JPH0467776B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明はドライエツチング装置に係り、特にド
ライエツチング装置において電極を被覆する被覆
物の構造及び被覆物の取付方法に関する。

（従来の技術） 従来のドライエツチング装置における電極を被
覆する被覆物の構造及び取付方法を第３図により
説明する。

真空処理室１内部を排気口５を経て真空ポンプ
等により排気減圧し、ガス導入口２より真空処理
室１にエツチングガスを導入した後、真空処理室
内部に対向して設けられた一対の平行平板電極
３，４の一方の電極４に高周波電源１１から
13.56MHz等の高周波電力が整合器１０を介して
印加される。この時真空処理室内部にグロー放電
が発生し、被処理物のエツチングが行なわれる。
なお、符号６は絶縁物、符号９は電極４を冷却す
る冷却手段である。

しかして、グロー放電によつて発生するイオン
の衝撃によつて電極３，４がスパツタリングされ
てここから重金属が放出されて被処理物が汚染さ
れないように、一対の電極３，４には重金属を含
まない電極被覆物８，１４が取りつけられてい
る。そして、この電極被覆物８，１４は板状体か
らなり、通常、電極３，４に螺子等を使用して固
定するか又は接着剤付の有機フイルムで電極に貼
着するかしている。

（発明が解決しようとする問題点） かかる構造でエツチングを連続すると真空処理
室１内部において、非常に多くの粒子が発生す
る。即ちエツチングとは、導入されたガスをプラ
ズマ化し、プラズマ中のイオン又はラジカルのエ
ネルギーを利用し被処理物７を蒸気圧の高い物質
に変換し、被処理物表面より脱離させることであ
る。従つて蒸気圧の高い物質に変換されたエツチ
ング生成物のうち排気されなかつたものは、真空
処理室１の壁や電極被覆物８，１４の表面に付着
し、この付着量が増加するに従つて、微少な粒子
となつて表面から脱離し、被処理物表面に付着す
る。一方、半導体デバイスの微細化が進行し、パ
ターン幅が小さくなればなる程、前記微粒子の表
面付着はデバイス製造上歩留りの低下をまねく。
従つてかかる構造のエツチング装置は、頻繁にチ
ヤンバークリーニングを行なう必要がある。特に
被処理物７のある電極４に対向する電極３側の被
覆物は、被処理物の真上にある為、この部分に付
着したエツチング生成物の量がクリーニング間隔
を決めることになる。

しかしながら、上述したように従来この電極被
覆物は、板状で、電極にビス等を使用して固定す
るか、接着剤付の有機フイルムで電極に貼り付け
るかしていたため、クリーニングを行なうたびに
真空処理を大気圧に戻して取りかえねばならず、
生産性向上に対する最大の欠点となつている。

本発明は上述した事情に鑑み創案されたもの
で、その目的とする処は、処理室のクリーニング
間隔を大幅に長く延ばすことにより長時間の連続
運転を可能とし、生産性の向上を図ることができ
るドライエツチング装置を提供することにある。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） 上述した問題点を解決するため本発明は、減圧
下で被処理物のエツチングを行なうための処理室
と、この処理室内にエツチングガスを導入するた
めのガス導入口と、上記処理室内のエツチングガ
スを排気するためのガス排気口と、上記処理室内
に対向して配置された一対の平行平板電極とを備
えたドライエツチング装置において、被処理物を
載置する電極に対向する一方の電極の対向面を覆
うように張設したフイルムと、このフイルムを供
給するフイルム供給機構と、上記フイルムを巻取
る巻取り機構とを備えたことを特徴とするもので
ある。

（作用） 本発明は上記手段により、被処理物を載置する
電極に対向して配置された電極の対向面を覆うよ
うにフイルムを張設し、エツチング時に発生する
エツチング生成物を上記フイルム面に付着させて
電極に付着することを防止する。そして、上記フ
イルム面に付着したエツチング生成物が所定量以
上になつた時にフイルム供給機構及び巻取り機構
を操作して新たなフイルムを一方の電極の対向面
に張設し、これにより処理室をクリーニングする
ことなくダストが被処理物に付着するのを防止で
きる。

（実施例） 以下、本発明に係るドライエツチング装置の実
施例を第１図を参照して説明する。

第１図は本発明に係るドライエツチング装置の
基本構成を示す図であり、同図において符号１は
真空処理室であり、この真空処理室１内には一対
の平行平板電極３，４が対向して設けられてい
る。上記真空処理室１の内部は、排気口５を経て
真空ポンプ等により排気減圧し、ガス導入口２よ
りエツチングガスを導入するようになつている。
上記真空処理室１の一側には搬出入口１２が設け
られ、ここから被処理物７が搬出入されて被処理
物７が電極４上に設置されるようになつている。
上記電極４は上下機構１３により上下動されるよ
うになつている。

