JP2006209874A - 光検出装置、光ピックアップおよび光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】パワーモニタ回路における増幅回路の応答速度やＳ／Ｎ比の向上を図りつつパワーモニタ信号のレベル調整の簡素化を図る。
【解決手段】第２の光検出装置２０Ｂは、光源１の出力パワーモニタ用の検出信号用受光素子２６と、検出信号用受光素子２６から供給される検出信号に基づいてパワーモニタ信号を生成するパワーモニタ回路２００とを有している。パワーモニタ回路２００は、増幅回路２０２と、増幅回路２０２の増幅度αを設定する固定抵抗２０４と、位置検出信号出力回路２１０と、出力選択回路２２０とを有し増幅回路２０２、固定抵抗２０４、位置検出信号出力回路２０６、出力選択回路２０８は同一の半導体基板２１Ｂ上に集積化されて形成されている。
【選択図】図６

Description

本発明は、光記録媒体に光信号の記録や再生を行う光ディスク装置、および光ディスク装置に用いられる光ピックアップ並びにこの光ピックアップに設けられる光検出装置に関する。

ＣＤ−ＲやＤＶＤ±Ｒ、あるいはＤＶＤ−ＲＡＭなどの記録および再生の双方が可能な光記録媒体に対して情報の記録および再生を行う光ピックアップがある。
このような光ピックアップは、光源から対物レンズを介して光記録媒体に光ビームを照射することで記録を行うが、この記録時における光源の出力パワーを監視するために、光源から出射された光ビームを受光する受光素子と、この受光素子から出力される検出信号を増幅してパワーモニタ信号を生成するパワーモニタ回路とが同一の半導体基板（半導体チップ）に集積化されて形成された光検出装置が提案されている（特許文献１参照）。
この光検出装置では、パワーモニタ回路は、前記受光素子から出力される電流信号としての検出信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路と、電圧信号を増幅する増幅回路とを備えている。
さらに、光検出装置には、パワーモニタ信号のレベル調整を行うために増幅回路の増幅度を変化させる可変抵抗（ボリューム）が前記半導体基板に対して外付けで設けられており、この可変抵抗は半導体基板とは別体の基板に実装されている。
特開２００３-２５７０７０号公報

このような光検出装置では、増幅回路と可変抵抗器の間が離間していることから、双方を接続する配線が半導体基板の外方に引き出されるため、配線部分において容量成分、あるいは、インダクタンス成分が発生することになり、増幅回路の周波数特性およびＳ／Ｎ比を確保する上で不利となる。
近年、光記録媒体への記録速度の高速化が図られていることから増幅回路の応答速度の高速化が要求され、また、記録時のスペースとピットの形成時に必要な光源の出力パワー差が大きいほど増幅回路のＳ／Ｎ比の向上が要求されている。また、コストダウンを図る上でパワーモニタ信号のレベル調整の簡素化が求められている。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、その目的はパワーモニタ回路における増幅回路の応答速度やＳ／Ｎ比の向上を図りつつパワーモニタ信号のレベル調整の簡素化を図る上で有利な光検出装置およびこれを用いた光ピックアップ並びに光ディスク装置を提供することにある。

上記目的を達成するために本発明の光検出装置は、光記録媒体に光ビームを照射する光源から照射される光ビームを受光して検出信号を生成する受光素子と、前記検出信号に基づいて前記光源の出力パワーを監視するためのパワーモニタ信号を生成するパワーモニタ回路とを有する光検出装置であって、前記受光素子は複数の分割受光素子から構成され、前記検出信号は、前記複数の分割受光素子からそれぞれ分割検出信号として出力され、前記パワーモニタ回路は、前記複数の分割検出信号の全てを加算した信号を増幅して前記パワーモニタ信号を生成するとともに、前記パワーモニタ信号を極性が反対の第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−として出力する増幅回路と、前記増幅回路の増幅度を決定する固定抵抗と、前記光ビームが前記受光素子の受光面上に照射されることで形成される光スポットの前記受光面上における位置を特定する第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２を、前記複数の分割検出信号に基づいて生成する位置検出信号出力回路とを備え、少なくとも、前記受光素子と前記増幅回路と前記固定抵抗とが同一の半導体基板上に集積化されて形成されていることを特徴とする。
また、本発明の光ピックアップは、光ビームを出射する光源と、前記光源から出射された光ビームを集光して光記録媒体に照射する対物レンズと、前記光源から照射された光ビームの前記光記録媒体での反射光による反射光ビームを前記対物レンズを介して受光する第１の光検出装置と、前記光源の出力パワーを監視するために前記光源から照射された光ビームを受光する第２の光検出装置とを備えた光ピックアップであって、前記第２の光検出装置は、前記光源から照射される光ビームを受光して検出信号を生成する受光素子と、前記検出信号に基づいて前記光源の出力パワーを監視するためのパワーモニタ信号を生成するパワーモニタ回路とを有し、前記受光素子は複数の分割受光素子から構成され、前記検出信号は、前記複数の分割受光素子からそれぞれ分割検出信号として出力され、前記パワーモニタ回路は、前記複数の分割検出信号の全てを加算した信号を増幅して前記パワーモニタ信号を生成するとともに、前記パワーモニタ信号を極性が反対の第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−として出力する増幅回路と、前記増幅回路の増幅度を決定する固定抵抗と、前記光ビームが前記受光素子の受光面上に照射されることで形成される光スポットの前記受光面上における位置を特定する第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２を、前記複数の分割検出信号に基づいて生成する位置検出信号出力回路とを備え、少なくとも、前記受光素子と前記増幅回路と前記固定抵抗とが同一の半導体基板上に集積化されて形成されていることを特徴とする。
また、本発明の光ディスク装置は、光記録媒体を保持して回転駆動する駆動手段と、前記駆動手段によって回転駆動する光記録媒体に対し記録および／または再生用の光ビームを照射し、前記照射された光ビームの前記光記録媒体での反射光による反射光ビームを検出する光ピックアップとを有する光ディスク装置であって、前記光ピックアップは、前記光ビームを出射する光源と、前記光源から出射された光ビームを集光して光記録媒体に照射する対物レンズと、前記光源から照射された光ビームの前記光記録媒体での反射光による反射光ビームを前記対物レンズを介して受光する第１の光検出装置と、前記光源の出力パワーを監視するために前記光源から照射された光ビームを受光する第２の光検出装置とを備え、前記第２の光検出装置は、前記光源から照射される光ビームを受光して検出信号を生成する受光素子と、前記検出信号に基づいて前記光源の出力パワーを監視するためのパワーモニタ信号を生成するパワーモニタ回路とを有し、前記受光素子は複数の分割受光素子から構成され、前記検出信号は、前記複数の分割受光素子からそれぞれ分割検出信号として出力され、前記パワーモニタ回路は、前記複数の分割検出信号の全てを加算した信号を増幅して前記パワーモニタ信号を生成するとともに、前記パワーモニタ信号を極性が反対の第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−として出力する増幅回路と、前記増幅回路の増幅度を決定する固定抵抗と、前記光ビームが前記受光素子の受光面上に照射されることで形成される光スポットの前記受光面上における位置を特定する第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２を、前記複数の分割検出信号に基づいて生成する位置検出信号出力回路とを備え、少なくとも、前記受光素子と前記増幅回路と前記固定抵抗とが同一の半導体基板上に集積化されて形成されていることを特徴とする。

本発明にかかる光検出装置、光ピックアップおよび光ディスク装置によれば、受光素子と増幅回路と増幅回路の増幅度を設定する固定抵抗とが同一の半導体基板上に集積化されて形成されているため、固定抵抗およびその配線によって発生する容量成分やインダクタンス成分を無視できる程度に抑制することができ、これによりパワーモニタ回路における増幅回路の応答速度（周波数特性やセトリング特性）およびＳ／Ｎ比などの向上を図る上で有利となる。
また、第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２に基づいて受光素子の受光面におけるメインビームＢ４のスポットの位置を確認でき、かつ、第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−に基づいて受光素子の受光面に照射される光ビームの光量を確認できる。
したがって、受光素子の受光面に受光される光量を適切な値に調整する作業を容易にかつ効率よく行うことができ、第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−からなるパワーモニタ信号のレベル調整の簡素化を図る上で有利となる。

パワーモニタ回路における増幅回路の応答速度やＳ／Ｎ比の向上を図りつつパワーモニタ信号のレベル調整の簡素化を図るという目的を、少なくとも検出信号用受光素子と増幅回路と増幅回路の増幅度を設定する固定抵抗とを同一の半導体基板上に集積化して形成するとともに、増幅回路および位置検出信号出力回路を設けることによって実現した。

以下、本発明による光検出装置、光ピックアップおよび記録再生装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の実施例１における光検出装置および光ピックアップを組み込んだ光ディスク装置の構成を示すブロック図である。なお、図１に示す光ディスク装置は、以下に説明する光ピックアップを搭載することが可能な記録再生装置の一例である。

図１において、光ディスク装置１０１は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ±Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどの光記録媒体としての光ディスク２０２を回転駆動する駆動手段としてのスピンドルモータ１０３と、光ピックアップ１０４と、その駆動手段としての送りモータ１０５とを備えている。ここで、スピンドルモータ１０３は、システムコントローラ１０７およびサーボ制御部１０９により所定の回転数で駆動制御される構成になっている。

信号変復調部およびＥＣＣブロック１０８は、信号処理部１２０から出力される信号の変調、復調およびＥＣＣ（エラー訂正符号）の付加を行う。光ピックアップ１０４は、システムコントローラ１０７およびサーボ制御部１０９からの指令に従って回転する光ディスク２０２の信号記録面に対して光ビームを照射する。このような光照射により光ディスク２０２に対する光信号の記録、再生が行われる。
また、光ピックアップ１０４は、光ディスク２０２の信号記録面からの反射光ビームに基づいて、後述するような各種の光ビームを検出し、各光ビームに対応する信号を信号処理部１２０に供給できるように構成されている。

前記信号処理部１２０は、各光ビームに対応する検出信号に基づいてサーボ制御用信号、すなわち、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号、ＲＦ信号、ランニングＯＰＣ処理に必要なモニタ信号（Ｒ−ＯＰＣ信号）、記録時における光ディスクの回転制御を行うために必要なＡＴＩＰ信号などを生成できるように構成されている。また、再生対象とされる記録媒体の種類に応じて、サーボ制御部１０９、信号変調およびＥＣＣブロック１０８等により、これらの信号に基づく復調および誤り訂正処理等の所定の処理が行われる。
ここで、信号変調およびＥＣＣブロック１０８により復調された記録信号が、例えばコンピュータのデータストレージ用であれば、インタフェース１１１を介して外部コンピュータ１３０等に送出される。これにより、外部コンピュータ１３０等は光ディスク２０２に記録された信号を再生信号として受け取ることができるように構成されている。

また、信号変調およびＥＣＣブロック１０８により復調された記録信号がオーディオ・ビジュアル用であれば、Ｄ／Ａ、Ａ／Ｄ変換器１１２のＤ／Ａ変換部でデジタル／アナログ変換され、オーディオ・ビジュアル処理部１１３に供給される。そして、このオーディオ・ビジュアル処理部１１３でオーディオ・ビデオ信号処理が行われ、オーディオ・ビジュアル信号入出力部１１４を介して外部の撮像・映写機器に伝送される。
前記光ピックアップ１０４には、例えば光ディスク２０２上の所定の記録トラックまで移動させるための送りモータ１０５が接続されている。スピンドルモータ１０３の制御と、送りモータ１０５の制御と、光ピックアップ１０４の対物レンズを保持するアクチュエータのフォーカシング方向およびトラッキング方向の制御は、それぞれサーボ制御部１０９により行われる。
すなわち、サーボ制御部１０９は、ＡＴＩＰ信号に基づいてスピンドルモータ１０３の制御を行ない、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号に基づいてアクチュエータの制御を行う。
また、レーザ制御部１２１は、光ピックアップ１０４における光源（レーザ光源）を制御するものであり、後述するパワーモニタ回路２００から供給されるパワーモニタ信号に基づいてレーザ光源の出力パワー（出射パワー）を制御する動作を行う。

