JP2003042872A - 圧力検出装置用パッケージ - Google Patents

圧力検出装置用パッケージ

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JP2003042872A
JP2003042872A JP2001226642A JP2001226642A JP2003042872A JP 2003042872 A JP2003042872 A JP 2003042872A JP 2001226642 A JP2001226642 A JP 2001226642A JP 2001226642 A JP2001226642 A JP 2001226642A JP 2003042872 A JP2003042872 A JP 2003042872A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 第一電極が形成された凹部底面に変形がな
く、それにより外部の圧力を正確に検出することが可能
な圧力検出装置を提供すること。 【解決手段】 複数のセラミック層が積層されて成り、
一方の主面に半導体素子3が収容される第一凹部1aを
有するとともに他方の主面に密閉空間Sを形成するため
の第二凹部1bを有するセラミック基体1と、セラミッ
ク基体1に第二凹部1bとの間に密閉空間Sを形成する
ように可撓な状態で接合されたセラミック板2と、セラ
ミック基体1の第一凹部1a底面に被着された第一メタ
ライズ電極7と、セラミック板2の内側主面に被着され
た第二メタライズ電極9とを具備して成る圧力検出装置
用パッケージにおいて、第一凹部1aの側面が第二凹部
1bの側面よりも外周側に位置する。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、圧力を検出するた
めの圧力検出装置に使用される圧力検出装置用パッケー
ジに関するものである。 【0002】 【従来の技術】従来、圧力を検出するための圧力検出装
置として静電容量型の圧力検出装置が知られている。こ
の静電容量型の圧力検出装置は、例えば図3に断面図で
示すように、セラミックス材料や樹脂材料から成る配線
基板31上に、静電容量型の感圧素子32と、パッケージ38
に収容された演算用の半導体素子39とを備えている。感
圧素子32は、例えばセラミックス材料等の電気絶縁材料
から成り、上面中央部に静電容量形成用の一方の電極33
が被着された凹部を有する絶縁基体34と、この絶縁基体
34の上面に絶縁基体34との間に密閉空間を形成するよう
にして可撓な状態で接合され、下面に静電容量形成用の
他方の電極35が被着された絶縁板36と、各静電容量形成
用の電極33・35をそれぞれ外部に電気的に接続するため
の外部リード端子37とから構成されており、外部の圧力
に応じて絶縁板36が撓むことにより各静電容量形成用の
電極33・35間に形成される静電容量が変化する。そし
て、この静電容量の変化を演算用の半導体素子39により
演算処理することにより外部の圧力を検出することがで
きる。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の圧力検出装置によると、感圧素子32と半導体素子39
とを配線基板31上に個別に実装していることから、圧力
検出装置が大型化してしまうとともに圧力検出用の電極
33・35と半導体素子39との間の配線が長いものとなり、
この長い配線間に不要な静電容量が形成されるため感度
が低いという問題点を有していた。 【0004】そこで、本願出願人は、先に特願2000-178
618において、例えば図2に断面図で示すように、一方
の主面に半導体素子23が収容される凹部21aを有すると
ともに他方の主面に密閉空間を形成するための凹部21b
を有する絶縁基体21と、この絶縁基体21の表面および内
部に配設されており、半導体素子23の各電極が電気的に
接続される複数の配線導体24と、凹部21b底面に被着さ
れており、配線導体24の一つに電気的に接続された静電
容量形成用の第一電極25と、絶縁基体21の他方の主面に
凹部21bとの間に密閉空間を形成するように可撓な状態
で接合された絶縁板22と、この絶縁板22の内側主面に第
一電極25に対向して被着されており、配線導体24の他の
一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二電極26
とを具備する圧力検出装置用パッケージを提案した。 【0005】この圧力検出装置用パッケージによると、
一方の主面に半導体素子23が収容される凹部21aを有す
るとともに他方の主面に密閉空間形成用の凹部21bを有
する絶縁基体の凹部21b底面に静電容量形成用の第一電
極25を設けるとともに、この第一電極25に対向する静電
容量形成用の第二電極26を一方の主面に有する絶縁板22
を、凹部21bとの間に密閉空間を形成するようにして可
撓な状態で接合させたことから、半導体素子23を収容す
るパッケージに感圧素子が一体に形成され、その結果、
圧力検出装置を小型とすることができるとともに圧力検
出用の電極と半導体素子とを接続する配線を短いものと
して、これらの配線間に発生する不要な静電容量を小さ
なものとすることができる。 【0006】なお、この圧力検出装置用パッケージにお
ける絶縁基体21は、セラミックグリーンシート積層法を
採用して製作されており、具体的には、複数枚の平板状
のセラミックグリーンシートと凹部21a・21bを形成す
るための貫通穴を有するセラミックグリーンシートとを
準備するとともにこれらのセラミックグリーンシートに
配線導体24および第一電極25用のメタライズペーストを
印刷塗布し、しかる後、これらのメタライズペーストが
印刷塗布されたセラミックグリーンシートを上下に積層
圧着して絶縁基体21用の生セラミック成形体を形成し、
最後にこの絶縁基体21用の生セラミック成形体を高温で
焼成することによって製作されている。 【0007】しかしながら、この圧力検出装置用パッケ
ージによると、絶縁基体21の他方の主面に形成された密
閉空間形成用の凹部21bは、絶縁基体21の一方の主面に
形成された半導体素子23を収容するための凹部21aより
も大きく、その側面が凹部21aの側面よりも外周側に位
置することから、この絶縁基体21をセラミックグリーン
シート積層法により製作する際、絶縁基体21用のセラミ
ックグリーンシートを積層して生セラミック成形体とな
すと、第一凹部21aを形成するための貫通穴を有するセ
ラミックグリーンシートを介して印加される積層の圧力
が密閉空間形成用の凹部21b底面外周部を絶縁基体21の
一方の主面側から押しあげるように作用し、その結果、
密閉空間形成用の凹部21b底面に大きな変形が生じやす
いものとなっていた。そして、そのような変形が生じる
と、密閉空間形成用の凹部21b底面に形成された静電容
量形成用の第一電極25と、この凹部21bとの間に密閉空
間を形成するように接合された絶縁板22の内側主面に形
成された静電容量形成用の第二電極26との距離がばらつ
いてしまい、その結果、得られる圧力検出装置において
外部の圧力を正確に検出することができないという問題
点を有していた。 【0008】本発明は、かかる従来の問題点に鑑み完成
されたものであり、その目的は、第一電極が形成された
凹部底面に変形がなく、それにより外部の圧力を正確に
検出することが可能な圧力検出装置を提供することにあ
る。 【0009】 【課題を解決するための手段】本発明の圧力検出装置用
パッケージは、複数のセラミック層が積層されて成り、
一方の主面に半導体素子が収容される第一凹部を有する
とともに他方の主面に密閉空間形成用の第二凹部を有す
るセラミック基体と、このセラミック基体の表面および
内部に配設されており、半導体素子の各電極が電気的に
接続される複数のメタライズ配線導体と、セラミック基
体の第二凹部底面に被着されており、メタライズ配線導
体の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一メ
タライズ電極と、セラミック基体の他方の主面に第二凹
部との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で接合
されたセラミック板と、セラミック板の内側主面に第一
メタライズ電極と対向するように被着されており、メタ
ライズ配線導体の他の一つに電気的に接続された静電容
量形成用の第二メタライズ電極とを具備して成る圧力検
出装置用パッケージであって、第一凹部の側面が第二凹
部の側面よりも外周側に位置することを特徴とするもの
である。 【0010】本発明の圧力検出装置用パッケージによれ
ば、セラミック基体の一方の主面に形成された半導体素
子が収容される第一凹部の側面がセラミック基体の他方
の主面に形成された密閉空間形成用の第二凹部の側面よ
りも外周側に位置していることから、セラミック基体を
製作する際に積層の圧力が密閉空間形成用の第二凹部底
面を押し上げるように作用することはなく、したがっ
て、第二凹部底面に変形がなく、静電容量形成用の第一
メタライズ電極と第二メタライズ電極との間隔を所定の
距離として外部の圧力を正確に検出することができる。 【0011】 【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
詳細に説明する。図1は、本発明の圧力検出装置用パッ
ケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、図中、
1はセラミック基体、2はセラミック板、3は半導体素
子である。 【0012】セラミック基体1は、酸化アルミニウム質
焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体
・ガラス−セラミックス等のセラミックス材料から成る
積層体であり、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成
る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化マ
グネシウム・酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に
適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合
して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクタブレ
ード法を採用してシート状に成形することにより複数枚
のセラミックグリーンシートを得、しかる後、これらの
セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工・積層
加工・切断加工を施すことによりセラミック基体1用の
生セラミック成形体を得るとともにこの生セラミック成
形体を約1600℃の温度で焼成することにより製作され
る。 【0013】セラミック基体1は、その下面中央部に半
導体素子3を収容するための第一凹部1aが形成されて
おり、それにより半導体素子3を収容する容器として機
能する。そして、この第一凹部1aの底面中央部が半導
体素子3が搭載される搭載部となっており、この第一凹
部1a底面中央部に半導体素子3を搭載するとともに第
一凹部1a内に例えばエポキシ樹脂等の樹脂製封止材4
を充填することにより半導体素子3が封止される。な
お、この例では半導体素子3は樹脂製封止材4を第一凹
部1a内に充填することにより封止されるが、半導体素
子3はセラミック基体1の下面に金属やセラミックスか
ら成る蓋体を第一凹部1aを塞ぐように接合させること
により封止されてもよい。なお、このような第一凹部1
aは、セラッミク基体1用のセラミックグリーンシート
の一枚に第一凹部1a形成用の貫通穴を所定の大きさ・
形状に打ち抜いておくことによってセラミック基体1の
下面中央部に形成される。 【0014】また、第一凹部1a底面には半導体素子3
の各電極と接続される複数のメタライズ配線導体5が導
出しており、これらのメタライズ配線導体5と半導体素
子3の各電極とを半田バンプ6等の電気的接続手段を介
して接合することにより半導体素子3の各電極と各メタ
ライズ配線導体5とが電気的に接続されるとともに半導
体素子3が第一凹部1a内に固定される。なお、この例
では、半導体素子3の電極とメタライズ配線導体5とは
半田バンプ6を介して接続されるが、半導体素子3の電
極とメタライズ配線導体5とはボンディングワイヤ等の
他の種類の電気的接続手段により接続されてもよい。 【0015】メタライズ配線導体5は、半導体素子3の
各電極を外部電気回路および後述する第一メタライズ電
極7・第二メタライズ電極9に電気的に接続するための
導電路として機能し、その一部はセラミック基体1の外
周下面に導出し、別の一部は第一メタライズ電極7・第
二メタライズ電極9に電気的に接続されている。そし
て、半導体素子3の各電極をこれらのメタライズ配線導
体5に半田バンプ6を介して電気的に接続するとともに
半導体素子3を樹脂製封止材4で封止した後、メタライ
ズ配線導体5のセラミック基体1外周下面に導出した部
位を外部電気回路基板の配線導体に半田等の導電性接合
材を介して接合することにより、内部に収容する半導体
素子3が外部電気回路に電気的に接続されることとな
る。 【0016】このようなメタライズ配線導体5は、タン
グステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズ
から成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バイ
ンダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加混合して得たメタ
ライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用し
てセラミック基体1用のセラミックグリーンシートに所
定のパターンに印刷塗布し、これをセラミック基体1用
の生セラミック成形体とともに焼成することによってセ
ラミック基体1の内部および表面に所定のパターンに形
成される。なお、メタライズ配線導体5の露出表面に
は、メタライズ配線導体5が酸化腐食するのを防止する
とともにメタライズ配線導体5と半田等との接合を良好
なものとするために、通常であれば、厚みが1〜10μm
程度のニッケルめっき層と厚みが0.1〜3μm程度の金
めっき層とが順次被着されている。 【0017】また、セラミック基体1の上面中央部には
深さが0.01〜5mm程度の略円形の第二凹部1bが設け
られている。なお、このような第二凹部1bは、セラッ
ミク基体1用のセラミックグリーンシートの一枚に第二
凹部1b形成用の略円形の貫通穴を所定の大きさに打ち
抜いておくことによってセラミック基体1の上面中央部
に形成される。この第二凹部1bは、後述するように、
セラミック板2との間に密閉空間Sを形成するためのも
のであり、この第二凹部1bの底面には静電容量形成用
の第一メタライズ電極7が被着されている。 【0018】この第一メタライズ電極7は、後述する第
二メタライズ電極9とともに感圧素子用の静電容量を形
成するためのものであり、例えば略円形のパターンに形
