JPH0666025U - スパッタエッチング装置 - Google Patents

スパッタエッチング装置

Info

Publication number
JPH0666025U
JPH0666025U JP1127593U JP1127593U JPH0666025U JP H0666025 U JPH0666025 U JP H0666025U JP 1127593 U JP1127593 U JP 1127593U JP 1127593 U JP1127593 U JP 1127593U JP H0666025 U JPH0666025 U JP H0666025U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
anode
cathode
substrate
gas
sputter etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1127593U
Other languages
English (en)
Inventor
浩 寺本
全一 佐伯
正巳 山口
孝史 伊東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP1127593U priority Critical patent/JPH0666025U/ja
Publication of JPH0666025U publication Critical patent/JPH0666025U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スパッタエッチング装置のエッチング量のバ
ラツキの低減を目的とする。 【構成】 上下に間隔を隔てて互いに対向する上方の陰
極 (3)と下方の陽極 (4)と、前記陰極 (3)の対向面(3a)
に前記陽極 (4)と対向する如く取り付けられた基板 (7)
とを備えた真空槽 (2)と、前記陽極 (4)に設けた、不活
性ガスを前記陰極 (3)の対向面(3a)に取り付けられた基
板 (7)に向けて吹き出す複数のガス吹出口(4b)と、前記
真空槽 (2)内で、前記陽極 (4)の下方に設けられた、放
電ガスを排気するための排気口 (5)とから少なくとも構
成されるスパッタエッチング装置(10)。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、例えば磁気ヘッドの製造工程で使用するスパッタエッチング装置に 関する。
【0002】
【従来の技術】
集積回路や磁気ヘッドなどの製造工程における微細なパターンの加工技術に、 イオンあるいはプラズマをアルゴンなどで作り、そのプラズマ中で生成したイオ ンを電界で加速してスパッタしてエッチングを行う加工方法がある。
【0003】 図4は、平行平板型と称せられるスパッタエッチング装置1の一従来例の説明 図であり、以下同図を用いて装置の構成、機能について説明する。
【0004】 スパッタエッチング装置1の真空槽2の内部には、互いに対向する電極盤3a ,4aを備えた陰極3と陽極4が、陰極3を上側にして上下に配置されている。
【0005】 また、この真空槽2の側面には排気口5と、下面にはガス導入口6とが設けら れている。この排気口5は槽内の放電ガスを吸引して槽外に排気するための吸引 装置(真空ポンプ)を接続するものであり、またガス導入口6は所定の流量の不 活性ガス(アルゴンガス)を槽内に導入するためのものである。さらに、エッチ ング加工される基板7は陰極3の電極盤3aに、陽極4の電極盤4aと対向する ように取り付けられ、間隔を隔てた陰極3と陽極4間には図示しないRF電源よ り電界が印加される。
【0006】 上記の如く構成されるスパッタエッチング装置1は、真空にした槽内に所定流 量の不活性ガス(アルゴンガス)を導入した後、図示しないRF電源より陰極3 と陽極4に電界を印加することによりアルゴン雰囲気中でグロー放電を発生させ 、プラズマ中で生成したイオンを電界で加速して陰極3の電極盤3a上の基板7 をスパッタしてエッチングを行うものである。
【0007】 上記したスパッタエッチング装置1を用いて具体的にエッチングを行い、基板 7のエッチング量を測定した。測定結果は図5を参照して後記する。尚、陰極3 と陽極4には直径 100mmの電極盤3a,4aを用い、その陰極3の電極盤3a上 に直径 68mm のフェライト基板7を略同心に取り付けてスパッタエッチングを行 った。
【0008】 この時のエッチング条件は、 高周波電力 200 W エッチングガス圧力 9 mTorr 電極間隔 35 mm エッチング時間 60 min である。
【0009】 図5は、エッチング処理した基板7面のエッチング量の測定結果を示すデータ で、基板7面上の複数の測定点を段差計を用いて測定したものである。
【0010】
【考案が解決しようとする課題】
図5に示した測定データから明らかなように、基板7面の測定場所によってエ ッチング量は最大1.07〜最小1.27ミクロンとなり、 0.2ミクロンのバラツキ幅が 生じ、全面均一なエッチングが得られていない。このように従来のスパッタエッ チング装置1は、バラツキの少ない全面均一なエッチング量を得ることが極めて 困難であるという問題があった。
【0011】 このエッチング量のバラツキの要因としては、真空槽2内における放電ガスの 流れの不均一と、陰極3の電極盤3a上に取り付けた基板7面付近のアルゴン濃 度の不均一に起因し、これらは排気口5とガス導入口6の位置に大きく依存する ものと推測される。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本考案は、上記課題を解決するためになされたものであり、 少なくとも、 上下に間隔を隔てて互いに対向する上方の陰極と下方の陽極と、前記陰極の対 向面に前記陽極と対向する如く取り付けられた基板とを備えた真空槽と、 前記陽極に設けた、不活性ガスを前記陰極の対向面に取り付けられた基板に向 けて吹き出す複数のガス吹出口と、 前記真空槽内で前記陽極の下方に設けられた、放電ガスを排気するための排気 口とから構成したことを特徴とするスパッタエッチング装置を提供しようとする ものである。
【0013】
【実施例】
図1は、本考案のスパッタエッチング装置10の一実施例の説明図であり、図 4に示した従来例のスパッタエッチング装置1の構成要素と同一構成要素には同 一符号を付し説明は省略し、装置構成上の異なる点を重点に説明する。
【0014】 本考案のスパッタエッチング装置10は、排気口5を真空槽2内で、陽極4の 下方に設け、さらに、陰極3の電極盤3aに取り付けられた基板7面に向けて不 活性ガス(アルゴンガス)を吹き付ける複数のガス吹出口4bを、陽極4の電極 盤4a上に設けたことを特徴とするものである。
【0015】 本考案のこれらの特徴について以下に詳述する。
【0016】 まず、本考案のスパッタエッチング装置10は、真空槽2内の放電ガスの流れ が排気口5の位置に大きく依存することに着目して、図1に示した如く排気口5 を、電極盤4aを設けた陽極4の下方に位置するように真空槽2内に設けてある 。この排気口5の中心は、電極盤4aの中心と同心となる位置に設けることがよ り好ましく、これにより排気口5に接続される図示しない吸引装置(真空ポンプ )により吸引される放電ガスの流れを槽内均一にすることができる。
【0017】 更に、本考案のスパッタエッチング装置10は、不活性ガス(アルゴンガス) を陰極3の電極盤3aに取り付けられた基板7面に向けて吹き付ける複数のガス 吹出口4bを陽極4の電極盤4a上に設けてある。この複数のガス吹出口4bは 、陽極4の電極盤4a上に描かれた同心円上に等間隔に設けられており、これら 複数のガス吹出口4bの全ては、外部より真空槽2内に配管されたガス導入管8 と接続され、ガス導入管8より導入される不活性ガス(アルゴンガス)を、陽極 4の電極盤4a上の複数のガス吹出口4bより陰極3の電極盤3aに取り付けら れた基盤7面に向けてシャワー状に略均一に吹き出すことができるものである。
【0018】 尚、上記した陽極4の電極盤4a上に描かれた同心円の直径は、陰極3の電極 盤3aに取り付けられた基盤7の直径よりも小さい方が望ましい。
【0019】 図2は、直径 220mmの陽極4の電極盤4a上に描かれた直径 70mm の同心円上 に等間隔に設けた複数のガス吹出口4bの位置関係を示す一例図である。
【0020】 上記の如く構成された本考案のスパッタエッチング装置10を用いてエッチン グを行いエッチング量の測定を行った。測定結果は図3を参照して後記する。尚 、陰極3と陽極4には直径 220mmの電極盤3a,4aを用い、その陰極3の電極 盤3a上に直径 110mmのフェライト基板7を略同心に取り付けてスパッタエッチ ングを行った。
【0021】 この時のエッチング条件は、 高周波電力 1250W エッチングガス圧力 6 mTorr 電極間隔 71 mm エッチング時間 60 min である。
【0022】 図3は、エッチング処理した基板7面のエッチング量の測定結果を示すデータ で、従来例と同様に、基板7面上の複数の測定点を段差計を用いて測定したもの である。同図と図5の測定データを対比すると、本考案のスパッタエッチング装 置10を用いたエッチング量は最大0.82〜最小0.90ミクロンとなり、従来のスパ ッタエッチング装置1のバラツキ幅 0.2ミクロンに比し0.08ミクロンに改善され 満足のいくものである。
【0023】 上述した如く本考案のスパッタエッチング装置10は、基板7に対するアルゴ ン濃度を略均一にすると共に、真空槽2内の放電ガスの流れをも均一にすること ができ、エッチングされた基板のエッチング量のバラツキを改善することができ るものである。また、排気口を陽極4の下方、好ましくは直下に設けることによ る排気効率が向上し生産能力をも高めることができる効果がある。
【0024】
【考案の効果】
上述したように、本考案のスパッタエッチング装置は、真空槽内の不活性ガス 雰囲気中で、陽極と対向する陰極に取り付けられた基板をエッチングするスパッ タエッチング装置において、槽内の上方に陰極と、下方に陽極とを間隔を隔てて 配置した真空槽内を真空に吸引する吸引装置を接続するための排気口を陽極の下 方に設け、さらに陰極に取り付けられた基板に向けて不活性ガスを吹き出す複数 の吹出口を陽極に設けることにより、従来のスパッタエッチング装置より遥かに エッチング量のバラツキが改善され、全面均一なエッチングが可能となり、かつ 、排気口を陽極の下方に設けることによる排気効率が向上し生産能力を高めるこ とができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案のスパッタエッチング装置の一実施例の
説明図である。
【図2】陽極の電極盤上に描かれた同心円上に等間隔に
設けた複数のガス吹出口の位置関係を示す一例図であ
る。
【図3】エッチング処理した基板面のエッチング量の測
定結果を示すデータである。
【図4】スパッタエッチング装置の一従来例の説明図で
ある。
【図5】エッチング処理した基板面のエッチング量の測
定結果を示すデータである。
【符号の説明】
2 真空槽 3 陰極 3a 陰極の電極面 4 陽極 4a 陽極の電極面 4b ガス吹出口 5 排気口 7 基板 8 ガス導入管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 伊東 孝史 神奈川県横浜市神奈川区守屋町3丁目12番 地 日本ビクター株式会社内

