JPH11154599A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH11154599A JPH11154599A JP9320941A JP32094197A JPH11154599A JP H11154599 A JPH11154599 A JP H11154599A JP 9320941 A JP9320941 A JP 9320941A JP 32094197 A JP32094197 A JP 32094197A JP H11154599 A JPH11154599 A JP H11154599A
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- plasma processing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電磁波の漏洩を減少させることができる基板
のプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 接地されたベース部材１と、ベース部材
１と当接して真空チャンバ６を構成し上部電極を兼ねた
蓋部材５とを備えたプラズマ処理装置において、蓋部材
５とベース部材１との当接部にシールドガスケット２３
を装着する。これにより、真空チャンバ６が閉じた状態
ではシールドガスケット２３が当接部の全面にわたって
に密着し、蓋部材５とベース部材１が完全に導通して電
位が等しくなり、プラズマ放電時の電磁波の漏洩を減少
させることができる。
のプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 接地されたベース部材１と、ベース部材
１と当接して真空チャンバ６を構成し上部電極を兼ねた
蓋部材５とを備えたプラズマ処理装置において、蓋部材
５とベース部材１との当接部にシールドガスケット２３
を装着する。これにより、真空チャンバ６が閉じた状態
ではシールドガスケット２３が当接部の全面にわたって
に密着し、蓋部材５とベース部材１が完全に導通して電
位が等しくなり、プラズマ放電時の電磁波の漏洩を減少
させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板やリ
ードフレームなどの基板の表面をプラズマ処理するプラ
ズマ処理装置に関するものである。
ードフレームなどの基板の表面をプラズマ処理するプラ
ズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プリント基板やリードフレームなどの基
板の表面処理方法としてプラズマ処理が知られている。
このプラズマ処理は、処理対象の基板を真空チャンバ内
の電極上に載置し、この電極に高周波電圧を印加するこ
とにより真空チャンバ内でプラズマ放電を発生させ、こ
の結果発生したイオンや電子を基板の表面に衝突させ、
エッチングやクリーニングなどの表面処理を行うもので
ある。
板の表面処理方法としてプラズマ処理が知られている。
このプラズマ処理は、処理対象の基板を真空チャンバ内
の電極上に載置し、この電極に高周波電圧を印加するこ
とにより真空チャンバ内でプラズマ放電を発生させ、こ
の結果発生したイオンや電子を基板の表面に衝突させ、
エッチングやクリーニングなどの表面処理を行うもので
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、プラズマ処
理を行うために真空チャンバ内でプラズマ放電を発生さ
せると、プラズマ放電に伴って電磁波が発生する。この
ようにして発生する電磁波は、ある強さ以上を連続して
長期間にわたり作業者が受容する場合には、人体の安全
に対する影響も無視できないものとなる。したがって、
プラズマ処理を行うプラズマ処理装置から外部へ漏洩す
る電磁波は許容限度以下である必要がある。しかしなが
ら、従来のプラズマ処理装置からは相当なレベルの電磁
波の漏洩が検出されており、安全上この漏洩レベルを低
下させることが求められていた。
理を行うために真空チャンバ内でプラズマ放電を発生さ
せると、プラズマ放電に伴って電磁波が発生する。この
ようにして発生する電磁波は、ある強さ以上を連続して
長期間にわたり作業者が受容する場合には、人体の安全
に対する影響も無視できないものとなる。したがって、
プラズマ処理を行うプラズマ処理装置から外部へ漏洩す
る電磁波は許容限度以下である必要がある。しかしなが
ら、従来のプラズマ処理装置からは相当なレベルの電磁
波の漏洩が検出されており、安全上この漏洩レベルを低
下させることが求められていた。
【０００４】そこで本発明は、電磁波の漏洩を減少させ
ることができるプラズマ処理装置を提供することを目的
とする。
ることができるプラズマ処理装置を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置は、接地されたベース部材と、このベース部材の開口
部に装着された下部電極と、この下部電極の上方に配設
され、ベース部材と当接して真空チャンバを構成する上
部電極と、この真空チャンバ内を真空吸引する真空吸引
手段と、前記真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供
給するプラズマガス供給部と、前記下部電極に高周波電
圧を印加する高周波電源とを備え、前記上部電極とベー
ス部材との当接部に導電性のシールド部材を装着するこ
とによりプラズマ放電時の電磁波の漏洩を減少させるよ
うにした。
置は、接地されたベース部材と、このベース部材の開口
部に装着された下部電極と、この下部電極の上方に配設
され、ベース部材と当接して真空チャンバを構成する上
部電極と、この真空チャンバ内を真空吸引する真空吸引
手段と、前記真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供
給するプラズマガス供給部と、前記下部電極に高周波電
圧を印加する高周波電源とを備え、前記上部電極とベー
ス部材との当接部に導電性のシールド部材を装着するこ
とによりプラズマ放電時の電磁波の漏洩を減少させるよ
うにした。
【０００６】本発明によれば、真空チャンバを構成する
上部電極とベース部材との当接部にシールドガスケット
を装着することにより、プラズマ放電時の真空チャンバ
からの電磁波の漏洩を減少させることができる。
上部電極とベース部材との当接部にシールドガスケット
を装着することにより、プラズマ放電時の真空チャンバ
からの電磁波の漏洩を減少させることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態の基板
のプラズマ処理装置の断面図、図２（ａ），（ｂ）は同
基板のプラズマ処理装置の真空チャンバの拡大断面図、
図３は同基板のプラズマ処理装置の断面図である。
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態の基板
のプラズマ処理装置の断面図、図２（ａ），（ｂ）は同
基板のプラズマ処理装置の真空チャンバの拡大断面図、
図３は同基板のプラズマ処理装置の断面図である。
【０００８】まず図１を参照して基板のプラズマ処理装
置の構造を説明する。図１において、ベース部材１には
開口部１ａが設けられている。開口部１ａには絶縁材２
を介して下部電極３が装着されている。下部電極３は高
周波電源４と電気的に接続されている。ベース部材１お
よび下部電極３の上方には蓋部材５が配設されている。
蓋部材５は図示しない開閉手段により開閉し、閉状態で
はベース部材１の上面と当接して下部電極３とともに真
空チャンバ６を構成する。またベース部材１は接地部７
に接地されている。したがって真空チャンバ６が閉じた
状態では蓋部材５は下部電極３と対向する上部電極とな
っている。
置の構造を説明する。図１において、ベース部材１には
開口部１ａが設けられている。開口部１ａには絶縁材２
を介して下部電極３が装着されている。下部電極３は高
周波電源４と電気的に接続されている。ベース部材１お
よび下部電極３の上方には蓋部材５が配設されている。
蓋部材５は図示しない開閉手段により開閉し、閉状態で
はベース部材１の上面と当接して下部電極３とともに真
空チャンバ６を構成する。またベース部材１は接地部７
に接地されている。したがって真空チャンバ６が閉じた
状態では蓋部材５は下部電極３と対向する上部電極とな
っている。
【０００９】真空チャンバ６は蓋部材５に設けられた管
路を通じて真空吸引部８およびプラズマガス供給部９と
接続されている。真空吸引部８は真空チャンバ６内を真
空吸引する。プラズマガス供給部９は、真空チャンバ６
内にアルゴンガスなどのプラズマ発生用のガスを供給す
る。下部電極３の上面には、プラズマ処理の対象である
基板１０が載置されている。
路を通じて真空吸引部８およびプラズマガス供給部９と
接続されている。真空吸引部８は真空チャンバ６内を真
空吸引する。プラズマガス供給部９は、真空チャンバ６
内にアルゴンガスなどのプラズマ発生用のガスを供給す
る。下部電極３の上面には、プラズマ処理の対象である
基板１０が載置されている。
【００１０】次に図２（ａ），（ｂ）を参照して上部電
極である蓋部材５とベース部材１の当接部について説明
する。図２（ａ），（ｂ）は、真空チャンバ６の開状
態、閉状態をそれぞれ示している。図２（ａ）におい
て、ベース部材１の上面には、Ｏリング溝２１が設けら
れており、Ｏリング溝２１内にはＯリング２２が装着さ
れている。ベース部材１の上方には、蓋部材５の下端部
が位置しており、蓋部材５の下面には、導電性を有する
シールド部材であるシールドガスケット２３が装着され
ている。シールドガスケット２３は、弾性に富む材質よ
り成る芯材２３ａに導電布２３ｂを被覆したものであ
る。
極である蓋部材５とベース部材１の当接部について説明
する。図２（ａ），（ｂ）は、真空チャンバ６の開状
態、閉状態をそれぞれ示している。図２（ａ）におい
て、ベース部材１の上面には、Ｏリング溝２１が設けら
れており、Ｏリング溝２１内にはＯリング２２が装着さ
れている。ベース部材１の上方には、蓋部材５の下端部
が位置しており、蓋部材５の下面には、導電性を有する
シールド部材であるシールドガスケット２３が装着され
ている。シールドガスケット２３は、弾性に富む材質よ
り成る芯材２３ａに導電布２３ｂを被覆したものであ
る。
【００１１】図２（ｂ）に示すように真空チャンバ６が
閉じた状態では、蓋部材５の下面にはＯリング２２を押
しつぶし、Ｏリング２２と蓋部材５の下面やＯリング溝
２１との接触面の面圧を所定値に保つ。これにより蓋部
材５とベース部材１の当接部はシールされ、真空チャン
バ６内の真空度が維持される。また、シールドガスケッ
ト２３も同様に押しつぶされており、この状態では導電
布２３ｂは蓋部材５の下面およびベース部材１の上面に
完全に密着した状態となっている。
閉じた状態では、蓋部材５の下面にはＯリング２２を押
しつぶし、Ｏリング２２と蓋部材５の下面やＯリング溝
２１との接触面の面圧を所定値に保つ。これにより蓋部
材５とベース部材１の当接部はシールされ、真空チャン
バ６内の真空度が維持される。また、シールドガスケッ
ト２３も同様に押しつぶされており、この状態では導電
布２３ｂは蓋部材５の下面およびベース部材１の上面に