成されている。そして、この第一メタライズ電極7には
メタライズ配線導体5の一つ5aが接続されており、そ
れによりこのメタライズ配線導体5aに半導体素子3の
電極を半田バンプ6等の電気的接続手段を介して接続す
ると半導体素子3の電極と第一メタライズ電極7とが電
気的に接続されるようになっている。 【0019】このような第一メタライズ電極7は、タン
グステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズ
から成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バイ
ンダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタラ
イズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して
セラミック基体1用のセラミックグリーンシートに印刷
塗布し、これをセラミック基体1用の生セラミック成形
体とともに焼成することによってセラミック基体1の第
二凹部1b底面に所定のパターンに形成される。なお、
第一メタライズ電極7の露出表面には、第一メタライズ
電極7が酸化腐食するのを防止するために、通常であれ
ば、厚みが1〜10μm程度のニッケルめっき層が被着さ
れている。 【0020】また、セラミック基体1の第二凹部1b周
辺上面にはその全周にわたり枠状の第一接合用メタライ
ズ層8が被着されており、この第一接合用メタライズ層
8には、下面に第二メタライズ電極9および第二接合用
メタライズ層10を有するセラミック板2が銀−銅ろう材
等の導電性接合材を介して接合されている。 【0021】この第一接合用メタライズ層8にはメタラ
イズ配線導体5の一つ5bが接続されており、それによ
りこのメタライズ配線導体5bに半導体素子3の電極を
半田バンプ6等の電気的接続手段を介して電気的に接続
するとメタライズ配線導体5bおよび第一接合用メタラ
イズ層8および第二接合用メタライズ層10を介して第二
メタライズ電極9と半導体素子3の電極とが電気的に接
続されるようになっている。 【0022】第一接合用メタライズ層8は、タングステ
ンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成
り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・
溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペ
ーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用してセラミ
ック基体1用のセラミックグリーンシートに印刷塗布
し、これをセラミック基体1用の生セラミック成形体と
ともに焼成することによってセラミック基体1の上面に
枠状の所定のパターンに形成される。なお、第一接合用
メタライズ層8の表面には、第一接合用メタライズ層8
が酸化腐食するのを防止するとともに第一接合用メタラ
イズ層8と導電性接合材との接合を強固なものとするた
めに、通常であれば、厚みが1〜10μm程度のニッケル
めっき層が被着されている。 【0023】また、セラミック基体1の上面には第二凹
部1bとの間に密閉空間Sを形成するようにしてセラミ
ック板2が接合されている。このセラミック板2は、酸
化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・
ムライト質焼結体・ガラス−セラミックス等のセラミッ
クス材料から成る厚みが0.01〜5mmの略平板であり、
外部の圧力に応じて撓むいわゆる圧力検出用のダイアフ
ラムとして機能する。 【0024】なお、セラミック板2は、その厚みが0.01
mm未満では、その機械的強度が小さいものとなってし
まうため、これに大きな外部圧力が印加された場合に破
壊されてしまう危険性が大きなものとなり、他方、5m
mを超えると、小さな圧力では撓みにくくなり、圧力検
出用のダイアフラムとしては不適となってしまう。した
がって、セラミック板2の厚みは0.01〜5mmの範囲が
好ましい。 【0025】このようなセラミック板2は、例えば酸化
アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アル
ミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウ
ム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤
・可塑剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとともに
これを従来周知のドクタブレード法を採用してシート状
に成形することによりセラミックグリーンシートを得、
しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち
抜き加工や切断加工を施すことによりセラミック板2用
の生セラミック成形体を得るとともにこの生セラミック
