JP2007281166A - 接合方法および接合装置ならびに接合基板 - Google Patents
接合方法および接合装置ならびに接合基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007281166A JP2007281166A JP2006105186A JP2006105186A JP2007281166A JP 2007281166 A JP2007281166 A JP 2007281166A JP 2006105186 A JP2006105186 A JP 2006105186A JP 2006105186 A JP2006105186 A JP 2006105186A JP 2007281166 A JP2007281166 A JP 2007281166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- substrate
- cleaning
- atmosphere
- lid member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】ガス導入口21から水蒸気を流しながら、反応室20内の真空度を所定値に保った状態で高周波電極23および上部高周波電極27に高周波を印加し、高周波電極23とアース電極33間、および上部高周波電極27とアース電極33間でプラズマ放電させ、基板12および蓋部材13に対して30秒間処理する。プラズマ中に曝された基板12および蓋部材13の接合面上にはプラズマ中にあるイオンが照射されて、接合面はスパッタ作用にて汚染物が除去され、清浄な表面となる。次に、アース電極33を外方へ移動させた後、上部高周波電極27を下方に移動させ、上部高周波電極27上の蓋部材13と高周波電極23上の基板12との接合面を接触させて、加圧接合する。
【選択図】図3
Description
11 半導体素子
12 基板
13 蓋部材
20,40 反応室
21 ガス導入口
22,45 真空排気口
23 高周波電極
24,29 高周波発振器
27 上部高周波電極
33 アース電極
41 基板台
42 上部基板台
46,47 中性ビーム源
48,49 ガス供給配管
50,51 電力供給配線
Claims (15)
- 基板の接合面同士を接合させるための接合方法であって、
一方の基板の接合面と他方の基板の接合面を、水あるいは水蒸気の雰囲気中でエネルギ波を照射することにより洗浄する洗浄工程と、
前記一方の基板と前記他方の基板との洗浄された接合面を加圧しながら接合する接合工程とを有することを特徴とする接合方法。 - 前記洗浄工程を大気圧より低い圧力の減圧雰囲気中で行うことを特徴とする請求項1記載の接合方法。
- 前記洗浄工程において、圧力が120Pa〜300Paの雰囲気中で洗浄することを特徴とする請求項1または2記載の接合方法。
- 前記洗浄工程において、前記エネルギ波を照射するための電力を減少した後、前記電力をゼロにして前記エネルギ波の照射を停止することを特徴とする請求項1〜3いずれか1項記載の接合方法。
- 前記洗浄工程の前に、アルゴンガスあるいは酸素ガスあるいはアルゴンガスと酸素ガスの混合ガスの雰囲気中で前記エネルギ波により洗浄することを特徴とする請求項1〜4いずれか1項記載の接合方法。
- 前記接合工程の後、接合された前記両基板を大気圧中で加熱する加熱工程を有することを特徴とする請求項1記載の接合方法。
- 前記加熱工程における加熱温度が100℃以上であることを特徴とする請求項6記載の接合方法。
- 前記エネルギ波として、プラズマ、イオンビーム、原子ビーム、ラジカルビームのいずれかを用いることを特徴とする請求項1,4または5記載の接合方法。
- 前記各基板の接合面を、水酸基を介在した状態で接合することを特徴とする請求項1記載の接合方法。
- 基板の接合面同士を接合させるための接合装置であって、
一方の基板の接合面と他方の基板の接合面を、水あるいは水蒸気の雰囲気中でエネルギ波を照射することにより洗浄する洗浄手段と、
前記一方の基板と前記他方の基板との洗浄された接合面を加圧しながら接合する接合手段とを備えたことを特徴とする接合装置。 - 前記洗浄における雰囲気を、圧力が120Pa〜300Paの雰囲気に設定する制御部を備えたことを特徴とする請求項10記載の接合装置。
- 前記洗浄手段を、前記エネルギ波を照射するための電力を減少した後、前記電力をゼロにして前記エネルギ波の照射を停止させる制御部を備えたことを特徴とする請求項10または11記載の接合装置。
- 前記洗浄の前に、アルゴンガスあるいは酸素ガスあるいはアルゴンガスと酸素ガスの混合ガスの雰囲気中で前記エネルギ波により洗浄する手段を備えたことを特徴とする請求項10〜12いずれか1項記載の接合装置。
- 前記エネルギ波が、プラズマ、イオンビーム、原子ビーム、ラジカルビームのいずれかであることを特徴とする請求項10,12または13記載の接合装置。
- 請求項1〜9いずれか1項記載の接合方法により製造されたことを特徴とする接合基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006105186A JP4671900B2 (ja) | 2006-04-06 | 2006-04-06 | 接合方法および接合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006105186A JP4671900B2 (ja) | 2006-04-06 | 2006-04-06 | 接合方法および接合装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007281166A true JP2007281166A (ja) | 2007-10-25 |
JP4671900B2 JP4671900B2 (ja) | 2011-04-20 |
Family
ID=38682318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006105186A Expired - Fee Related JP4671900B2 (ja) | 2006-04-06 | 2006-04-06 | 接合方法および接合装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4671900B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009049240A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Origin Electric Co Ltd | 電子部品パッケージの製造装置及び製造方法 |
JP2011071445A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 接合装置 |
CN102126700A (zh) * | 2009-10-23 | 2011-07-20 | 优志旺电机株式会社 | 工件的贴合装置 |
JP4831844B1 (ja) * | 2010-09-28 | 2011-12-07 | 三菱重工業株式会社 | 常温接合装置および常温接合方法 |
US20120111925A1 (en) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Raytheon Company | Reducing Formation Of Oxide On Solder |
JP2013098277A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Canon Anelva Corp | 基板ホルダー及び真空処理装置 |
KR101392491B1 (ko) * | 2012-12-24 | 2014-05-27 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판 처리 장치 |
CN114080146A (zh) * | 2021-11-02 | 2022-02-22 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种低温无压的传感器金属外壳密封方法 |