図２は本発明の実施例１による光ピックアップの光学系を示す構成図である。
図２に示すように、光ピックアップ１０４は、実施例１と同様に、光源１、グレーティング素子２、コリメータレンズ３、偏光ビームスプリッタ４、１/４波長板５、対物レンズ６、集光レンズ７、第１、第２の光検出装置２０Ａ、２０Ｂを備えており、これらの各部品が不図示のホルダにマウントされて構成されている。
光源１の前方には、グレーティング素子２、コリメータレンズ３、偏光ビームスプリッタ４、１/４波長板５、対物レンズ６がこの順番で直線上に配置され、対物レンズ６の前方に光ディスク２０２が位置している。
偏光ビームスプリッタ４は、光源１に臨む第１面４Ａと、第１面４Ａに対向し対物レンズ６に臨む第２面４Ｂと、第１面４Ａおよび第２面４Ｂと直交する第３面４Ｃと、第３面４Ｃに対向する第４面４Ｄと、第１面４Ａ、第２面４Ｂに対してほぼ４５度をなす偏光ビームスプリッタ面４２とを有している。
第１の光検出装置２０Ａは、偏光ビームスプリッタ４の第３面４Ｃに臨むように配置されている。
第２の光検出装置２０Ｂは、偏光ビームスプリッタ４の第４面４Ｄに臨むように配置され、本発明の光検出装置を構成している。
光ピックアップ１０４において、光源１から出射された光ビームは、グレーティング素子２を通過することで１つのメインビームと２つのサイドビームに分離されコリメータレンズ３を介して偏光ビームスプリッタ４に入射する。
偏光ビームスプリッタ４の第１面４Ａに入射した光ビームの一部は偏光ビームスプリッタ面４２、第２面４Ｂを通過して、１／４波長板５、対物レンズ６を介して光ディスク２０２に照射され、偏光ビームスプリッタ４に入射した光ビームの残りは偏光ビームスプリッタ４の偏光ビームスプリッタ面４２で反射される。
光ディスク２０２に到達した光ビームは光ディスク２０２の記録面で反射され反射光ビームとして対物レンズ６、１／４波長板５を介して偏光ビームスプリッタ４の第２面４Ｂに入射され、偏光ビームスプリッタ面４２で反射され第３面４Ｃから第１の光検出装置２０Ａに入射される。
また、偏光ビームスプリッタ面４２で反射された前記光ビームは、第４面４Ｄから第２の光検出装置２０Ｂに入射される。
なお、トラッキングエラーの検出やフォーカスエラーの検出については従来公知の様々な方法を用いることができ。本例においては、トラッキングエラー信号をＤＰＰ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｐｕｓｈ−Ｐｕｌｌ）法、あるいは、ＤＰＤ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｐｈａｓｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）法で検出し、フォーカスエラー信号を非点収差（Ａｓｔｉｇｍａ）法で検出するものとして説明する。

まず、第１の光検出装置２０Ａについて説明する。なお、第１の光検出装置２０Ａの構成は本発明の要旨とは直接関連しないものであり、第１の光検出装置２０Ａとしては従来公知の様々な構成のものが採用可能である。
図３は第１の光検出装置２０Ａの平面図、図４は第１の光検出装置２０Ａの構成を示す回路図である。
第１の光検出装置２０Ａは、図３、図４に示すように、再生信号用受光素子２２と、再生信号増幅回路２６と、８個の出力端子６０Ａ〜６０Ｈとを有し、これら再生信号用受光素子２２、再生信号増幅回路２６、出力端子６０Ａ〜６０Ｈは、同一の半導体基板２１Ａ上に設けられている。
図３に示すように、再生信号用受光素子２２は、半導体基板２１上に互いに間隔をおいて直線状に並べられた第１受光部２２０２、第２受光部２２０４、第３受光部２２０６の３つの受光部から構成されている。
３つの受光部のうち中央に位置する第１光検出部２２０２は、前記反射光ビームのうちのメインビームＢ１を受光するものである。第１光検出部２２０２は、単一の受光面が十字状に設けられた絶縁帯（非導電帯）によって互いに等しい面積で４分割された矩形状に形成され、４つの分割受光素子２２Ａ〜２２Ｄから構成されている。
第１光検出部２２０２の一方の側部に位置する第２光検出部２２０４は、前記反射光ビームの２つのサイドビームの一方のサイドビームＢ２を受光するものである。第２光検出部２２０４は、第１受光部２２０２、第２受光部２２０４、第３受光部２２０６が並べられた直線と直交する方向に延在する直線状の絶縁帯によって互いに等しい面積で２分割された矩形状を呈し、第１光検出部２２０２に近い側の分割受光素子２２Ｅと第１光検出部２２０２から遠い側の分割受光素子２２Ｆとから構成されている。
また、第１光検出部２２０２の他方の側部に位置する第３光検出部２２０６は、前記反射光ビームの２つのサイドビームの他方のサイドビームＢ３を受光するものである。第３光検出部２２０６は、第２光検出部２２０４と同様に前記直線と直交する方向に延在する直線状の絶縁帯によって２分割された矩形状を呈し、第１光検出部２２０２に近い分割受光素子２２Ｈと第１光検出部２２０２から遠い分割受光素子２２Ｇとから構成されている。
これら８個の分割受光素子２２Ａ〜２２Ｈは、受光した光量に応じた電流信号を分割再生電流信号Ａ〜Ｈとして出力するように構成されている。
また、再生信号用受光素子２２の第１受光部２２０２、第２受光部２２０４、第３受光部２２０６の受光面上に形成される前記反射光ビームによるメインビームおよび２つのサブビームのスポットの位置は、第１の光検出装置２０Ａを前記ホルダ上で動かすことによって調整される。

図４に示すように、再生信号増幅回路２６は、前記分割再生電流信号Ａ〜Ｈをそれぞれ増幅して分割再生電圧信号Ａ〜Ｈとして出力する８個のＩ／Ｖ増幅器（電流／電圧増幅器）４０Ａ〜４０Ｈを有している。
なお、図４では、図面繁雑化を避けるためＩ／Ｖ増幅器４０Ｅ〜４０Ｈの配線を省略している。

次に、第２の光検出装置２０Ｂについて説明する。
図５は第２の光検出装置２０Ｂの平面図、図６は第２の光検出装置２０Ｂの構成を示す回路図である。
第２の光検出装置２０Ｂは、光源１の出力パワーモニタ用の検出信号用受光素子２６（特許請求の範囲の受光素子に相当）と、検出信号用受光素子２６から供給される検出信号に基づいてパワーモニタ信号を生成するパワーモニタ回路２００とを有し、これら検出信号用受光素子２６とパワーモニタ回路２００は、第１の光検出装置２０Ａの半導体基板２１Ａとは別体に設けられた同一の半導体基板２１Ｂ上に集積化されて形成されている。
検出信号用受光素子２６は、前記偏光ビームスプリッタ４によって導かれる前記光ビームのうち、メインビームＢ４を受光するものである。検出信号用受光素子２６は、前記第１検出部２２０２と同様に、単一の受光面が十字状に設けられた絶縁帯２６０２によって４分割された矩形状に形成され、４つの分割受光素子２６Ｉ〜２４Ｌから構成されている。詳細に説明すると、検出信号用受光素子２６の受光面の輪郭のほぼ中央部の一点を中心としてその回りに等間隔(９０度)をおいて４つの分割受光素子２６Ｉ〜２４Ｌが分割形成されている。実施例では、４つの分割受光素子２６Ｉ〜２４Ｌは、互いに等しい面積の４つの矩形の受光面に分割されており、４つの受光面により第１〜第４受光面が構成されている。言い換えると、検出信号用受光素子２６の受光面の輪郭のほぼ中央部の一点を対称の中心として、２つの分割受光素子２６Ｉ、２６Ｋの受光面が互いに点対称の位置に配置され、残りの２つの分割受光素子２６Ｊ、２６Ｌの受光面が互いに点対称の位置に配置されている。
本実施例では、図６に示すように、十字状の絶縁体２４０２は、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸に沿った第１絶縁体２４０２Ｘと第２絶縁体２４０２Ｙで構成されている。
これら４つの分割受光素子２６Ｉ〜２４Ｌは、受光した光量に応じた電流信号を分割検出信号Ｉ〜Ｌとして出力するように構成されている。
これら分割検出信号Ｉ〜Ｌに基づいて、前記受光面上におけるメインビームＢ４のスポットのＸ軸方向およびＹ軸方向の位置を特定することができる。
すなわち、Ｘ軸方向については、図６からわかるように、（Ｊ＋Ｋ）−（Ｉ＋Ｌ）が「０」であれば、メインビームのスポットがＸ軸方向における受光面の中心に位置していることになり、（Ｊ＋Ｋ）−（Ｉ＋Ｌ）が「０」よりも大きくあるいは小さくなるほどメインビームのスポットがＸ軸方向における受光面の中心から離れた箇所に位置していることになる。
また、Ｙ軸方向についても同様に、（Ｊ＋Ｉ）−（Ｋ＋Ｌ）が「０」であれば、メインビームのスポットがＹ軸方向における受光面の中心に位置していることになり、（（Ｊ＋Ｉ）−（Ｋ＋Ｌ）が「０」よりも大きくあるいは小さくなるほどメインビームのスポットがＹ軸方向における受光面の中心から離れた箇所に位置していることになる。
また、検出信号用受光素子２６の受光面上に形成される前記光ビームのスポットの位置は、第２の光検出装置２０Ｂ（半導体基板２１Ｂ）を調整治具などにより動かすことにより、前記受光面に沿って調整される。

パワーモニタ回路２００は、増幅回路２０２と、固定抵抗２０４と、位置検出信号出力回路２１０と、出力選択回路２２０とを有している。前述したように、パワーモニタ回路２００が半導体基板２１Ｂ上に集積化されて形成されているので、これら増幅回路２０２、固定抵抗２０４、位置検出信号出力回路２０６、出力選択回路２０８も同一の半導体基板２１Ｂ上に集積化されて形成されている。

増幅回路２０２は、４つの分割検出信号Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌの全てを加算した信号（Ｉ＋Ｊ＋Ｋ＋Ｌ）を増幅度αで増幅してパワーモニタ信号を生成するとともに、このパワーモニタ信号を極性が反対の第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−として出力するように構成されている。具体的には、第１の差動信号Ｓ＋＝α（Ｉ＋Ｊ＋Ｋ＋Ｌ）であり、第２の差動信号Ｓ−＝−α（Ｉ＋Ｊ＋Ｋ＋Ｌ）である。
なお、増幅回路２０２の回路構成は従来公知の様々な回路が採用可能である。
このようにパワーモニタ信号を差動出力にすると、差動出力でない場合に比較して検出信号の高速化に対応でき、記録密度の高い光記録媒体（例えばＤＶＤなど）に対する記録および／または再生を行う際に記録信号あるいは再生信号の品質を確保する上で有利となる。
固定抵抗２０４は、増幅回路２０２の増幅度αを決定するものであり、増幅回路２０２の回路構成に応じて適宜設定されるものである。

位置検出信号出力回路２１０は、４つの分割検出信号Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌに基づいて前記メインビームＢ４が検出信号用受光素子２６の受光面上に照射されることで形成される光スポットの受光面上における位置を特定する第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２を生成するように構成されている。
本実施例では、位置検出信号出力回路２１０は、第１、第２の増幅器２１２、２１４を有している。
第１の増幅器２１２は、第１の分割検出信号Ｉと第３の分割検出信号Ｋとの差信号（Ｋ−Ｉ）に基づいて第１の位置検出信号Ｓｐ１を出力するように構成されている。
第３の増幅器２１４は、第２の分割検出信号Ｊと第４の分割検出信号Ｌとの差信号（Ｊ−Ｌ）に基づいて第２の位置検出信号Ｓｐ２を出力するように構成されている。

