JPH01230766A - 真空処理装置における防麈方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体、光ディスク、その他磁気記録媒体等
の製造に汎用されている真空処理装置における防塵方法
に関する。

（従来技術） 従来、半導体、光ディスク等の製造において、真空処理
装置を用いる工程がある。これは真空処理装置の真空槽
内に、上記製品の基体を適所に配置し、一定の減圧下に
おいて、真空蒸着やスパッタ、イオンブレーティング、
プラズマ表面処理、プラズマ重合等の所謂、薄膜形成や
表面改質など表面処理を行っている。

上記表面処理を行う場合は、真空槽の気圧を所望まで減
圧してから行うため、この減圧に要する時間を短くする
ことは、生産性の観点から強く望まれており、特に、減
圧を繰り返して製品を量産する場合には、減圧時間のロ
スは生産性向上のためのネックになっていた。

しかしながら、生産性を上げるべく上記真空槽の急排気
を行うのに伴って槽内の存在している微粒子やゴミ等の
塵埃が気流の乱れのために舞い上がり、上記基体の処理
表面に付着する事態が発生する。塵埃が付着したままの
状態で上記表面処理を行うと、例えば塵埃の付着した部
分の薄膜が欠落してピンホールとなるなど、製品の（ε
頼性の低下のみならず、生産時の歩留りが極めて悪くな
る問題があった。

一方、従来においては、塵埃の舞い上りを防止すべくス
ロー排気という権めて消極的な方法が採用されているが
、この場合、生産性が悪いだけでなく塵埃の付着は完全
には防ぐことができなかった。

（発明の目的） 本発明は、上記従来の課題に鑑みてなされたものであり
、基体への塵埃の付着を効果的に防止でき、かつ生産性
の向上をはかることのできる真空処理装置における防塵
方法を提供することを目的とする。

（発明の構成） 本発明の上記目的は、真空槽を一定に減圧してから真空
槽内で基体の表面に薄膜形成もしくは表面改質を行う真
空処理装置を用いた基体表面処理方法において、前記基
体の処理面に対して（ｉかな・　間隙を形成する如く少
なくとも該処理面を覆う平板部材を配置した後に、前記
真空槽内の減圧を開始することにより前記間隙と該間隙
以外の槽内空間との気圧差を生じさせつつ一定圧まで減
圧し、その後前記平板部材を移動して前記基体の表面処
理を行うことを特徴とする真空処理装置における防塵方
法により達成することができる。

以下、本発明の防塵方法を実施した真空処理装置につい
て説明する。

第１図はスパッタを行う真空処理装置１の要部を示す。

前記真空処理装置１は直流２極型のもので、真空槽１ａ
の上方には冷却型の陰極２が設けられ、該陰ｉ２に対向
するように下方側に基体５を配置した陽極４が設けられ
ている。

前記陰極２は、冷却水が図示の矢印Ｃ方向から入ってＤ
方向に流出するようになされ、ターゲット３を適宜冷却
できるように構成され、又、絶縁部材１５を介して前記
真空槽１ａに保持され、さらに上方側がアースシールド
１４により覆われている。

一方、前記陽極４はホルダ７の上にヒータ６が設けられ
、該ヒータ６の上に前記基体５を設けるように構成され
ている。

前記真空槽１ａは図示しない真空ポンプ等の排気手段に
繋げられた排気口８が設けられ、又、例えばＡｒガス等
を槽内に導入する芳ス導入口１３が設けられており、該
ガス導入口１３には、導入ガスの散乱を十分に行わせる
ためにバッフル１６が設けられている。なお、スパッタ
電圧は１〜７ＫＶ程度、真空度は（１〜ＬＯ）　Ｘｌ０
−”Ｔｏｒｒである。

本態様の特徴ともいうべき点は、前記基体５に対して僅
かな間隙を形成す名ことのできる平板部材９を設けた所
にある。前記平板部材９は前記基体５を覆うことができ
るように少なくとも基体形状に対応できる形状であり、
回転軸１１に固定された支持アーム１０に取り付けられ
ている。前記回転軸１１は前記真空槽１ａの外に設けた
モータ等の駆動手段１２によって適宜角度回転するよう
になされている。

上述の如く構成された真空処理装置１の操作を行うとき
は、まず、図示の如く前記基体５を前記陽極に取りつけ
、さらに前記平板部材９を基体上に位置させる。この状
態において真空ポンプを作動させて前記排気口８から空
気を吸引し始める。

この吸引は極めて強力に行い、所望の真空度に素早くも
って行くようにする。

このように槽内の真空虎を急速に高めるようにすると、
槽内の気流に乱れが生じ、槽内に存在する塵埃が舞い上
がるが、前記基体５に塵埃が付着するようなことはない
、これは、前記基体５と前記平板部材９とによって形成
された間隙Ａ（空間）の気圧と、該間隙Ａ以外の空間（
例えば図中のＢ点で示す部分）の気圧との間に吸引過程
における気圧差（間隙への方が高い）が生じ、吸引中に
おける間隙への空気が前記基体５の端部と前記平板部材
９の端部との間で形成された流出スリット２０から流れ
出ることにより、舞い上がった塵埃が前記基体５に付着
するのを防止することができる。

なお、前記間隙Ａの幅は特に限定するものではなく、前
記真空槽１ａの容積、排気速度等の諸条件によって設定
することができ、望ましくは、前記流出スリット２０を
小さくし、かつ間隙内方の容積を大きくするような内方
法がりに構成することが良い。

前記真空槽１ａの真空度が所望になった所で、前記駆動
手段１２により前記回転軸１１を一定角度回転させ、前
記平板部材９を前記基体５を覆う位置から移動させるが
、この移動直前に前記ガス導入口１３からガスを導入し
て所望のガス雰囲気を造る。

そして、前記平板部材９の移動後に前記電極２゜４に電
圧を印加してスパッタリングを行う。

スパッタリングが終了した後、所望の薄膜が形成された
前記基体５を前記真空槽１ａから取り出し次の基体５を
セットして同様の工程を繰り返す。

このように、本発明によれば、前記真空槽１ａの排気時
間が短縮でき、しかも前記基体５の処理面に塵埃が付着
するような事態を効果的に防止できる。

本発明は上記実施態様に限るものではなく、種々変更で
きるものであり、例えば、前記平板部材９を磁化させる
ようにし、前記真空槽１ａ内を飛散もく前記基体５に付
着している磁性を有する塵埃を吸着するようにしたり、
又、前記平板部材９に適宜電圧を印加することにより、
帯電した塵埃を吸着するように構成することができる。

また、上記実施Ｂ様はスパッタを行う真空処理装置につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず冒頭に述べた如く
種々の真空処理装置に適用できることは勿論である。

（発明の効果） 以上述べたように、本発明の方法は、薄膜形成等の表面
処理を行う基体の処理面と僅かな間隙を形成するように
平板部材を配置した後に、真空槽内の減圧を開始するこ
とで、前記間隙、該間隙以外の槽内空間の間に差圧（前
者が高い）を生じさせつつ真空槽内の減圧を行うことが
できるので、減圧中における空気の流れは、急排気によ
って乱れが生じて槽内の塵埃が舞い上がっても、常に前
記間隙から空気が流れ出るような状態を保つことができ
、前記処理面への塵埃等の不純物の付着を確実に防止す
ることができ、かつ、従来の如く急排気による塵埃の舞
い上がりの問題を全く考慮する必要がないので、排気時
間の短縮を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施態様であるスパッタを行う真空
処理装置の概略図である。 １・・・真空処理装置、　　　１ａ・・・真空槽、２・
・・陰極、　　　　　　　３・・・ターゲット、４・・
・陽極、　　　　　　５・・・基体、６・・・ヒータ、
　　　　　　７・・・ホルダ、８・・・排気口、　　　
　　９・・・平板部材、１０・・・支持アーム、　　　
１１・・・回転軸、１２・・・駆動手段、　　　　１３
・・・ガス導入口、１４・・・アースシールド、　１５
・・・絶縁部材、１６・・・バッフル、２０・・・流出
スリット。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　真空槽を一定に減圧してから真空槽内で基体の表面に
   薄膜形成もしくは表面改質を行う真空処理装置を用いた
   基体表面処理方法において、前記基体の処理面に対して
   僅かな間隙を形成する如く少なくとも該処理面を覆う平
   板部材を配置した後に、前記真空槽内の減圧を開始する
   ことにより前記間隙と該間隙以外の槽内空間との気圧差
   を生じさせつつ一定圧まで減圧し、その後前記平板部材
   を移動して前記基体の表面処理を行うことを特徴とする
   真空処理装置における防塵方法。