JP2000243822A - プラズマ処理装置および方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半導体素子、液晶ディスプレイパネルや太陽
電池等の製造における薄膜形成工程、あるいは微細加工
工程等に用いられるプラズマ処理装置及びプラズマ処理
方法において、被処理基板を基板保持台へ静電吸着する
際のダスト発生を低減する。また静電吸着を止めた際の
残留吸着を解消し、搬送トラブル、発塵やデバイスダメ
ージによる製品不良を無くすることを目的とする。 【解決手段】 基板保持台３の基板２との設置面積が５
％から１５％で形成され、また基板外周縁部に極めて小
面積の帯状の設置面が２本以上形成されている、さら
に、基板と接触する縁部３Ｅがなだらかな曲面形状とな
っている。
電池等の製造における薄膜形成工程、あるいは微細加工
工程等に用いられるプラズマ処理装置及びプラズマ処理
方法において、被処理基板を基板保持台へ静電吸着する
際のダスト発生を低減する。また静電吸着を止めた際の
残留吸着を解消し、搬送トラブル、発塵やデバイスダメ
ージによる製品不良を無くすることを目的とする。 【解決手段】 基板保持台３の基板２との設置面積が５
％から１５％で形成され、また基板外周縁部に極めて小
面積の帯状の設置面が２本以上形成されている、さら
に、基板と接触する縁部３Ｅがなだらかな曲面形状とな
っている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子、液晶デ
ィスプレイパネルや太陽電池等の製造における薄膜形成
工程、あるいは微細加工工程等に用いられるプラズマ処
理装置に関する。
ィスプレイパネルや太陽電池等の製造における薄膜形成
工程、あるいは微細加工工程等に用いられるプラズマ処
理装置に関する。
【０００２】近年、プラズマ処理装置は、デバイスの高
機能化とその処理コストの低減のために、高精度化、高
速化、大面積化、低ダメージ化を実現する取り組みが盛
んに行なわれている。中でも、成膜においては基板内の
膜質均一性を得るため、また、微細加工に用いられるド
ライエッチングにおいては、寸法精度の確保のために、
特に、基板温度を面内で均一に、かつ、精密に制御する
ことが要求されている。そのため、基板温度を制御する
手段として、メカクランプもしくは静電吸着電極を使用
したプラズマ処理装置が使用され始めている。
機能化とその処理コストの低減のために、高精度化、高
速化、大面積化、低ダメージ化を実現する取り組みが盛
んに行なわれている。中でも、成膜においては基板内の
膜質均一性を得るため、また、微細加工に用いられるド
ライエッチングにおいては、寸法精度の確保のために、
特に、基板温度を面内で均一に、かつ、精密に制御する
ことが要求されている。そのため、基板温度を制御する
手段として、メカクランプもしくは静電吸着電極を使用
したプラズマ処理装置が使用され始めている。
【０００３】
【従来の技術】以下に従来の静電吸着電極を用いたプラ
ズマ処理装置について説明する。
ズマ処理装置について説明する。
【０００４】従来のプラズマ処理装置の例としては、特
開昭６３−７２８７７号公報や特開平２−７５２０号公
報、特開平３−１０２８２０号公報、特開平８−３４７
３４１号公報、特開平４−１００２５７号公報に示され
ているプラズマ処理装置がある。
開昭６３−７２８７７号公報や特開平２−７５２０号公
報、特開平３−１０２８２０号公報、特開平８−３４７
３４１号公報、特開平４−１００２５７号公報に示され
ているプラズマ処理装置がある。
【０００５】図５は特開平４−１００２５７号公報に示
されたプラズマ処理装置の反応室の断面図である。第１
の従来例として、以下このプラズマ処理装置について説
明する。
されたプラズマ処理装置の反応室の断面図である。第１
の従来例として、以下このプラズマ処理装置について説
明する。
【０００６】図５において、真空容器１３１は、エッチ
ングガス導入装置１３９に接続されるガス導入口と１４
０と、真空排気装置１４１を有する。真空容器１３１内
には、表面が絶縁層１３３Ｆ（図６に図示）であって内
部に１対の内部電極１４２を有して被処理基板１３２を
静電吸着する静電吸着電極１３３を備える。静電吸着電
極１３３には、上記被処理基板１３２を静電吸着するた
めの直流電源１３４、及び高周波電力供給装置１３６が
接続されている。尚、直流電源１３４は極性反転のため
の切替機構１３５を有している。又、真空容器１３１に
は、上記静電吸着電極１３３に対向して石英ガラス板１
３８が配置され、真空容器１３１の外側には上記石英ガ
ラス板１３８に対向して紫外線光源１３７が配置され
る。又、被処理基板１３２を静電吸着電極１３３に設置
及び離脱させるために被処理基板を昇降させる突き上げ
機構１４３がある。
ングガス導入装置１３９に接続されるガス導入口と１４
０と、真空排気装置１４１を有する。真空容器１３１内
には、表面が絶縁層１３３Ｆ（図６に図示）であって内
部に１対の内部電極１４２を有して被処理基板１３２を
静電吸着する静電吸着電極１３３を備える。静電吸着電
極１３３には、上記被処理基板１３２を静電吸着するた
めの直流電源１３４、及び高周波電力供給装置１３６が
接続されている。尚、直流電源１３４は極性反転のため
の切替機構１３５を有している。又、真空容器１３１に
は、上記静電吸着電極１３３に対向して石英ガラス板１
３８が配置され、真空容器１３１の外側には上記石英ガ
ラス板１３８に対向して紫外線光源１３７が配置され
る。又、被処理基板１３２を静電吸着電極１３３に設置
及び離脱させるために被処理基板を昇降させる突き上げ
機構１４３がある。
【０００７】このように構成された従来のプラズマ処理
装置１３０について、以下にその動作を説明する。ま
ず、被処理基板１３２は、静電吸着電極内の１対の内部
電極１４２に直流電源１３４にてそれぞれ正の電圧、負
の電圧が印加されることで、プラズマ処理に最適な温度
となる様、静電吸着電極１３３の表面に固定される。そ
してこの状態で、被処理基板１３２に対して通常のプラ
ズマ処理が施される。
装置１３０について、以下にその動作を説明する。ま
ず、被処理基板１３２は、静電吸着電極内の１対の内部
電極１４２に直流電源１３４にてそれぞれ正の電圧、負
の電圧が印加されることで、プラズマ処理に最適な温度
となる様、静電吸着電極１３３の表面に固定される。そ
してこの状態で、被処理基板１３２に対して通常のプラ
ズマ処理が施される。
【０００８】上記プラズマ処理終了後、直流電源１３４
を遮断したとしても、残留電荷が静電吸着電極１３３の
表面の絶縁層に残留する。よって、被処理基板１３２は
静電吸着電極１３３に吸着された状態が維持される。し
たがって被処理基板１３２を破損などなく安定して静電
吸着電極１３３から突き上げ機構１４３によりはく離す
るために、切り替え機構１３５により極性を反転した直
流電圧を上記内部電極に印加することで、被処理基板１
３２における上記残留電荷を打ち消した後、突き上げ機
構１４３により被処理基板を静電吸着電極から離脱させ
る。その後、紫外線光源１３７に相当する例えば水銀ラ
ンプの紫外光を石英ガラス１３８を介して上記絶縁層表
面に照射して、静電吸着電極１３３の絶縁層の表面の残
留電荷を消滅させる。しかしながら、上記公報に記載さ
れるように、上記内部電極に極性を反転した直流電圧を
印加しただけでは、上記残留電荷は完全に除去すること
は出来ない。又、上記直流電圧の印加時間が長過ぎた時
には、逆に静電吸着電極１３３は被処理基板１３２を吸
着してしまう場合がある。その結果、上記突き上げ機構
１４３により被処理基板１３２を離脱することができ
ず、被処理基板１３２を次工程へ搬送する際にトラブル
を起こす場合がある。さらにその残留吸着はプラズマ処
理条件である処理圧力、ガス種類、ガス流量、ガス流量
比その他のパラメーター、あるいは処理する基板の個体
差により変化するという問題があった。
を遮断したとしても、残留電荷が静電吸着電極１３３の
表面の絶縁層に残留する。よって、被処理基板１３２は
静電吸着電極１３３に吸着された状態が維持される。し
たがって被処理基板１３２を破損などなく安定して静電
吸着電極１３３から突き上げ機構１４３によりはく離す
るために、切り替え機構１３５により極性を反転した直
流電圧を上記内部電極に印加することで、被処理基板１
３２における上記残留電荷を打ち消した後、突き上げ機
構１４３により被処理基板を静電吸着電極から離脱させ
る。その後、紫外線光源１３７に相当する例えば水銀ラ
ンプの紫外光を石英ガラス１３８を介して上記絶縁層表
面に照射して、静電吸着電極１３３の絶縁層の表面の残
留電荷を消滅させる。しかしながら、上記公報に記載さ
れるように、上記内部電極に極性を反転した直流電圧を
印加しただけでは、上記残留電荷は完全に除去すること
は出来ない。又、上記直流電圧の印加時間が長過ぎた時
には、逆に静電吸着電極１３３は被処理基板１３２を吸
着してしまう場合がある。その結果、上記突き上げ機構
１４３により被処理基板１３２を離脱することができ
ず、被処理基板１３２を次工程へ搬送する際にトラブル
を起こす場合がある。さらにその残留吸着はプラズマ処
理条件である処理圧力、ガス種類、ガス流量、ガス流量
比その他のパラメーター、あるいは処理する基板の個体
差により変化するという問題があった。
【０００９】また、静電吸着電極１３３において、ダス
トが発生するという問題がある。図６において説明す
る。１３３Ａは静電吸着電極における基板２との外周縁
部の連続した面での接触部である。１３３Ｂは静電吸着
電極における基板との接触面の端部、１３３Ｄは静電吸
着電極における基板が接触していない面で凹形状となっ
ている部分である。この凹形状は最適なプラズマ処理を
行う際の基板温度制御を可能とするという観点から、静
電吸着電極と基板との接触面積を決定している。よって
ダストの発生、及びその巻き上げに関する事項について
は考慮されていない。また基板自身は本プラズマ処理装
置１３０に投入された時点からある程度の歪みを持って
いる。そのため、直流電圧を印加し基板１３２を所定の
電圧を急激に印加しにて吸着を行う際、基板の歪みが静
電吸着電極の表面を擦る様に吸着するため、基板裏面も
しくは静電吸着電極が削られるという現象がある。ま
た、１３３Ｂにより基板を吸着する際の摩擦抵抗が大き
くなりさらに基板裏面もしくは静電吸着電極が削られ
る。よって、その削れがダスト源となり、歩留まりを落
とすという問題がある。これは基板が大型化するほど顕
著となる。このようなことから上述した従来のプラズマ
処理装置１３０では、その信頼性に問題がある。
トが発生するという問題がある。図６において説明す
る。１３３Ａは静電吸着電極における基板２との外周縁
部の連続した面での接触部である。１３３Ｂは静電吸着
電極における基板との接触面の端部、１３３Ｄは静電吸
着電極における基板が接触していない面で凹形状となっ
ている部分である。この凹形状は最適なプラズマ処理を
行う際の基板温度制御を可能とするという観点から、静
電吸着電極と基板との接触面積を決定している。よって
ダストの発生、及びその巻き上げに関する事項について
は考慮されていない。また基板自身は本プラズマ処理装
置１３０に投入された時点からある程度の歪みを持って
いる。そのため、直流電圧を印加し基板１３２を所定の
電圧を急激に印加しにて吸着を行う際、基板の歪みが静
電吸着電極の表面を擦る様に吸着するため、基板裏面も
しくは静電吸着電極が削られるという現象がある。ま
た、１３３Ｂにより基板を吸着する際の摩擦抵抗が大き
くなりさらに基板裏面もしくは静電吸着電極が削られ
る。よって、その削れがダスト源となり、歩留まりを落
とすという問題がある。これは基板が大型化するほど顕
著となる。このようなことから上述した従来のプラズマ
処理装置１３０では、その信頼性に問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
課題を解決するためになされるもので、基板と基板保持
台との離脱が、処理条件、基板の個体差等の問題なく行
われるように、残留電荷による基板と基板保持台の間に
生じた吸着力を減少させる。同時に、吸着により発生す
る基板と基板保持台の削れによるダストの発生、及びそ
の巻き上げを防ぐ方法を提供することを目的とする。
課題を解決するためになされるもので、基板と基板保持
台との離脱が、処理条件、基板の個体差等の問題なく行
われるように、残留電荷による基板と基板保持台の間に
生じた吸着力を減少させる。同時に、吸着により発生す
る基板と基板保持台の削れによるダストの発生、及びそ
の巻き上げを防ぐ方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、排気装置
を有する真空容器内に設けられた基板保持台と、上記基
板保持台に裏面を接触させて保持される基板をプラズマ
処理する装置であって、基板の設置面の面積が基板平面
面積に対し、５％以上１５％以下となるよう基板保持台
の基板設置面に凹部が形成されていることを特徴とする
プラズマ処理装置である。
を有する真空容器内に設けられた基板保持台と、上記基
板保持台に裏面を接触させて保持される基板をプラズマ
処理する装置であって、基板の設置面の面積が基板平面
面積に対し、５％以上１５％以下となるよう基板保持台
の基板設置面に凹部が形成されていることを特徴とする
プラズマ処理装置である。
【００１２】第２の発明は、排気装置を有する真空容器
内に設けられた基板保持台と、上記基板保持台に裏面を
接触させて保持される基板をプラズマ処理する装置であ
って、基板外周縁部と沿うように、基板と基板保持台の
設置面が形成され、かつその設置面が２本以上の帯状に
形成され、かつその帯状の設置面は基板平面面積の１０
％以下となっていることを特徴とするプラズマ処理装置
である。
内に設けられた基板保持台と、上記基板保持台に裏面を
接触させて保持される基板をプラズマ処理する装置であ
って、基板外周縁部と沿うように、基板と基板保持台の
設置面が形成され、かつその設置面が２本以上の帯状に
形成され、かつその帯状の設置面は基板平面面積の１０
％以下となっていることを特徴とするプラズマ処理装置
である。
【００１３】第３の発明は、排気装置を有する真空容器
内に設けられた基板保持台と、上記基板保持台に裏面を
接触させて保持される基板をプラズマ処理する装置であ
って、基板保持台の基板設置面に複数の深さの凹部を形
成し、その凹部の総面積のうち深さ１００μｍ以下の部
分が８０％以上、かつ深さ１００μｍ以上が５％以上２
０％より小さいことを特徴とするプラズマ処理装置であ
る。
内に設けられた基板保持台と、上記基板保持台に裏面を
接触させて保持される基板をプラズマ処理する装置であ
って、基板保持台の基板設置面に複数の深さの凹部を形
成し、その凹部の総面積のうち深さ１００μｍ以下の部
分が８０％以上、かつ深さ１００μｍ以上が５％以上２
０％より小さいことを特徴とするプラズマ処理装置であ
る。
【００１４】第４の発明は、排気装置を有する真空容器
内に設けられた基板保持台と、上記基板保持台に裏面を
接触させて保持される基板をプラズマ処理する装置であ
って、基板保持台の基板設置面に凹部を形成し、基板と
接触する縁部がなだらかな曲面形状となっていることを
特徴とするプラズマ処理装置である。
内に設けられた基板保持台と、上記基板保持台に裏面を
接触させて保持される基板をプラズマ処理する装置であ
って、基板保持台の基板設置面に凹部を形成し、基板と
接触する縁部がなだらかな曲面形状となっていることを
特徴とするプラズマ処理装置である。
【００１５】第５の発明は、排気装置を有する真空容器
内に設けられた基板保持台と、上記基板保持台に裏面を
接触させて保持される基板をプラズマ処理する装置であ
って、基板と接触する縁部の曲面形状が、曲面形状に加
工する前の基板保持台の基板設置面積に対して、５μｍ
以上の半円状のなだらかな曲面となっていることを特徴
とするプラズマ処理装置である。
内に設けられた基板保持台と、上記基板保持台に裏面を
接触させて保持される基板をプラズマ処理する装置であ
って、基板と接触する縁部の曲面形状が、曲面形状に加
工する前の基板保持台の基板設置面積に対して、５μｍ
以上の半円状のなだらかな曲面となっていることを特徴
とするプラズマ処理装置である。
【００１６】第６の発明は、排気装置を有する真空容器
内に設けられた基板保持台に裏面を接触させて保持され
る基板をプラズマ処理する方法であって、基板の保持は
前記基板保持台内の電極に直流電圧を印加するととも
に、前記直流電圧を印加する際は所定の値まで徐々に上
昇し、印加を止める際は所定の値から徐々に下降するこ
とを特徴とするプラズマ処理方法である。
内に設けられた基板保持台に裏面を接触させて保持され
る基板をプラズマ処理する方法であって、基板の保持は
前記基板保持台内の電極に直流電圧を印加するととも
に、前記直流電圧を印加する際は所定の値まで徐々に上
昇し、印加を止める際は所定の値から徐々に下降するこ
とを特徴とするプラズマ処理方法である。
【００１７】第７の発明は、排気装置を有する真空容器
内に設けられた基板保持台に裏面を接触させて保持され
る基板をプラズマ処理する方法であって、前記基板への
帯電は静電吸着用の電極に直流電圧を印加することによ
る方法であって、まず、吸着時は基板の中心付近を直流
電圧により帯電し、次に最初に帯電した中心付近と同心
円状に外周側に拡げて帯電する方法で行い、吸着を止め
る際は、基板の外周より直流印加を止めて帯電を除去
し、最後に基板中心部の直流印加を止め帯電を除去する
ことを特徴とするプラズマ処理方法である。
内に設けられた基板保持台に裏面を接触させて保持され
る基板をプラズマ処理する方法であって、前記基板への
帯電は静電吸着用の電極に直流電圧を印加することによ
る方法であって、まず、吸着時は基板の中心付近を直流
電圧により帯電し、次に最初に帯電した中心付近と同心
円状に外周側に拡げて帯電する方法で行い、吸着を止め
る際は、基板の外周より直流印加を止めて帯電を除去
し、最後に基板中心部の直流印加を止め帯電を除去する
ことを特徴とするプラズマ処理方法である。
【００１８】この発明によれば、被処理基板の残留吸着
を解消し、被処理基板の搬送トラブルがなく装置の信頼
性を高め、かつ最適なプラズマ処理を行う際の基板温度
制御を可能とする。同時にダストの発生、及びその巻き
上げによる製品不良を無くすることができる。さらに、
それぞれの手段及び方法は、単独でも十分上記効果を発
揮することができる。
を解消し、被処理基板の搬送トラブルがなく装置の信頼
性を高め、かつ最適なプラズマ処理を行う際の基板温度
制御を可能とする。同時にダストの発生、及びその巻き
上げによる製品不良を無くすることができる。さらに、
それぞれの手段及び方法は、単独でも十分上記効果を発