WO2022070835A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | ボンドテック株式会社 | 基板接合方法および基板接合システム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002542622A (ja) * | 1999-04-21 | 2002-12-10 | シリコン ジェネシス コーポレイション | エピプロセスを用いたsoi基板の表面仕上げ |
WO2006020439A2 (en) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | A system and method for low temperature plasma-enhanced bonding |
-
2006
- 2006-04-06 JP JP2006105186A patent/JP4671900B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002542622A (ja) * | 1999-04-21 | 2002-12-10 | シリコン ジェネシス コーポレイション | エピプロセスを用いたsoi基板の表面仕上げ |
WO2006020439A2 (en) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | A system and method for low temperature plasma-enhanced bonding |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009049240A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Origin Electric Co Ltd | 電子部品パッケージの製造装置及び製造方法 |
JP2011071445A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 接合装置 |
CN102126700A (zh) * | 2009-10-23 | 2011-07-20 | 优志旺电机株式会社 | 工件的贴合装置 |
JP4831844B1 (ja) * | 2010-09-28 | 2011-12-07 | 三菱重工業株式会社 | 常温接合装置および常温接合方法 |
WO2012043054A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 三菱重工業株式会社 | 常温接合装置および常温接合方法 |
US8844793B2 (en) * | 2010-11-05 | 2014-09-30 | Raytheon Company | Reducing formation of oxide on solder |
US20120111925A1 (en) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Raytheon Company | Reducing Formation Of Oxide On Solder |
JP2013098277A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Canon Anelva Corp | 基板ホルダー及び真空処理装置 |
KR101392491B1 (ko) * | 2012-12-24 | 2014-05-27 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판 처리 장치 |
WO2022070835A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | ボンドテック株式会社 | 基板接合方法および基板接合システム |
JPWO2022070835A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | ||
JP7440047B2 (ja) | 2020-09-30 | 2024-02-28 | ボンドテック株式会社 | 基板接合方法および基板接合システム |
CN114080146A (zh) * | 2021-11-02 | 2022-02-22 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种低温无压的传感器金属外壳密封方法 |
CN114080146B (zh) * | 2021-11-02 | 2023-12-05 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种低温无压的传感器金属外壳密封方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4671900B2 (ja) | 2011-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4671900B2 (ja) | 接合方法および接合装置 | |
US7645681B2 (en) | Bonding method, device produced by this method, and bonding device | |
JP6429179B2 (ja) | 基板接合装置および基板接合方法 | |
JP6424049B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR102258659B1 (ko) | 기판 접합 방법, 기판 접합 시스템 및 친수화 처리 장치의 제어 방법 | |
JP2002305171A (ja) | シリコン系基板の表面処理方法 | |
JP2006093669A (ja) | 基体表面から材料を取り除く方法と装置 | |
WO2005077583A1 (ja) | はんだ付け方法 | |
WO2004021427A1 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2005191556A (ja) | ガス封入金接合方法及び装置 | |
CN107180754A (zh) | 等离子体处理方法 | |
CN105355566A (zh) | 焊盘的表面处理方法及焊盘的制作方法 | |
CN107154369A (zh) | 等离子体处理方法 | |
JP4790407B2 (ja) | 余分な成形材料を基板から除去するためのプラズマ法 | |
TWI732212B (zh) | 生產至少部分封裝的半導體晶圓的方法 | |
TWI431681B (zh) | 洗淨方法及真空處理裝置 | |
JP6067210B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2006073780A (ja) | 常温接合方法と装置及びデバイス | |
JP4969211B2 (ja) | 改質方法、改質装置及び接合方法、接合装置 | |
JPS63131519A (ja) | ドライエツチング装置 | |
JP2002305179A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2005142227A (ja) | プラズマ処理方法および処理装置 | |
JP4643933B2 (ja) | プラズマ処理方法およびプラグ形成方法 | |
JP2007329310A (ja) | シリコン基板のストレスリリーフ方法 | |
JP5349805B2 (ja) | 半導体デバイス製造装置の製造方法及び半導体デバイス製造装置の洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100824 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100917 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100927 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110118 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |