JP2006203174A - 基板上の選択領域から異質な材料を除去するプラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract
【解決手段】基板の第1の領域に突出した特徴部分をプラズマに対してシールドし、これと同時に、基板上の別の領域からプラズマを用いて異質な材料を除去するための方法及び装置である。装置は、特徴部分をプラズマに対してシールドするために、特徴部分を受容するべく配置されて寸法が定められた少なくともひとつのへこみを備えている。装置はさらに、プラズマが異質な材料を除去すべく通れるように、窓部を具備している。方法は一般に、異質な材料を除去することと、特徴部分をプラズマの露出に対してシールドすることとを含む。
【選択図】図1
Description
本発明におけるこれらの及びその他の利点については、添付図面と以下の詳細な説明によって明らかになるだろう。
Claims (24)
- プラズマ処理中に基板を保持するシールド組立体であって、該基板は、第1の領域と、該第1の領域から突出した特徴部分と、異質な材料によって覆われた第2の領域とを有し、前記シールド組立体は、
該特徴部分を受容するように、かつ該プラズマから該特徴部分をシールドするように、配置および寸法が定められたへこみを有する第1の部材と、
該プラズマで該第2の領域から該異質な材料を除去するためにプラズマが異質な材料に接触するようにプラズマを通過させる窓部を備えてなる第2の部材とを備えることを特徴とするシールド組立体。 - 請求項1に記載のシールド組立体であって、
該シールド組立体はさらに、該第1の部材に対して前記第2の部材を整列させる第3の部材を備えることを特徴とするシールド組立体。 - 請求項2に記載のシールド組立体であって、
前記第3の部材は窪み部を備え、前記第2の部材は前記窪み部内に配置されることを特徴とするシールド組立体。 - 請求項1に記載のシールド組立体であって、
該第1の部材と該第2の部材とは導電材料から形成され、該第1の部材と第2の部材とは、電気的な導通に適した接触関係を有していることを特徴とするシールド組立体。 - 請求項1に記載のシールド組立体であって、
前記へこみの周囲は特徴部分のまわりにて基板における第1の領域に接触し、前記へこみと第1の領域との間の接触によって、該特徴部分はプラズマに対して効果的にシールドされることを特徴とするシールド組立体。 - 請求項1に記載のシールド組立体であって、
前記窓部は、第1及び第2の側縁部を備え、前記第1及び第2の側縁部の間には複数の十字部材が延在し、前記十字部材は、第2の領域が露出するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載のシールド組立体。 - 請求項1に記載のシールド組立体であって、
前記第2の部材は、前記第1の部材と第2の部材との間に基板が配置されるように、前記第1の部材に対して位置決めされ、前記へこみは、特徴部分を覆うように基板の片側に配置され、前記窓部は、第2の領域を露出させるように基板の反対側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のシールド組立体。 - プラズマを用いて基板を処理する処理システムであって、基板は、第1の領域と、第1の領域から突出した特徴部分と、異質な材料によって被覆された第2の領域とを有し、
前記処理システムは、
部分真空に排気可能なように、処理空間を取り囲む真空チャンバと、
前記処理空間に配置された電極と、
前記処理空間内に処理ガスを導入すべく、前記真空チャンバに形成されたガスポートと、
前記電極に電気的に結合された電極であって、処理ガスをプラズマに変換させるように機能する電源と、
基板を前記処理空間内における処理位置に保持するためのシールド組立体であって、特徴部分をプラズマに対してシールドするために、特徴部分を受容するべく配置されて寸法が定められたへこみを備えてなる第1の部材と、プラズマを用いて第2の領域から異質な材料を除去すべく、プラズマが異質な材料に接触するように、プラズマを通過させる窓部を備えてなる第2の部材と、を具備してなる前記シールド組立体と、
を備えていることを特徴とする処理システム。 - 請求項8に記載の処理システムであって、
前記シールド組立体は、前記電極上に配置されていることを特徴とする処理システム。 - 請求項9に記載の処理システムであって、
前記少なくともひとつのへこみが前記電極に対して反対側を向くように、前記第1の部材が配置されていることを特徴とする処理システム。 - 請求項8に記載の処理システムであって、
前記シールド組立体は、前記電極に電気的に結合されていることを特徴とする処理システム。 - 請求項8に記載の処理システムであって、
前記シールド組立体がさらに、
前記第1の部材に対して前記第2の部材を整列させる第3の部材、
を備えていることを特徴とする処理システム。 - 請求項12に記載の処理システムであって、
前記第3の部材は窪み部を備え、前記第2の部材は、前記窪み部の内側に位置決めされることを特徴とする処理システム。 - 請求項8に記載の処理システムであって、
前記第1の部材と第2の部材とは、導電材料から作られていて、前記第1の部材と第2の部材とは、電気の導通に適した接触関係になっていることを特徴とする処理システム。 - 請求項8に記載の処理システムであって、
前記へこみの周囲は、特徴部分のまわりにて基板における第1の領域に接触し、前記へこみと第1の領域との間の接触によって、特徴部分はプラズマに対して効果的にシールドされることを特徴とする処理システム。 - 請求項8に記載の処理システムであって、
前記窓部は、第1及び第2の側縁部を備え、前記第1及び第2の側縁部の間には複数の十字部材が延在し、前記十字部材は、基板に対し該領域が露出するように配置されていることを特徴とする処理システム。 - 請求項8に記載の処理システムであって、
前記第2の部材は、前記第1の部材と第2の部材との間に基板が配置されるように、前記第1の部材に対して位置決めされ、前記へこみは、特徴部分を覆うように基板の片側に配置され、前記窓部は、第2の領域を露出させるように基板の反対側に配置されていることを特徴とする処理システム。 - 真空チャンバの内部に形成された処理空間中にて基板にプラズマ処理を行う方法であって、基板は、第1の領域と、第1の領域から突出した特徴部分と、異質な材料によって被覆された第2の領域とを有し、この方法が、
真空チャンバの処理空間に基板を配置する工程と、
処理空間にプラズマを発生させる工程と、
特徴部分をプラズマに対してシールドするために、特徴部分を受容するべく構成されたへこみを備えてなるシールド組立体によって、基板における第1の領域を被覆する工程と、