揮することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態の装置及び方
法について、図１を用いて説明する。
法について、図１を用いて説明する。
【００２０】以下本発明の具体例を、反応性イオンエッ
チング型のドライエッチング装置を例に、図面を参照し
ながら説明する。
チング型のドライエッチング装置を例に、図面を参照し
ながら説明する。
【００２１】（実施の形態１）図１において、１は真空
排気手段と反応ガス供給手段を有した真空容器、２は被
処理基板のＳｉウェハー、３は静電吸着型の基板保持台
で、厚さ５mmのアルミナ誘電体部４と内部に冷却水路
（図示せず）を有すアルミニウム製ベース部５からな
り、アルミナ誘電体４の表面から５００μｍの内部にタ
ングステンからなる２対の静電吸着用内部電極６Ａ、６
Ｂ、６Ｃ、６Ｄを内蔵している。平面的な特徴を図４に
図示している。６Ａは基板中心部に正の電圧を印加し、
６Ｂは基板中心部に負の電圧を印加する構成である。６
Ｃは６Ａの外周部の位置にて正の電圧を印加し、６Ｄは
６Ｂの外周部の位置にて負の電圧を印加できる構成であ
る。
排気手段と反応ガス供給手段を有した真空容器、２は被
処理基板のＳｉウェハー、３は静電吸着型の基板保持台
で、厚さ５mmのアルミナ誘電体部４と内部に冷却水路
（図示せず）を有すアルミニウム製ベース部５からな
り、アルミナ誘電体４の表面から５００μｍの内部にタ
ングステンからなる２対の静電吸着用内部電極６Ａ、６
Ｂ、６Ｃ、６Ｄを内蔵している。平面的な特徴を図４に
図示している。６Ａは基板中心部に正の電圧を印加し、
６Ｂは基板中心部に負の電圧を印加する構成である。６
Ｃは６Ａの外周部の位置にて正の電圧を印加し、６Ｄは
６Ｂの外周部の位置にて負の電圧を印加できる構成であ
る。
【００２２】基板保持台の表面部の構成を断面図を図２
で示す。３Ａは基板保持台における基板との外周縁部の
連続した面での接触部である。３Ｃは基板保持台におけ
る３Ａの面と同心円状かつ内側に位置し、３Ａと同心円
状に形成された帯状の接触部である。３Ａ、３Ｃの接触
面は、基板外周縁部からほぼ同一幅の形状にて形成さ
れ、合計面積が基板平面面積の５％程度となるよう形成
されている。また３Ｂは基板保持台凹部の曲面部、３Ｄ
は基板保持台における基板が接触していない面で凹形状
となっている部分で、深さ１００μｍ、図２中のＤ２で
ある。３Ｅは凹部３Ｄよりさらに凹形状となっており、
深さ３００μｍ、図２中のＤ１である。
で示す。３Ａは基板保持台における基板との外周縁部の
連続した面での接触部である。３Ｃは基板保持台におけ
る３Ａの面と同心円状かつ内側に位置し、３Ａと同心円
状に形成された帯状の接触部である。３Ａ、３Ｃの接触
面は、基板外周縁部からほぼ同一幅の形状にて形成さ
れ、合計面積が基板平面面積の５％程度となるよう形成
されている。また３Ｂは基板保持台凹部の曲面部、３Ｄ
は基板保持台における基板が接触していない面で凹形状
となっている部分で、深さ１００μｍ、図２中のＤ２で
ある。３Ｅは凹部３Ｄよりさらに凹形状となっており、
深さ３００μｍ、図２中のＤ１である。
【００２３】基板保持台の平面形状を図３で示す。この
時３Ｅは３Ｅと３Ｄの積算面積の２０％としてある。ま
た、図１において、７は高周波フィルター、８Ａ・９Ａ
は正極の直流電源、８Ｂ・９Ｂは負極の直流電源、１０
はコンデンサ、１１は１３．５６MHzの高周波電源、１
２は接地された上部電極である。１３は基板保持台３表
面と基板２裏面との間隙へ伝熱ガスである例えばＨｅガ
スの供給機構でバルブと流量コントローラからなる。１
４は伝熱ガスの基板２裏面での圧力監視、制御機構で、
圧力計と絞り弁から構成されている。基板保持台３内部
には基板搬送のため、被処理基板２の突き上げ機構１５
を有している。突き上げ機構１５はベローズにて大気よ
りシールされており、駆動源となる直動モーター１６と
直結されている。
時３Ｅは３Ｅと３Ｄの積算面積の２０％としてある。ま
た、図１において、７は高周波フィルター、８Ａ・９Ａ
は正極の直流電源、８Ｂ・９Ｂは負極の直流電源、１０
はコンデンサ、１１は１３．５６MHzの高周波電源、１
２は接地された上部電極である。１３は基板保持台３表
面と基板２裏面との間隙へ伝熱ガスである例えばＨｅガ
スの供給機構でバルブと流量コントローラからなる。１
４は伝熱ガスの基板２裏面での圧力監視、制御機構で、
圧力計と絞り弁から構成されている。基板保持台３内部
には基板搬送のため、被処理基板２の突き上げ機構１５
を有している。突き上げ機構１５はベローズにて大気よ
りシールされており、駆動源となる直動モーター１６と
直結されている。
【００２４】以上のように構成された、ドライエッチン
グ装置について、図１を用いてその動作を説明する。
グ装置について、図１を用いてその動作を説明する。
【００２５】まず、真空容器１を真空排気し、基板保持
台３上に被処理基板２を設置し、基板保持台中心部に位
置する一対の内部電極６Ａ、６Ｂへ高周波フィルター７
を通しそれぞれ直流電源８Ｂ、８Ａから正、負の直流電
圧を印加する。この時印加電圧絶対値の最大は１．０ｋ
Ｖであるが、基板自身の歪みによる基板保持台との擦れ
を防止するため、１．０ｋＶの２０％である２００Ｖま
でを５０Ｖ／秒にて上昇する。さらに６Ａ、６Ｂの外周
部に位置する一対の内部電極６Ｃ、６Ｄへ高周波フィル
ター７を通しそれぞれ直流電源９Ｂ、９Ａから正、負の
直流電圧を印加する。基板中央部の印加方法同様に、
１．０ｋＶの２０％である２００Ｖまでを５０Ｖ／秒に
て上昇する。基板の中央、外周とも基板保持台３に静電
吸着したのち、絶対値２００Ｖを一気に１．０ｋＶまで
印加する。吸着力を徐々に強めることにより、基板の歪
みが静電吸着電極の表面になじむ様に吸着するため、基
板裏面もしくは静電吸着電極が削られるという従来の現
象を大きく低減できる。また直流電圧の上昇時間と裏面
ガス供給による基板と基板保持台間の圧力（吸着力と反
対の力）の上昇時間と比較すると圧力上昇の方が遅いた
め、従来通り同時に行うことができる。よってスループ
ットの低下も防止できる。
台３上に被処理基板２を設置し、基板保持台中心部に位
置する一対の内部電極６Ａ、６Ｂへ高周波フィルター７
