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  1. プラズマ処理中に少なくとも一の基板を保持するシールド組立体であって、該少なくとも一の基板は、第1のと、該第1のから突出した複数の特徴部分と、該第1の側と反対側の第2の側と、該第2の側上の異質な材料とを有し、前記シールド組立体は、
    各々が複数のへこみを有する複数の第1の部材であって、該複数のへこみは、該少なくとも一の基板の第1の側から突出する該特徴部分を受容するように配置および寸法が定められていて、該プラズマへの暴露を削減するような複数のへこみを有する前記複数の第1の部材と、
    複数の窓部を有する第2の部材であって、該複数の窓部の各々は、該プラズマが該異質な材料と接触し該少なくとも一の基板の第1の側から該異質な材料を除去するように、該第1の部材の少なくとも一つに該へこみが合っている複数の窓部を有する第2の部材とを備えることを特徴とするシールド組立体。
  2. 請求項1に記載のシールド組立体であって、
    該シールド組立体はさらに、該第1の部材に対して前記第2の部材を整列させる第3の部材を備えることを特徴とするシールド組立体。
  3. 請求項2に記載のシールド組立体であって、
    前記第3の部材は窪み部を備え、前記第2の部材は前記窪み部内に配置されることを特徴とするシールド組立体。
  4. 請求項1に記載のシールド組立体であって、
    該第1の部材と該第2の部材とは導電材料から形成され、該第1の部材と第2の部材とは、電気的な導通に適した接触関係を有していることを特徴とするシールド組立体。
  5. 請求項1に記載のシールド組立体であって、
    前記へこみの各々は、特徴部分のそれぞれのまわりに該少なくとも一の基板の該第1の側と接触する周部を有し、前記へこみと第1の側との間の接触は、該プラズマから特徴部分をシールドする効果を有することを特徴とするシールド組立体。
  6. 請求項1に記載のシールド組立体であって、
    前記窓部は、第1及び第2の側縁部を備え、前記第1及び第2の側縁部の間には複数の十字部材が延在し、前記十字部材は、第2の側が部分的に露出するように配置されていることを特徴とするシールド組立体
  7. 請求項1に記載のシールド組立体であって、
    前記第2の部材は、前記第1の部材と第2の部材との間に基板が配置されるように、前記第1の部材に対して位置決めされていることを特徴とするシールド組立体
  8. プラズマで少なくとも一の基板を処理する処理システムであって、該少なくとも一の基板は、第1のと、該第1の側から突出した複数の特徴部分と、該第1の側と反対側の第2の側と、該第2の側上の異質な材料とを有し、
    前記処理システムは、
    部分真空に排気可能なように、処理空間を取り囲む真空チャンバと、
    前記処理空間に配置された電極と、
    前記処理空間内に処理ガスを導入すべく、前記真空チャンバに形成されたガスポートと、
    前記電極に電気的に結合された電極であって、処理ガスをプラズマに変換させるように機能する電源と、
    前記処理空間内における処理位置に該少なくとも一の基板を保持するシールド組立体であって、該シールド組立体は、各々が複数のへこみを有する複数の第1の部材であって、該複数のへこみは、該少なくとも一の基板の第1の側から突出する該特徴部分を受容するように配置および寸法が定められていて、該プラズマへの暴露を削減するような複数のへこみを有する前記複数の第1の部材と、複数の窓部を有する第2の部材であって、該複数の窓部の各々は、該プラズマが該異質な材料と接触し該少なくとも一の基板の第1の側から該異質な材料を除去するように、該第1の部材の少なくとも一つに該へこみが合っている複数の窓部を有する第2の部材とを有するシールド組立て体と、
    を備えていることを特徴とする処理システム。
  9. 請求項8に記載の処理システムであって、
    前記シールド組立体は、前記電極上に配置されていることを特徴とする処理システム。
  10. 請求項9に記載の処理システムであって、
    該へこみが前記電極からそれた方向を向くように、前記第1の部材が配置されていることを特徴とする処理システム。
  11. 請求項8に記載の処理システムであって、
    前記シールド組立体は、前記電極に電気的に結合されていることを特徴とする処理システム。
  12. 請求項8に記載の処理システムであって、
    前記シールド組立体がさらに、
    前記第1の部材に対して前記第2の部材を整列させる第3の部材、
    を備えていることを特徴とする処理システム。
  13. 請求項12に記載の処理システムであって、
    前記第3の部材は窪み部を備え、前記第2の部材は、前記窪み部の内側に位置決めされることを特徴とする処理システム。
  14. 請求項8に記載の処理システムであって、
    前記第1の部材と前記第2の部材とは、導電材料から作られていて、前記第1の部材と前記第2の部材とは、電気の導通に適した接触関係になっていることを特徴とする処理システム。
  15. 請求項8に記載の処理システムであって、
    前記へこみの各々は、特徴部分のそれぞれのまわりに該少なくとも一の基板の表面と接触する周部を有し、前記へこみの各々該表面との間の接触は、該プラズマから特徴部分をシールドする効果を有することを特徴とする処理システム。
  16. 請求項8に記載の処理システムであって、
    前記窓部は、第1および第2の側縁部を備え、前記第1および第2の側縁部の間には複数の十字部材が延在し、前記十字部材は該異質な材料が露出するように該少なくとも一の基板に対して配置されていることを特徴とする処理システム。
  17. 請求項8に記載の処理システムであって、
    前記第2の部材は、前記第1の部材と第2の部材との間に基板が配置されるように、前記第1の部材に対して位置決めされていることを特徴とする処理システム。
  18. 真空チャンバの内部に形成された処理空間中にて基板にプラズマ処理を行う方法であって、基板は、第1のと、該第1のから突出した複数の特徴部分と、該第1の側と反対側の第2の側と、該第2の側上の異質な材料とを有し、該方法は、
    真空チャンバの処理空間に基板を配置する工程と、
    処理空間にプラズマを発生させる工程と、
    該基板の第1の側から突出する該複数の特徴部分を受容し、該プラズマへの暴露を削減するようなへこみを備えてなるシールド組立体で該基板における第1のを被覆する工程と、
    第2の側から該異質な材料を除去する効果を生じる該プラズマからの反応種に第2の側を露出する工程と、
    を備えていることを特徴とする方法。
  19. 請求項18に記載の方法であって、前記第2の側を露出する工程は、
    複数の窓を有する該シールド組立体で該基板の該第2の側を覆う工程と、
    該プラズマからの反応種が該基板の該第2の側から異質な材料と接触して除去するように該窓の各々を該複数のへこみの位置と合わせる工程と、
    を備えることを特徴とする方法。
  20. 請求項19に記載の方法であって、
    基板を処理空間に配置する工程がさらに、
    処理空間内にプラズマを発生させるために用いられる通電された電極の上に、シールド組立体と基板とを配置する工程と、
    第2の側が被駆動電極に対して反対側を向くように、基板を配置する工程と、
    を備えていることを特徴とする方法。
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