JP5301765B2 - 基板上の選択領域から異質な材料を除去するプラズマ処理装置及び方法 - Google Patents

Description

本発明は一般に、プラズマ処理に関し、より詳しくは、基板から異質な材料を選択的に除去するようなプラズマ処理装置に関する。

プラズマ処理システムは、集積回路や、電子回路パッケージ、及び印刷配線基板などに関連した応用品で使用される基板の表面特性を改変するために、一般的に、使用されている。特に、プラズマ処理システムは、電子回路パッケージンにおける表面処理に使用される。例えば、表面活性、及び／又は、膜剥離や接着不良を防ぐための表面の清浄度を高めるために、ワイヤ・ボンディングの強度を高めたり、回路基板上のチップのアンダーフィル部に空洞が生じないようにしたり、酸化物を除去したり、ダイの取り付けを高めたり、及びダイカプセルの接着性を高めたりしている。代表的には、プラズマ処理システムに基板を配置して、少なくとも各基盤の一の面をプラズマに露出させる。物理的スパッタリングや、化学補助スパッタリング、反応性プラズマ種によって促進される化学反応、及びこれらの組み合わせを使って、基板における最も外側の原子層が表面から除去される。物理的又は化学的な作用はまた、表面を調質して、例えば、接着性や不要な汚染物を基板面からクリーニングするなど、特性を高めるためにも使用される。

半導体の製造に際しては、半導体のダイは一般に、リードフレームなどの金属製の支持体に、ワイヤ・ボンディングによって電気的に接続される。リードフレームは一般に、多数のパッドを備えていて、それぞれのパッドが有している露出リードを用いて、単一の半導体ダイを回路基板に電気的に接続する。ひとつの半導体ダイは、各パッドに取り付けられて、ダイの外部電気接点は、リードにおける近くにある部分にワイヤ・ボンディングされる。それぞれの半導体ダイ及びそのワイヤ・ボンディングは、動作中の半導体ダイの発熱を放散させるためであることはいうまでもなく、取扱い中や、貯蔵中、及び製造工程中に遭遇する劣悪な環境から半導体ダイとワイヤ・ボンディングとを保護するために設計されたモールド成形のポリマーから構成されてなるパッケージの内部に包被される。モールドされたパッケージにおいては、元々は平坦であったリードフレームの片側から、３次元形状である特徴部分が突出する。

モールド工程中では、リードフレームと、複数の取り付けられた半導体ダイとを、２つのモールド半体の間に配置する。片方のモールド半体は、多数のへこみを備えていて、各へこみの中には、半導体ダイのうちのひとつが受け入れられ、パッケージの形状及び配列を模擬している。モールドの半体同士を互いに圧接させて、へこみへの入口開口を密封しようとする。モールド用材料をモールドに注入すると、へこみの中の空間がこの材料で充填されて、半導体ダイとワイヤ・ボンディングとが包被される。しかしながら、モールド材料がへこみから浸出して、モールド半体同士の間を流れ、リードにおける露出している部分に、薄い層ないしバリを形成させる。この薄いバリの厚みは、代表的には、約１０ミクロン未満である。バリは、リードにおける露出部分に対して、つまり包被された半導体ダイに対して、高品質に電気接続を確立できる能力に影響を与える。

バリの影響を解消するために、これまで様々なアプローチが開発された。モールド工程中に、リードフレームの裏面をテープで覆うようにすれば、バリを防ぐことができる。しかしながら、テープの接着剤がリードフレームの裏面に移って、テープを取り外した後に、残留物として取り残される。さらに、かかる用途に適したテープは比較的高価であり、不必要に製造コストを高騰させる。バリは、モールド工程の後に、機械的及び化学的な技術によって、又はレーザによって除去しても良い。こうした除去のアプローチもまた、それらの使用に制限がある。例えば、リードフレームは、化学機械的研磨などの機械的なバリ除去技術によっては、損傷を受け易い。高い腐食性の薬剤を用いない限り、化学的処理は効果が得られず、そうした薬剤を用いるならば、潜在的に、労働者の安全性や、使用済み腐食性薬剤の廃棄処理について問題点が生じる。レーザ除去は、設備コストが高いために高価であり、リードフレームの後ろ側に炭素残留物が残される不都合がある。

従って、余分のモールド材料など、異質な材料を基板上の領域から効果的かつ効率的に除去できると共に、基板上のその他の領域をプラズマに対してシールドできるような、プラズマ処理システムを求める要望が存在する。