成形体を約1600℃の温度で焼成することにより製作され
る。 【0026】また、セラミック板2の下面中央部には、
静電容量形成用の略円形の第二メタライズ電極9が被着
されている。この第二メタライズ電極9は前述の第一メ
タライズ電極7とともに感圧素子用の静電容量を形成す
るための電極として機能する。 【0027】このような第二メタライズ電極9は、タン
グステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズ
から成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バイ
ンダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタラ
イズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して
セラミック板2用のセラミックグリーンシートに印刷塗
布し、これをセラミック板2用の生セラミック成形体と
ともに焼成することによってセラミック板2の下面の中
央部に所定のパターンに形成される。なお、第二メタラ
イズ電極9の露出表面には、第二メタライズ電極9が酸
化腐食するのを防止するために、通常であれば、厚みが
1〜10μm程度のニッケルめっき層が被着されている。 【0028】さらに、セラミック板2の下面外周部に
は、第二メタライズ電極9に電気的に接続された枠状の
第二接合用メタライズ層10が被着されている。この第二
接合用メタライズ層10はセラミック板2をセラミック基
体1に接合するための接合用下地金属層として機能し、
第一接合用メタライズ層8と第二接合用メタライズ層10
とを銀−銅ろう等の導電性接合材を介して接合すること
によりセラミック基体1にセラミック板2が接合される
とともにメタライズ配線導体5bと第二メタライズ電極
9とが電気的に接続される。 【0029】このような第二接合用メタライズ層10は、
タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタラ
イズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機
バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメ
タライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用
してセラミック板2用のセラミックグリーンシートに印
刷塗布し、これをセラミック板2用の生セラミック成形
体とともに焼成することによってセラミック板2の下面
の外周部に所定のパターンに形成される。なお、第二接
合用メタライズ層10の表面には、第二接合用メタライズ
層10が酸化腐食するのを防止するととも第二接合用メタ
ライズ層10と導電性接合材との接合を良好とするため
に、通常であれば、厚みが1〜10μm程度のニッケルめ
っき層が被着されている。 【0030】このとき、第一メタライズ電極7と第二メ
タライズ電極9とは、セラミック基体1とセラミック板
2との間に形成された密閉空間Sを挟んで対向してお
り、これらの間には、第一メタライズ電極7や第二メタ
ライズ電極9の面積および第一メタライズ電極7と第二
メタライズ電極9との間隔に応じて所定の静電容量が形
成される。そして、セラミック板2の上面に外部の圧力
が印加されると、その圧力に応じてセラミック板2がセ
ラミック基体1側に撓んで第一メタライズ電極7と第二
メタライズ電極9との間隔が変わり、それにより第一メ
タライズ電極7と第二メタライズ電極9との間の静電容
量が変化するので、外部の圧力の変化を静電容量の変化
として感知する感圧素子として機能する。そして、この
静電容量の変化を第一凹部1a内に収容した半導体素子
3にメタライズ配線導体5a・5bを介して伝達し、こ
れを半導体素子3で演算処理することによって外部の圧
力の大きさを知ることができる。 【0031】そして、本発明においては、第一凹部1a
の側面が第二凹部1bの側面よりも外周側に位置してお
り、そのことが重要である。このように本発明の圧力検
出装置用パッケージによれば、第一凹部1aの側面が第
二凹部1bの側面よりも外周側に位置していることか
ら、セラミック基体1用のセラミックグリーンシートを
積層して生セラミック成形体を得る際に、第一凹部1a
を形成するための貫通穴を有するセラミックグリーンシ
ートを介して印加される積層の圧力が第二凹部1bの底
面外周部を押し上げるように作用することがなく、その
結果、第二凹部1b底面に変形が発生することがない。
したがって、第一メタライズ電極7と第二メタライズ電
極9との間隔がばらつくことはなく、外部の圧力を正確
に検出することが可能となる。 【0032】なお、第一凹部1aの側面が第二凹部1b
の側面よりも2mmを超えて外側に位置する場合、セラ
ミック基体1を製作する際に積層の圧力が第一凹部1a
の底面外周部に大きく作用して第一凹部1a底面に大き
な変形が発生しやすくなり、そのように第一凹部1a底
面に大きな変形が発生すると、第一凹部1a底面に半導
体素子3を正常に搭載することが困難となる。したがっ
て、第一凹部1aの側面の位置は第二凹部1bの側面よ
りも2mm以下外周側に位置することが好ましい。 【0033】以上説明したように、本発明の圧力検出装
置用パッケージによれば、一方の主面に半導体素子3が
搭載されるセラミック基体1の他方の主面に、静電容量
形成用の第一メタライズ電極7を設けるとともにこの第
一メタライズ電極7と対向する静電容量形成用の第二メ
タライズ電極9を内側主面に有するセラミック板2をセ
ラミック基体1との間に密閉空間Sを形成するように可
撓な状態で接合させたことから、半導体素子3を収容す
る容器と感圧素子とが一体となり、その結果、圧力検出
装置を小型化することができる。また、静電容量形成用
の第一メタライズ電極7および第二メタライズ電極9
を、セラミック基体1に設けたメタライズ配線導体5a
・5bを介して半導体素子3に接続することから、第一
メタライズ電極7および第二メタライズ電極9を短い距
離で半導体素子3に接続することができ、その結果、こ
れらのメタライズ配線導体5a・5b間に発生する不要
な静電容量を小さなものとして感度の高い圧力検出装置
を提供することができる。 【0034】なお、第一メタライズ電極7と第二メタラ
イズ電極9との間隔が1気圧中において0.01mm未満の
場合、セラミック板2に大きな圧力が印加された際に、
第一メタライズ電極7と第二メタライズ電極9とが接触
して圧力を検出することができなくなってしまう危険性
があり、他方、5mmを超えると、第一メタライズ電極
7と第二メタライズ電極9との間に形成される静電容量
が小さなものとなり、圧力を検出する感度が低いものと
なる傾向にある。したがって、第一メタライズ電極7と
第二メタライズ電極9との間隔は、1気圧中において0.
01〜5mmの範囲が好ましい。 【0035】かくして、上述の圧力検出装置用パッケー
ジによれば、第一凹部1a底面に半導体素子3を搭載す
るとともに半導体素子3の各電極とメタライズ配線導体
5とを電気的に接続し、しかる後、半導体素子3を封止
することによって小型でかつ感度が高く、外部の圧力を
正確に検出することが可能な圧力検出装置となる。 【0036】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更は可能である。 【0037】 【発明の効果】以上、説明したように、本発明の圧力検
出装置用パッケージによれば、セラミック基体の一方の
主面に形成された半導体素子が収容される第一凹部の側
面がセラミック基体の他方の主面に形成された密閉空間
形成用の第二凹部よりも外周側に位置していることか
ら、セラミック基体を製作する際に第一凹部1aを形成
するための貫通穴を有するセラミックグリーンシートを
介して印加される積層の圧力が第二凹部1bの底面外周
部を押し上げるように作用することがなく、その結果、
第二凹部1b底面に変形が発生することがない。したが
って、静電容量形成用の第一メタライズ電極と第二メタ
ライズ電極とを所定の距離として外部の圧力を正確に検
出することが可能な小型で高感度の圧力検出装置用パッ
ケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形
態の一例を示す断面図である。 【図2】従来の圧力検出装置用パッケージの断面図であ
る。 【図3】従来の圧力検出装置を示す断面図である。 【符号の説明】 1・・・・・・・・セラミック基体 1a・・・・・・・第一凹部 1b・・・・・・・第二凹部 2・・・・・・・・セラミック板 3・・・・・・・・半導体素子 5・・・・・・・・メタライズ配線導体 7・・・・・・・・第一メタライズ電極 9・・・・・・・・第二メタライズ電極 S・・・・・・・・密閉空間

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 複数のセラミック層が積層されて成り、
    一方の主面に半導体素子が収容される第一凹部を有する
    とともに他方の主面に密閉空間形成用の第二凹部を有す
    るセラミック基体と、該セラミック基体の表面および内
    部に配設されており、前記半導体素子の各電極が電気的
    に接続される複数のメタライズ配線導体と、前記第二凹
    部底面に被着されており、前記メタライズ配線導体の一
    つに電気的に接続された静電容量形成用の第一メタライ
    ズ電極と、前記他方の主面に前記第二凹部との間に密閉
    空間を形成するように可撓な状態で接合されたセラミッ
    ク板と、前記セラミック板の内側主面に前記第一メタラ
    イズ電極と対向するように被着されており、前記メタラ
    イズ配線導体の他の一つに電気的に接続された静電容量
    形成用の第二メタライズ電極とを具備して成る圧力検出
    装置用パッケージであって、前記第一凹部の側面が前記
    第二凹部の側面よりも外周側に位置することを特徴とす
    る圧力検出装置用パッケージ。
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