第2の領域から異質な材料を除去するのに有効である、プラズマの反応種に第2の領域をさらす工程と、
を備えていることを特徴とする方法。 - 請求項18に記載の処理システムであって、
へこみの周囲において、第1の領域にマスクを接触させることを特徴とする方法。 - 請求項18に記載の処理システムであって、
基板は、第1の側と第2の側とを反対側に有し、第1の領域は基板における第1の側にあり、第2の領域は基板における第2の側にあることを特徴とする方法。 - 請求項20に記載の処理システムであって、
基板を処理空間に配置する工程がさらに、
処理空間内にプラズマを発生させるために用いられる通電された電極の上に、シールド組立体と基板とを配置する工程と、
第2の側が被駆動電極に対して反対側を向くように、基板を配置する工程と、
を備えていることを特徴とする方法。 - 請求項18に記載の処理システムであって、
第2の領域をプラズマの反応種にさらす工程がさらに、
シールド組立体の窓部を第2の領域に重ねるように位置決めして、第2の領域をプラズマの反応種にさらす工程と、
を備えていることを特徴とする方法。 - 請求項22に記載の処理システムであって、
基板を処理空間に配置する工程がさらに、
処理空間内にプラズマを発生させるために用いられる通電された電極の上に、シールド組立体と基板とを配置する工程と、
第2の側が被駆動電極に対して反対側を向くように、基板を配置する工程と、
を備えていることを特徴とする方法。 - 請求項18に記載の処理システムであって、
基板を処理空間に配置する工程がさらに、
処理空間内にプラズマを発生させるために用いられる被駆動電極の上に、シールド組立体と基板とを配置する工程と、
を備えていることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/003,062 | 2004-12-03 | ||
US11/003,062 US7635418B2 (en) | 2004-12-03 | 2004-12-03 | Plasma processing apparatus and methods for removing extraneous material from selected areas on a substrate |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006203174A true JP2006203174A (ja) | 2006-08-03 |
JP2006203174A5 JP2006203174A5 (ja) | 2009-02-12 |
JP5301765B2 JP5301765B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=36572886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005349156A Expired - Fee Related JP5301765B2 (ja) | 2004-12-03 | 2005-12-02 | 基板上の選択領域から異質な材料を除去するプラズマ処理装置及び方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7635418B2 (ja) |
JP (1) | JP5301765B2 (ja) |
CN (1) | CN100468615C (ja) |
SG (1) | SG122896A1 (ja) |
TW (1) | TWI394865B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7635418B2 (en) * | 2004-12-03 | 2009-12-22 | Nordson Corporation | Plasma processing apparatus and methods for removing extraneous material from selected areas on a substrate |
US20060201910A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-09-14 | Nordson Corporation | Methods for removing extraneous amounts of molding material from a substrate |
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- 2004-12-03 US US11/003,062 patent/US7635418B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-11-18 SG SG200507044A patent/SG122896A1/en unknown
- 2005-11-22 TW TW094141008A patent/TWI394865B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-12-02 JP JP2005349156A patent/JP5301765B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-05 CN CN200510129527.5A patent/CN100468615C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-09 US US12/614,551 patent/US8329590B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI394865B (zh) | 2013-05-01 |
US20060118239A1 (en) | 2006-06-08 |
JP5301765B2 (ja) | 2013-09-25 |
TW200632138A (en) | 2006-09-16 |
US20100075505A1 (en) | 2010-03-25 |
CN100468615C (zh) | 2009-03-11 |
CN1815685A (zh) | 2006-08-09 |
US7635418B2 (en) | 2009-12-22 |
US8329590B2 (en) | 2012-12-11 |
SG122896A1 (en) | 2006-06-29 |
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