JPH0783069B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JPH0783069B2
JPH0783069B2 JP60287346A JP28734685A JPH0783069B2 JP H0783069 B2 JPH0783069 B2 JP H0783069B2 JP 60287346 A JP60287346 A JP 60287346A JP 28734685 A JP28734685 A JP 28734685A JP H0783069 B2 JPH0783069 B2 JP H0783069B2
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wiring
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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の技術分野） 本発明は半導体装置およびその製造方法、特に、多数の
リードを有する高集積回路の半導体素子をプラグイン型
パッケージに搭載してなる半導体装置およびその製造方
法に関する。
（従来の技術） 最近、半導体素子の高密度化や多機能化に伴い半導体装
置のリード端子の数が増加し、外部接続用入出力ピンの
数が70芯以上に達することと、半導体素子からの導線長
を短くする必要があることから、従来のデュアルイライ
ンパッケージに代わって、セラミック製基板、あるいは
耐熱ガラス・エポキシ樹脂系積層板上に半導体素子を搭
載し、基板の片側面からピンを導出させて接続端子とす
るプラグイン型（ピンクリッドアレイ式）パッケージを
採用した半導体装置が汎用されてきている。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、セラミック製パッケージは樹脂材に比較
して比重が約２倍であり、全体の重量が重くなると共に
耐衝撃性が小さいために一定の板厚以上のものが用いら
れており、電子部品軽薄短小による高密度化傾向に対し
ては不利である。また、セラミック製基板を用いたパッ
ケージでは、焼成によって基板に歪みが発生する製品の
歩どまりが低く、しかも配線パターンの微細化に伴って
基板上にスクリーン印刷された配線パターンの短絡や破
断を生じ易くなるという問題があった。しかも、配線パ
ターンの電導部を形成する材料は、基板の焼成前に塗布
または印刷しておく必要があるため、基板の焼成温度や
雰囲気に耐えうる金等の貴金属を使用する必要があり、
その結果、パッケージが高価格になり半導体装置のコス
トの上昇が避けられないという問題もある。また、多数
の外部接続用入出力ピンを基体に立設するに当たっては
約800℃という比較的高温度以下での金属のロウ付を行
う場合もあり、さらに、半導体素子をパッケージに搭載
した後、半導体素子の露出部分を保護するためにセラミ
ック製または金属製のふたを接合して気密的に封止する
という複雑な工程を伴う。
他方、積層板に銅箔を積層しフォトエッチング技術によ
って配線パターンを形成した基板では、耐熱性や機械的
強度等において良好な成果を得ることができるが、多数
の入出力ピンを固定するためには、多数のピン穴を形成
してからピン穴にスルーホールメッキを施し、個々のピ
ン穴にピンを挿入してロウ付けやハンダ付けを行う必要
があり、作業が繁雑であるという問題がある。しかも、
セラミック製基板に比べて熱伝導性が悪いことあら、放
熱性を向上させるため基板に金属製の放熱板を接着する
と、量産性が低下するという問題もある。さらに、プリ
ント基板を加工してプラスチックス製のパッケージを製
作した製品の側面には電極の引出し跡が露出し、電極保
護上から問題があり、配線パターンの耐水特性を改善さ
せる必要がある。
このような問題を解決する手段として、本発明者は、特
願昭60−180901号明細書及び特願昭60−180902号明細書
にて、プラスチック製ベースフイルムを基板とし、その
表面に配線パターンを形成してなる配線基板を、それに
立設され配線パターンに接続された複数のピンと、配線
基板の開口部を覆うように配線基板上に配置された金属
放熱板の周縁部とを樹脂で封入して一体化したパッケー
ジを提案した。
しかしながら、前記パッケージにおいては、配線パター
ンは、絶縁性基体の表面に積層された銅箔をエッチング
処理することにより、あるいは更に、配線パターン上に
貴金属メッキ層を形成することにより形成されるため、
従来の配設基板と同様、絶縁性基体上に配線パターンの
ある部位と無い部位との間に凹凸を生じる。このため、
配線基板表面上に配線パターンの厚さの分だけ凹凸を生
じることが避けられず、必然的に、そのままの状態で封
入成型すると、配線基板がその開口部の周囲を金型と放
熱板で加圧下で挾持されていても、配線パターン間の凹
部に樹脂が流入し、ワイヤボンデイング部となる開口部
の周囲に樹脂が付着することになり、半導体チップを装
着した後、前記開口部の周囲に付着した樹脂がはく離し
てダイボンデイングやワイヤボンデイング等に悪影響を
及ぼす恐れがあることが明らかとなった。
従って、本発明の基本的課題は、配線基板の開口部の周
囲を金型と放熱板で加圧下で挾持して封入成形する際
に、ワイヤボンデイング部となる開口部の周囲に樹脂が
付着するのを防止するようにしたものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、前記課題を解決する手段として、少なくとも
一つの開口部と多数のピン孔を有する絶縁性基体の表面
に配線パターンを形成してなる配線基板と、該配線基板
のピン孔に嵌入され前記配線パターンと電気的に接続さ
れた多数の外部接続用入出力ピンの基部と、前記配線基
板の開口部を覆うように配線基板上に配置された放熱板
の周縁部とを一体に封入成形してなる樹脂製外装体から
なるパッケージを有する半導体装置において、前記絶縁
性基体の表面に形成された配線パターン間に該配線パタ
ーンと同一厚さの絶縁性被膜を形成するようにしたもの
である。
前記絶縁性膜は、例えば、絶縁性基体の配線パターンを
形成すべき部位以外の部位の表面に絶縁性材料を塗布あ
るいはスクリーン印刷して絶縁性被膜を形成した後、配
線パターンを形成すべき部位の表面に無電解メッキ法に
より金属メッキ層を形成し、該金属メッキ層上に電気メ
ッキ法により前記絶縁性皮膜と同じ厚さまで良導電性金
属メッキ層を積層することにより製造できる。なお、絶
縁性皮膜の形成法は必ずしも前記順序に限定されるもの
では無く、配線パターンを先に形成し、その後で配線パ
ターン間に形成される凹部に絶縁性皮膜を形成しても良
いことは言うまでもない。
前記絶縁性皮膜を形成する絶縁性材料としては、絶縁性
インキ、絶縁性塗料等、例えば、エポキシ樹脂からなる
レジストインキが挙げられる。
本発明の他の実施態様に係る半導体装置のプラグイン型
パッケージは、相互に対応する位置に少なくとも一つの
開口部と多数のピン孔とを有する絶縁性基体の表面に相
互に異なる配線パターンを形成してなる複数の配線基板
を積層してなる積層基板と、該積層基板を貫通する前記
各ピン孔に嵌入され各配線基板の配線パターンに接続さ
れた段付き外部接続用入出力ピンと、前記積層基板の最
上位の配線板上に前記開口部を覆うように配置された放
熱板と、前記積層基板を外部接続用入出力ピンの基部及
び放熱板の周縁部と共に内部に一体に封入する樹脂製材
外装体とから構成される。
本発明に係る前記構造の半導体装置の樹脂製外装体の製
造方法は、開口部を有し、配線パターンを絶縁性基体上
に形成してなる配線基板と、該配線基板に形成される配
線パターンと電気的に接続される多数の外部接続用入出
力ピンと、前記配線基板の開口部を覆い該開口部の周縁
部に接して配置される加熱板とを、金型のキャビティ内
にそれぞれ配置させ、前記入出力ピンの自由端側を金型
内に形成されたピン孔に遊嵌状態に保持させると共に、
入出力ピンの基部に形成された段部の下端面をキャビテ
イの底面に圧接させた状態で前記配線基板と、入出力ピ
ンの基部と放熱板の周縁部とを一体に絶縁性樹脂で封入
成形することを特徴とするものである。
本発明の実施態様においては、前記方法において、入出
力ピンの自由端側を金型内に形成されたピン孔に挿入し
て保持させると共に入出力ピンの頭部を金型のエジェク
ターピンで押圧して保持し、かつ放熱板の周縁部で開口
部を覆われた配線基板の開口部周線の内部リード部を金
型のキャビテイの底面で圧接した絶縁性樹脂で封入成形
することが行なわれる。また、放熱板の周縁部で覆われ
た配線基板の開口部表面と反対側の表面を金型のキャビ
テイの底面で圧接させ、配線パターンの内部リード部を
露出させる様に外装体が成形される 本発明に係る半導体装置における絶縁性基体としては、
（１）エポキシ樹脂、トリアジン樹脂、フェノール樹
脂、ポリイミド樹脂またはポリエステル樹脂などの耐熱
性樹脂からなるフイルムまたはシート、（２）アルミ
ナ、緑色炭化ケイ素焼結体などのセラミックからなるフ
イルムまたはシート、および（３）ガラス繊維製布体に
樹脂を含浸させてプレス加工してなるフイルム状または
シート状のガラス布基材、例えば、エポキシ樹脂系ガラ
ス布基材、トリアジン樹脂系ガラス布基材、ポリエステ
ル樹脂系ガラス布基材、フェノール樹脂系ガラス布基
材、ポリイミド樹脂系ガラス布基材などが挙げられる。
前記絶縁性基体は、必ずしも単一層である必要は無くラ
ミネート構造のものであってもよい。また、本発明にお
いては、前記絶縁性基体として従来のプリント配線基板
を使用することもできるが、電子部品の軽薄短小化を図
るうえで前記材料からなるシートあるいはフイルムを使
用するのが特に好適である。
本発明における半導体装置の配線基板は、その薄肉基板
の少なくとも片側表面に配線パターンが形成されてい
る。また、配線基板は、各表面に配線パターンを形成し
た薄肉基体を複数枚積層した積層基板であってもよい。
この場合、各配線基板は必ずしも接着剤で一体化する必
要は無く、単に積み重ねたまま一体的に封入成型するよ
うにしてもよい。また、配線基板が積層基板である場
合、各基板の片側表面にそれぞれ相互に異なる配線パタ
ーンが形成されると共に、相互に対応する位置に複数の
ピン孔が形成される。配線基板はその片面銅張基板もし
くは両面銅張積層基板からなるプリント配線基板から構
成されたものであっても良い。
前記配線基板の配線パターンは、通常、薄肉基体上に張
着された銅または銅合金層から構成される。好ましい実
施態様においては、配線パターンは前記銅または銅合金
層な上に銀もしくは金めっき層を積層してなる積層構造
に構成される。他の実施態様においては、配線パターン
は基体上に張着された銅または銅合金層と、その上に順
次積層されたニッケル下地めっき層と、パラジウムめっ
き層と、銀もしくは金めっき層とから構成される。さら
に、他の実施態様においては、基板上に形成される配線
パターンが無電解ニッケルめっきの下地めっき層上に銀
もしくは金の電気めっき層から構成される。配線パター
ンは銅箔表面に銀もしくは金の電気めっきを形成したも
のでもよい。
本発明の実施態様においては、外部接続用入出力ピンを
配線基板に取り付けるためのピン孔は、絶縁性基体と配
線パターンとを貫通し、外部接続用入出力ピンを嵌入す
ることにより各配線パターンと電気的に接続された。本
発明の実施態様においては、前記配線基板に嵌入される
外部接続用入出力ピンの基部がピン軸より大径の段部を
有し、該基部が配線基板のピン孔に挿入され、その段部
を配線基板に圧接させることにより外部接続用入出力ピ
ンが各配線パターンに電気的に接続されている。また、
好ましい実施態様においては、外部接続用入出力ピンと
配線パターンとの電気的接続をより確実にするため、外
部接続用入出力ピンの基部の頭部と、該ピン軸より大径
とで配線基板のをカシメ挾持させることにより各配線パ
ターンに電気的に接続される。さらに、より好ましい実
施態様においては、配線基板の強度を補うため、配線基
板のピン孔と同軸にかつ配線パターンと反対側の位置に
リング状金属層が形成され、該リング状金属層と配線パ
ターンとが前記外部接続用入出力ピンの頭部と段部とで
挾持される。外部接続用入出力ピンは配線基板に対して
垂直に配設される。
本発明の実施態様においては、各ピン孔はその壁面にニ
ッケル下地めっきが形成され、その上に銀もしくは金の
スルホールめっきが形成される。また、他の実施態様に
おいては、外部接続用入出力ピンは、その基部が配線パ
ターンと電気的に接続されたスルホール部またはランド
部で半田、錫、導電性接合剤などの結合剤で溶融接合さ
れる。なお、外部接続用の入出力ピンの基部を該基部と
配線パターンと電気導通するためのスルホール部または
ランド部で電導性塗料で接着結合するようにしてもよ
い。
半導体素子を搭載する放熱板は、熱良伝導性の金属材
料、または金属もしくは金属酸化物の焼結体で構成され
る。熱良伝導性金属材料としては、銅、銅合金あるいは
金属アルミニウムなどが挙げられる。また、熱良伝導性
焼結体としては、銅もしくは銅合金の焼結体などが挙げ
られる。好ましい実施態様においては、熱良伝導性金属
材料の表面に銀もしくは金のめっきを施した金属製放熱
板が使用される。
本発明の実施態様においては、放熱板は、その片側表面
に少なくとも一つの凹部が形成され、その凹部内に半導
体素子が搭載される。この凹部は放熱板の中央部に形成
するのが好ましいが必ずしもその必要はなく、また複数
の半導体素子を搭載するため２以上の凹部を形成するよ
うにしてもよい。この放熱板に形成された凹部の表面は
金めっきもしくは銀めっきするのが好ましい。
前記配線基板、該配線基板に立設された外部接続用ピン
の基部、および放熱板の周縁部を封止して一体化する外
装体を形成する形成材料は、耐熱性樹脂、無機質物質を
充填剤として混合している樹脂組成物などが挙げられ
る。耐熱性樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂
のいずれを使用しても良い。例えば、ポリフェニレンサ
ルファイド樹脂、エポキシ系樹脂などが挙げられる。ま
た、それらの樹脂にガラス繊維やシリカ等の無機質充填
剤を40％重量から70％重量含有させてなる耐熱性樹脂組
成物を使用することもできる。
本発明に係る半導体装置においては、放熱板はその半導
体素子搭載用凹部が配線基板の開口部に向かってもしく
は開口部と反対側に向かうように配線基板の表側もしく
は裏側のいずれか一方側に配設されている。
また、本発明に係る半導体装置は、前記構造の外装体を
製造した後、外装体の半導体素子搭載用凹所内に露出す
る放熱板の表面に半導体素子を搭載することにより完成
される。好ましい実施態様においては、外装体内に搭載
された半導体素子を大気中の汚染物質や水蒸気から保護
するため、半導体素子を搭載した外装体の凹所を樹脂で
封止し、半導体素子が外装体内に埋設される。また、他
の実施態様においては、半導体素子を搭載した外装体の
凹所が外装体表面で気密封止され、半導体素子は閉空間
内に閉じ込められる。
本発明に係る半導体装置は、絶縁性基体と、該絶縁性基
体に装着された外部接続用入出力ピンの基部と放熱板の
外周部とが外装体で一体に封入されているため、絶縁性
基体が補強されることになり、肉厚が極めて薄い基体、
例えば、0.1mm以下の厚さのフイルム状またはシート状
基体を採用できる。
他方、外装体を形成する材料によっては多少の透過性を
有する場合があるため、空気中の水蒸気が外装体を透過
して配線パターンに達し、その電気的特性に悪影響を及
ぼすという問題を生じることがある。この新たな問題
は、本発明によれば、配線基板のワイヤボンデイング部
を除き、配線パターンの表面を透湿性が極めて小さな非
透過性材料で被覆して防湿層を形成することにより解決
される。防湿層を形成することにより半導体装置の耐湿
性を向上させ、その信頼性、高品位化を図ることができ
る。前記非透過性材料としては、エポキシ系又はポリイ
ミド系樹脂などが挙げられる。
また、従来の半導体装置のように外部接続用入出力ピン
にフランジや段部を設け、その段部をスタンドオフとし
て、即ち、半導体装置をソケットやマザー基板に装着す
る際に、半導体装置とソケットまたはマザー基板との間
に所定の間隔をあけるためのストッパとして利用する場
合、２種類の入出力ピンが必要となる。
このような問題を解決する手段として、本発明において
は、外装体が配線基板等を一体的に封入成型する樹脂で
形成されることに着目し、外装体と一体にスタンドオフ
を形成するようにしている。このスタンドオフは、外装
体の任意の位置に任意の数だけ形成できるが、外装体の
角部に位置する４つの外部接続用入出力ピンの基部を包
囲するように該基部と同軸に形成するのが好ましい。し
かし、これのみに限定されるものではない。
（作用） 配線基板を絶縁性基板体上の配線パターン間に該配線パ
ターンと同一の厚さの絶縁性皮膜を形成した構造にする
と、配線基板の開口部の周囲を金型と放熱板で加圧下で
挟持して封入成形しても、配線パターン間の凹部が閉塞
されているため、キャビティから凹部を経てワイヤボン
デイング部となる開口部の周囲に樹脂が付着するのが阻
止され、半導体チップ装着後のダイボンデイングやワイ
ヤボンデイング等に影響が回避される。
（実施例） 以下、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
本発明方法に係る半導体装置の一実施例を示すプラグイ
ン型パッケージを示す第１図〜第４図において、１は配
線基板、２は良導電性金属材料からなる段付きの外部接
続用入出力ピン、３は銅又はアルミニウムなど良熱伝導
性金属材料からなる放熱板、４は樹脂製外装体、５は防
湿層で、外装体４は、配線基板１を入出力ピン２の基部
及び放熱板３の周縁部と共に内部に封じ込め、それらを
一体化しており、ポリフェニレンサルファイド樹脂で成
形され、その中央部には配線基板１の開口部に対応して
半導体阻止取り付け用の凹所4aが形成されている。
配線基板１は、第２図に示すように、中央部に開口部６
を有するポリイミド樹脂製フイルムからなる薄肉の絶縁
性基体７と、その片側表面に形成され基体７の開口部６
の近傍から外周部に向かって放射状に伸張した配線パタ
ーン８とから構成され、絶縁性基体７と配線パターン８
を貫通する多数のピン孔９が規則正しく形成されてい
る。なお、配線パターン８は、ピン孔９が貫通する部分
にピン孔９と同軸に、かつ、それより大径のリング部8a
が形成され、配線パターン間はその厚さと同じ厚さの絶
縁性皮膜で埋められている。
外部接続用入出力ピン２は、絶縁性基体７のピン孔９に
嵌入された頭部2aの近傍にその軸径より大径の段部2bを
有し、頭部2aと段部2bとで絶縁性基体７と配線パターン
８とを挾持し、入出力ピン２自体は配線基板１に固定さ
れると共に、配線パターン８に電気的に接続されてい
る。また、外部接続用入出力ピン２は配線パターン側の
方へ突出するように配置されている。
放熱板３は、配線基板１の開口部６に面する側に該開口
部６にごく内側にほぼ同面積の凹所10が形成される一
方、周縁部3aに突起11が形成されており、絶縁性基体７
の配線パターン８と反対側表面上に配設して、周縁部3a
および突起11を配線基板１及びピン２と共に耐熱性樹脂
で封入成形することにより外装体４に一体的に埋設され
ている。
本発明に係る半導体装置は、ソケットまたはマザー基板
に装着した際に、それらとの間に所定の間隔を置くよう
にするため、外装体４の角部にそれぞれ位置する４本の
入出力ピン２の基部をそれぞれ包囲してスタンドオフ13
が外装体４と一体に成形されている。
なお、半導体装置は、後述の実施例で示すように、配線
基板１の開口部６から露出している放熱板３上にLSIチ
ップその他の半導体素子を装着し、その外部接続端子を
ワイヤボンデイング等により各配線パターン８に接続す
ることにより構成されているが、ここでは図面の簡略化
のため省略してある。
本発明に係る前記構造の半導体装置のプラグイン型パッ
ケイージは、次のようにして製造できる。まず、エッチ
ング法あるいはメッキ法により絶縁性基体７上に配線パ
ターン８を形成してなる配線基板１のピン孔９に、予め
用意した段付きの外部接続用入出力ピン２の頭部2aを嵌
入させ、ピン２の頭部2aを振動あるいはハンマーリング
よりかしめて、ピン２の頭部2aと段部2bとの間に絶縁性
基体７及び配線パターン８を挾持させることにより、ピ
ン２を配線基板１に固定すると共に、配線パターン８に
電気的に接続させる。
次いで、第３図に示すように、配線基板１に立設された
入出力ピン２がその位置に対応して下型21に形成された
ピン穴22に遊嵌状態に保持されるように、配線基板１を
下型21のキャビテイ23内にセットし、さらに、その配線
基板１の開口部６を覆うように放熱板３をセットした
後、上型24を降下させて型閉めする。これにより、上型
24に配設された可動ピン25で段付き２の頭部2aが押圧し
て、入出力ピン２の段部下端面は下型キャビテイ23の底
面に圧接され、配線基板１の開口部の周囲は放熱板３と
共に上下型により押圧挾持される。型閉め後、ゲート26
から耐熱性樹脂をキャビテイ23内に射出して封入成形す
ると、第４図に示すプラグイン型パッケージが製造され
る。
下型21には外装体４の角部となる位置にそれぞれ任意の
形状の凹所が形成されているため、外装体４の形成と同
時にスタンドオフ13が成形される。金型からプラグイン
型パッケージを取り出した後、外装体４の凹所4a内に露
出している配線基板１の開口部６を介して放熱板３上に
半導体素子を装着し、その外部接続端子をワイヤボンデ
イング等により各配線パターン８に接続することにより
半導体装置が完成される。
なお、プラグイン型パッケージの放熱板露出側表面の防
湿層５は、半導体素子を搭載した後、エポキシ系あるい
はポリイミド系樹脂をコーテイングすることにより形成
するのが好ましい。
従って、本発明に係る前記実施例の半導体装置は、配線
基板と、該配線基板に嵌入固定された入出力ピンの基部
と、前記配線基板上に配置された放熱板の周縁部とを樹
脂内に封入して一体化した構造としているため、配線基
板の肉厚を薄くすると共に軽量化を図ることができると
同時に、製造工程を著しく簡略化することができる。ま
た、スタンドオフ13を配線基板１を封止する外装体と共
に耐熱性樹脂で形成できるため、スタンドオフを任意の
形状に、かつ任意の位置及び数だけ容易に形成でき、従
って、従来のように２種の外部接続用入出力ピン２を必
要とせずコストの低減化を図ると同時に、ピンの配線基
板への装着を容易化できるという優れた効果が得られ
る。
第５図および第６図は本発明の他の実施例を示し、この
半導体装置は、配線パターン８と反対側の基体表面に
は、ピン孔９と同軸に、かつ配線パターン８のリング部
8aと同形状の金属リング12が形成されている点と、放熱
板３に凹所が形成されていない点を除いて、第１図のも
のと同じ構造を有している。即ち、第１図の実施例の場
合、外部接続用入出力ピン２の頭部2aと段部2bとで絶縁
性基体７を挾持させているが、絶縁性基体７が薄肉のプ
ラスチックフイルムであると、ピン２の頭部2aをかしめ
る際、絶縁性基体７が強度的に弱いためピン孔９がつぶ
れてしまう恐れがある。この問題を解決する手段とし
て、この実施例では、配線パターン８と反対側の基体７
の表面にピン孔９と同軸に、かつ配線パターン８のリン
グ部8aと同形状の金属リング12を形成し、配線基板１に
は基体11、配線パターン８及び金属リング12を貫通する
多数のピン孔９を規則正しく形成し、この金属リング12
と配線パターン８のリング部8aとを介して絶縁性基体７
を挾持させるようにしたものである。
第７図〜第９図は、本発明に係る半導体装置の他の実施
例を示し、配線基板１は、中央部に開口部６を有するポ
リイミド樹脂フイルムからなる絶縁性基板７と、該絶縁
性基体１の片側表面上に形成された配線パターン８とで
構成され、配線パターン８は基体１の片側表面にその開
口部６の近傍から基体７の外周部へ向かって放射状に伸
張している。
また、配線基板１は、第８図に示すように、絶縁性基体
７の片側表面に化学銅メッキの形成を促進するための触
媒層15が形成され、その上に銅メッキ層16a、ニッケル
メッキ層16b及び金メッキ層16cを積層して成る配線パタ
ーン８が形成されると共に、配線パターン８が形成され
ている部位以外の部位の表面に、配線パターン８の厚さ
と同一の厚さの絶縁性皮膜17が形成され、配線パターン
側の表面が平滑になるようにしてあり、該絶縁性基体１
の配線パターン側表面は、非透湿性樹脂、例えばエポキ
シ系樹脂あるいはポリイミド系樹脂からなる防湿層18で
被覆されている。
外部接続用入出力ピン２は、第１図の実施例と同様に頭
部側近傍に大径の段部2bを有し、頭部2aと段部2bの間に
基体７と配線パターン８を挾持させることにより配線基
板１に固定されると共に、配線パターン８に電気的に接
続されている。
放熱板３は、配線基板１の開口部６に面する側に該開口
部６とほぼ同面積の凹所10が形成される一方、周縁部3a
に突起11が形成され、周縁部3aを配線基板１及び入出力
ピン２と共に耐熱性樹脂で封入成形することにより一体
化されている。
前記構造のプラグイン型パッケージからなる半導体装置
は、次のようにして製造できる。まず、絶縁性基体７に
スリット加工を施し、脱脂、乾燥後、化学銅メッキの付
着を容易にするため絶縁性基体７の表面に触媒ペースト
を塗布、乾燥させて触媒層15を形成し、スタンピング加
工した後、配線パターン８を形成すべき部位以外の部位
に、エポキシ樹脂からなるレジストインキをスクリーン
印刷して絶縁性皮膜17を形成する。次いで化学銅メッキ
法により基体７の配線パターン８を形成すべき部位の表
面に銅メッキ層16aを形成する。
このようにして基体７上に形成された銅メッキ層16aの
上に、電気メッキ法によりニッケルメッキ層16bを積層
し、更にその上に金メッキ層16cを積層し、金メッキ層1
6cの表面、即ち、配線パターン８の表面が絶縁性皮膜17
の表面と同一レベルになるように電気メッキして、配線
基板１を形成し、配線基板１の配線パターン側の表面に
非透湿性樹脂、例えば、エポキシ系樹脂を塗布して防湿
層18を形成する。
次いで、予め用意した外部接続用入出力ピン２の頭部2a
を配線基板１のピン孔９に嵌入させ、入出力ピン２の頭
部2aを振動あるいはハンマーリングによりかしめて、入
出力ピン２の頭部2aと段部2bとの間に、基体７及び配線
パターン８を挾持させることにより、入出力ピン２を配
線基板１に固定すると共に、配線パターン８に電気的に
接続させる。次に、第９図に示すように、配線基板１に
立設された入出力ピン２をその位置に対応して下型21に
形成されたピン穴22に遊嵌状態に維持させるように配線
基板１を下型21のキャビテイ23内にセットして、さら
に、その配線基板１の開口部６を覆うように放熱板３を
セットした後、上型24を降下させて型閉めし、可動ピン
25で入出力ピン２の頭部2aを押圧して、入出力ピン２の
段部2bの下端面をキャビテイ23の底面に圧接させ、耐熱
性樹脂をゲート26からキャビテイ23内に射出して封入す
る成形することによりプラグイン型パッケージを製造す
る。
このようにして製造されたプラグイン型パッケージは、
第７図に示すように、配線基板１の開口部６から露出し
ている放熱板３の凹所10内に半導体素子27を装着し、該
半導体素子27の外部接続端子をワイヤボンデイング等に
より配線パターン８に接続し、外装体４の凹所4aを非透
過性樹脂からなるフイルム28で密閉することにより半導
体装置製品とされる。
この実施例の半導体装置は、多湿雰囲気で保管あるいは
使用しても、防湿層５および18の作用により水蒸気やガ
ス等の配線パターン８への侵入が阻止されるため、優れ
た耐湿性及び信頼性を示す。
なお、半導体装置の放熱板露出側表面の防湿層５は、封
入成形後、エポキシ系あるいはポリイミド系樹脂をコー
テイングして形成すれば良い。
また、前記実施例では、銅メッキ層16aの上にニッケル
メッキ層16b及び金メッキ層16cを積層して配線パターン
８を形成しているが、必ずしもその必要は無く、銀メッ
キその他の任意の耐食性のある良導電性金属メッキ層を
単独であるいは積層して絶縁性皮膜17と同じ厚さに形成
するようにしても良い。
さらに、配線パターン８はエッチング法により製造する
こともできる。例えば、基体の片側表面上に張着された
銅箔の上にフォトレジストを塗布して乾燥させ、その表
面に所定の配線パターンを露光した後、未露光部をエッ
チングして配線パターン８を形成するようにしても良
い。
第10図は本発明の他の実施例を示し、この半導体装置
は、外部接続用入出力ピン２を配線パターン側から反対
側表面の方へ突出するように立設し、ほぼ中央部に凹所
10を形成された放熱板３を配線パターン８と反対側表面
上に配設して外装体４で一体化したプラグイン型パッケ
ージを採用し、半導体素子27を収容する空間、即ち、外
装体４の凹所4aの表面を非透過性樹脂からなるフイルム
28で密閉した点が異なるのみで、他の構成は第１図に示
す半導体装置と同じである。
第11図は本発明のさらに他の実施例を示し、外装体４の
凹所4a内に露出している放熱板３の凹所10の表面に半導
体素子27を搭載した後、半導体素子27を収容する空間、
即ち、外装体４の凹所4aに外装体４と同材料の充填剤29
を充填して封止し、その上に防湿層５を形成した点が異
なるのみで、他の構成は第10図の半導体装置と同じであ
る。
なお、この実施例では、プラグイン型パッケージを製造
後、半導体素子27を搭載し、その露出部を樹脂29で封止
しているが、予め絶縁性基体７と放熱板３とを接着材で
接着し、放熱板３に半導体素子27を搭載すると共に、配
線パターン８の上に防湿層を形成した後、封入成形して
半導体素子を基体等と共に一体的に外装体４に埋設する
ようにしても良い。
第12図は本発明の他の実施例を示し、外部接続用入出力
ピン２として一端側に２重に段部2b、2cを設けたピンを
用い、その頭部側の段部2bと頭部2aとの間で配線基板１
をかしめる一方、その段部2bとその下側の段部2cとの間
に形成される環状溝2dに外装体成型用樹脂を廻り込ませ
てピン２の引抜力を一段と向上させるようにした点が異
なるのみで、他の構成は第１図のものと同じである。
第13図および第14図は本発明の他の実施例を示し、相互
に対応する位置に少なくとも一つの開口部6a、6bと複数
のピン孔9a、9bとを形成されたプラスチック製フイルム
からなる絶縁性基体7a,7bの表面に相互に異なる配線パ
ターン８を形成してある複数の配線基板1a、1bを積層し
てなる積層基板１と、該積層基板１を貫通する前記各ピ
ン孔9a,9bに嵌入、固定され、各配線基板１の配線パタ
ーン８に接続された段付き外部接続用入出力ピン２と、
前記積層基板１の最上位の配線基板1a上に前記開口部6a
を覆うように配置された放熱板３とからなり、前記積層
基板１を入出力ピン２の基部及び放熱板３の周縁部3aと
共に耐熱性樹脂製外装体４に封入し一体化したプラグイ
ン型パッケージを用いたものである。
この実施例においては、配線基板1aは、配線基板1bの開
口部6bよりワイヤーボンデイング部の分だけ大きく開口
部6aを形成されると共に、配線基板1bの配線パターン８
に接続する段付きピン２の段部2bの直径と同じ若しくは
若干大径のピン孔9aと、入出力ピン２の直径と同じ若し
くは若干大径のピン孔9bとが形成され、外部接続用入出
力ピン２は、他の実施例と同様にして配線基板１に立設
されている。
前記構造のプラグイン型パッケージは、次のようにして
製造できる。まず、エッチング法あるいはメッキ法によ
り絶縁性基体７上にそれぞれ配線パターン８を形成して
なる配線基板1a,1bを積層し、それらの各ピン孔９に予
め用意した入出力ピン２の頭部2bを嵌入させ、ピン２の
頭部2bを振動あるいはハンマーリングによりかしめて、
ピン２の頭部2bと段部2aとの間に絶縁性基体７及び配線
パターン８を挾持させ、ピン２を積層基板１に固定する
と共に、各配線基板1a,1bの配線パターン８に電気的に
接続させる。
次いで、第14図に示すように、得られた積層基板アッセ
ンブリを下型21のキャビテイ23内にセットした後、前記
実施例と同様に、樹脂で封入成型することにより外装体
４を製造し、該外装体４の凹所4a内に露出する配線基板
１の開口部6a,6bを介して放熱板３上にLSIチップその他
の半導体チップを装着し、ワイヤボンデイング等により
配線パターン８に接続することにより半導体装置製品と
される。
なお、前記実施例では、第13図に示されるように、段部
の長さが異なる２種の段付き外部接続用入出力ピン2a,2
bを用いているが、一種の外部接続用入出力ピン２を用
いて、各外部接続用入出力ピン２の自由端に配線基板の
厚さの分だけ段差を設けるようにしても良い。
第15図は本発明の他の実施例に係る半導体装置を中央か
ら切断した状態を示し、二つの開口部６を有し、片側表
面に配線パターン８を形成してなる絶縁性基体を背中合
わせに２枚積層してなる配線基板1a,1bと、各開口部６
を覆うように配置された二つの放熱板３と、これらを埋
設して一体化する外装体４とからなり、外装体４の凹所
4a内に露出している開口部６を介して各放熱板３の表面
に半導体素子をそれぞれ搭載するようにしたものであ
る。
また、第５図および第６図の実施例では、基体７をはさ
んで配線パターンと反対側の位置に金属リング12を形成
しているが、これは第16図に示すように、エッチング法
により座金35を形成するようにしてもよい。
（発明の効果） 以上の説明から明らかなように、本発明は、少なくとも
配線基板と、該配線基板に嵌入固定された入出力ピンの
基部と、前記配線基板上に配置された放熱板の周縁部と
を樹脂製外装体内に封入して一体化した構造とすること
により、配線基板が機械的強度を要求されなくなるの
で、肉厚の薄い配線基板を採用でき、半導体装置の薄型
化および高密度化を図ることができる。また、半導体装
置の絶縁性基体として、プラスチック製、セラミック製
または複合材料製のフイルムまたはシートなど任意のも
のを採用できるので、半導体装置の低コスト化を図ると
同時に、ピン数の増大を図ることができる。
また、外装体を樹脂で成型しているため、配線基板上の
配線パターンが外部に露出することが無く、しかも50μ
ｍ程度の高寸法精度で信頼性の高い半導体装置のプラグ
イン型パッケージを製造できる。さらに、外装体と放熱
板が配線基板と一体化されているため、曲げ強度、耐機
械的衝撃性及び耐熱衝撃性に優れ、しかも熱放散性に優
れた半導体装置を製造できるなど優れた効果が得られ
る。
さらに、配線パターンの表面を非透湿性樹脂からなる防
湿層で被覆することにより、外装体から内部の半導体素
子に水蒸気やガスが透過してくるのを防止し、半導体装
置の耐湿性を向上させるようにしたので、湿度透過によ
る電気的特性の劣化を防止できる。
従って、本発明によれば、信頼性の高い半導体装置を安
価に製造でき、しかも半導体装置の薄型化及び軽量化を
図ることができるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る半導体装置のプラグイン型パッケ
ージの概略断面図、第２図はその一部切り欠き底面図、
第３図はその製造時における金型内での状態を示す要部
断面図、第４図は第１図のプラグイン型パッケージの斜
視図、第５図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の
部分拡大断面図、第６図はそのパッケージ成型時の金型
内での状態を示す要部拡大断面図、第７図は本発明のさ
らに他の実施例を示す半導体装置の概略断面図、第８図
はその要部拡大断面図、第９図は第７図の半導体装置の
パッケージ製造時の金型内での状態を示す要部拡大断面
図、第10図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の断
面図、第11図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の
断面図、第12図は本発明に係るさらに他の実施例を示す
要部拡大断面図、第13図は本発明の他の実施例を示す要
部拡大断面図、第14図はそのパッケージ成型時の金型内
での状態を示す要部拡大断面図、第15図は本発明の他の
実施例を示す一部断面斜視図、第16図は本発明に係る半
導体装置における基体の一実施例を示す部分斜視図であ
る。 1,1a,1b……配線基板、 ２……外部接続用入出力ピン、 ３……放熱板、 ４……パッケージ、 ５……防湿層、 ６……開口部、 ７……絶縁性基体、 ８……配線パターン、 ９……ピン孔、 10……凹所、 11……突起、 12……金属リング、 13……スタンドオフ、 17……絶縁性皮膜、 21……下型、 22……ピン穴、 23……キャビテイ、 24……上型、 27……半導体装置、 28……フイルム、 29……封止材。

Claims (58)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくとも一つの開口部と多数のピン孔を
    有する絶縁性基体の表面に配線パターンを形成され、そ
    の配線パターン間に該配線パターンと同一厚さの絶縁性
    被膜を形成された配線基板と、該配線基板のピン孔に嵌
    入され前記配線パターンと電気的に接続された多数の外
    部接続用入出力ピンの基部と、前記配線基板の開口部を
    覆うように配線基板上に配置された放熱板の周縁部と
    を、それぞれ一体に封入成形してなる樹脂製外装体から
    なるパッケージを有することを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】絶縁性基体が耐熱性樹脂製の薄肉基体であ
    る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】絶縁性基体がフィルム状またはシート状基
    体である特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導
    体装置。
  4. 【請求項４】絶縁性基体がラミネート構造を有する薄肉
    基体である特許請求の範囲第１項〜第４項のいずれか一
    項記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】絶縁性基体がポリイミド樹脂系フィルムで
    ある特許請求の範囲第１項、第２項または第４項記載の
    半導体装置。
  6. 【請求項６】絶縁性基体がポリエステル樹脂系フィルム
    である特許請求の範囲第１項、第２項または第４項のい
    ずれか一項記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】絶縁性基体がエポキシ樹脂系ガラス布基材
    からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第３
    項および第４項のいずれか一項記載の半導体装置。
  8. 【請求項８】絶縁性基体がトリアジン樹脂系ガラス布基
    材からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第
    ３項および第４項のいずれか一項記載の半導体装置。
  9. 【請求項９】絶縁性基体がポリエステル樹脂系ガラス布
    基材からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項、
    第３項および第４項のいずれか一項記載の半導体装置。
  10. 【請求項１０】絶縁性基体がフェノール樹脂系ガラス布
    基材からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項、
    第３項および第４項のいずれか一項記載の半導体装置。
  11. 【請求項１１】絶縁性基体がポリイミド樹脂系ガラス布
    基材からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項、
    第３項、および第４項のいずれか一項記載の半導体装
    置。
  12. 【請求項１２】絶縁性基体がセラミック製薄肉基体であ
    る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
  13. 【請求項１３】絶縁性基体がフィルム状またはシート状
    基体である特許請求の範囲第12項記載の半導体装置。
  14. 【請求項１４】絶縁性基体がセラミック製フイルムであ
    ることを特許請求の範囲第１項または第12項記載の半導
    体装置。
  15. 【請求項１５】絶縁性基体がアルミナ基体からなること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項、第12項または第13
    項記載の半導体装置。
  16. 【請求項１６】絶縁性基体が緑色炭化ケイ素粉末の焼成
    基体からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項、
    第12項および第13項のいずれか一項記載の半導体装置。
  17. 【請求項１７】絶縁性基体がポリイミド樹脂系のフイル
    ムを積層した薄肉基体である特許請求の範囲第１項〜第
    ６項のいずれか一項記載の半導体装置。
  18. 【請求項１８】配線基板が、相互に対応する位置に少な
    くとも一つの開口部と多数のピン孔とを有する絶縁性基
    体の表面に相互に異なる配線パターンを形成してなる複
    数の配線基板を積層してなる積層基板であることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項〜第17項のいずれか一項記
    載の半導体装置。
  19. 【請求項１９】外部接続用入出力ピンがその基部に段部
    を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第18
    項のいずれか一項記載の半導体装置。
  20. 【請求項２０】各外部接続用入出力ピンがその基部の段
    部と頭部とで配線基板をカシメ挾持すると共に、配線パ
    ターンに電気的に接続されていることを特徴とする特許
    請求の範囲第19項記載の半導体装置。
  21. 【請求項２１】前記配線基板が、絶縁性基板の配線パタ
    ーンと反対側の表面にピン孔と同軸に金属リング又は座
    金を備え、外部接続用入出力ピンが、その基部の段部と
    頭部とで前記金属リング又は座金と配線パターンとをカ
    シメ挾持して薄肉基体に取り付けられていることを特徴
    とする特許請求の範囲第19項記載の半導体装置。
  22. 【請求項２２】配線基板が少なくとも片側表面に配線パ
    ターンを形成された薄肉基体からなることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
  23. 【請求項２３】配線基板が片面もしくは両面銅張積層基
    板のプリント基板からなることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の半導体装置。
  24. 【請求項２４】配線基板の薄肉基体と配線パターンとを
    貫通する各ピン孔の壁面にニッケル下地めっきが形成さ
    れ、その上に銀もしく金のスルホールめっきが形成され
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
    導体装置。
  25. 【請求項２５】配線基板に形成される配線パターンが薄
    肉基体上に張着された銅または銅合金層と、その上に形
    成された銀もしくは金のめっき層とからなることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項〜第24項のいずれか一項記
    載の半導体装置。
  26. 【請求項２６】配線基板に形成される配線パターンが薄
    肉基体上に張着された銅または銅合金層と、その上に順
    次積層されたニッケル下地めっき層と、パラジウムめっ
    き層と、銀もしくは金めっき層とからなることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項〜第24項のいずれか一項記載
    の半導体装置。
  27. 【請求項２７】配線基板に形成される配線パターンが無
    電解ニッケルめっき層と、その上に積層された銀もしく
    は金の電気めっき層から形成されていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項又は第24項記載の半導体装置。
  28. 【請求項２８】絶縁性基体上に触媒層を介して無電解ニ
    ッケルめっきが形成されていることを特徴とする特許請
    求の範囲第27項記載の半導体装置。
  29. 【請求項２９】配線パターンが絶縁性基体上に形成され
    た銅層と、該銅層上に積層された銀もしくは金の電気め
    っき層とから形成されていることを特徴とする特許請求
    の範囲第１項〜24項のいずれか一項記載の半導体装置。
  30. 【請求項３０】放熱板が金属製放熱板であることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項〜第29項のいずれか一項記
    載の半導体装置。
  31. 【請求項３１】放熱板が金属焼結体もしくは金属酸化物
    焼結体からなる放熱板であることを特徴とする特許請求
    の範囲第１項〜第29項のいずれか一項記載の半導体装
    置。
  32. 【請求項３２】金属焼結体が銅または銅合金の焼結体で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第31項記載の半導
    体装置。
  33. 【請求項３３】放熱板がアルミニウムまたはアルミニウ
    ム合金からなることを特徴とする特許請求の範囲第30項
    記載の半導体装置。
  34. 【請求項３４】放熱板が銀もしくは金めっきした金属製
    放熱板であることを特徴とする特許請求の範囲第30項記
    載の半導体装置。
  35. 【請求項３５】放熱板が半導体素子を搭載するための凹
    部を少なくとも１個有する特許請求の範囲第１項〜第34
    項のいずれか一項記載の半導体装置。
  36. 【請求項３６】放熱板が半導体素子を搭載するための凹
    部を２個以上有する特許請求の範囲第35項記載の半導体
    装置。
  37. 【請求項３７】放熱板に形成された半導体素子搭載用凹
    部の表面が金めっきもしくは銀めっきされている特許請
    求の範囲第35項記載の半導体装置。
  38. 【請求項３８】放熱板の半導体素子搭載用凹部が中央部
    に形成されている特許請求の範囲第35項または第37項記
    載の半導体装置。
  39. 【請求項３９】外装体成形用樹脂が耐熱性樹脂である特
    許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
  40. 【請求項４０】外装体成形用樹脂が充填剤として無機質
    物質を含有している樹脂組成物である特許請求の範囲第
    39項記載の半導体装置。
  41. 【請求項４１】外装体成形用樹脂が熱可塑性樹脂である
    特許請求の範囲第１項、第39項および第40項のいずれか
    一項記載の半導体装置。
  42. 【請求項４２】外装体成形用樹脂が熱硬化性樹脂である
    特許請求の範囲第１項、第39項および第40項のいずれか
    一項記載の半導体装置。
  43. 【請求項４３】外装体成形用樹脂がポリフェニレンサル
    ファイド樹脂からなることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項、第39項、第40項および第41項のいずれか一項記
    載の半導体装置。
  44. 【請求項４４】外装体成形用樹脂がエポキシ樹脂系成形
    材からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第
    39項、第40項、第42項記載の半導体装置。
  45. 【請求項４５】外装体成形用樹脂が無機質充填剤を40％
    重量〜70％重量含有することを特徴とする特許請求の範
    囲第40項〜第44項のいずれか一項記載の半導体装置。
  46. 【請求項４６】前記無機質充てん材がガラス繊維または
    シリカである特許請求の範囲第45項記載の半導体装置。
  47. 【請求項４７】外部接続用入出力ピンの基部が該基部と
    配線パターンと電気的に接続するためのスルホール部ま
    たはランド部で、半田、錫、電導性接合剤からなる群か
    ら選ばれた導電性結合剤で溶融接合されていることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
  48. 【請求項４８】外部接続用入出力ピンの基部が該基部と
    配線パターンと電気導通するためのスルホール部または
    ランド部で導電性塗料で結着結合されていることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
  49. 【請求項４９】前記放熱板がその半導体素子搭載用凹部
    を外部接続用入出力ピンの伸張方向と同方向または反対
    方向に向けて埋設されていることを特徴とする特許請求
    の範囲第35項〜第38項のいずれか一項記載の半導体装
    置。
  50. 【請求項５０】外部接続用入出力ピンが配線基板に対し
    て垂直に配設されていることを特徴とするプラグイン型
    パッケージからなる特許請求の範囲第１項〜第49項のい
    ずれか一項記載の半導体装置。
  51. 【請求項５１】半導体素子を搭載した外装体の開口部が
    樹脂で充填されていることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項〜第50項のいずれか一項記載の半導体装置。
  52. 【請求項５２】半導体素子を搭載した外装体の開口部が
    気密的に封止されていることを特徴とする特許請求の範
    囲第１項〜第50項のいずれか一項記載の半導体装置。
  53. 【請求項５３】外装体が外部接続用入出力ピンの伸張方
    向に突出した少なくとも１個のスタンドオフを一体に成
    型されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜
    第52項のいずれか一項記載の半導体装置。
  54. 【請求項５４】前記スタンドオフが外部接続用入出力ピ
    ンと同軸に成型されていることを特徴とする特許請求の
    範囲第53項記載の半導体装置。
  55. 【請求項５５】前記配線基板の開口部近傍のワイヤボン
    デング部を除き、前記配線パターンが非透湿性樹脂から
    なる防湿層で被覆されていることを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の半導体装置。
  56. 【請求項５６】開口部を有する絶縁性基体上に配線パタ
    ーンを形成してなる配線基板と、該配線基板に形成され
    る配線パターンと電気的に接続される複数の外部接続用
    入出力ピンと、前記配線基板の開口部を覆い該開口部の
    周縁部に接して配置される放熱板とを、金型のキャビテ
    ィ内にそれぞれ配置させ、前記入出力ピンの自由端側を
    金型内に形成されたピン孔に遊嵌状態に保持させると共
    に、入出力ピンの基部に形成された段部の下端面をキャ
    ビテイの底面に圧接させた状態で前記配線基板と、入出
    力ピンの基部と放熱板の周縁部とを一体に絶縁性樹脂で
    封入成形することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  57. 【請求項５７】入出力ピンの自由端側を金型内に形成さ
    れたピン穴に挿入して保持させると共に入出力ピンの頭
    部を金型のエジェクターピンで押圧して保持し、かつ放
    熱板の周線部で開口部を覆われた配線基板の開口部周縁
    の内部リード部を金型のキャビテイの底面で圧接して外
    装体を樹脂成形することを特徴とする特許請求の範囲第
    56項記載の半導体装置の製造方法。
  58. 【請求項５８】放熱板の周縁部で開口部を覆われた配線
    基板の開口部を金型のキャビテイの底面で圧接させて配
    線パターンの内部リード部を露出させる様にパッケージ
    を樹脂成形することを特徴とする特許請求の範囲第56項
    または第57項記載の半導体装置の製造方法。
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