JP4545710B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4545710B2 JP4545710B2 JP2006146415A JP2006146415A JP4545710B2 JP 4545710 B2 JP4545710 B2 JP 4545710B2 JP 2006146415 A JP2006146415 A JP 2006146415A JP 2006146415 A JP2006146415 A JP 2006146415A JP 4545710 B2 JP4545710 B2 JP 4545710B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- area
- plasma processing
- electrode
- contact portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
図1において、1は真空排気手段と反応ガス供給手段を有した真空容器、2は被処理基板のSiウェハー、3は静電吸着型の基板保持台で、厚さ5mmのアルミナ誘電体部4と内部に冷却水路(図示せず)を有すアルミニウム製ベース5からなり、アルミナ誘電体4の表面から500μmの内部にタングステンからなる2対の静電吸着用内部電極6A、6B、6C、6Dを内蔵している。平面的な特徴を図4に図示している。6Aは基板中心部に正の電圧を印加し、6Bは基板中心部に負の電圧を印加する構成である。6Cは6Aの外周部の位置にて正の電圧を印加し、6Dは6Bの外周部の位置にて負の電圧を印加できる構成である。
、O2を5cc/分同時に導入し、20Paに調圧し、高周波電源11から高周波電力を
2分岐させた後に直流電圧をカットするコンデンサー10を通して、一対の内部電極6に供給することによりプラズマを発生させ、被処理基板2を裏面Heで効率よく冷却しながら、所望のドライエッチングが達成される。エッチングが終了した後、高周波電力、反応ガス及び、裏面Heの供給を止め、一旦、排気システム31にて真空排気を行いながら、直流電源8A・B、9A・Bの出力を止める。この状態で、基板2は所望のエッチングが行われた事になるが、基板2のプラズマからの帯電と、基板保持台3の絶縁層表面と基板2の裏面との間に存在する残留電荷のために、基板2が未だ吸着されており、このまま基板2を搬送するため、突き上げ機構15で基板保持台3から剥離さそうとすると、搬送トラブル、被処理基板2の破損を起こしてしまう。また、搬送トラブル、被処理基板2の破損を起こさない程度のわずかな残留吸着であっても、基板吸着の際に発生した基板裏面もしくは静電吸着電極の削れが、突き上げ機構15で基板保持台3から剥離する際の基板のわずかな振動により、ダストとして基板表面に回り込み、歩留まり低減の原因となってしまう。この課題に対応するため、静電吸着を止める際の直流電源8A・B、9A・Bの止め方にて対応した。まず基板保持台の外周部に位置する一対の内部電極6C、6Dを絶対値1.0kVから200Vへ落とし、次に200Vから0Vまでを50V/秒にて下降する。次に基板保持台中心部に位置する一対の内部電極6A、6Bを絶対値は1.0kVから200Vへ落とし、200Vから0Vまでを50V/秒にて下降させる。このように段階的に帯電量を落とすことにより、残留電荷が低減され残留吸着を起こさない。従来の例では、500Pa(3.8gf/cm2)程度の残留吸着が発生する場合があったが、今回の例で常時100Pa以下(0.8gf/cm2)まで低減できた。搬送トラブル、被処理基板2の破損を防止することはもちろん、わずかな残留吸着も無くし、ダストの基板表面への回り込みを防止できた。
(1)直流電圧値の上昇、下降の方法、
(2)直流電圧印加場所の制御方法、
(3)基板と基板保持台との設置面積、
(4)接触面の端部の形状
(5)基板外周縁部の設置面構造
(6)基板保持台の凹部形状を全て有する形態について説明したが、上記(1)〜(6)はそれぞれ単独で実施しても十分な効果が得られることが確認されている。同時に実施することがより好ましいのは言うまでもない。
2 被処理基板
3 基板保持台
4 絶縁層
5 アルミニウム製ベース
6A、6B、6C、6D 内部電極
7 高周波フィルター
8A・8B 直流電源
9A・9B 直流電源
10 コンデンサー
11 高周波電源
12 上部電極
13 He圧力調整機構
14 圧力制御機構
15 突き上げ機構
16 直動モーター
Claims (1)
- 真空容器内を真空排気し、前記真空容器内に設けられた基板保持台に高周波電力を印加することで前記真空容器内にプラズマを発生させ、前記基板保持台に載置された基板を処理するプラズマ処理する方法であって、
(1)前記基板保持台の基板設置面Aのうち基板と接触する基板接触部Bの基板の平面面積に対する面積が5%以上15%以下となるように前記基板設置面Aに複数の深さの凹部が形成され、
(2)前記基板保持台の基板設置面Aには、前記基板接触部Bの一部でありかつ基板外周縁部と沿うように基板と接触する2本以上の帯状の基板接触部B’が形成され、前記基板接触部B’は前記基板接触部B以下の面積でありかつその帯状の基板接触部B’の面積は基板の平面面積の5%以上10%以下となっており、
(3)前記基板保持台の基板設置面に形成された凹部のうち深さ100μm以下の凹部の面積S1が80%以上、かつ100μmより深い凹部の面積S2が5%以上20%以下であり、100μmより深い凹部の一部は冷却ガスを導入する孔であること
を特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006146415A JP4545710B2 (ja) | 2006-05-26 | 2006-05-26 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006146415A JP4545710B2 (ja) | 2006-05-26 | 2006-05-26 | プラズマ処理方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04624699A Division JP3846092B2 (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | プラズマ処理装置および方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006237645A JP2006237645A (ja) | 2006-09-07 |
JP4545710B2 true JP4545710B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=37044871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006146415A Expired - Lifetime JP4545710B2 (ja) | 2006-05-26 | 2006-05-26 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4545710B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010056353A (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012009635A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置および方法 |
-
2006
- 2006-05-26 JP JP2006146415A patent/JP4545710B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006237645A (ja) | 2006-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3846092B2 (ja) | プラズマ処理装置および方法 | |
JP4547182B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI553717B (zh) | A focusing ring and a substrate processing device provided with the focusing ring | |
JP5492578B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI492294B (zh) | Plasma processing device and plasma processing method | |
US9087676B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
JP6552346B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20080156441A1 (en) | Plasma processing apparatus and electrode plate, electrode supporting body, and shield ring thereof | |
JP3507331B2 (ja) | 基板温度制御方法及び装置 | |
WO2002007212A1 (fr) | Dispositif de maintien pour corps traite | |
JP5281811B2 (ja) | プラズマ処理用環状部品、プラズマ処理装置、及び外側環状部材 | |
JP2008251742A (ja) | 基板処理装置及びフォーカスリングを載置する基板載置台 | |
TWI786279B (zh) | 清潔方法及處理裝置 | |
JP5317509B2 (ja) | プラズマ処理装置および方法 | |
JP4283366B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4545710B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
TWI831956B (zh) | 清潔處理方法及電漿處理裝置 | |
JP7341043B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
US8343372B2 (en) | Surface processing method for mounting stage | |
JP4602528B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3770740B2 (ja) | 基板剥離装置 | |
JP4039645B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP2002367967A (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
JP4059090B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4287579B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071204 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080204 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080924 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081125 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081201 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090109 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091118 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100510 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100630 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 3 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |