JP2000315744A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージの樹脂成形部が一体に樹脂成形さ
れ、信頼性の高い半導体パッケージとして提供する。 【解決手段】 金型を用いてリードフレーム１２に樹脂
を一体に成形して、リードフレームの一方の面側にイン
ナーリード１６のボンディング部の表面が底面に露出し
た半導体素子収納穴を形成して成る半導体パッケージの
製造方法において、リードフレーム１６を金型によりク
ランプして前記インナーリード１６の一方の面側に前記
半導体素子収納穴の周壁部５２を樹脂成形するととも
に、前記インナーリード１６の他方の面側を部分的に樹
脂成形する１次樹脂成形工程と、該１次樹脂成形工程に
よって前記インナーリード１６の他方の面側に形成され
た樹脂成形部５４、５６の外面に、次工程の樹脂成形に
用いる樹脂との密着性を良好にする親和化処理を施す工
程と、該親和化処理を施した後、前記インナーリード１
６の他方の面側に形成された樹脂成形部５４、５６を埋
没させるとともに所要の外形形状に樹脂成形する２次樹
脂成形工程とを有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置用の半導
体パッケージの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置用のパッケージにはリードフ
レームをインサート部品とする樹脂成形により、半導体
素子を搭載する半導体素子収納穴を樹脂成形により形成
した半導体パッケージがある。図７に半導体パッケージ
の一例を示す。図７(a) は半導体パッケージの平面図、
図７(b) は断面図である。１０が樹脂成形によって形成
したパッケージの本体であり、１２がリードフレームで
ある。リードフレーム１２は半導体素子を搭載する素子
搭載部１４、インナーリード１６およびアウターリード
１８から成る。リードフレーム１２の上面側に樹脂成形
によって周壁部１０ａが形成され、周壁部１０ａによっ
て囲まれた内側領域が半導体素子収納穴２０となる。半
導体素子収納穴２０の底面には素子搭載部１４が露出
し、素子搭載部１４の両側に表面を露出させてインナー
リード１６が樹脂成形されている。

【０００３】図８にリードフレーム１２を樹脂成形して
半導体パッケージを製造する従来方法を示す。リードフ
レーム１２をインサート部品として樹脂成形するに際し
ては、素子搭載部１４およびインナーリード１６の表面
が半導体素子収納穴２０の底面に露出し、露出面に樹脂
ばりが生じないようにすることが必要である。このた
め、半導体パッケージを製造する方法として、樹脂成形
工程を１次樹脂成形工程と２次樹脂成形工程の２回に分
けて樹脂成形することが行われている。

【０００４】図８(a) はリードフレーム１２を１次樹脂
成形した状態で、上型３０ａと下型３０ｂとでリードフ
レーム１２をクランプして周壁部１０ａを樹脂成形した
状態である。上型３０ａには周壁部１０ａを樹脂成形す
るための凹部を設け、下型３０ｂはクランプ面を平坦面
に形成して、素子搭載部１４とインナーリード１６を上
型３０ａと下型３０ｂとでクランプして樹脂成形する。
これにより素子搭載部１４の周囲および隣接するインナ
ーリード１６の間にリードフレーム１２の厚さ分の樹脂
２４が充填される。この１次樹脂成形では、素子搭載部
１４とインナーリード１６とを上型３０ａと下型３０ｂ
により直接にクランプして樹脂成形するから、素子搭載
部１４とインナーリード１６の表面に樹脂ばりを生じさ
せずに樹脂成形することができる。