また、被処理物７に対向する電極３に、この電
極３を覆うようにフイルム１５が張設され、この
フイルム１５はカートリツジローラ１６により連
続的に供給され、そして巻取りローラ１７により
巻取られるようになつている。上記フイルム１５
はテンシヨンローラ１８，１９，２０，２１によ
つて所定のテンシヨンが与えられるようになつて
いる。また、上記各ローラ１６，１７，１８，１
９，２０，２１はカバー２２に収納されている。
上記巻取りローラ１７は、真空処理室１外部の電
極３上に設けられた駆動装置２３に連結されてい
る。

次に、前述のように構成された本発明に係るド
ライエツチング装置の作用について説明する。

被処理物７は搬出入口１２より搬入されて第１
図に示すように電極４上に設置される。この状態
でエツチングガスが導入され、電極４に高周波電
源１１から高周波電力が整合器１０を介して印加
されると真空処理室１内部にグロー放電が発生
し、被処理物７のエツチングが行なわれる。そし
て、このエツチングが連続して行なわれて、被処
理物７に対向するフイルム１５の部分にエツチン
グ生成物が付着堆積しこのエツチング生成物から
なるダスト量が増えた場合、駆動装置２３を使用
して巻取りローラ１７を駆動してカートリツジロ
ーラ１６からフイルム１５を供給しつつ巻取りロ
ーラ１７に巻き取り、エツチング生成物の付着し
ていないフイルム面で電極３を覆う。これによ
り、真空処理室１をクリーニングすることなく、
ダストが被処理物７に付着するのを防ぐことが可
能になる。

次に、第２図に本発明の応用例を示す。

第２図に示す応用例においては、フイルム１５
を導体１５ａと絶縁体１５ｂとで構成し、導体１
５ａの両面を絶縁体１５ｂで包んだ構造とし、フ
イルム１５がカートリツジローラ１６に接する部
分のみ導体１５ａを露出させる一方、上記カート
リツジローラ１６を電極３を貫通して高電圧電源
２４に接続することにより、フイルム１５と電極
３の間に直流高電圧を印加して、フイルム１５と
電極３とを静電気力により緊密に密着させること
ができる。これにより、電極３にエツチング生成
物が付着することを完全に防止できる。

〔発明の効果〕

以上、実施例の説明から明らかなように本発明
は処理室内に対向して配置された一対の平行平板
電極を備えたドライエツチング装置において、被
処理物を載置する電極に対向する一方の電極の対
向面を覆うように張設したフイルムと、このフイ
ルムを供給するフイルム供給機構と、上記フイル
ムを巻取る巻取り機構とを備えたため、エツチン
グ時に発生するエツチング生成物が電極に付着す
ることを防止でき、これにより真空処理室のクリ
ーニング間隔を大幅に長く延ばすことにより長時
間の連続運転が可能となり生産性の向上を図るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るドライエツチング装置の
断面図、第２図は第１図に示す装置の応用例を示
す断面図、第３図は従来のドライエツチング装置
の断面図である。 １……真空処理室、２……ガス導入口、３……
電極、４……電極、５……排気口、６……絶縁
物、７……被処理物、８……電極被覆物、９……
水冷手段、１０……整合器、１１……高周波電
源、１２……被処理物搬出入口、１３……電極上
下機構、１４……電極被覆物、１５……フイル
ム、１６……カートリツジローラ、１７……巻取
りローラ、１８，１９，２０，２１……テンシヨ
ンローラ、２２……カバー、２３……駆動装置、
２４……高電圧電源。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 減圧下で被処理物のエツチングを行なうため
   の処理室と、この処理室内にエツチングガスを導
   入するためのガス導入口と、上記処理室内のエツ
   チングガスを排気するためのガス排気口と、上記
   処理室内に対向して配置された一対の平行平板電
   極とを備えたドライエツチング装置において、被
   処理物を載置する電極に対向する一方の電極の対
   向面を覆うように張設したフイルムと、このフイ
   ルムを供給するフイルム供給機構と、上記フイル
   ムを巻取る巻取り機構とを備えたことを特徴とす
   るドライエツチング装置。 ２ 上記被処理物を載置する電極に対向する一方
   の電極の対向面を覆うように張設したフイルム
   を、上記対向面に密着させるための密着手段を設
   けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   のドライエツチング装置。