JPS6333962Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6333962Y2 JPS6333962Y2 JP11828084U JP11828084U JPS6333962Y2 JP S6333962 Y2 JPS6333962 Y2 JP S6333962Y2 JP 11828084 U JP11828084 U JP 11828084U JP 11828084 U JP11828084 U JP 11828084U JP S6333962 Y2 JPS6333962 Y2 JP S6333962Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- ion
- ion beam
- vacuum chamber
- steel material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、例えばポリシリコンを下地にしてア
ルミ膜を表面に形成した被加工鋼材をエツチング
処理するに好適なドライエツチング装置に関する
ものである。
ルミ膜を表面に形成した被加工鋼材をエツチング
処理するに好適なドライエツチング装置に関する
ものである。
従来の技術
従来、表面にアルミ膜を有する鋼材をエツチン
グするには、その被加工鋼材を平行平板型の上下
電極間に挿置して真空チヤンバー内でリアクテイ
ブイオン処理するドライエツチング装置が専ら用
いられている。
グするには、その被加工鋼材を平行平板型の上下
電極間に挿置して真空チヤンバー内でリアクテイ
ブイオン処理するドライエツチング装置が専ら用
いられている。
考案が解決しようとする問題点
然し、このドライエツチング装置ではアルミ表
面に存在する自然酸化膜のエツチングレートが遅
く、その厚さも不均一であるところからエツチン
グ分布も均一にできない欠点がある。
面に存在する自然酸化膜のエツチングレートが遅
く、その厚さも不均一であるところからエツチン
グ分布も均一にできない欠点がある。
問題点を解決するための手段
本考案に係るドライエツチング装置において
は、被加工鋼材をリアクテイブイオンエツチング
する真空チヤンバーに、被加工鋼材のアルミ表面
をイオンビームエツチングするイオン銃を備付け
るよう構成されている。
は、被加工鋼材をリアクテイブイオンエツチング
する真空チヤンバーに、被加工鋼材のアルミ表面
をイオンビームエツチングするイオン銃を備付け
るよう構成されている。
作 用
このドライエツチング装置では、比較的選択性
が小さくしかもエツチングレートの速いイオンビ
ームでアルミ表面に存在する自然酸化膜をエツチ
ングし、その後に下地との選択性が大きなリアク
テイブイオンエツチングでアルミ表面をエツチン
グすることによりエツチング分布が均一になり、
またイオンビームでアルミ表面のみをエツチング
するだけであるから下地のイオンによるダメージ
が少なくて済む。
が小さくしかもエツチングレートの速いイオンビ
ームでアルミ表面に存在する自然酸化膜をエツチ
ングし、その後に下地との選択性が大きなリアク
テイブイオンエツチングでアルミ表面をエツチン
グすることによりエツチング分布が均一になり、
またイオンビームでアルミ表面のみをエツチング
するだけであるから下地のイオンによるダメージ
が少なくて済む。
実施例
以下、図面を参照して説明すれば、次の通りで
ある。
ある。
このドライエツチング装置は真空排気系にター
ボモレキユラー等のポンプを組込んだ真空チヤン
バー１を備え、そのチヤンバー１内には上下の各
電極板２，３が収容配置されている。上部電極２
にRF電源４が接続され、それと対極する下部電
極３は板面に載置する被加工鋼材Ａを位置換え回
動するターンテーブルとして組込まれている。真
空チヤンバー１の天板１ａにはガス導入口５が設
けられ、この導入口からエツチグガスを充填する
ことによりリアクテイブイオンエツチング装置と
して作動可能に構成されている。そのエツチング
装置には更にイオンビームエツチング装置として
作動するイオン銃６が備付けられている。このイ
オン銃６は真空チヤンバー１の天板１ａにイオン
ビームをチヤンバー内に照射するよう取付けられ
ている。そのイオン銃６の装着位置に対応しては
上部電極板２がイオンビームを被加工鋼材Ａに照
射可能に一部切欠成形され、また天板１ａの開孔
部にはイオンビーム流を制御するブリツド７が張
設配置されている。
ボモレキユラー等のポンプを組込んだ真空チヤン
バー１を備え、そのチヤンバー１内には上下の各
電極板２，３が収容配置されている。上部電極２
にRF電源４が接続され、それと対極する下部電
極３は板面に載置する被加工鋼材Ａを位置換え回
動するターンテーブルとして組込まれている。真
空チヤンバー１の天板１ａにはガス導入口５が設
けられ、この導入口からエツチグガスを充填する
ことによりリアクテイブイオンエツチング装置と
して作動可能に構成されている。そのエツチング
装置には更にイオンビームエツチング装置として
作動するイオン銃６が備付けられている。このイ
オン銃６は真空チヤンバー１の天板１ａにイオン
ビームをチヤンバー内に照射するよう取付けられ
ている。そのイオン銃６の装着位置に対応しては
上部電極板２がイオンビームを被加工鋼材Ａに照
射可能に一部切欠成形され、また天板１ａの開孔
部にはイオンビーム流を制御するブリツド７が張
設配置されている。
このように構成するエツチング装置では、例え
ばポリシリコンを下地にして膜厚10000A程度の
アルミ皮膜を形成したものを被加工鋼材Ａとして
エツチング処理を施すことができる。