【０００５】図８(b) に示す２次樹脂成形工程では、イ
ンナーリード１６の下面の樹脂成形部を樹脂成形する。
下型３０ｃにインナーリード１６の下面の樹脂成形部１
０ｂを樹脂成形する凹部を設け、上型３０ａと下型３０
ｃとで１次樹脂成形後のリードフレーム１２をクランプ
して樹脂成形する。素子搭載部１４の周囲と隣接するイ
ンナーリード１６の間には樹脂２４が既に充填されて樹
脂成形されているから、２次樹脂成形工程で素子搭載部
１４とインナーリード１６の表面に樹脂が回り込むこと
がない。このように、１次樹脂成形工程と２次樹脂成形
工程に分けて樹脂成形することにより、素子搭載部１４
とインナーリード１６の表面に樹脂ばりを生じさせずに
樹脂成形することが可能になる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、半導
体パッケージの製造工程では半導体素子収納穴の底面に
素子搭載部およびインナーリードの表面を露出させて樹
脂成形するため、樹脂成形工程を２回に分けて行ってい
る。このように樹脂成形工程を複数回に分けて行う方法
はインナーリードのボンディング面等に樹脂ばりを生じ
させずに樹脂成形できる点では有効であるが、樹脂成形
部分についてみると２回に分けて樹脂成形した樹脂成形
部の相互の密着性が問題になる。すなわち、樹脂材には
成形品を離型しやすくするため離型剤が混入されてお
り、樹脂成形時に離型剤が樹脂成形部の表面に浸出する
ことから、２回に分けて樹脂成形した樹脂成形部の界面
での密着力を阻害し、樹脂成形部の密着性を低下させる
という問題があった。

【０００７】本発明は、このように樹脂成形工程を複数
回に分けて行う際における問題点を解消すべくなされた
ものであり、その目的とするところは、複数回に分けて
樹脂成形した際の樹脂成形部の界面における密着性を向
上させ、半導体パッケージの耐久性、信頼性を向上させ
ることを可能にする半導体パッケージの製造方法を提供
するにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、金型を用い
てリードフレームに樹脂を一体に成形して、リードフレ
ームの一方の面側にインナーリードのボンディング部の
表面が底面に露出した半導体素子収納穴を形成して成る
半導体パッケージの製造方法において、リードフレーム
を金型によりクランプして前記インナーリードの一方の
面側に前記半導体素子収納穴の周壁部を樹脂成形すると
ともに、前記インナーリードの他方の面側を部分的に樹
脂成形する１次樹脂成形工程と、該１次樹脂成形工程に
よって前記インナーリードの他方の面側に形成された樹
脂成形部の外面に、次工程の樹脂成形に用いる樹脂との
密着性を良好にする親和化処理を施す工程と、該親和化
処理を施した後、前記インナーリードの他方の面側に形
成された樹脂成形部を埋没させるとともに所要の外形形
状に樹脂成形する２次樹脂成形工程とを有することを特
徴とする。

【０００９】また、１次樹脂成形工程あるいは２次樹脂
成形工程を複数回の樹脂成形工程に分けて行い、該樹脂
成形工程の際に埋没される樹脂成形部の外面に、次工程
の樹脂成形に用いる樹脂との密着性を良好にする親和化
処理を施すことにより、樹脂成形部全体が一体的に樹脂
成形される。また、前記親和化処理として、樹脂成形部
の外面に紫外線を照射することは、簡便な操作でかつ有
効に樹脂を密着させることができるという利点がある。
また、１次樹脂成形工程の際に、リードフレームの他方
の面側の半導体素子搭載部に対応する領域を樹脂成形す
ることにより、１次樹脂成形の際にリードフレームの反
り等の変形を防止し、１次樹脂成形部と２次樹脂成形部
との接触面積を大きくして、樹脂成形部の密着性を向上
させることができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係
る半導体パッケージの製造方法の実施形態を示す説明図
である。図１(a) は本実施形態で使用するリードフレー
ム１２の断面図を示す。１４は素子搭載部、１６はイン
ナーリード、１８はアウターリードである。本実施形態
で使用するリードフレーム１２は半導体素子を搭載する
素子搭載部１４をインナーリード１６よりも若干低位に
形成したものである。

【００１１】図１(b) は１次樹脂成形を行うため、上型
４０ａと下型４０ｂとでリードフレーム１２をクランプ
した状態を示す。上型４０ａには素子搭載部１４の上面
とインナーリード１６の上面にクランプ力が確実に作用
するよう素子搭載部１４の沈み量に合わせてパーティン
グ面に凸部４２が設けられている。また、リードフレー
ム１２の上面側で半導体パッケージの周壁部を樹脂成形
するためのキャビティ４４を設ける。半導体パッケージ
の周壁部は半導体素子収納穴を囲む矩形の枠状に成形す
る部分であり、この矩形枠の形状に合わせてキャビティ
４４が設けられる。

【００１２】下型４０ｂにはリードフレーム１２の下面
側に設ける樹脂成形部に合わせて１次樹脂成形工程で樹
脂成形するためのキャビティ４６、４８が形成されてい
る。キャビティ４６は素子搭載部１４部分を樹脂成形す
る部位であり、キャビティ４８はパッケージの周縁部分
を枠状に樹脂成形する部位である。なお、キャビティ４
６およびキャビティ４８によって樹脂成形する部位は、
２次樹脂成形の際に樹脂成形部に埋没されて成形される
ようキャビティ４６、４８の配置位置等をあらかじめ設
定する。キャビティ４８は２次樹脂成形の際に樹脂成形
部内に埋没される部位であり、樹脂成形部によって封止
されるインナーリード１６の領域内に設けられている。
図１(c) は上型４０ａと下型４０ｂとでリードフレーム
１２をクランプし、キャビティ４４、４６、４８に樹脂
５０を充填して１次樹脂成形した状態である。リードフ
レーム１２の上面側で周壁部５２が樹脂成形され、リー
ドフレーム１２の下面側で１次樹脂成形部５４、５６が
形成されている。

【００１３】１次樹脂成形工程では、上型４０ａと下型
４０ｂとでリードフレーム１２を確実にクランプして素
子搭載部１４やインナーリード１６等の表面に樹脂ばり
が生じないようにすることが重要となる。本実施形態で
はキャビティ４６を素子搭載部１４の領域内に配置し
て、素子搭載部１４の周縁部が上型４０ａと下型４０ｂ
とでリードフレーム１２をクランプした際に挟圧される
ようにしている。樹脂ばりは素子搭載部１４の周縁部で
生じやすいから、素子搭載部１４の周縁部がクランプで
きる配置でキャビティ４６を配置することによって素子
搭載部１４の表面で樹脂ばりが生じることを確実に防止
している。

【００１４】また、インナーリード１６の下面側で１次
樹脂成形するためのキャビティ４８については、インナ
ーリード１６の先端側の領域で上型４０ａと下型４０ｂ
とでリードフレーム１２が挟まれ、上型４０ａと下型４
０ｂとによるクランプ力が確実に作用する状態で樹脂成
形できるようキャビティ４８を配置している。図１(c)
に示す１次樹脂成形の際には、隣接するインナーリード
１６間にインナーリード１６の厚さ分の樹脂５０が充填
されるが、インナーリード１６とアウターリード１８を
上型４０ａと下型４０ｂとでクランプして樹脂成形する
ことによってインナーリード１６およびアウターリード
１８の表面に樹脂ばりが生じることを防止して樹脂成形
することができる。

【００１５】図２にリードフレーム１２を１次樹脂成形
した状態の平面図を示す。リードフレーム１２は四方に
アウターリード１８が延出する形状のものであり、リー
ドフレーム１２の上面の周縁部に矩形枠状に周壁部５２
が形成され、周壁部５２に囲まれた内側が半導体素子を
収納する半導体素子収納穴６０に形成されている。半導
体素子収納穴６０の底面の中央には半導体素子を搭載す
る素子搭載部１４が配置され、素子搭載部１４は一段低
位となった凹部の内底面に露出する。インナーリード１
６は素子搭載部１４が底面で露出する凹部を囲むように
配置され、リード間に樹脂５０が充填された状態で、上
面が露出して配置されている。

【００１６】図３は上記のようにして１次樹脂成形した
リードフレーム１２をさらに上型４０ａと下型４０ｃと
でクランプして２次樹脂成形する工程を示す。上型４０
ａは上記の１次樹脂成形で使用したものと同形のもので
あるが、下型４０ｃは最終製品となるパッケージの樹脂
成形部の外形形状に合わせてキャビティ４９を形成した
ものである。本実施形態の半導体パッケージはリードフ
レーム１２の下面側を矩形の平板状に形成しているか
ら、キャビティ４９は１次樹脂成形部５４、５６を内部
に収納した矩形の凹部状に形成したものとなっている。

【００１７】本実施形態の半導体パッケージの製造方法
では、１次樹脂成形部５４、５６と２次樹脂成形部との
密着性を良好にするため、１次樹脂成形工程後に１次樹
脂成形部５４、５６の外面に紫外線光を照射し１次樹脂
成形部５４、５６の外面を粗面化し、樹脂成形部の密着
性を向上させる親和化処理を施すことを特徴とする。図
３(a) は１次樹脂成形部５４、５６の外面に紫外線を照
射する処理を施した後、上型４０ａと下型４０ｃとでリ
ードフレーム１２をクランプした状態である。図３(b)
は上型４０ａと下型４０ｃとでリードフレーム１２をク
ランプし、キャビティ４９に樹脂５０を充填して２次樹
脂成形した状態を示す。５８が２次樹脂成形部である。

【００１８】前述したように、２次樹脂成形では１次樹
脂成形部５４、５６を内部に埋没させて樹脂成形する。
リードフレーム１２の素子搭載部１４、インナーリード
１６は上型４０ａによって確実にクランプされている
し、インナーリード１６間には樹脂が充填されて上型４
０ａ側に樹脂が回り込むことはなく、素子搭載部１４、
インナーリード１６およびアウターリード１８の表面に
樹脂ばりが生じることはない。

【００１９】本実施形態では１次樹脂成形部５４、５６
の外面に紫外線を照射したことによって樹脂成形部の外
面が粗面化され、２次樹脂成形部５８の樹脂と１次樹脂
成形部５４、５６の樹脂の密着性、親和性が良好にな
り、樹脂成形部が一体化されて樹脂成形されるという作
用効果を有する。１次樹脂成形部５４、５６の外面に紫
外線を照射する処理は、１次樹脂成形部５４、５６と２
次樹脂成形部５８の樹脂の密着性を向上させることを目
的とする処理である。樹脂材には金型との離型を容易に
するため離型剤が混入されており、樹脂成形時の加熱に
より樹脂の表面に離型剤が浸出するから、この状態で２
次樹脂成形すると１次樹脂成形部５４、５６と２次樹脂
成形部５８との界面での密着性が不十分になる。樹脂成
形部に紫外線を照射する処理は、樹脂成形部の表面に浸
出する離型剤を改質させ、樹脂成形部の表面を粗面化し
て樹脂の密着性、親和性を改善するためのものである。

【００２０】このように、樹脂成形部の外面を改質して
樹脂成形部の相互の密着性を改善することを目的とする
親和化処理としては、上記実施形態のように樹脂成形部
に紫外線を照射して樹脂の表面を粗面化し、親和性を向
上させる方法の他に、化学的な薬液処理によって粗面化
して親和性を良好にする方法、プラズマエッチングによ
って粗面化して親和性を良好にするといった方法、乾式
あるいは湿式のブラスト処理によって粗面化して親和性
を良好にするといった方法がある。これらの方法のう
ち、紫外線照射による方法は、簡便に処理できる点で有
用である。

【００２１】また、本実施形態のように樹脂成形工程を
２回に分けて樹脂成形する場合に１次樹脂成形部５４、
５６と２次樹脂成形部５８との密着性を向上させるに
は、１次樹脂成形部５４、５６と２次樹脂成形部５８と
の接触面積を大きくすることが有効である。本実施形態
でリードフレーム１２の下面側で素子搭載部１４部分
と、インナーリード１６に１次樹脂成形部５４、５６を
設けたのは、２次樹脂成形部５８とこれらの１次樹脂成
形部５４、５６との接触面積を増大させるためでもあ
る。本実施形態のように１次樹脂成形の際にリードフレ
ーム１２の下面に１次樹脂成形部５４、５６を形成すれ
ば、樹脂成形部が凹凸面に形成され２次樹脂成形部５８
の樹脂部分との接触面積が増大するから、１次樹脂成形
部５４、５６の外面を粗面化する改質、親和化処理操作
と合わせて、樹脂成形部の密着性を効果的に向上させる
ことが可能になる。

【００２２】また、１次樹脂成形工程でリードフレーム
１２の両面に樹脂成形部を設けることにより、１次樹脂
成形工程で片面のみ樹脂成形した場合に比べて、リード
フレーム１２の反り等の変形を抑えることができるとい
う利点もある。これによって、２次樹脂成形の際にリー
ドフレーム１２を正確に金型にセットすることができ、
リードフレーム１２をクランプして樹脂成形する操作を
確実に行うことができる。

【００２３】また、１次樹脂成形工程と２次樹脂成形工
程で使用する樹脂材は、同一の樹脂材を使用することは
もちろん、異種樹脂材を使用することも可能である。同
一の樹脂材を使用した場合は樹脂材相互のなじみがよ
く、熱応力等の内部応力を抑えることができるという利
点がある一方、異種樹脂材を使用する場合は、樹脂材の
相互の特徴を利用して好適な特性を有する半導体パッケ
ージを得ることができる。たとえば、異種樹脂材の熱膨
張係数あるいは収縮度を考慮して、反り等の変形がパッ
ケージ全体としてもっとも小さくなるように調節するこ
と、２次樹脂成形部に放熱性の良好な樹脂材を使用して
放熱性の優れたパッケージを得ること、電気的特性の優
れた樹脂材を使用してパッケージの電気的特性を改善す
るといったことが可能である。

【００２４】また、２次樹脂成形を行った後、樹脂成形
部で外面に露出する面を導電性樹脂を用いてさらに樹脂
成形し、パッケージ本体の電磁シールド効果をもたせる
こともできる。図４は、図３に示す２次樹脂成形の後、
導電性樹脂を用いて樹脂成形部の外面を樹脂成形した状
態を示す。図のＡ部、Ｂ部、Ｃ部が導電性樹脂によって
樹脂成形した部位を示す。このように、樹脂成形部の外
面を導電性樹脂によって被覆することによって、パッケ
ージが電磁シールドされ、パッケージの電気的特性を良
好にすることができる。導電性樹脂としては、金属粒子
を配合した樹脂、カーボン粒子を配合した樹脂等が使用
できる。

【００２５】図５は多層リードフレームを用いて１次、
２次樹脂成形により半導体パッケージを製造する方法を
示す。図５(a) は２層に形成したリードフレーム１２の
断面図、図５(b) は上形７０ａと下型７０ｂとでリード
フレーム１２をクランプして１次樹脂成形した状態の断
面図、図５(c) は上型７０ａと下型７０ｃによりリード
フレーム１２をクランプして２次樹脂成形した状態の断
面図である。リードフレーム１２は層間に電気的絶縁性
を有する絶縁フィルム１７を介して２枚のリードフレー
ムを積層して形成したものである。

【００２６】上記実施形態と同様に、１次樹脂成形工程
ではインナーリード１６ｂの上面に枠形に周壁部５２を
樹脂成形するとともに、リードフレーム１２の素子搭載
部１４の下面とインナーリード１６ａの下面に１次樹脂
成形部５４、５６を成形する。１次樹脂成形部５６は枠
形に囲むように設けるものである。上型７０ａと下型７
０ｂとでリードフレーム１２を確実にクランプして樹脂
成形することによって、素子搭載部１４およびインナー
リード１６ａ、１６ｂ、アウターリード１８の表面に樹
脂ばりを生じさせずに樹脂成形される。２次樹脂成形工
程ではリードフレーム１２の下面側について、１次樹脂
成形部５４、５６をキャビティに収納して樹脂成形す
る。１次樹脂成形後に、１次樹脂成形部５４、５６の外
面に紫外線を照射し、樹脂成形部の外面を粗面化、改質
する親和化処理を施し、１次樹脂成形部５４、５６と２
次樹脂成形部５８との密着性を良好にして２次樹脂成形
することは上記実施形態と同様である。

【００２７】図６は本実施形態の製造方法によって得ら
れた半導体パッケージの平面図を示す。枠形に樹脂成形
された周壁部５２に囲まれた内側に２段にインナーリー
ド１６ａ、１６ｂが配置され、インナーリード１６ａに
囲まれた中央部に素子搭載部１４が配置されている。ア
ウターリード１８は樹脂成形部の周囲に先端を外方に延
出して配置される。本実施形態の製造方法によって得ら
れた半導体パッケージも、１次樹脂成形と２次樹脂成形
の樹脂部分の密着性が良好になり、１次樹脂成形部５
４、５６と２次樹脂成形部５８とが組み合わさって樹脂
成形されることにより、密着部分の接触面積が大きくで
きて、確実に一体化して樹脂成形される。