を通しそれぞれ直流電源８Ｂ、８Ａから正、負の直流電
圧を印加する。この時印加電圧絶対値の最大は１．０ｋ
Ｖであるが、基板自身の歪みによる基板保持台との擦れ
を防止するため、１．０ｋＶの２０％である２００Ｖま
でを５０Ｖ／秒にて上昇する。さらに６Ａ、６Ｂの外周
部に位置する一対の内部電極６Ｃ、６Ｄへ高周波フィル
ター７を通しそれぞれ直流電源９Ｂ、９Ａから正、負の
直流電圧を印加する。基板中央部の印加方法同様に、
１．０ｋＶの２０％である２００Ｖまでを５０Ｖ／秒に
て上昇する。基板の中央、外周とも基板保持台３に静電
吸着したのち、絶対値２００Ｖを一気に１．０ｋＶまで
印加する。吸着力を徐々に強めることにより、基板の歪
みが静電吸着電極の表面になじむ様に吸着するため、基
板裏面もしくは静電吸着電極が削られるという従来の現
象を大きく低減できる。また直流電圧の上昇時間と裏面
ガス供給による基板と基板保持台間の圧力（吸着力と反
対の力）の上昇時間と比較すると圧力上昇の方が遅いた
め、従来通り同時に行うことができる。よってスループ
ットの低下も防止できる。
【００２６】ここで、直流電圧を最大値の２０％である
２００Ｖにて上昇時間を変化させている理由として、基
板の大きさと直流電圧による吸着力との相関により、２
００Ｖ以下の領域にて基板と基板保持台との擦れが緩和
できることが判明したからである。よって段階的に電圧
値を上昇することにより無駄な時間を省くことが可能と
なった。
２００Ｖにて上昇時間を変化させている理由として、基
板の大きさと直流電圧による吸着力との相関により、２
００Ｖ以下の領域にて基板と基板保持台との擦れが緩和
できることが判明したからである。よって段階的に電圧
値を上昇することにより無駄な時間を省くことが可能と
なった。
【００２７】また基板保持台３は基板との設置面積が１
５％となるよう構成されているため、プラズマ処理に最
適な温度となる熱伝導効率となっている。同時に接触面
積をできるだけ低減することで、後述している残留吸着
の低減も実現している。さらに基基板を吸着する際の摩
擦抵抗が大きくなるという課題に対して、基板保持台に
おける曲面部３Ｂをバフ等の柔軟な材質での表面研磨を
行うことにより、曲率半径１０μｍ程度のなだらかな曲
面を形成した。プロセス処理中の基板温度制御、ダスト
の低減という課題に対し、基板と基板保持台との接触面
積最適化、直流電圧の印加方法最適化、吸着する際の摩
擦抵抗低減により、解決することができた。
５％となるよう構成されているため、プラズマ処理に最
適な温度となる熱伝導効率となっている。同時に接触面
積をできるだけ低減することで、後述している残留吸着
の低減も実現している。さらに基基板を吸着する際の摩
擦抵抗が大きくなるという課題に対して、基板保持台に
おける曲面部３Ｂをバフ等の柔軟な材質での表面研磨を
行うことにより、曲率半径１０μｍ程度のなだらかな曲
面を形成した。プロセス処理中の基板温度制御、ダスト
の低減という課題に対し、基板と基板保持台との接触面
積最適化、直流電圧の印加方法最適化、吸着する際の摩
擦抵抗低減により、解決することができた。
【００２８】ここで、設置面積を基板平面面積１５％と
したが、実験により１５％より大きいと、裏面Ｈｅガス
との接触面積が小さいため、Ｈｅガスによる除電効果が
うすく残留吸着が起きやすい。また５％より小さいと、
基板吸着時に基板の変形が発生し、最適な基板処理が行
うことが困難となる。特に液晶基板等大型化すると上記
現象が起きる。また曲面部３Ｂを曲率半径１０μｍ程度
のなだらかな曲面を形成したが、５μｍより小さいと、
基板と基板保持台との静止摩擦抵抗が大きく、吸着時の
基板もしくは、基板保持台の削れが発生しやすいことも
確認した。
したが、実験により１５％より大きいと、裏面Ｈｅガス
との接触面積が小さいため、Ｈｅガスによる除電効果が
うすく残留吸着が起きやすい。また５％より小さいと、
基板吸着時に基板の変形が発生し、最適な基板処理が行
うことが困難となる。特に液晶基板等大型化すると上記
現象が起きる。また曲面部３Ｂを曲率半径１０μｍ程度
のなだらかな曲面を形成したが、５μｍより小さいと、
基板と基板保持台との静止摩擦抵抗が大きく、吸着時の
基板もしくは、基板保持台の削れが発生しやすいことも
確認した。
【００２９】ここで、３Ｂの形状は、機械加工的な処理
による形成が望ましい。化学的、物理的反応による加工
では、化学的、物理的結合の弱いところが局所的に加工
されやすくエッジ等が残り、本来の目的を達成すること
が困難である。機械加工的処理は突起物を削り落とすよ
う加工するため、なだらかにしやすいという特徴があ
る。
による形成が望ましい。化学的、物理的反応による加工
では、化学的、物理的結合の弱いところが局所的に加工
されやすくエッジ等が残り、本来の目的を達成すること
が困難である。機械加工的処理は突起物を削り落とすよ
う加工するため、なだらかにしやすいという特徴があ
る。
【００３０】次の動作として、Ｈｅ供給機構１３により
基板２裏面にＨｅガスを１０cc／分導入し、圧力制御機
構１４により１４００Ｐａに調圧する。この時静電吸着
電極の凹部３Ｅは凹部総面積（凹部３Ｃ、３Ｄの積算面
積）の２０％であり、かつ全面ほぼ均等に配置されてい
るため、基板と基板保持台間のＨｅガスによる圧力が、
ほとんど同時に全面積均等に上昇する。よって従来発生
していた局部的な圧力差による基板の歪みが発生せず、
基板と基板保持台間の擦れが防止できる。さらに、最適
な基板温度制御、残留吸着の抑制の目的は達成しつつ、
基板外周縁部に３Ａと３Ｃの２重の接触面があるため、
ラビリンス構造により裏面Ｈｅガスのシール性が高ま
り、Ｈｅガス漏れによるダストの吹き出しが防止でき
た。本実施例はＨｅガスのシール構造としてＯリング等
のシール材を使わず、構造が簡単なことも特徴である。
基板２裏面にＨｅガスを１０cc／分導入し、圧力制御機
構１４により１４００Ｐａに調圧する。この時静電吸着
電極の凹部３Ｅは凹部総面積（凹部３Ｃ、３Ｄの積算面
積）の２０％であり、かつ全面ほぼ均等に配置されてい
るため、基板と基板保持台間のＨｅガスによる圧力が、
ほとんど同時に全面積均等に上昇する。よって従来発生
していた局部的な圧力差による基板の歪みが発生せず、
基板と基板保持台間の擦れが防止できる。さらに、最適
な基板温度制御、残留吸着の抑制の目的は達成しつつ、
基板外周縁部に３Ａと３Ｃの２重の接触面があるため、
ラビリンス構造により裏面Ｈｅガスのシール性が高ま
り、Ｈｅガス漏れによるダストの吹き出しが防止でき
た。本実施例はＨｅガスのシール構造としてＯリング等
のシール材を使わず、構造が簡単なことも特徴である。
【００３１】ここで、３Ａ、３Ｃは基板平面面積の５％
となるよう形成したが、これが１０％より大きいと、基
板の外周縁部が裏面ガスとの接触部が少なくなるため温
度制御性が悪化し、エッチング均一性の悪化等所定のエ
ッチングが実現できなくなる。
となるよう形成したが、これが１０％より大きいと、基
板の外周縁部が裏面ガスとの接触部が少なくなるため温
度制御性が悪化し、エッチング均一性の悪化等所定のエ
ッチングが実現できなくなる。
【００３２】本実施例では、凹部３Ｄは、深さ１００μ
ｍであるが、実験では１００μｍより深い凹部である
と、全体的な静電吸着力が低下し、基板と基板保持台と
の接触面積の増減だけでは、制御が困難となった。また
基板保持台の冷却水路に流す水温と基板温度との差が拡
大し、すなわち温度制御性も悪化した。また３Ｅは凹部
３Ｄよりさらに凹形状となっており、その凹部の総面積
のうち深さ１００μｍの部分が８０％、かつ深さ３００
μｍが２０％としたが、２０％より大きいと全体的な静
電吸着力が低下し、基板と基板保持台との接触面積の増
減だけでは、制御が困難となった。
ｍであるが、実験では１００μｍより深い凹部である
と、全体的な静電吸着力が低下し、基板と基板保持台と
の接触面積の増減だけでは、制御が困難となった。また
基板保持台の冷却水路に流す水温と基板温度との差が拡
大し、すなわち温度制御性も悪化した。また３Ｅは凹部
３Ｄよりさらに凹形状となっており、その凹部の総面積
のうち深さ１００μｍの部分が８０％、かつ深さ３００
μｍが２０％としたが、２０％より大きいと全体的な静
電吸着力が低下し、基板と基板保持台との接触面積の増
減だけでは、制御が困難となった。
【００３３】さらに、次の動作として、ガス導入口３０
より反応ガスであるＣＦ4を３０cc／分と、Ｏ2を５cc／
分同時に導入し、２０Ｐａに調圧し、高周波電源１１か
ら高周波電力を２分岐させた後に直流電圧をカットする
コンデンサ１０を通して、一対の内部電極６に供給する
ことによりプラズマを発生させ、被処理基板２を裏面Ｈ
ｅで効率よく冷却しながら、所望のドライエッチングが
達成される。エッチングが終了した後、高周波電力、反
応ガス及び、裏面Ｈｅの供給を止め、一旦、排気システ
ム３１にて真空排気を行いながら、直流電源８Ａ・Ｂ、
９Ａ・Ｂの出力を止める。この状態で、基板２は所望の
エッチングが行われた事になるが、基板２のプラズマか
らの帯電と、基板保持台３の絶縁層表面と基板２の裏面
との間に存在する残留電荷のために、基板２が未だ吸着
されており、このまま基板２を搬送するため、突き上げ
機構１５で基板保持台３から剥離さそうとすると、搬送
トラブル、被処理基板２の破損を起こしてしまう。ま
た、搬送トラブル、被処理基板２の破損を起こさない程
度のわずかな残留吸着であっても、基板吸着の際に発生
した基板裏面もしくは静電吸着電極の削れが、突き上げ
機構１５で基板保持台３から剥離する際の基板のわずか
な振動により、ダストととして基板表面に回り込み、歩
留まり低減の原因となってしまう。この課題に対応する
ため、静電吸着を止める際の直流電源８Ａ・Ｂ、９Ａ・
Ｂの止め方にて対応した。まず基板保持台の外周部に位
置する一対の内部電極６Ｃ、６Ｄを絶対値１．０ｋＶか
ら２００Ｖへ落とし、次に２００Ｖから０Ｖまでを５０
Ｖ／秒にて下降する。次に基板保持台中心部に位置する
一対の内部電極６Ａ、６Ｂを絶対値は１．０ｋＶから２
００Ｖへ落とし、２００Ｖから０Ｖまでを５０Ｖ／秒に
て下降させる。このように段階的に帯電量を落とすこと
により、残留電荷が低減され残留吸着を起こさない。従
来の例では、５００Ｐａ（３．８ｇｆ／ｃｍ2）程度の
残留吸着が発生する場合があったが、今回の例で常時１
００Ｐａ以下（０．８ｇｆ／ｃｍ2）まで低減できた。
搬送トラブル、被処理基板２の破損を防止することはも
ちろん、わずかな残留吸着も無くし、ダストの基板表面
への回り込みを防止できた。
より反応ガスであるＣＦ4を３０cc／分と、Ｏ2を５cc／
分同時に導入し、２０Ｐａに調圧し、高周波電源１１か
ら高周波電力を２分岐させた後に直流電圧をカットする
コンデンサ１０を通して、一対の内部電極６に供給する
ことによりプラズマを発生させ、被処理基板２を裏面Ｈ
ｅで効率よく冷却しながら、所望のドライエッチングが
達成される。エッチングが終了した後、高周波電力、反
応ガス及び、裏面Ｈｅの供給を止め、一旦、排気システ
ム３１にて真空排気を行いながら、直流電源８Ａ・Ｂ、
９Ａ・Ｂの出力を止める。この状態で、基板２は所望の
エッチングが行われた事になるが、基板２のプラズマか
らの帯電と、基板保持台３の絶縁層表面と基板２の裏面
との間に存在する残留電荷のために、基板２が未だ吸着
されており、このまま基板２を搬送するため、突き上げ
機構１５で基板保持台３から剥離さそうとすると、搬送
トラブル、被処理基板２の破損を起こしてしまう。ま
た、搬送トラブル、被処理基板２の破損を起こさない程
度のわずかな残留吸着であっても、基板吸着の際に発生
した基板裏面もしくは静電吸着電極の削れが、突き上げ
機構１５で基板保持台３から剥離する際の基板のわずか
な振動により、ダストととして基板表面に回り込み、歩
留まり低減の原因となってしまう。この課題に対応する
ため、静電吸着を止める際の直流電源８Ａ・Ｂ、９Ａ・
Ｂの止め方にて対応した。まず基板保持台の外周部に位
置する一対の内部電極６Ｃ、６Ｄを絶対値１．０ｋＶか
ら２００Ｖへ落とし、次に２００Ｖから０Ｖまでを５０
Ｖ／秒にて下降する。次に基板保持台中心部に位置する
一対の内部電極６Ａ、６Ｂを絶対値は１．０ｋＶから２
００Ｖへ落とし、２００Ｖから０Ｖまでを５０Ｖ／秒に
て下降させる。このように段階的に帯電量を落とすこと
により、残留電荷が低減され残留吸着を起こさない。従
来の例では、５００Ｐａ（３．８ｇｆ／ｃｍ2）程度の
残留吸着が発生する場合があったが、今回の例で常時１
００Ｐａ以下（０．８ｇｆ／ｃｍ2）まで低減できた。
搬送トラブル、被処理基板２の破損を防止することはも
ちろん、わずかな残留吸着も無くし、ダストの基板表面
への回り込みを防止できた。
【００３４】ここで、直流電圧を最大値の２０％である
２００Ｖにて下降時間を変化させている理由としては、
上昇時と同じ理由による。
２００Ｖにて下降時間を変化させている理由としては、
上昇時と同じ理由による。
【００３５】本実施例においては、除電プラズマプロセ
スを用いず、また真空容器１内部にコロナ放電用の高電
圧電極などを有しないため、真空容器１からのマイクロ
スパッタによる発塵、電極材料からの不純物汚染や発塵
は引き起こさない。また、デバイスダメージ（例えばＭ
ＯＳトランジスターのしきい値電圧のシフトなど）を誘
発することもない。
スを用いず、また真空容器１内部にコロナ放電用の高電
圧電極などを有しないため、真空容器１からのマイクロ
スパッタによる発塵、電極材料からの不純物汚染や発塵
は引き起こさない。また、デバイスダメージ（例えばＭ
ＯＳトランジスターのしきい値電圧のシフトなど）を誘
発することもない。
【００３６】以上のように本実施例によれば、静電吸着
を行う際のダスト発生を抑制し、また基板と基板保持台
間に導入するＨｅガスが容器内に漏れることによるダス
トの吹き出しを無くすことができる。さらに静電吸着と
プラズマ処理とを行うことにより被処理基板と絶縁層表
面に発生する残留吸着を、搬送、ダストトラブルの発生
しないレベルまで低減できる。
を行う際のダスト発生を抑制し、また基板と基板保持台
間に導入するＨｅガスが容器内に漏れることによるダス
トの吹き出しを無くすことができる。さらに静電吸着と
プラズマ処理とを行うことにより被処理基板と絶縁層表
面に発生する残留吸着を、搬送、ダストトラブルの発生
しないレベルまで低減できる。
【００３７】なお、本実施例においては、（１）直流電
圧値の上昇、下降の方法、（２）直流電圧印加場所の制
御方法、（３）基板と基板保持台との設置面積、（４）
接触面の端部の形状（５）基板外周縁部の設置面構造
（６）基板保持台の凹部形状を全て有する形態について
説明したが、上記（１）〜（７）はそれぞれ単独で実施
しても十分な効果が得られることが確認されている。同
時に実施することがより好ましいのは言うまでもない。
圧値の上昇、下降の方法、（２）直流電圧印加場所の制
御方法、（３）基板と基板保持台との設置面積、（４）
接触面の端部の形状（５）基板外周縁部の設置面構造
（６）基板保持台の凹部形状を全て有する形態について
説明したが、上記（１）〜（７）はそれぞれ単独で実施
しても十分な効果が得られることが確認されている。同
時に実施することがより好ましいのは言うまでもない。
【００３８】本実施例において、基板保持台凹部を同心
円状としたが、形状を制限するものではない。しかし基
板と均等に接触する配置とした方が温度制御的に好まし
い。
円状としたが、形状を制限するものではない。しかし基
板と均等に接触する配置とした方が温度制御的に好まし
い。
【００３９】また、実施例において、直流電圧を印加す
る内部電極を同心円状に配置しているが、形状を制限す
るものではない。しかし、正負電極面積は同等の方が温
度制御的には好ましく、できるだけ小面積内で正負電極
が存在する方が、例えば櫛形状とした方が均等な吸着が
できる。
る内部電極を同心円状に配置しているが、形状を制限す
るものではない。しかし、正負電極面積は同等の方が温
度制御的には好ましく、できるだけ小面積内で正負電極
が存在する方が、例えば櫛形状とした方が均等な吸着が
できる。
【００４０】また、実施例において、基板裏面に流すガ
スとして、Ｈｅガスを用いたがこれ以外の不活性ガスや
別のガスを用いても良い。
スとして、Ｈｅガスを用いたがこれ以外の不活性ガスや
別のガスを用いても良い。
【００４１】また、実施例において、基板裏面に流すＨ
ｅガスの配管系統は実施例記載の系統に限られるもので
なく、基板裏面にガスを供給できればいずれの配管系統
を用いても良い。
ｅガスの配管系統は実施例記載の系統に限られるもので
なく、基板裏面にガスを供給できればいずれの配管系統
を用いても良い。
【００４２】また、実施例において、基板保持台を一対
の内部電極を有するいわゆる双極型の静電吸着電極とし
たが、単極型の静電吸着電極に本発明の静電吸着電極の
形状を用いても同様の効果が得られる。
の内部電極を有するいわゆる双極型の静電吸着電極とし
たが、単極型の静電吸着電極に本発明の静電吸着電極の
形状を用いても同様の効果が得られる。
【００４３】また、実施例において、静電吸着型の基板
保持台としたが、表面が絶縁物で覆われ、接地あるいは
高周波電力が印加される基板保持台であっても、絶縁材
料の基板の場合特に残留吸着による搬送トラブルが起こ
り得、このような場合本発明を用いても同様の効果が得
られる。
保持台としたが、表面が絶縁物で覆われ、接地あるいは
高周波電力が印加される基板保持台であっても、絶縁材
料の基板の場合特に残留吸着による搬送トラブルが起こ
り得、このような場合本発明を用いても同様の効果が得
られる。
【００４４】また、実施例において、反応性イオンエッ
チング型のドライエッチング装置としたが、プラズマの
発生方法はこれに限られるものでなく、誘導結合型、Ｅ
ＣＲ型、ヘリコン波型、表面波型等のプラズマ発生方法
としてもよい。
チング型のドライエッチング装置としたが、プラズマの
発生方法はこれに限られるものでなく、誘導結合型、Ｅ
ＣＲ型、ヘリコン波型、表面波型等のプラズマ発生方法
としてもよい。
【００４５】また、実施例において、ドライエッチング
装置を例にとって説明したが、プラズマＣＶＤ装置や、
スパッタリング装置、アッシング装置に本発明を用いて
もよい。
装置を例にとって説明したが、プラズマＣＶＤ装置や、
スパッタリング装置、アッシング装置に本発明を用いて
もよい。
【００４６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、被処理基
板を基板保持台へ静電吸着する際のダスト発生を低減す
る。また静電吸着を止めた際の残留吸着を解消し、搬送
トラブル、発塵やデバイスダメージによる製品不良を無
くするという有利な効果が得られる。
板を基板保持台へ静電吸着する際のダスト発生を低減す
る。また静電吸着を止めた際の残留吸着を解消し、搬送