本発明は、基板上のその他の領域にある特徴部分はプラズマにさらすことなく、プラズマを用いて基板上の領域から異質な材料を除去することに関連する上述及びその他の問題点を解決することにある。このために、本発明においては、プラズマ処理中に基板を保持するシールド組立体であって、該基板は、第１の領域と、該第１の領域から突出した特徴部分と、異質な材料によって覆われた第２の領域とを有している。シールド組立体は、特徴部分を受容するように、かつ該プラズマから該特徴部分をシールドするように、配置および寸法が定められたへこみを有する第１の部材と、該プラズマで該第２の領域から該異質な材料を除去するためにプラズマが異質な材料に接触するようにプラズマを通過させる窓部を備えてなる第２の部材とを備える。

半導体パッケージの内部にある半導体ダイは、プラズマの露出に対して敏感であるから、プラズマによるバリ除去工程中には、パッケージをプラズマに対してシールドしておくことが望ましい。

シールド組立体は、処理システムの構成要素であって、さらに、部分真空に排気可能なように処理空間を取り囲む真空チャンバと、処理空間に配置された電極と、処理空間内に処理ガスを導入すべく真空チャンバに形成されたガスポートとを備えていても良い。システムはさらに、電極に電気的に結合された電源を備えている。この電源は、処理ガスをプラズマに変換させるように機能する。処理空間において、プラズマ処理に適した位置には、固定具が配置される。

本発明の別の目的は、第１の領域と、第１の領域から突出した特徴部分と、異質な材料によって被覆された第２の領域とを有する基板にプラズマ処理を行う方法を提供することである。かかる方法は、真空チャンバの処理空間に基板を配置する工程と、処理空間にプラズマを発生させる工程とを備える。基板の第１の領域は、特徴部分を受容し、かつ特徴部分をプラズマからシールドするために構成されたへこみを備えてなるシールド組立体で被覆される。第２の領域は異質な材料を除去するのに有効なプラズマの反応種にさらされる。
本発明におけるこれらの及びその他の利点については、添付図面と以下の詳細な説明によって明らかになるだろう。

添付図面は、本願に組み込まれてその一部を構成するものであって、本発明の実施形態を示しており、前述した本発明の概要、及び以下の詳細な説明と併せて、本発明の実施形態を説明する上で役に立つものである。

図１を参照すると、プラズマ処理システム１０は、処理空間１４を取り囲むような壁によって構成されてなる処理チャンバ１２を具備している。プラズマ処理中には、処理チャンバ１２は、周辺大気環境に対して流体的に気密にシールされ、適切な部分真空にまで排気され、意図するプラズマ処理に適した処理ガスが供給される。真空ポンプ１６は、バルブ付きの真空ポート１７を介して、処理チャンバ１２における処理空間１４の排気を行うために用いられる。真空ポンプ１６は、当業者は理解するだろうが、ポンプ速度が制御可能であるような、１以上の真空ポンプから構成される。

処理ガスは、処理ガス源１８から、処理チャンバ１２に形成された入口ガスポート２１を通って、調整された流量にて、処理空間１４に導入される。処理ガス源１８から処理空間１４へと流れる処理ガスは代表的には、質量流量制御装置（不図示）によって計量される。処理ガス源１８からのガス流量速度と、真空ポンプ１６のポンプ送出速度とが必要に応じて調節され、プラズマの生成と意図する処理工程とに適しているような、処理の圧力及び環境を得る。処理空間１４は、絶え間なく排気され、そして同時に、処理ガス源１８からは処理ガスが導入されるので、処理空間１４の内部ではプラズマ存在時には常に新鮮なガス交換がなされ、使用済みの処理ガスや、基板２０から除去された揮発種は処理空間１４から排除される。

処理チャンバ１２の内側にある電極２４には、電源２２が電気的に接続され、電力が供給される。電源２２から供給される電力は、処理空間１４に閉じ込められた処理ガスにプラズマ２６を生成させるのに有効であって、また、直流（ＤＣ）自己バイアスも制御される。本発明を限定するものではないが、電源２２は他の周波数も使用可能ではあるものの、約４０ｋＨｚから約１３．５６ＭＨｚの範囲にて、好ましくは約１３．５６ＭＨｚにて動作する高周波（ＲＦ）電源であり、その出力レベルは、４０ｋＨｚのものでは約４０００ワットから約８０００ワット、または、１３．５６ＭＨｚのものでは３００ワットから２５００ワットである。当業者が認識するであろう異なった処理チャンバのデザインにおいては、異なるバイアス電力が使用されることになる。プラズマ処理システム１０における様々な構成要素には制御装置（不図示）が結合されていて、エッチ工程の制御を容易にしている。

プラズマ処理システム１０は、当業者は認識するだろうが、異なった構成を採用することができ、従って、本願に示した例示的な構成に制限されるものではない。例えば、プラズマ２６は、処理チャンバ１２から離れた場所で生成させてから、これを処理空間１４へと送り届けても良い。プラズマ処理システム１０は、図１には示していないがシステム１０が動作するためには必要であるような構成要素をさらに備え、例えば、それらは処理空間１４と真空ポンプ１６との間に配設されるゲートバルブなどである。

シールドないしシールド組立体３０は、この例示的な処理システム１０においては、１以上の基板２０（図２参照）をプラズマ処理の実行に適するように、処理チャンバ１２における処理空間１４に配置するものである。基板２０の片側２０ａには三次元の特徴部分２８が突出していて、基板２０の反対側２０ｂは概略平坦になっている。三次元の特徴部分２８は、プラズマ処理中に保護すべき部分であり、従って、基板２０のプラズマ処理中にはプラズマ２６に対してシールドされる。本発明においては、シールド組立体３０が、単一の基板２０を保持して、プラズマ処理することも想定している。

図２から図４を参照すると、シールド組立体３０は、複数の第１の部材ないしマスク３４と、第２の部材ないし上側フレーム３６と、第３の部材ないし下側プレート３２とを、通電された電極２４の上に載置されて具備している。それぞれのマスク３４は、基板２０のひとつに対応するマスク側２０ｂを備えていて、三次元の特徴部分２８は、処理空間１４中においてプラズマからシールドされる。上側フレーム３６は、基板２０及びマスク３４を、下側プレート３２に対して固定する。

下側プレート３２は、突出してなる囲みリム３８と、該のリム３８の反対の側の間に延在してなる、平行に、等間隔に離間して配置されるリブ４０とを具備している。リム３８とリブ４０とは協働して、リム３８によって画定される平面の下方に窪み部４２を形成している。窪み部４２のそれぞれは、単一のマスク３４を適切に受け入れられるような長さ，幅および深さの寸法が定められている。窪み部４２の中にマスク３４が、またシールド組立体３０に対して基板２０が配置された後に、上側フレーム３６における囲み周部４４を、下側プレート３２のリム３８に対して物理的に接触させると、良好な電気的及び熱的な接触状態が得られる。リブ４０は、一般に隣接するマスク３４の間に配置される。下側プレート３２は電極２４に取り付けられ、あるいは、それに代えて、別のやり方で、プラズマ処理に適した処理空間１４の内部において、場所に位置決めされる。

各マスク３４は、複数のへこみ４６を備えて構成され、各へこみは、１又は複数の基板２０の片側２０ｂに支持されてなる、三次元の特徴部分２８に対して相関している。一般的に、へこみ４６は、片側２０aから突出している三次元の特徴部分２８に対して、その鏡像あるいは相補関係をもつように、配列され、寸法を定められ、位置決めされている。へこみ４６の深さを好適に調整することで、下側プレート３２のリム３８を、上側フレーム３６の周囲部分４４に接触させる。

各マスク３４は、空間的には、複数のへこみ４６を通電された電極２４から反対側に離れるように配置される。１以上の基板２０はへこみ４６と三次元の特徴部分２８とが一致し、ずれないように、各マスク３４の内側に配置される。その結果、各基板２０における露出した上面２０ｂは、被駆動電極２４に対して反対側を向き、三次元の特徴部分２８は被駆動電極２４に対面するように、基板２０は配置される。

それぞれのへこみ４６の寸法（長さ、幅および深さ）は、三次元の特徴部分２８のひとつを受け入れたとき、充分な隙間が得られるような寸法になっている、へこみ４６は、等しい寸法になっていても良いし、あるいは、基板２０上にわたって配置された異なる寸法をもつ三次元の特徴部分２８を収容できるように、個別的な寸法になっていても良い、その結果、各へこみ４６は、各三次元の特徴部分２８の周囲において、プラズマ２６の侵入を防ぐのに適したシールを、基板と共に形成する。本発明においては、単一のマスク３４を用いて基板２０をシールドしても充分であるし、及び／又は、単一のへこみ４６によって有効に、三次元の特徴部分２８をプラズマ２６に対してシールドすることも想定している。例えば、マスク３４の周囲に延在する単一のへこみ４６を有する単一のマスク３４は、基板２０の下面２０ａを、プラズマ２６の反応種からシールドするのに有効である。