完全に密着した状態となっている。
【００１２】このシールドガスケット２３を装着するこ
とにより、以下の効果が得られる。上述のように、真空
チャンバ１が閉じた状態では、蓋部材５の下面とベース
部材１の上面はシールドガスケット２３により全面にわ
たって殆ど隙間を生じることなく密着状態であり、蓋部
材５とベース部材１は電気的に導通している。したがっ
て、上部電極である蓋部材５と、接地されているベース
部材１とは電位的にまったく同一のレベルにある。
とにより、以下の効果が得られる。上述のように、真空
チャンバ１が閉じた状態では、蓋部材５の下面とベース
部材１の上面はシールドガスケット２３により全面にわ
たって殆ど隙間を生じることなく密着状態であり、蓋部
材５とベース部材１は電気的に導通している。したがっ
て、上部電極である蓋部材５と、接地されているベース
部材１とは電位的にまったく同一のレベルにある。
【００１３】これに対して、従来の基板のプラズマ処理
装置の真空チャンバでは、この当接部にはシール用のＯ
リングが装着されているのみであり、蓋部材５の下面と
ベース部材１の上面は完全に接触しておらず、微視的に
みれば不連続な隙間が無数に存在する状態であると考え
てよい。したがって蓋部材５とベース部材１には電位差
が存在しており、この電位差が真空チャンバ６から外部
へ電磁波の漏洩が発生する要因であると考えられる。
装置の真空チャンバでは、この当接部にはシール用のＯ
リングが装着されているのみであり、蓋部材５の下面と
ベース部材１の上面は完全に接触しておらず、微視的に
みれば不連続な隙間が無数に存在する状態であると考え
てよい。したがって蓋部材５とベース部材１には電位差
が存在しており、この電位差が真空チャンバ６から外部
へ電磁波の漏洩が発生する要因であると考えられる。
【００１４】したがって、本実施の形態に示すように、
上部電極である蓋部材５と接地されたベース部材１の当
接部にシールドガスケット２３を装着することにより、
プラズマ放電時に上部電極の電位を接地部７の電位と等
しくすることができ、真空チャンバ６からの電磁波の漏
洩を減少させることができる。発明者の測定によれば、
従来は７０ｄＢμＶ／ｍ以上のレベルであったものが、
５０ｄＢμＶ／ｍ以下に抑制できることが確認されてい
る。なお本実施の形態では、シールド部材を蓋部材５に
装着する例を示しているが、ベース部材１側に装着する
こともできる。
上部電極である蓋部材５と接地されたベース部材１の当
接部にシールドガスケット２３を装着することにより、
プラズマ放電時に上部電極の電位を接地部７の電位と等
しくすることができ、真空チャンバ６からの電磁波の漏
洩を減少させることができる。発明者の測定によれば、
従来は７０ｄＢμＶ／ｍ以上のレベルであったものが、
５０ｄＢμＶ／ｍ以下に抑制できることが確認されてい
る。なお本実施の形態では、シールド部材を蓋部材５に
装着する例を示しているが、ベース部材１側に装着する
こともできる。
【００１５】この基板のプラズマ処理装置は上記のよう
な構成より成り、次に動作を説明する。まず図１におい
て蓋部材５が開放された状態で、下部電極３上に基板１
０が載置される。次に蓋部材５を閉じた後、真空吸引部
８を駆動して真空チャンバ６内を真空吸引する。その後
真空チャンバ６内にはプラズマガス供給部９によりプラ
ズマ発生用ガスが供給される。
な構成より成り、次に動作を説明する。まず図１におい
て蓋部材５が開放された状態で、下部電極３上に基板１
０が載置される。次に蓋部材５を閉じた後、真空吸引部
８を駆動して真空チャンバ６内を真空吸引する。その後
真空チャンバ６内にはプラズマガス供給部９によりプラ
ズマ発生用ガスが供給される。
【００１６】次に、高周波電源４を駆動して下部電極３
に高周波電圧を印加することにより、真空チャンバ６内
にはプラズマが発生し、図３に示すようにプラズマによ
る電子やイオンが基板１０の表面に衝突する（矢印ａ参
照）。そしてこれら電子やイオンのエッチング作用によ
り基板１０表面の異物が防去され、プラズマ処理が行わ
れる。このとき、シールドガスケット２３の装着によっ
て真空チャンバ６からの電磁波の漏洩が有効に抑制され
るので、周囲の作業者を電磁波による障害から安全に保
護することができる。なお本実施の形態では、シールド
部材としてシールドガスケットを例に説明したが、導電
性樹脂より成るＯリングなどを使用してもよく、要は導
電性と適度の弾性を有する部材であればよい。
に高周波電圧を印加することにより、真空チャンバ６内
にはプラズマが発生し、図３に示すようにプラズマによ
る電子やイオンが基板１０の表面に衝突する（矢印ａ参
照）。そしてこれら電子やイオンのエッチング作用によ
り基板１０表面の異物が防去され、プラズマ処理が行わ
れる。このとき、シールドガスケット２３の装着によっ
て真空チャンバ６からの電磁波の漏洩が有効に抑制され
るので、周囲の作業者を電磁波による障害から安全に保
護することができる。なお本実施の形態では、シールド
部材としてシールドガスケットを例に説明したが、導電
性樹脂より成るＯリングなどを使用してもよく、要は導
電性と適度の弾性を有する部材であればよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、真空チャンバを構成す
る上部電極とベース部材との当接部にシールドガスケッ
トを装着して当接部の導通状態を良好にするようにした
ので、プラズマ放電時の上部電極とベース部材との電位
差をなくすことができ、したがって真空チャンバからの
電磁波の漏洩を抑制して周囲の作業者を電磁波による障
害から安全に保護することができる。