トラブル、発塵やデバイスダメージによる製品不良を無
くするという有利な効果が得られる。
【図１】本発明の一実施例の形態におけるプラズマ処理
装置の反応室の断面図
装置の反応室の断面図
【図２】本発明の一実施例の形態における基板保持台の
断面図
断面図
【図３】本発明の一実施例の形態における基板保持台の
平面図
平面図
【図４】本発明の一実施例の形態における基板保持台の
静電吸着電極部の平面図
静電吸着電極部の平面図
【図５】従来のプラズマ処理装置の反応室の断面図
【図６】従来のプラズマ処理装置における基板保持台の
断面図
断面図
１ 真空容器 ２ 被処理基板 ３ 基板保持台 ４ 絶縁層 ５ アルミニウムベース ６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄ 内部電極 ７ 高周波フィルター ８Ａ・８Ｂ 直流電源 ９Ａ・９Ｂ 直流電源 １０ コンデンサー １１ 高周波電源 １２ 上部電極 １３ 冷却Ｈｅ圧力調整機構 １４ 冷却Ｈｅ流量調整機構 １５ 突き上げ機構 １６ 直動モーター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 卓也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山本 重之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K057 DA11 DB06 DD03 DE08 DE14 DE20 DM35 DM40 DN01 5F004 AA01 BB20 BD03 DA01 DA22 DA26 DB01 5F031 CA02 HA05 HA07 HA19 MA32 NA05 PA18 PA26 PA30
Claims (10)
- 【請求項１】 排気装置を有する真空容器内に設けられ
た基板保持台と、上記基板保持台に裏面を接触させて保
持される基板をプラズマ処理する装置であって、基板の
設置面の面積が基板平面面積に対し、５％以上１５％以
下となるよう基板保持台の基板設置面に凹部が形成され
ていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 排気装置を有する真空容器内に設けられ
た基板保持台と、上記基板保持台に裏面を接触させて保
持される基板をプラズマ処理する装置であって、基板外
周縁部と沿うように、基板と基板保持台の設置面が形成
され、かつその設置面が２本以上の帯状に形成され、か
つその帯状の設置面は基板平面面積の１０％以下となっ
ていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 排気装置を有する真空容器内に設けられ
た基板保持台と、上記基板保持台に裏面を接触させて保
持される基板をプラズマ処理する装置であって、基板保
持台の基板設置面に複数の深さの凹部を形成し、その凹
部の総面積のうち深さ１００μｍ以下の部分が８０％以
上、かつ深さ１００μｍ以上が５％以上２０％より小さ
いことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 排気装置を有する真空容器内に設けられ
た基板保持台と、上記基板保持台に裏面を接触させて保
持される基板をプラズマ処理する装置であって、 基板
保持台の基板設置面に凹部を形成し、基板と接触する縁
部がなだらかな曲面形状となっていることを特徴とする
プラズマ処理装置。 - 【請求項５】 排気装置を有する真空容器内に設けられ
た基板保持台と、上記基板保持台に裏面を接触させて保
持される基板をプラズマ処理する装置であって、 基板
と接触する縁部の曲面形状が、曲面形状に加工する前の
基板保持台の基板設置面積に対して、５μｍ以上の半円
状のなだらかな曲面となっていることを特徴とするプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項６】 排気装置を有する真空容器内に設けられ
た基板保持台に裏面を接触させて保持される基板をプラ
ズマ処理する方法であって、基板の保持は前記基板保持
台内の電極に直流電圧を印加するとともに、前記直流電
圧を印加する際は所定の値まで徐々に上昇し、印加を止
める際は所定の値から徐々に下降することを特徴とする
プラズマ処理方法。 - 【請求項７】 直流電圧を印加する際は処理に必要とさ
れる最高印加値の２０％以下までの電圧を絶対値１００
Ｖ／秒以下で印加し、その後は絶対値１００Ｖ／秒以上
で印加し、印加を止める際は最高印加値の２０％以下ま
では絶対値１００Ｖ／秒以上で下降し、その後は絶対値
１００Ｖ／秒以上で下降させ印加を止めることを特徴と
する請求項６記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項８】 排気装置を有する真空容器内に設けられ
た基板保持台と、上記基板保持台に裏面を接触させて保
持される基板への表面への処理に伴い上記基板に生じた
帯電によって基板と上記基板保持台とを吸着し、前記基
板への帯電は静電吸着用の電極に直流電圧を印加するこ
とによるプラズマ処理装置であって、正の直流電圧を印
加する場所が２カ所以上、負を印加する場所が２カ所以
上に分割され、それぞれ独立に制御することを特徴とす
るプラズマ処理装置。 - 【請求項９】 直流電圧印加部の正と負の１対が基板の
中心付近を帯電し、残りの印加部がその外周に構成する
請求項８記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項１０】 排気装置を有する真空容器内に設けら
れた基板保持台に裏面を接触させて保持される基板をプ
ラズマ処理する方法であって、前記基板への帯電は静電
吸着用の電極に直流電圧を印加することによる方法であ
って、まず、吸着時は基板の中心付近を直流電圧により
帯電し、次に最初に帯電した中心付近と同心円状に外周
側に拡げて帯電する方法で行い、吸着を止める際は、基
板の外周より直流印加を止め帯電を除去し、最後に基板
中心部の直流印加を止め帯電を除去することを特徴とす
るプラズマ処理方法。
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