出力選択回路２２０は、第１、第２の差動信号Ｓ１、Ｓ２をそれぞれ入力する第１、第２の入力端子２２０Ａ、２２０Ｂと、第１の位置検出信号Ｓｐ１＝（Ｋ−Ｉ）、第２の位置検出信号Ｓｐ２＝（Ｊ−Ｌ）をそれぞれ入力する第３、第４の入力端子２２０Ｃ、２２０Ｄと、第１、第２の出力端子２２０Ｅ、２２０Ｆとを有している。第１、第２の出力端子２２０Ｅ、２２０Ｆは、第２の光検出装置２０Ｂの出力端子２３０Ａ、２３０Ｂにそれぞれ接続されている。
出力選択回路２２０は、第２の光検出装置２０Ｂのモード信号入力端子２３０Ｃから入力されるモード設定信号Ｍに応じて、第１、第２の差動信号Ｓ１、Ｓ２を第１、第２の出力端子２２０Ｅ、２２０Ｆからそれぞれ同時に出力するパワーモニタ信号出力モードと、第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２を第１、第２の出力端子２２０Ｅ、２２０Ｆからそれぞれ同時に出力する位置決めモード（ＡＬモード：アライメントモード）との何れか一方のモードに切り換えられるように構成されている。
本実施例では、モード設定信号Ｍは「Ｈ」、「Ｌ」の２値の信号であり、出力選択回路２２０はモード設定信号Ｍが「Ｈ」のときにパワーモニタ信号出力モードに切り換えられ、「Ｌ」のときに位置決めモードに切り換えられるように構成されている。
なお、分割検出信号Ｉ〜Ｌ、パワーモニタ信号、第１、第２の差動信号を電圧信号として扱うか、あるいは、電流信号として扱うかは任意である。これらの信号を電圧信号として扱う場合には増幅回路２０２、第１、第２の増幅器２１２、２１４に電流電圧変換器を設ければよく、これらの信号を電流信号として扱う場合には増幅回路２０２、第１、第２の増幅器２１２、２１４を電流信号で動作するように構成すればよい。

次に第１の光検出装置２０Ａの位置決め調整について説明する。
まず、再生信号用受光素子２２の第１受光部２２０２、第２受光部２２０４、第３受光部２２０６に対して前記反射光ビームのメインビームおよび２つのサブビームのスポットが正確に位置するように位置決めを行う。
この場合、分割再生電圧信号Ａ〜Ｈが出力端子６０Ａ〜６０Ｈに出力される。
そして、各分割再生電圧信号Ａ〜Ｈが出力されている（各再生信号用受光素子上に光ビームの各スポットが位置している）状態において、分割再生電圧信号Ａ〜Ｈに基づいて４つの差信号（Ａ−Ｃ）、（Ｂ−Ｄ）、（Ｅ−Ｆ）、（Ｇ−Ｈ）を検出する。４つの差信号のうち、２つの差信号（Ａ−Ｃ）、（Ｂ−Ｄ）はメインビームが第１受光部２２０２上に正確に位置決めされたときに最小となる。また、４つの差信号のうち、差信号（Ｅ−Ｆ）は一方のサブビームが第２受光部２２０４上に正確に位置決めされたときに最小となる。また、４つの差信号のうち、差信号（Ｇ−Ｈ）は他方のサブビームが第３受光部２２０６上に正確に位置決めされたときに最小となる。
したがって、４つの４つの差信号（Ａ−Ｃ）、（Ｂ−Ｄ）、（Ｅ−Ｆ）、（Ｇ−Ｈ）がそれぞれ最小となるように第１の光検出装置２０Ａ（半導体基板２１Ａ）の位置を前記ホルダ上で動かし、各差信号が全て０となった状態にすると、第１受光部２２０２、第２受光部２２０４、第３受光部２２０６に対するメインビームおよび２つのサブビームのスポットが正確に位置決めされたことになる。この状態で第１の光検出装置２０Ａ（半導体基板２１Ａ）を接着剤などにより前記ホルダに固定する。

次に第２の光検出装置２０Ｂの位置決め調整について説明する。
第２の光検出装置２０Ｂの位置決めは第１の光検出装置２０Ａの位置決めと異なり、前記光ビームのメインビームＢ４のスポットを検出信号用受光素子２６の受光面の中心に対して正確に位置させるために行うのではなく、前記光ビームのメインビームＢ４のスポットが検出信号用受光素子２６の受光面に受光される光量を調整するために行う。
すなわち、第２の光検出装置２０Ｂ（半導体基板２１Ｂ）を動かすことにより、前記スポットのうち検出信号用受光素子２６の受光面の輪郭の内側に位置する領域と受光面の輪郭の外側に位置する（受光面から外れる）領域の面積を増減させ、これにより前記光ビームのメインビームＢ４のスポットが検出信号用受光素子２６の受光面に受光される光量を調整する。
これにより増幅回路２０２から出力されるパワーモニタ信号（第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−）のレベル調整を行う。これは前述したように増幅回路２０２の増幅度を設定する抵抗が固定抵抗２０４によって固定されているからである。