ばポリシリコンを下地にして膜厚10000A程度の
アルミ皮膜を形成したものを被加工鋼材Ａとして
エツチング処理を施すことができる。
それにエツチング処理を施すにあたつては、タ
ーボモレキユラーポンプ等でチヤンバー１内の圧
力を５×105pa程度にした状態で被加工鋼材Ａに
イオン銃６でイオンビームを照射する。このイオ
ンビームエツチングは被加工鋼材Ａのアルミ表面
に加えるものであり、約３分間程度処理すればア
ルミの表面自然酸化膜のみをエツチングすること
ができる。その際、下部電極板３は一定速度で連
続回動し或いは間歇的に回動することにより、板
面に載置した被加工鋼材Ａ，Ａ…の個々にエツチ
ング処理をするようにできる。このイオンビーム
処理後に、チヤンバー１の内部圧力を5pa程度に
すると共にガス導入口５からCCl4等のエツチン
グガスを充填し、またRF電源４をONさせるこ
とにより上下電極２，３の板間で被加工鋼材Ａ，
Ａ……にリアクテイブイオンエツチング処理を加
える。そのエツチング処理では予めアルミの表面
自然酸化膜がイオンビーム処理されているため、
エツチングレートが速くまたエチング分布も均一
にできるようになる。最期に、チヤンバー１には
O2ガス等を導入し、上下電極２，３の板間でプ
ラズマクリーニングを行えばよい。
ーボモレキユラーポンプ等でチヤンバー１内の圧
力を５×105pa程度にした状態で被加工鋼材Ａに
イオン銃６でイオンビームを照射する。このイオ
ンビームエツチングは被加工鋼材Ａのアルミ表面
に加えるものであり、約３分間程度処理すればア
ルミの表面自然酸化膜のみをエツチングすること
ができる。その際、下部電極板３は一定速度で連
続回動し或いは間歇的に回動することにより、板
面に載置した被加工鋼材Ａ，Ａ…の個々にエツチ
ング処理をするようにできる。このイオンビーム
処理後に、チヤンバー１の内部圧力を5pa程度に
すると共にガス導入口５からCCl4等のエツチン
グガスを充填し、またRF電源４をONさせるこ
とにより上下電極２，３の板間で被加工鋼材Ａ，
Ａ……にリアクテイブイオンエツチング処理を加
える。そのエツチング処理では予めアルミの表面
自然酸化膜がイオンビーム処理されているため、
エツチングレートが速くまたエチング分布も均一
にできるようになる。最期に、チヤンバー１には
O2ガス等を導入し、上下電極２，３の板間でプ
ラズマクリーニングを行えばよい。
考案の効果
以上の如く、本考案に係るドライエツチング装
置に依れば、アルミの表面自然酸化膜を選択性の
小さいイオンビームでエツチングした後に下地と
選択性の大きいリアクテイブイオンエツチングを
行い得るため、エツチングレートを速くしかもエ
ツチング分布を均一にでき、また下地のイオンダ
メージを少なくすることができる。
置に依れば、アルミの表面自然酸化膜を選択性の
小さいイオンビームでエツチングした後に下地と
選択性の大きいリアクテイブイオンエツチングを
行い得るため、エツチングレートを速くしかもエ
ツチング分布を均一にでき、また下地のイオンダ
メージを少なくすることができる。
第１図は本考案に係るドライエツチング装置の
側断面図、第２図は同装置の横断面図である。 １：真空チヤンバー、２：上部電極、３：下部
電極、６：イオン銃。
側断面図、第２図は同装置の横断面図である。 １：真空チヤンバー、２：上部電極、３：下部
電極、６：イオン銃。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 上部、下部の各電極間で被加工鋼材をリアク
テイブイオンエツチング処理する真空チヤンバ
ーに、被加工鋼材のアルミ表面のみを事前にイ
オンビームエツチング処理するイオン銃を備え
てなることを特徴とするドライエツチング装
置。 (2) 上記イオン銃が、上部電極板に設けた切欠を
介し、ターンテーブルでなる下部電極板の板面
上に載置した被加工鋼材のアルミ表面のみをイ
オンビームエツチング処理可能に真空チヤンバ
ーの天板に装着されているところの実用新案登
録請求の範囲第１項記載のドライエツチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11828084U JPS6133871U (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11828084U JPS6133871U (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6133871U JPS6133871U (ja) | 1986-03-01 |
| JPS6333962Y2 true JPS6333962Y2 (ja) | 1988-09-08 |
Family
ID=30677171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11828084U Granted JPS6133871U (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6133871U (ja) |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP11828084U patent/JPS6133871U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6133871U (ja) | 1986-03-01 |
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