【００２８】このように、本発明に係る樹脂封止パッケ
ージの製造方法は１層のリードフレームに限らず、２層
以上の多層のリードフレームを用いて形成するものにつ
いても適用することができる。また、上記実施形態で
は、いずれも１次樹脂成形と２次樹脂成形の２回に樹脂
成形工程を分けて行ったが、さらに樹脂成形工程を分け
て、３回もしくはそれ以上の樹脂工程によって製造する
ことも可能である。これら、複数回の樹脂成形工程によ
る場合も、いったん樹脂成形した後、樹脂成形部の外面
に紫外線照射等による密着性を改善させる粗面化、改質
処理、親和化処理を施して次回の樹脂成形を施すことに
よって、樹脂成形部の密着性を良好にし、信頼性の高い
樹脂封止パッケージとして得ることができる。

【００２９】

【発明の効果】本発明に係る半導体パッケージの製造方
法によれば、上述したように、複数回に分けて樹脂成形
することにより所定形状に成形する半導体パッケージの
樹脂成形部が、各樹脂成形工程で樹脂成形される樹脂成
形部の界面における密着性が向上し、強固に一体化され
て樹脂成形され、信頼性の高い半導体パッケージとして
得ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体パッケージの１次樹脂成形工程を示す説
明図である。

【図２】リードフレームを１次樹脂成形した状態の平面
図である。

【図３】半導体パッケージの２次樹脂成形工程を示す説
明図である。

【図４】２次樹脂成形工程の後、導電性樹脂を用いて樹
脂成形する状態の断面図である。

【図５】多層リードフレームを用いた半導体パッケージ
の製造方法を示す説明図である。

【図６】多層リードフレームを用いた半導体パッケージ
の平面図である。

【図７】半導体パッケージの平面図および断面図であ
る。

【図８】半導体パッケージの従来の製造方法を示す説明
図である。

【符号の説明】

１０ パッケージの本体 １２ リードフレーム １４ 素子搭載部 １６、１６ａ、１６ｂ インナーリード １８ アウターリード ２０ 素子収納穴 ４０ａ 上型 ４０ｂ 下型 ４４、４６、４８、４９ キャビティ ５０ 樹脂 ５２ 周壁部 ５４、５６ １次樹脂成形部 ５８ ２次樹脂成形部 ７０ａ 上型 ７０ｂ 下型

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂口 健一 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 (72)発明者 中澤 勝哉 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金型を用いてリードフレームに樹脂を一
   体に成形して、リードフレームの一方の面側にインナー
   リードのボンディング部の表面が底面に露出した半導体
   素子収納穴を形成して成る半導体パッケージの製造方法
   において、 リードフレームを金型によりクランプして前記インナー
   リードの一方の面側に前記半導体素子収納穴の周壁部を
   樹脂成形するとともに、前記インナーリードの他方の面
   側を部分的に樹脂成形する１次樹脂成形工程と、 該１次樹脂成形工程によって前記インナーリードの他方
   の面側に形成された樹脂成形部の外面に、次工程の樹脂
   成形に用いる樹脂との密着性を良好にする親和化処理を
   施す工程と、 該親和化処理を施した後、前記インナーリードの他方の
   面側に形成された樹脂成形部を埋没させるとともに所要
   の外形形状に樹脂成形する２次樹脂成形工程とを有する
   ことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
2. 【請求項２】 １次樹脂成形工程あるいは２次樹脂成形
   工程を複数回の樹脂成形工程に分けて行い、該樹脂成形
   工程の際に埋没される樹脂成形部の外面に、次工程の樹
   脂成形に用いる樹脂との密着性を良好にする親和化処理
   を施すことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケー
   ジの製造方法。
3. 【請求項３】 親和化処理として、樹脂成形部の外面に
   紫外線を照射することを特徴とする請求項１または２記
   載の半導体パッケージの製造方法。
4. 【請求項４】 １次樹脂成形工程の際に、リードフレー
   ムの他方の面側の半導体素子搭載部に対応する領域を樹
   脂成形することを特徴とする請求項１、２または３記載
   の半導体パッケージの製造方法。