図７に示すように、第２の光検出装置２０Ｂに信号調整治具３００を接続する。
信号調整治具３００は、加算回路３０２と減算回路３０４と信号発生器３０６を有している。
加算回路３０２は、第２の光検出装置２０Ｂの第１、第２の出力端子２３０Ａ、２３０Ｂから供給される２つの信号の和を演算して第１の出力端子３１０Ａから出力するように構成されている。
減算回路３０４は、第２の光検出装置２０Ｂの第１、第２の出力端子２３０Ａ、２３０Ｂから供給される２つの信号の差を演算して第２の出力端子３１０Ｂから出力するように構成されている。
信号発生器３０６は、第２の光検出装置２０Ｂの入力端子２３０Ｃにモード設定信号Ｍとして「Ｈ」と「Ｌ」の２値を有する矩形波状の信号を供給するように構成されている。
このような信号調整治具３００によりモード設定信号Ｍを入力端子２３０Ｃに供給すると、モード設定信号Ｍが「Ｈ」の期間では出力選択回路２２０がパワーモニタ信号出力モードに切り換えられるため、減算回路３０４によって第１、第２の差動信号＋Ｓ、−Ｓの差、すなわち、第１差動信号＋Ｓの絶対値と第２の差動信号−Ｓの絶対値の和（Ｓ＋）−（Ｓ−）＝α（Ｉ＋Ｊ＋Ｋ＋Ｌ）−（−α（Ｉ＋Ｊ＋Ｋ＋Ｌ））＝２α（Ｉ＋Ｊ＋Ｋ＋Ｌ）からなるパワーモニター信号に比例した信号（以下レベル信号という）が第２の出力端子３１０Ｂから出力される。なお、この場合、加算回路３０２によって出力される第１、第２の差動信号＋Ｓ、−Ｓの和は利用しない。
一方、モード設定信号Ｍが「Ｌ」の期間では出力選択回路２２０が位置決めモードに切り換えられるため、加算回路３０２によって第１の位置検出信号Ｓｐ１と第２の位置検出信号Ｓｐ２の和Ｓｘが第１の出力端子３１０Ａから出力されると同時に、減算回路３０４によって第１の位置検出信号Ｓｐ１と第２の位置検出信号Ｓｐ２の差Ｓｙが第２の出力端子３１０Ｂから出力される。
ここで、第１の位置検出信号Ｓｐ１と第２の位置検出信号Ｓｐ２の和Ｓｘは式（１）で示され、第１の位置検出信号Ｓｐ１と第２の位置検出信号Ｓｐ２の差Ｓｙは式（２）で示される。
Ｓｘ＝Ｓｐ１＋Ｓｐ２＝（Ｊ−Ｌ）＋（Ｋ−Ｉ）＝（Ｊ＋Ｋ）−（Ｉ＋Ｌ） （１）
Ｓｙ＝Ｓｐ１−Ｓｐ２＝（Ｊ−Ｌ）−（Ｋ−Ｉ）＝（Ｊ＋Ｉ）−（Ｋ＋Ｌ） （２）
すなわち、図６からわかるように、Ｓｘ＝（Ｊ＋Ｋ）−（Ｉ＋Ｌ）の値によってＸ軸方向におけるメインビームのスポットの位置が示され、Ｓｙ＝（Ｊ＋Ｉ）−（Ｋ＋Ｌ）によってＹ軸方向におけるメインビームのスポットの位置が示される。
つまり、モード設定信号Ｍが「Ｈ」の期間では第２の出力端子３１０Ｂからパワーモニタ信号の大きさに比例したレベル信号が出力される。
また、モード設定信号Ｍが「Ｌ」の期間では、第１の出力端子３１０ＡからＸ軸方向におけるメインビームのスポットの位置を示すＸ方向位置検出信号Ｓｘが出力されると同時に、第２の出力端子３１０ＢからＹ軸方向におけるメインビームのスポットの位置を示すＹ方向位置検出信号Ｓｙが出力される。
したがって、これら２つの位置検出信号Ｓｘ、Ｓｙによって前記光ビームのメインビームＢ４のスポットの位置を確認しつつ、パワーモニタ信号のレベルが所望の値となるように、第２の光検出装置２０Ｂ（半導体基板２１Ｂ）の位置を調整治具などにより動かすことで検出信号用受光素子２６の受光面に受光される光量を適切な値に調整する。
したがって、位置決め調整が完了したならば、その状態で第２の光検出装置２０Ｂ（半導体基板２１Ｂ）を接着剤などにより前記ホルダに固定する。

本実施例によれば、検出信号用受光素子２６と増幅回路２０２と増幅回路２０２の増幅度αを設定する固定抵抗２０４とが同一の半導体基板２１Ｂ上に集積化されて形成されているため、固定抵抗２０４およびその配線によって発生する容量成分やインダクタンス成分を無視できる程度に抑制することができ、これによりパワーモニタ回路２００における増幅回路２０２の応答速度（周波数特性やセトリング特性）およびＳ／Ｎ比などの向上を図る上で有利となる。
また、本実施例によれば、出力選択回路２２０のパワーモニタ信号出力モードと位置決めモードを切り換えることで、第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２に基づいて検出信号用受光素子２６の受光面におけるメインビームＢ４のスポットの位置を確認でき、かつ、第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−に基づいて検出信号用受光素子２６の受光面に照射される光ビームの光量を確認できる。
したがって、検出信号用受光素子２６の受光面に受光される光量を適切な値に調整する作業を容易にかつ効率よく行うことができ、第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−からなるパワーモニタ信号のレベル調整の簡素化を図る上で有利となる。

なお、本実施例では、検出信号用受光素子２６と増幅回路２０２と固定抵抗２０４と位置検出信号出力回路２１０と出力選択回路２２０とが同一の半導体基板２１Ｂ上に集積化されて形成されている場合について説明したが、少なくとも検出信号用受光素子２６と増幅回路２０２と固定抵抗２０４とが同一の半導体基板２１Ｂ上に集積化されて形成されていれば、固定抵抗２０４によって発生する容量成分やインダクタンス成分を抑制でき、これによりパワーモニタ回路２００における増幅回路２０２の応答速度やＳ／Ｎ比の向上を図る上で有利となる。
しかしながら、本実施例のように、検出信号用受光素子２６と増幅回路２０２と固定抵抗２０４と位置検出信号出力回路２１０と出力選択回路２２０とを同一の半導体基板２１Ｂ上に集積化されて形成すると、出力選択回路２２０の第１、第２の出力端子２３０Ａ、２３０Ｂによって第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２と第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−との４つの信号を切り換えて外部に出力することができ、出力端子数の増加を抑制しコストダウンを図る上で有利となる。
また、本実施例では、第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２の和を加算回路３０２で演算することでＸ方向位置検出信号Ｓｘを求め、第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２の差を減算回路３０４で演算することでＹ方向位置検出信号Ｓｙを求め、これら２つの信号Ｓｘ、Ｓｙに基づいて検出信号用受光素子２６の受光面におけるメインビームＢ４のスポットの位置を確認する場合について説明したが、加算回路３０２および減算回路３０４を位置検出信号出力回路２１０に組み込み、位置検出信号出力回路２１０によって２つの信号Ｓｘ、Ｓｙを直接生成するように構成してもよい。また、このような加算回路３０２および減算回路３０４を光ピックアップ１０４内あるいは光ディスク装置１０１内に組み込むようにしてもよい。
しかしながら、このような位置決め作業は光ピックアップの製造時にのみ行われるものであることから、本実施例のように、加算回路３０２および減算回路３０４を治具として設けると、位置検出信号出力回路２１０を含むパワーモニタ回路２００の構成を簡素化できコストダウンおよび小型化を図る上で有利となる。