引き続き図２から図４を参照すると、上側フレーム３６は、マスク３４によって保持された基板２０の上に配置されている。上側フレーム３６の重量が、基板２０とマスク３４とは下側プレート３２に対して締め付ける下向きの力を働かせる。上側フレーム３６は、周辺部分４４の内側に形成された略矩形である開口部の２つの対向する側部の間に延在するように等間隔で平行なリブ４８を備えている。略矩形である開口部の２つの対向する側部は、囲まれた周囲部分４４の内側の空間に画定され、複数の窓部５０に分割している。シールド組立体３０が組み立てられたとき、リブ４８は概略、隣接する基板２０の間に位置決めされる。十字部材５２は、上側フレーム３６を補強する機能をもち、基板２０におけるプラズマ処理が不要である部分だけを覆う。十字部材５２の位置の詳しくは、基板２０上にある三次元の特徴部分２８の配置に依存するだろうし、窓部５０をさらに小さな窓部５０に分割するように位置が操作される。本発明においては、基板２０の上面２０ｂにおいては意図的なシールド領域がプラズマに対してシールドさせるべく、上側フレーム３６が構成されることを想定している。上側フレーム３６の四隅に設けられたキーピン５４は、下側プレート３２に対応して設けられたキー孔５６（図２にはひとつだけを示している）に位置合わせされ、シールド組立体３０の組立中に、これらの構成要素がずれないように確保されるようにしている。

下側プレート３２と、マスク３４と、上側フレーム３６とは、アルミニウムなど、許容できる伝熱率及び電気伝導率をもった、任意の適当な材料から作ることができる。例示的なマスク３４は、５mm厚みのアルミニウムの厚いシートから作られていて、基板２０における三次元の特徴部分２８の配列及び配置に対応する箇所に、へこみ４６が配列され配置される。

本発明による変形例の実施形態においては、下側プレート３２に設けられていた窪み部４２は、電極２４に、直接形成しても良い。窪み部４２は、マスク３４が横方向に動くことを防ぎ、上側フレーム３６の窓部５０に対して相対的に固定された位置に、マスク３４を位置決めするものであるが、横方向の動きを阻止できるならば任意の構造に置き換えても良い。変形例としては、例えばすべてのマスク３４が互いに結合されているなど、個々のマスク３４が上側フレーム３６に対して横方向に動くことに不都合がないのならば、下側プレート３２は、それ自体を完全に省略しても良い。

例示的なプラズマ処理システム１０を使用するに際しては、各基板２０は、三次元の特徴部分２８として、半導体ダイの包被パッケージが取り付けられた、リードフレームであって、各マスク３４は、リードフレームのパッケージをマスクすべく寸法及び配置を定められてなるへこみ４６を備えて構成されている。リードフレームをプラズマ処理すると、製造の前段工程であるモールド工程において形成された、モールド材料の薄層（すなわちバリ）は除去される。

本発明は、従来の除去技術に関する様々な不都合を克服するものであり、湿式化学エッチング技術、機械的技術、または、レーザを用いたりせず、基板２０を損傷させることなく、基板２０から異質な材料を除去することができる。本発明による方法は、特に、モールド材料の不要な薄層を除去したり、リードフレームの電気接点を覆っているバリを除去したりするのに適している。バリは、モールド用材料によって構成されるそれぞれのパッケージの内部におけるリードフレームに由来するダイを被包するモールド工程に起因する

本発明の使用について図１から図５を参照すると、マスク３４は、下側プレート３２に形成された窪み部４２の中に配置され、下側プレート３２は、通電された電極２４の上に載せられていて、へこみ４６の向きは、電極２４及び下側プレート３２に対して反対側を向いている。次に、各基板２０が支持している三次元の特徴部分２８が、対応する組のへこみ４６に受け入れられるように、基板２０はマスク３４に関連付けられる。最後に、マスク３４によって保持されている基板２０の上に、上側フレーム３６を配置する。上側フレーム３６に設けられたキーピン５４と、下側プレート３２に対応して設けられたキー孔５６とが係合することによって、シールド組立体３０の組立中に、下側プレート３２と上側フレーム３６とが位置合わせされる。

ある種のまたはあらゆる三次元の特徴部分２８には構造物５８が隣接していて、そうした構造物５８のひとつを図５に詳しく示している。構造物５８は、例えば、リードフレームにおける露出した導電リード部分である。構造物５８の上の領域６０は、モールド工程において、半導体ダイを包被するパッケージを作るときに出来たバリなど、異質な材料の薄層によって覆われていて、プラズマ処理では、これを除去する。

シールド組立体３０が組み立て終えたならば、真空ポンプ１６によって処理空間１４の排気を行う。処理ガス源１８から処理ガスの流れを導入して、処理チャンバ１２の内部の部分真空を、代表的には約１５０mTorr〜約１２００mTorrの範囲である、適切な動作圧力にまで高めると共に、真空ポンプ１６によって処理空間１４の排気を続ける。電源２２を起動して、電極２４に対して電力を供給し、基板２０の近くの処理空間１４にプラズマ２６を生成させ、直流（ＤＣ）は電極２４を自己バイアスさせる。基板２０は、基板２０上の覆われた領域６０（図５参照）から異質な材料の薄層の除去に適した処理工程によって、プラズマ２６の反応種にさらされる。

プラズマ２６は、原子ラジカルやイオンなどの反応種を含んでいて、これらが基板２０の表面にある物質と相互作用して変化させる。基板２０における覆われた領域６０（図５参照）にある異質な材料は、原子ラジカル及びイオンと表面反応して、揮発性のガスの産物に変換され、表面から離れたガスは真空ポンプ１６によって処理チャンバ１２から排除される。異なるプラズマ組成を用いるならば、半導体ダイを包被するのに用いられる別のタイプのモールド材料など、様々に異なる物質から構成されたバリを除去することができる。表面反応による任意の残留物についても、異なるプラズマ組成によって除去することができる。

本発明について、様々な実施形態の説明によって例示し、これらの実施形態は詳細であると考えられるものであるけれども、本出願人による発明は、そうした詳細事項に限定されるものではなく、特許請求の範囲もそれらの詳細事項に限定されるものではない。当業者にとっては、追加的な利点や改変が明らかである。従って、本発明の広義による観点は、特定の詳細事項や、代表的な装置及び方法、並びに図示説明した例示に限定されるものではない。よって、発明の概念の範囲及び精神から逸脱せずに、そうした詳細に変更を加えることができるものである。本発明の範囲は、特許請求の範囲のみによって定められるべきである。

本発明の原理に従った基板のプラズマ処理を行うための、プラズマ処理システムを示した模式図である。 図１のプラズマ処理システムと併用される、シールド組立体を示した分解斜視図である。 図２のシールド組立体について、組み立てられた状態を示した斜視図である。 図２のマスクを示した斜視図であって、基板をマスクに積み込む様子を示している。 図４の一部分について、詳細に示した部分断面図である。

Claims (14)

1. プラズマでの処理中に第一の基板を保持するシールド組立体であって、前記第一の基板は、第１の側と、その第１の側から突出した複数の特徴部分と、前記第１の側と反対側の第２の側と、前記第２の側上の異質な材料とを有し、前記シールド組立体は、
   前記第一の基板の前記第１の側から突出した複数の特徴部分の各１つを受容するような大きさと位置とをそれぞれが有する複数のへこみを備えた第１のマスクであって、その第１のマスクは、プラズマが前記複数のへこみ中に侵入することを防ぐように前記複数のへこみ各々回りに前記第一の基板でシールを画定する前記第１のマスクと、
   前記プラズマを前記第一の基板の第２の側上の前記異質な材料に前記プラズマを当てるためにプラズマを通過させる複数の窓を備える上側フレームであって、前記複数の窓の各々は第１の側縁部および第２の側縁部を備える前記上側フレームと、
   前記第１の側縁部および前記第２の側縁部の間に延在する複数の交差部材であって、その複数の交差部材は前記第一の基板の第２の側が少なくとも部分的に露出されている前記複数の交差部材と、
   前記上側フレームに向けて突出している環状リムと、その環状リムを包含する平面よりも下に画定される窪みとを有する下側プレートとを備え、
   前記窪みは、前記第１のマスクが前記上側フレームと前記下側プレートとの間に位置するように前記第１のマスクを受容するようになっていることを特徴とするシールド組立体。
2. 請求項１に記載のシールド組立体であって、
   前記上側フレームと前記下側プレートとは導電性材料から形成されていて、前記下側プレートの前記環状リムと前記上側フレームとはその間で電気的な導通が得られるように互いに接触可能であることを有していることを特徴とするシールド組立体。
3. 請求項１または２に記載のシールド組立体であって、
   前記第１のマスクは、前記複数のへこみの各々の周部まわりで、前記第一の基板の前記第１の側と接触することを特徴とするシールド組立体。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載のシールド組立体であって、
   前記下側プレートは、前記第一の基板が前記第１のマスクと前記上側フレームとの間に位置するように、前記第１のマスクに対して配置されることを特徴とするシールド組立体。
5. 請求項１から４のいずれか一項に記載のシールド組立体であって、
   第二の基板の第１の側から突出した特徴部分を受容するような大きさと位置とを有する複数のへこみを備えた第２のマスクであって、その第２のマスクは、前記複数のへこみ中への前記プラズマの前記侵入を防ぐように、前記複数のへこみの各々の回りと前記第二の基板とでシールを画定する前記第２のマスクを有することを特徴とするシールド組立体。
6. 請求項５に記載のシールド組立体であって、
   前記第１のマスクと、前記第一の基板と、前記第２のマスクと、前記第二の基板とは、前記上側フレームにおいて、前記上側フレーム中の複数の窓の一つに対応することを特徴とするシールド組立体。
7. 請求項５または６に記載のシールド組立体であって、
   前記第１のマスクと、前記第一の基板と、前記第２のマスクと、前記第二の基板とは、前記上側フレームにおいて、異なる窓に対応することを特徴とするシールド組立体。
8. プラズマで第一の基板を処理する処理システムであって、
   部分真空に排気可能なように、処理空間を取り囲む真空チャンバと、
   前記処理空間に配置された電極と、
   前記処理空間内に処理ガスを導入すべく、前記真空チャンバに形成されたガスポートと、
   前記電極に電気的に結合された電極であって、処理ガスをプラズマに変換させるように機能する電源と、
   請求項１から７のいずれか一項に記載のシールド組立体とを備えることを特徴とする処理システム。
9. 請求項８に記載の処理システムであって、
   前記シールド組立体は、前記電極上に配置されていることを特徴とする処理システム。
10. 請求項８または９に記載の処理システムであって、
    前記第１のマスクは、前記複数のへこみが前記電極と離れた方向を向くように配置されていることを特徴とする処理システム。
11. 請求項８から１０のいずれか一項に記載の処理システムであって、
    前記シールド組立体は、前記電極と電気的に結合されていることを特徴とする処理システム。
12. 真空チャンバの内部に形成された処理空間の中にて基板にプラズマ処理を行う方法であって、
    前記基板は、第１の側と、その第１の側から突出した複数の特徴部分と、前記第１の側と反対側の第２の側と、その第２の側上の異質な材料とを有し、
    前記方法は、
    前記真空チャンバの前記処理空間に基板を配置する工程と、
    前記真空チャンバの前記処理空間にプラズマを発生させる工程と、
    前記基板の前記第１の側から突出する前記複数の特徴部分を受容し、前記プラズマへの暴露を削減するような複数のへこみを備えるシールド組立体で前記基板における前記第１の側を被覆する工程と、
    前記第２の側から前記異質な材料を除去する効果を生じる前記プラズマからの反応種に前記第２の側を露出する工程と、
    を備えていることを特徴とする方法。
13. 請求項１２に記載の方法であって、
    前記シールド組立体は複数の窓を有し、
    前記第２の側を露出する工程は、前記シールド組立体の前記複数の窓で前記基板の前記第２の側を覆う工程と、
    前記プラズマからの反応種が前記基板の前記第２の側から前記異質な材料と接触して除去するように前記複数の窓の各々を前記複数のへこみの位置と合わせる工程と、
    を備えることを特徴とする方法。
14. 請求項１２または１３に記載の方法であって、
    前記真空チャンバの前記処理空間に前記基板を配置する工程は、
    前記処理空間内で前記プラズマを発生させるために用いられる通電された電極の上に前記シールド組立体と前記基板とを配置し、前記第２の側が前記電極と離れた方向を向くようにする工程を備えていることを特徴とする方法。

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