る上部電極とベース部材との当接部にシールドガスケッ
トを装着して当接部の導通状態を良好にするようにした
ので、プラズマ放電時の上部電極とベース部材との電位
差をなくすことができ、したがって真空チャンバからの
電磁波の漏洩を抑制して周囲の作業者を電磁波による障
害から安全に保護することができる。
【図１】本発明の一実施の形態の基板のプラズマ処理装
置の断面図
置の断面図
【図２】（ａ）本発明の一実施の形態の基板のプラズマ
処理装置の真空チャンバの拡大断面図（ｂ）本発明の一
実施の形態の基板のプラズマ処理装置の真空チャンバの
拡大断面図
処理装置の真空チャンバの拡大断面図（ｂ）本発明の一
実施の形態の基板のプラズマ処理装置の真空チャンバの
拡大断面図
【図３】本発明の一実施の形態の基板のプラズマ処理装
置の断面図
置の断面図
１ ベース部材 ３ 下部電極 ４ 高周波電極 ５ 蓋部材 ６ 真空チャンバ ７ 接地部 ８ 真空吸引部 ９ プラズマガス供給部 １０ 基板 ２２ Ｏリング ２３ シールドガスケット
Claims (1)
- 【請求項１】接地されたベース部材と、このベース部材
の開口部に装着された下部電極と、この下部電極の上方
に配設され、ベース部材と当接して真空チャンバを構成
する上部電極と、この真空チャンバ内を真空吸引する真
空吸引手段と、前記真空チャンバ内にプラズマ発生用ガ
スを供給するプラズマガス供給部と、前記下部電極に高
周波電圧を印加する高周波電源とを備え、前記上部電極
とベース部材との当接部に導電性を有するシールド部材
を装着することによりプラズマ放電時の電磁波の漏洩を
減少させることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9320941A JPH11154599A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9320941A JPH11154599A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11154599A true JPH11154599A (ja) | 1999-06-08 |
Family
ID=18127002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9320941A Pending JPH11154599A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11154599A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194303A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Nok Corp | 耐プラズマ用シール |
| WO2010079756A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
| JP2014033206A (ja) * | 1999-07-13 | 2014-02-20 | Nordson Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2017112009A (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US11837429B2 (en) | 2021-06-02 | 2023-12-05 | Nuflare Technology, Inc. | Blanking aperture array unit |
-
1997
- 1997-11-21 JP JP9320941A patent/JPH11154599A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014033206A (ja) * | 1999-07-13 | 2014-02-20 | Nordson Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2006194303A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Nok Corp | 耐プラズマ用シール |
| WO2010079756A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
| CN102272895A (zh) * | 2009-01-09 | 2011-12-07 | 株式会社爱发科 | 等离子体处理装置 |
| JPWO2010079756A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2012-06-21 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
| KR101289770B1 (ko) * | 2009-01-09 | 2013-07-26 | 가부시키가이샤 아루박 | 플라즈마 처리 장치 |
| JP2017112009A (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US11837429B2 (en) | 2021-06-02 | 2023-12-05 | Nuflare Technology, Inc. | Blanking aperture array unit |
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