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも、 上下に間隔を隔てて互いに対向する上方の陰極と下方の
    陽極と、前記陰極の対向面に前記陽極と対向する如く取
    り付けられた基板とを備えた真空槽と、 前記陽極に設けた、不活性ガスを前記陰極の対向面に取
    り付けられた基板に向けて吹き出す複数のガス吹出口
    と、 前記真空槽内で前記陽極の下方に設けられた、放電ガス
    を排気するための排気口とから構成したことを特徴とす
    るスパッタエッチング装置。
JP1127593U 1993-02-22 1993-02-22 スパッタエッチング装置 Pending JPH0666025U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1127593U JPH0666025U (ja) 1993-02-22 1993-02-22 スパッタエッチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1127593U JPH0666025U (ja) 1993-02-22 1993-02-22 スパッタエッチング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0666025U true JPH0666025U (ja) 1994-09-16

Family

ID=11773438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1127593U Pending JPH0666025U (ja) 1993-02-22 1993-02-22 スパッタエッチング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0666025U (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5856339A (ja) * 1981-09-29 1983-04-04 Sharp Corp プラズマエツチング装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5856339A (ja) * 1981-09-29 1983-04-04 Sharp Corp プラズマエツチング装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI758786B (zh) 具有法拉第遮罩裝置的電漿處理系統
TW201532174A (zh) 基板處理裝置
CN108242381B (zh) 气体供给装置及其制造方法以及等离子体处理装置
JP3411814B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH0666025U (ja) スパッタエッチング装置
JP3583294B2 (ja) プラズマ放出装置及びプラズマ処理装置
JPH04186619A (ja) 半導体製造装置
JPH02106925A (ja) ドライエッチング装置
TW202228186A (zh) 等離子體處理裝置和處理方法
JP2981749B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2001140085A (ja) プラズマ処理装置
JPS6032972B2 (ja) エツチング装置
JP4576011B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3123219B2 (ja) ドライエッチング装置のクリーニング方法
JPH0850997A (ja) 高周波放電用電極及び高周波プラズマ基板処理装置
JPS6366394B2 (ja)
JPH1131661A (ja) 半導体ウエハ成膜装置
JPS6333962Y2 (ja)
JPH08321489A (ja) 表面加工方法及び表面平滑化方法
JPS6393114A (ja) ドライエツチング装置
JPH02294029A (ja) ドライエッチング装置
JPS612328A (ja) プラズマ処理装置
JPS5815494Y2 (ja) 処理装置
JPS6126366Y2 (ja)
JP3114400B2 (ja) 表面加工方法