JP2006179667A - 半導体装置用パッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 加速度センサ10等の半導体装置を収容するセラミック容器20を覆って密閉するリッド30Aとして、100μm程度の厚さの42アロイ板31の表面にクロムを鍍金し、このクロム鍍金に黒色の化合物を形成することによって得られる10μm程度の厚さの電着塗装32を設ける。リッド30Aは、セラミック容器20の側壁部22の上部に、熱硬化性樹脂41によって固定される。熱硬化性樹脂41の硬化後の厚さは、20〜30μmとなるように調整される。従来のセラミックリッドは、強度等の関係で200μm以上の厚さが必要で、かつ、レーザ加工が困難であったが、このリッド30Aによれば、厚さが半減され、かつ、レーザによる捺印も容易になる。
【選択図】 図1
Description
(1) セラミック板は、厚さが0.2mmよりも薄くなると反りや割れが生じてしまうため、薄膜化が困難でパッケージ全体の厚さを薄くすることができない。特に、GPS(全地球測位システム)機能を備えた携帯電話機等への加速度センサの搭載も進んでおり、一層の小型化が求められている。
(2) パッケージに対する捺印は、処理速度や工程の簡素化のため、インクによる印刷等に比べて、レーザ光線による方法が優れている。しかし、レーザ光線でセラミックに捺印するには高いエネルギーが必要となるので、特別に高出力のレーザ発振器を準備しなければならず、通常の製造装置が使用できない。
(a) パッケージの蓋として、42アロイ板31の表面に黒色の電着塗装32を施したリッド30Aを用いているので、蓋の厚さを0.1mm程度にすることが可能になり、パッケージ全体を1mm程度の厚さにすることができる。なお、パッケージの縦及び横の寸法は、6.2mm程度である。
(b) リッド30Aの表面は黒色の電着塗装32が施されているので、低出力のレーザ光線で捺印が可能であり、通常の製造装置を使用することができる。
(c) 金属製のリッドであるので、外部からの衝撃に強い。
(d) セラミックに比べて安価な材料で、加工も容易であるため、コストを抑えることができる。
(a) パッケージの蓋としてステンレス鋼33の両面に黒色処理した銅鍍金34a,34bが形成されたリッド30Bを用いているので、蓋の厚さをほぼ0.1mmにすることが可能になり、パッケージ全体を1mm程度の厚さにすることができる。
(b) リッド30Bの表面は黒色処理が施されているので、低出力のレーザ光線での捺印が可能で、通常の製造装置を使用することができる。
(c) 金属製のリッドであるので、外部からの衝撃に強い。
(d) セラミックに比べて安価な材料で、加工も容易であるため、コストを抑えることができる。
(e) 酸化によって黒色処理された銅鍍金34は絶縁性を呈するので、金属配線24がリッド30Bに接触しても電気的ショートが起きるおそれがない。
(a) パッケージの蓋として耐熱性ポリイミドテープ35を用いているので、蓋の厚さをほぼ0.1mmにすることが可能になり、パッケージ全体を1mm程度の厚さにすることができる。
(b) リッド30Cは耐熱性ポリイミドであるので、低出力のレーザ光線で捺印が可能であり、通常の製造装置を使用することができる。
(c) セラミックに比べて安価な材料で、加工も容易であるため、コストを抑えることができる。
(d) 耐熱性ポリイミドは絶縁性を呈するので、金属配線24がリッド30Cに接触しても電気的ショートが起きるおそれがない。
(a) パッケージの蓋として42アロイ板31の表面に黒色の電着塗装32を施したリッド30Dを用いているので、蓋の厚さをほぼ0.1mmにすることが可能になる。
(b) リッド30Dの表面は黒色の電着塗装32が施されているので、低出力のレーザ光線で捺印が可能であり、通常の製造装置を使用することができる。
(c) 金属製のリッドであるので、外部からの衝撃に強い。
(d) セラミックに比べて安価な材料で、加工も容易であるため、コストを抑えることができる。
(e) 内側の全面に熱可塑性樹脂36がコーティングされているので、金属配線24がリッド30Dに接触しても電気的ショートが起きるおそれがない。
(f) コーティングされた熱可塑性樹脂36が接着剤となるので、セラミック容器にリッドを被せる時の接着剤の塗布工程が不要になる。
(a) パッケージの蓋として耐熱性ポリイミドテープ35を用いているので、蓋の厚さをほぼ0.1mmにすることが可能になり、パッケージ全体を1mm程度の厚さにすることができる。
(b) リッド30Eは耐熱性ポリイミドであるので、低出力のレーザ光線で捺印が可能であり、通常の製造装置を使用することができる。
(c) セラミックに比べて安価な材料で、加工も容易であるため、コストを抑えることができる。
(d) 耐熱性ポリイミド及び熱可塑性樹脂は絶縁性を呈するので、金属配線24がリッド30Eに接触しても電気的ショートが起きるおそれがない。
(e) セラミック容器にリッドを被せる時の接着剤の塗布工程が不要になる。
20 セラミック容器
30A〜30E リッド
31 42アロイ板
32 電着塗装
33 ステンレス鋼
34 銅鍍金
35 耐熱性ポリイミドテープ
36 熱可塑性樹脂
Claims (6)
- 内部に半導体装置を収容する空間を有するセラミック容器と、前記セラミック容器の側壁部の上端に接着して該セラミック容器の内部を密閉する蓋とで構成される半導体装置用パッケージにおいて、
前記蓋は、表面または表面及び裏面に黒色電着塗装を施したステンレス鋼板または42アロイ板で形成したことを特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 内部に半導体装置を収容する空間を有するセラミック容器と、前記セラミック容器の側壁部の上端に接着して該セラミック容器の内部を密閉する蓋とで構成される半導体装置用パッケージにおいて、
前記蓋は、ステンレス鋼板の表面及び裏面に銅鍍金を施し、該銅鍍金を酸化によって黒色処理して形成したことを特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 内部に半導体装置を収容する空間を有するセラミック容器と、前記セラミック容器の側壁部の上端に接着して該セラミック容器の内部を密閉する蓋とで構成される半導体装置用パッケージにおいて、
前記蓋は、耐熱性ポリイミドテープまたはガラスエポキシ板で形成したことを特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 前記セラミック容器と前記蓋との接着に、熱硬化性樹脂を用いたことを特徴とする請求項1、2または3記載の半導体装置用パッケージ。
- 前記蓋の内側の面全体に熱可塑性樹脂をコーティングし、加熱して圧接することによって該蓋と前記セラミック容器とを接着したことを特徴とする請求項1、2または3記載の半導体装置用パッケージ。
- 前記半導体装置はシリコンで一体形成された加速度センサであり、前記セラミック容器は底部に該加速度センサの固定部を接着するための突起部を有することを特徴とする請求項1、2、3、4または5記載の半導体装置用パッケージ。
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