもない。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。 同電気光学装置の素子基板における要部構成を示す平面図である。 同電気光学装置の動作を説明するための図である。 同電気光学装置における画素電極の電圧波形を示す図である。 同電気光学装置の別動作を説明するための図である。 同別動作による画素電極の電圧波形を示す図である。 第１実施形態の変形例に係る電気光学装置の構成を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。 同電気光学装置の素子基板における要部構成を示す平面図である。 本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置の素子基板における要部構成を示す平面図である。 同電気光学装置の動作を説明するための図である。 第３実施形態の変形例に係る電気光学装置の構成を示す図である。 第３実施形態に係る電気光学装置の動作を説明するための図である。 第３実施形態に係る電気光学装置の動作を説明するための図である。 本発明の第４実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置の素子基板における要部構成を示す平面図である。 同電気光学装置の動作を説明するための図である。 本発明の第５実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置の素子基板における要部構成を示す平面図である。 本発明の応用・変形例（その１）に係る電気光学装置の構成を示す図である。 本発明の応用・変形例（その２）に係る電気光学装置の構成を示す図である。 本発明の応用・変形例（その３）に係る電気光学装置の構成を示す図である。 本発明の応用・変形例（その４）に係る電気光学装置の構成を示す図である。 実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。

符号の説明

１０…電気光学装置、２０…制御回路、１００…表示領域、１０８…コモン電極、１１０
…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３
０…蓄積容量、１４０…走査線駆動回路、１６１…第１給電線、１６２…第２給電線、１
６３…第３給電線、１６４…第４給電線、１６５…第５給電線、１６６…検出線、１６７
…給電線、１７０…コモン電極駆動回路、１７１〜１７８…ＴＦＴ、１９０…データ線駆
動回路、１２００…携帯電話

Claims (14)

1. 複数行の走査線と、
   複数列のデータ線と、
   前記複数行の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
   前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、
   各々は、
   一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択さ
   れたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
   一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続されるとともに、他端がコモン電極に接
   続された画素容量と、
   を含み、当該画素容量の保持電圧に応じた階調となる画素と、
   を有する電気光学装置の駆動回路であって、
   前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
   前記複数のコモン電極をそれぞれ個別に駆動するコモン電極駆動回路と、
   選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を
   、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
   を具備し、
   前記コモン電極駆動回路は、
   奇数行の走査線、または、当該奇数行の走査線から所定行離間した走査線が選択された
   ときに、当該奇数行の走査線に対応するコモン電極に低位側または高位側のいずれか一方
   の電圧を印加し、当該奇数行の走査線の選択終了後、または、当該奇数行の走査線から所
   定行離間した走査線の選択終了後、当該奇数行の走査線に対応するコモン電極を前記低位
   側または高位側の電圧に維持し、
   偶数行の走査線、または、当該偶数行の走査線から所定行離間した走査線が選択された
   ときに、当該偶数行の走査線に対応するコモン電極に低位側または高位側のいずれか他方
   の電圧を印加し、当該偶数行の走査線の選択終了後、または、当該偶数行の走査線から所
   定行離間した走査線の選択終了後、当該偶数行の走査線に対応するコモン電極を前記低位
   側または高位側の電圧に維持する
   ことを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
2. 前記コモン電極駆動回路は、
   前記コモン電極の各々に対応して、第１乃至第４トランジスタを有し、
   前記第１トランジスタのゲート電極は、自身に対応する走査線、または、当該一の走査
   線から所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が、前記第３トランジスタをオンま
   たはオフ状態の一方とさせる電圧が給電される第１給電線に接続され、
   前記第２トランジスタのゲート電極は、自身に対応する走査線、または、当該一の走査
   線から所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が、前記第４トランジスタをオンま
   たはオフ状態の他方とさせる電圧が給電される第２給電線に接続され、
   前記第３トランジスタのゲート電極は、前記第１トランジスタのドレイン電極に接続さ
   れ、ソース電極が、低位側または高位側のいずれか一方の電圧が給電される第３給電線に
   接続され、
   前記第４トランジスタのゲート電極は、前記第２トランジスタのドレイン電極に接続さ
   れ、ソース電極が、低位側または高位側のいずれか他方の電圧が給電される第４給電線に
   接続され、
   前記第３および第４トランジスタのドレイン電極同士が、前記コモン電極に接続された
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
3. 前記コモン電極駆動回路は、
   前記コモン電極の奇数行の各々に対応して、第１および第３トランジスタを有し、
   前記コモン電極の偶数行の各々に対応して、第２および第４トランジスタを有し、
   前記第１トランジスタのゲート電極は、自身に対応する走査線、または、当該一の走査
   線から所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が、前記第３トランジスタをオンま
   たはオフ状態の一方とさせる電圧が給電される第１給電線に接続され、
   前記第２トランジスタのゲート電極は、自身に対応する走査線、または、当該一の走査
   線から所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が、前記第４トランジスタをオンま
   たはオフ状態の他方とさせる電圧が給電される第２給電線に接続され、
   前記第３トランジスタのゲート電極は、前記第１トランジスタのドレイン電極に接続さ
   れ、ソース電極が、低位側または高位側のいずれか一方の電圧が給電される第３給電線に
   接続され、
   前記第４トランジスタのゲート電極は、前記第２トランジスタのドレイン電極に接続さ
   れ、ソース電極が、低位側または高位側のいずれか他方の電圧が給電される第４給電線に
   接続され、
   前記第３トランジスタのドレイン電極が、自身に対応する奇数行のコモン電極に接続さ
   れ、
   前記第４トランジスタのドレイン電極が、自身に対応する偶数行のコモン電極に接続さ
   れた
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
4. 前記第１給電線には、前記第３トランジスタをオン状態およびオフ状態とさせる電圧が
   、走査線が選択される毎に反転して供給され、
   前記第３給電線には、前記低位側または高位側のいずれかの一方の電圧が少なくとも１
   フレーム以上の期間にわたって供給され、
   前記第４給電線には、前記第３給電線に前記低位側の電圧が供給された場合には、前記
   高位側の電圧が供給され、前記第３給電線に前記高位側の電圧が供給された場合には、前
   記低位側の電圧が供給される
   ことを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置の駆動回路。
5. 前記第１給電線には、前記第３トランジスタをオン状態またはオフ状態とさせる電圧が
   、少なくとも１フレーム以上の期間にわたって供給され、
   前記第３給電線には、前記低位側および高位側の電圧が、走査線が選択される毎に反転
   して供給され、
   前記第４給電線には、前記第３給電線に前記低位側の電圧が供給された場合には、前記
   高位側の電圧が供給され、前記第３給電線に前記高位側の電圧が供給された場合には、前
   記低位側の電圧が供給される
   ことを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置の駆動回路。
6. 一行の走査線に対応して第１および第２コモン電極が設けられるとともに、奇数列の画
   素容量の他端は、前記第１コモン電極に接続される一方、偶数列の画素容量の他端は、前
   記第２コモン電極に接続され、
   前記コモン電極駆動回路は、
   一の走査線、または、当該一の走査線から所定行離間した走査線が選択されたとき、
   当該一の走査線に対応する第１コモン電極に、低位側または高位側のいずれか一方の電
   圧を印加し、当該一の走査線に対応する第２コモン電極に、低位側または高位側のいずれ
   か他方の電圧を印加する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
7. 前記コモン電極駆動回路は、
   前記コモン電極の各々に対応して、さらに第５トランジスタを有し、
   前記第５トランジスタのゲート電極は、自身に対応する走査線に接続され、ソース電極
   が、自身に対応するコモン電極の印加電圧が給電される第５給電線に接続され、ドレイン
   電極が自身に対応するコモン電極に接続された
   ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
8. 前記コモン電極駆動回路は、
   前記コモン電極の各々に対応して、さらに第６トランジスタを有し、
   前記第６トランジスタのゲート電極は、自身に対応する走査線に接続され、ソース電極
   が自身に対応するコモン電極に接続され、ドレイン電極が検出線に接続されて、
   前記第５給電線には、検出線の電圧が、前記低位側または高位側のいずれか一方の電圧
   となるように制御した信号が給電される
   ことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の駆動回路。
9. 前記コモン電極駆動回路は、
   前記コモン電極の各々に対応して、さらに第７および第８トランジスタを有し、
   前記第７トランジスタのゲート電極は、自身に対応する走査線に接続され、ソース電極
   には、前記第３および第４トランジスタをオフ状態とさせるオフ電圧が給電され、ドレイ
   ン電極が第３トランジスタのゲート電極に接続され、
   前記第８トランジスタのゲート電極は、自身に対応する走査線に接続され、ソース電極
   が、前記オフ電圧が給電され、ドレイン電極が第４トランジスタのゲート電極に接続され
   た
   ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
10. 前記第７および第８トランジスタのドレイン電極は、自身に対応するコモン電極に接続
    された
    ことを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の駆動回路。
11. 複数行の走査線と、
    複数列のデータ線と、
    前記複数行の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
    前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、
    各々は、
    一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択さ
    れたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
    一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続されるとともに、他端がコモン電極に接
    続された画素容量と、
    を含み、当該画素容量の保持電圧に応じた階調となる画素と、
    前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
    前記複数のコモン電極をそれぞれ個別に駆動するコモン電極駆動回路と、
    選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を
    、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
    を具備し、
    前記コモン電極駆動回路は、
    奇数行の走査線、または、当該奇数行の走査線から所定行離間した走査線が選択された
    ときに、当該奇数行の走査線に対応するコモン電極に低位側または高位側のいずれか一方
    の電圧を印加し、当該奇数行の走査線の選択終了後、または、当該奇数行の走査線から所
    定行離間した走査線の選択終了後、当該奇数行の走査線に対応するコモン電極を前記低位
    側または高位側の電圧に維持し、
    偶数行の走査線、または、当該偶数行の走査線から所定行離間した走査線が選択された
    ときに、当該偶数行の走査線に対応するコモン電極に低位側または高位側のいずれか他方
    の電圧を印加し、当該偶数行の走査線の選択終了後、または、当該偶数行の走査線から所
    定行離間した走査線の選択終了後、当該偶数行の走査線に対応するコモン電極を前記低位
    側または高位側の電圧に維持する
    ことを特徴とする電気光学装置。
12. 奇数列または偶数列のいずれか一方の画素容量の他端は、自身に対応するコモン電極に
    接続され、奇数列または偶数列のいずれか他方の画素容量の他端は、自身に対応する行に
    隣接するコモン電極に接続された
    ことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
13. 奇数行奇数列および偶数行偶数列、または、奇数行偶数列および偶数行奇数列のいずれ
    か一方の画素容量の他端は、自身に対応するコモン電極に接続され、
    奇数行奇数列および偶数行偶数列、または、奇数行偶数列および偶数行奇数列のいずれ
    か他方の画素容量の他端は、自身に対応する行に隣接するコモン電極に接続された
    ことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
14. 請求項１１乃至１３のいずれかに記載の電気光学装置を有する
    ことを特徴とする電子機器。

Images