JPS63142818A - プラズマエツチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体素子の加工等のために用いるプラズマ
エツチング装置に関し、特に該装置の電極の改良に関す
るものである。

〔従来の技術〕

第３図は例えば、特公昭５７−４４７４９に示された従
来のプラズマエツチング装置の断面図を示す。図におい
て、１は真空チェンバ、２は排気口、３はエツチングガ
ス導入孔、５．１０はそれぞれ対向電極で、電極５に被
加工試料６が搭載される。７は真空チェンバ１内に発生
したプラズマ、８は導体、９は対向電極５．１０に高周
波電圧を印加するための高周波電源である。

次に本装置で被加工試料のエツチングを行なうには、エ
ツチングガス導入孔３から真空チェンバ１内にｌ　　（
ｍＴｏｒｒ）から１　　（Ｔｏｒｒ）の低圧力のエツチ
ングガスを導入し、該エツチングガスを対向電極５．１
０間に加えられる高周波電圧によって電離させ、プラズ
マ７を発生させる。このプラズマ７の中の反応成分及び
イオンによって、電極５上に搭載された被加工試料６の
エツチングを行なう。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の装置は以上のように構成されているので、電極５
は被加工試料６によってプラズマ７と直接接触しないが
、対向電極１０はプラズマ７と直接接触するため、その
表面が加熱されるとともに、プラズマ７から発生するイ
オン等によって電極表面がスパッタされ、スパッタされ
た電極構成物質が対向する被加工試料上に付着するとい
う問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、対向電極の消耗を少なくしてその寿命を延ば
すとともに、被加工物試料上に対向電極の構成物質が付
着するのを防止できる装置を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明にかかるプラズマエツチング装置は、被加工試
料に対向する電極の表面を波板形状としたものである。

〔作用〕

この発明においては、プラズマが接触する対向電極の表
面を波板形状にすることにより、その表面積が増加し、
プラズマによる損傷を受けにくくすることができる。さ
らに被加工試料へ電極物質が付着するのを防止すること
ができる。

〔実施例〕 以下この発明の一実施例を図について説明する。

第１図は本発明の一実施例によるプラズマエツチング装
置を示し、図において、同一符号は従来装置と同−又は
相当部分を示す。４はプラズマと接触する面を波板形状
に加工した電極である。波板の波の周期及び深さはプラ
ズマと電極間に発生するシースの厚さより充分に小さく
なるようにとられている。

このような本実施例では、プラズマが直接接触する対向
電極４の表面積が増えるため、電極４の単位面積当たり
に入射するイオンの数が減少し、電極が加熱されにくく
なる。その結果、電極の損傷を減少させることができ、
被加工試料上への電極構成物質の付着をも減らすことが
できる。

なお、本発明における電極の波板形状は第２図（ａ）、
　（ｂｌおよび第２図（Ｃ１，（ｄｌに示すように、同
心円状のものおよび直線状のものであっても上記と同様
の効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、被加工試料に対向する
電極表面を波板形状にしたので、その電極の消耗を少な
くできるとともに、被加工試料へ付着する電極構成物質
を減少させることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるプラズマエツチング
装置を示す断面図、第２図（ａｌ、　（ｂ）は該装置の
対向電極４の一例を示す図、第２図（ｃｌ、　（ｄ）は
該対向電極４の他の例を示す図、第３図は従来のプラズ
マエツチング装置を示す断面図である。 図において、１は真空チェンバ、２は排気口、３はエツ
チングガス導入孔、４，５は対向電極、６は被加工試料
、７はプラズマ、８は導体、９は高周波電源である。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空チェンバと、該真空チェンバ内に設けられた
   一対の対向電極と、エッチングガスの導入孔及び排気口
   とを有し、上記対向電極の一方に被加工試料を搭載し該
   被加工試料のプラズマエッチングを行なうプラズマエッ
   チング装置において、上記被加工試料に対向する電極の
   表面を波板形状としたことを特徴とする半導体装置。