また、本実施例では、説明を簡略化するために、増幅回路２０２の増幅度αが固定抵抗２０４によって１つの値に固定される場合について説明したが、光ディスクの種類に対応して（例えば、ＣＤ−Ｒと、ＤＶＤ±Ｒとに対応して）、波長および出射パワーが異なる光源を切り換えて使用する光ピックアップの場合には、各光源に対応して増幅回路２０２の増幅度を切り換える必要がある。
例えば、２種類の光源を切り換えて使用する光ピックアップの場合、増幅回路２０２は以下のように構成することができる。
増幅回路２０２は、４つの分割検出信号Ｉ〜Ｌを加算して増幅する電流電圧増幅器からなる前段増幅器と、この電流電圧増幅器の出力端子に並列に接続された第１の後段増幅器と第２の後段増幅器との２段構成となっている。
第１の後段増幅器は、一方の光源に対応するものであって、高い応答速度やＳ／Ｎ比などが要求され、例えばＤＶＤ±Ｒの記録および／または再生時に動作するものであり、実施例と同じく固定抵抗２０４が設けられることで増幅度αが固定的に設定される。この固定抵抗は半導体基板に集積化されて形成されている。
第２の後段増幅器は、他方の光源に対応するものであって、応答速度やＳ／Ｎ比が比較的低くても問題のないものであり、例えばＣＤ−Ｒの記録および／または再生時に動作するものであり、従来例と同じく可変抵抗が半導体基板の外部に設けられることで増幅度αが調整可能となっている。
したがって、一方の光源を用いる際には、この一方の光源によって形成される光ビームが検出用受光素子２６の受光面に入射される光量の調整を本実施例と同様の方法で行いパワーモニタ信号のレベルが所望の値となるようにすればよい。
他方の光源を用いる際には、この他方の光源によって形成される光ビームが検出用受光素子２６の受光面に入射された状態で第２の後段増幅器の可変抵抗を調整することでパワーモニタ信号のレベルが所望の値となるようにすればよい。

また、本実施例では、検出信号用受光素子２６の単一の受光面の輪郭のほぼ中央部の一点を中心としてその回りに４つの分割受光素子２４Ｉ〜２４Ｌが分割形成され、４つの分割受光素子２６Ｉ〜２６Ｌは、互いに等しい面積の正方形で形成されているものとして説明したが次のように構成することもできる。
検出信号用受光素子２６を構成する分割受光素子の数は３つあるいは５つ以上であってもよい。また、各分割受光素子の形状は正方形に限られるものではなく、例えば、長方形、三角形、多角形、円形、楕円などであってもよい。また、各分割受光素子の面積は互いに異なっていてもよい。
また、実施例では、光源１から出射される光ビームを第２の光検出装置２０Ｂに導く光路を形成する光路形成手段として、偏光ビームスプリッタ４を用いた場合について説明したが、このような光路形成手段としては従来公知のミラーやプリズムなどを含む様々な光学部品を用いることができることはもちろんである。
また、実施例では、第２の光検出装置２０Ｂを動かすことで検出信号用受光素子２６の受光面に受光される光量を調整する場合について説明したが、前記光路形成手段を構成する光学部品（ミラーやプリズムなど）を動かすことで検出信号用受光素子２６の受光面に受光される光量を調整してもよいことは無論である。
また、実施例では、光ピックアップ１０４がメインビームと２つのサブビームを用いるいわゆる３ビーム方式であるものとして説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば１ビーム方式、あるいは４ビーム以上のビームを用いる多ビーム方式であってもよいことは無論である。

本発明の実施例１における光検出装置および光ピックアップを組み込んだ光ディスク装置の構成を示すブロック図である。 本発明の実施例１による光ピックアップの光学系を示す構成図である。 第１の光検出装置２０Ａの平面図である。 第１の光検出装置２０Ａの構成を示す回路図である。 第２の光検出装置２０Ｂの平面図である。 第２の光検出装置２０Ｂの構成を示す回路図である。 調整動作の説明図である。

符号の説明

１０１……光ディスク装置、１０２……光ディスク、１０４……ピックアップ、１……光源、２０Ｂ……第２の光検出装置、２１Ｂ……半導体基板２６Ｉ〜２６Ｌ……分割受光素子、Ｉ〜Ｌ……分割検出信号、２００……パワーモニタ回路、２０２……増幅回路、２０４……固定抵抗、２１０……位置検出信号出力回路、Ｓ＋、Ｓ−……第１、第２の差動信号、Ｓｐ１、Ｓｐ２……第１、第２の位置検出信号。

Claims (9)

1. 光記録媒体に光ビームを照射する光源から照射される光ビームを受光して検出信号を生成する受光素子と、
   前記検出信号に基づいて前記光源の出力パワーを監視するためのパワーモニタ信号を生成するパワーモニタ回路とを有する光検出装置であって、
   前記受光素子は複数の分割受光素子から構成され、
   前記検出信号は、前記複数の分割受光素子からそれぞれ分割検出信号として出力され、
   前記パワーモニタ回路は、
   前記複数の分割検出信号の全てを加算した信号を増幅して前記パワーモニタ信号を生成するとともに、前記パワーモニタ信号を極性が反対の第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−として出力する増幅回路と、
   前記増幅回路の増幅度を決定する固定抵抗と、
   前記光ビームが前記受光素子の受光面上に照射されることで形成される光スポットの前記受光面上における位置を特定する第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２を、前記複数の分割検出信号に基づいて生成する位置検出信号出力回路とを備え、
   少なくとも、前記受光素子と前記増幅回路と前記固定抵抗とが同一の半導体基板上に集積化されて形成されている、
   ことを特徴とする光検出装置。
2. 光ビームを出射する光源と、前記光源から出射された光ビームを集光して光記録媒体に照射する対物レンズと、前記光源から照射された光ビームの前記光記録媒体での反射光による反射光ビームを前記対物レンズを介して受光する第１の光検出装置と、前記光源の出力パワーを監視するために前記光源から照射された光ビームを受光する第２の光検出装置とを備えた光ピックアップであって、
   前記第２の光検出装置は、
   前記光源から照射される光ビームを受光して検出信号を生成する受光素子と、
   前記検出信号に基づいて前記光源の出力パワーを監視するためのパワーモニタ信号を生成するパワーモニタ回路とを有し、
   前記受光素子は複数の分割受光素子から構成され、
   前記検出信号は、前記複数の分割受光素子からそれぞれ分割検出信号として出力され、
   前記パワーモニタ回路は、
   前記複数の分割検出信号の全てを加算した信号を増幅して前記パワーモニタ信号を生成するとともに、前記パワーモニタ信号を極性が反対の第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−として出力する増幅回路と、
   前記増幅回路の増幅度を決定する固定抵抗と、
   前記光ビームが前記受光素子の受光面上に照射されることで形成される光スポットの前記受光面上における位置を特定する第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２を、前記複数の分割検出信号に基づいて生成する位置検出信号出力回路とを備え、
   少なくとも、前記受光素子と前記増幅回路と前記固定抵抗とが同一の半導体基板上に集積化されて形成されている、
   ことを特徴とする光ピックアップ。
3. 前記位置検出信号出力回路が前記同一の半導体基板上に集積化されて形成されていることを特徴とする請求項２記載の光ピックアップ。
4. 前記パワーモニタ回路は出力選択回路をさらに備え、前記出力選択回路は、第１、第２の出力端子を有し前記第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−を前記第１、第２の出力端子からそれぞれ出力するパワーモニタ信号出力モードと、前記第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２を前記第１、第２の出力端子からそれぞれ出力する位置決めモードとに切り換え可能に構成されていることを特徴とする請求項２記載の光ピックアップ。
5. 前記パワーモニタ回路は出力選択回路をさらに備え、前記出力選択回路は、第１、第２の出力端子を有し前記第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−を前記第１、第２の出力端子からそれぞれ出力するパワーモニタ信号出力モードと、前記第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２を前記第１、第２の出力端子からそれぞれ出力する位置決めモードとに切り換え可能に構成され、前記位置検出信号出力回路と前記出力選択回路が前記同一の半導体基板上に集積化されて形成されていることを特徴とする請求項２記載の光ピックアップ。
6. 前記複数の分割受光素子は第１〜第４の分割受光素子から構成され、前記第１〜第４の分割受光素子はそれぞれ前記光ビームを受光する互いに等しい面積を有する第１〜第４の受光面を有し、前記第１〜第４の分割受光素子はこの順番で一点を中心としてその回りに互いに絶縁された状態で配置され、前記複数の分割検出信号は、前記第１〜第４の分割受光素子が前記光ビームを受光することにより前記第１〜第４の分割受光素子からそれぞれ第１〜第４の分割検出信号Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌとして出力され、前記増幅回路による前記２つの差動信号Ｓ＋、Ｓ−の生成は、前記第１〜第４の分割検出信号Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌの全てを加算した信号（Ｉ＋Ｊ＋Ｋ＋Ｌ）に基づいてなされることを特徴とする請求項２記載の光ピックアップ。
7. 前記複数の分割受光素子は第１〜第４の分割受光素子から構成され、前記第１〜第４の分割受光素子はそれぞれ前記光ビームを受光する互いに等しい面積を有する第１〜第４の受光面を有し、前記第１〜第４の分割受光素子はこの順番で一点を中心としてその回りに互いに絶縁された状態で配置され、前記複数の分割検出信号は、前記第１〜第４の分割受光素子が前記光ビームを受光することにより前記第１〜第４の分割受光素子からそれぞれ第１〜第４の分割検出信号Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌとして出力され、前記位置検出信号出力回路による第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２の生成は、前記第１の分割検出電流信号と第３の分割検出電流信号との差信号（Ｋ−Ｉ）に基づいて前記第１の位置検出信号Ｓｐ１を生成し、かつ、前記第２の分割検出電流信号と第４の分割検出電流信号との差信号（Ｊ−Ｌ）に基づいて前記第２の位置検出信号Ｓｐ２を生成することでなされることを特徴とする請求項２記載の光ピックアップ。
8. 前記出力選択回路は第１の入力端子を有し、前記第１の入力端子に入力されるモード設定信号に基づいて前記パワーモニタ信号出力モードと前記位置決めモードとの切り換えがなされるように構成されていることを特徴とする請求項２記載の光ピックアップ。
9. 光記録媒体を保持して回転駆動する駆動手段と、前記駆動手段によって回転駆動する光記録媒体に対し記録および／または再生用の光ビームを照射し、前記照射された光ビームの前記光記録媒体での反射光による反射光ビームを検出する光ピックアップとを有する光ディスク装置であって、
   前記光ピックアップは、前記光ビームを出射する光源と、前記光源から出射された光ビームを集光して光記録媒体に照射する対物レンズと、前記光源から照射された光ビームの前記光記録媒体での反射光による反射光ビームを前記対物レンズを介して受光する第１の光検出装置と、前記光源の出力パワーを監視するために前記光源から照射された光ビームを受光する第２の光検出装置とを備え、
   前記第２の光検出装置は、
   前記光源から照射される光ビームを受光して検出信号を生成する受光素子と、
   前記検出信号に基づいて前記光源の出力パワーを監視するためのパワーモニタ信号を生成するパワーモニタ回路とを有し、
   前記受光素子は複数の分割受光素子から構成され、
   前記検出信号は、前記複数の分割受光素子からそれぞれ分割検出信号として出力され、
   前記パワーモニタ回路は、
   前記複数の分割検出信号の全てを加算した信号を増幅して前記パワーモニタ信号を生成するとともに、前記パワーモニタ信号を極性が反対の第１、第２の差動信号Ｓ＋、Ｓ−として出力する増幅回路と、
   前記増幅回路の増幅度を決定する固定抵抗と、
   前記光ビームが前記受光素子の受光面上に照射されることで形成される光スポットの前記受光面上における位置を特定する第１、第２の位置検出信号Ｓｐ１、Ｓｐ２を、前記複数の分割検出信号に基づいて生成する位置検出信号出力回路とを備え、
   少なくとも、前記受光素子と前記増幅回路と前記固定抵抗とが同一の半導体基板上に集積化されて形成されている、
   ことを特徴とする光ディスク装置。
   

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